JP2006109687A - スイッチング電源回路 - Google Patents

スイッチング電源回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2006109687A
JP2006109687A JP2005082518A JP2005082518A JP2006109687A JP 2006109687 A JP2006109687 A JP 2006109687A JP 2005082518 A JP2005082518 A JP 2005082518A JP 2005082518 A JP2005082518 A JP 2005082518A JP 2006109687 A JP2006109687 A JP 2006109687A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
switching
voltage
power factor
winding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005082518A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Yasumura
昌之 安村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2005082518A priority Critical patent/JP2006109687A/ja
Priority to KR1020050045521A priority patent/KR20060046271A/ko
Priority to EP05011854A priority patent/EP1603222A2/en
Priority to US11/143,987 priority patent/US7170761B2/en
Publication of JP2006109687A publication Critical patent/JP2006109687A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/42Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
    • H02M1/4208Arrangements for improving power factor of AC input
    • H02M1/4241Arrangements for improving power factor of AC input using a resonant converter
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/337Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in push-pull configuration
    • H02M3/3376Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in push-pull configuration with automatic control of output voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048Circuits or arrangements for reducing losses
    • H02M1/0054Transistor switching losses
    • H02M1/0058Transistor switching losses by employing soft switching techniques, i.e. commutation of transistors when applied voltage is zero or when current flow is zero
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

【課題】 スイッチング周波数制御により定電圧制御を行い、力率改善機能を有する電源回路において、スイッチング周波数制御の必要制御範囲の縮小化を図り、ワイドレンジ対応の構成を実現する。
【解決手段】 電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路と共に、少なくとも二次巻線N2及び二次側直列共振コンデンサC2とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスPITの電磁結合による結合形共振回路を形成する。そして、この結合形共振回路について単峰特性を得るために、絶縁コンバータトランスPITの総合結合係数ktについてkt=0.65以下を設定する。力率改善は、電力回生方式又は電圧帰還方式による力率改善回路を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、各種電子機器の電源として備えられるスイッチング電源回路に関する。
特開平6−327246号公報(第11図)
近年、高周波の比較的大きい電流及び電圧に耐えることができるスイッチング素子の開発によって、商用電源を整流して所望の直流電圧を得る電源回路としては、大部分がスイッチング方式の電源回路になっている。
スイッチング電源回路はスイッチング周波数を高くすることによりトランスその他のデバイスを小型にすると共に、大電力のDC−DCコンバータとして各種の電子機器の電源として使用される。
ところで、一般に商用電源を整流すると平滑回路に流れる電流は歪み波形になるため、電源の利用効率を示す力率が損なわれるという問題が生じる。
また、このような歪み電流波形となることによって発生する、高調波を抑圧するための対策が必要とされている。
また、スイッチング電源回路としては、例えば日本や米国等の交流入力電圧AC100V系の地域と、欧州等のAC200V系の地域に対応するように、例えば約AC85V〜288Vの交流入力電圧範囲に対応した動作が可能に構成された、いわゆるワイドレンジ対応の電源回路が知られている。
ここで、上記した共振形コンバータとしては、コンバータを形成するスイッチング素子のスイッチング周波数を制御すること(スイッチング周波数制御方式)により安定化を図るように構成したものが知られている。
このようなスイッチング周波数制御方式による共振形コンバータとして、例えば汎用の発振・ドライブ回路ICなどによりスイッチング素子をスイッチング駆動するような構成では、例えばスイッチング周波数fsの可変範囲は最大で、fs=50kHz〜250kHz程度となっている。このような可変範囲である場合、例えば負荷電力Poの変動範囲がPo=0Wから90W程度まで、さらには150W程度までの比較的大きな変動幅となる負荷条件では、ワイドレンジとしてのAC85V〜288Vの交流入力電圧範囲に対応して安定化を図ることはほぼ不可能となる。
例えばAC85V〜144V程度の変動に対応するAC100V系の単レンジの構成において、負荷電力Po=150W〜0Wの負荷変動に対応する安定化を行うとした場合は、スイッチング周波数の可変範囲はおよそ80kHz〜200kHz程度となる。その上で上記のようなAC85V〜288Vの変動に対応するワイドレンジの構成を実現するためには、スイッチング周波数の制御範囲として例えば80kHz〜500kHz程度のさらに広範囲が必要となり、上記した発振・ドライブICの最大可変範囲ではこれを制御することが実質的に不可能となる。
また、仮に発振・ドライブICとしてこのような広範囲な周波数の制御範囲が実現可能とされたとしても、スイッチング周波数が400kHzや500kHzといった高周波となることに伴っては、例えばスイッチング素子やトランスにおける損失が増大し、電力変換効率として実用的な数値を得ることが非常に困難となる。
これらのことから、共振形コンバータでは、スイッチング周波数制御によるワイドレンジ対応の構成が実質的に不可能であるとされている。
そこで従来においては、共振形コンバータにおいてワイドレンジ対応の構成を実現し、さらに力率の改善を図ることのできる技術として、いわゆるアクティブフィルタを用いる手法が知られている(例えば上記特許文献1参照)。
このようなアクティブフィルタの基本構成としては、例えば図33に示すものとなる。
この図33においては、商用交流電源ACにブリッジ整流回路Diを接続している。このブリッジ整流回路Diの正極/負極ラインに対しては並列に出力コンデンサCoutが接続される。ブリッジ整流回路Diの整流出力が出力コンデンサCoutに供給されることで、出力コンデンサCoutの両端電圧として直流電圧Voutが得られる。この直流電圧Voutは、例えば後段のDC−DCコンバータなどの負荷110に入力電圧として供給される。
また、力率改善のための構成としては、図示するようにして、インダクタL、高速リカバリ型のダイオードD、抵抗Ri、スイッチング素子Q、及び乗算器111を備える。
インダクタL、ダイオードDは、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と、出力コンデンサCoutの正極端子との間に、直列に接続されて挿入される。
抵抗Riは、ブリッジ整流回路Diの負極出力端子(一次側アース)と出力コンデンサCoutの負極端子との間に挿入される。
また、スイッチング素子Q1は、この場合にはMOS−FETが選定されており、図示するようにしてインダクタLとダイオードDの接続点と、一次側アース間に挿入される。
乗算器111に対しては、フィードフォワード回路として、電流検出ラインLI及び波形入力ラインLwが接続され、フィードバック回路として電圧検出ラインLVが接続される。
乗算器111は、電流検出ラインLIから入力される、ブリッジ整流回路Diの負極出力端子に流れる整流電流レベルを検出する。
また、波形入力ラインLwから入力される、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子の整流電圧波形を検出する。これは、即ち、商用交流電源AC(交流入力電圧)の波形を絶対値化して検出していることに相当する。
また、電圧検出ラインLVから入力される、出力コンデンサCoutの直流電圧Voutに基づいて、直流入力電圧の変動差分を検出する。
そして、乗算器111からは、スイッチング素子Qを駆動するためのドライブ信号が出力される。
電流検出ラインLIから乗算器111に対しては、ブリッジ整流回路Diの負極出力端子に流れる整流電流が入力される。乗算器111では、この電流検出ラインLIから入力された整流電流レベルを検出する。また、電圧検出ラインLVから入力される、出力コンデンサCoutの直流電圧Voutに基づいて、直流入力電圧の変動差分を検出する。また、波形入力ラインLwから入力される、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子の整流電圧波形を検出する。これは、即ち、商用交流電源AC(交流入力電圧)の波形を絶対値化して検出していることに相当する。
乗算器111では、先ず、上記のようにして電流検出ラインLIから検出した整流電流レベルと、上記電圧検出ラインLVから検出した直流入力電圧の変動差分と乗算する。そして、この乗算結果と、波形入力ラインLwから検出した交流入力電圧の波形とによって、交流入力電圧VACと同一波形の電流指令値を生成する。
さらに、この場合の乗算器111では、上記電流指令値と実際の交流入力電流レベル(電流検出ラインL1からの入力に基づいて検出される)を比較し、この差に応じてPWM信号についてPWM制御を行い、PWM信号に基づいたドライブ信号を生成する。そして、スイッチング素子Qは、このドライブ信号によってスイッチング駆動される。この結果、交流入力電流は交流入力電圧と同一波形となるように制御されて、力率がほぼ1に近付くようにして力率改善が図られることになる。また、この場合には、乗算器によって生成される電流指令値は、整流平滑電圧の変動差分に応じて振幅が変化するように制御されるため、整流平滑電圧の変動も抑制されることになる。
図34(a)は、図33に示したアクティブフィルタ回路に入力される入力電圧Vin及び入力電流Iinを示している。電圧Vinは、ブリッジ整流回路Diの整流出力としての電圧波形に対応し、電流Iinは、ブリッジ整流回路Diの整流出力としての電流波形に対応する。ここで、電流Iinの波形は、ブリッジ整流回路Diの整流出力電圧(電圧Vin)と同じ導通角となっているが、これは、商用交流電源ACからブリッジ整流回路Diに流れる交流入力電流の波形も、この電流Iinと同じ導通角となっていることを示す。つまり、ほぼ1に近い力率が得られている。
また、図34(b)は、出力コンデンサCoutに入出力するエネルギー(電力)Pchgの変化を示す。出力コンデンサCoutは、入力電圧Vinが高いときにエネルギーを蓄え、入力電圧Vinが低いときにエネルギーを放出して、出力電力の流れを維持する。
図34(c)は、上記出力コンデンサCoutに対する充放電電流Ichgの波形を示している。この充放電電流Ichgは、上記図34(b)の入出力エネルギーPchgの波形と同位相となっていることからも分かるように、出力コンデンサCoutにおけるエネルギーPchgの蓄積/放出動作に対応して流れる電流である。
上記充放電電流Ichgは、入力電流Vinとは異なり、交流ライン電圧(商用交流電源AC)の第2高調波とほぼ同一の波形となる。交流ライン電圧には、出力コンデンサCoutとの間のエネルギーの流れによって、図34(d)に示すようにして、第2高調波成分にリップル電圧Vdが生じる。このリップル電圧Vdは、無効なエネルギー保存のために、図34(c)に示す充放電電流Ichgに対して、90°の位相差を有する。出力コンデンサCoutの定格は、第2高調波のリップル電流と、その電流を変調するブースト・コンバータ・スイッチからの高周波リップル電流を処理することを考慮して決定するようにされる。
また、図35には、先の図33の回路構成を基として、基本的なコントロール回路系を備えたアクティブフィルタの構成例を示している。なお、図33と同一とされる部分については同一符号を付して説明を省略する。
ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と、出力コンデンサCoutの正極端子間には、スイッチングプリレギュレータ115が備えられる。このスイッチングプリレギュレータ115は、図33においては、スイッチング素子Q、インダクタL、及びダイオードDなどにより形成される部位となる。
そして、乗算器111を含むコントロール回路系は、他に、電圧誤差増幅器112、除算器113、二乗器114を備えて成る。
電圧誤差増幅器112では、出力コンデンサCoutの直流電圧Voutを、分圧抵抗Rvo−Rvdにより分圧してオペアンプ112aの非反転入力に入力する。オペアンプ112aの反転入力には基準電圧Vrefが入力される。オペアンプ112aでは、基準電圧Vrefに対する分圧された直流電圧Voutの誤差に応じたレベルの電圧を、帰還抵抗Rvl、コンデンサCvlによって決定される増幅率により増幅して、誤差出力電圧Vveaとして除算器113に出力する。
また、二乗器114には、いわゆるフィードフォワード電圧Vffが入力される。このフィードフォワード電圧Vffは、入力電圧Vinを平均化回路116(Rf11,Rf12,Rf13,Cf11,Cf12)により平均化した出力(平均入力電圧)とされる。二乗器114では、このフィードフォワード電圧Vffを二乗して除算器113に出力する。
除算器113では、電圧誤差増幅器112からの誤差出力電圧Vveaについて、二乗器114から出力された平均入力電圧の二乗値により除算を行い、この除算結果としての信号を乗算器111に出力する。
つまり、電圧ループは、二乗器114、除算器113、乗算器111の系から成るものとされる。そして、電圧誤差増幅器112から出力される誤差出力電圧Vveaは、乗算器111で整流入力信号Ivacにより乗算される前の段階で、平均入力電圧(Vff)の二乗により除算されることになる。この回路によって、電圧ループの利得は、平均入力電圧(Vff)の二乗として変化することなく、一定に維持される。平均入力電圧(Vff)は、電圧ループ内において順方向に送られる開ループ補正の機能を有する。
乗算器111には、上記除算器111により誤差出力電圧Vveaを除算した出力と、抵抗Rvacを介したブリッジ整流回路Diの正極出力端子(整流出力ライン)の整流出力(Iac)が入力される。ここでは、整流出力を電圧によるのではなく、電流(Iac)として示している。乗算器111では、これらの入力を乗算することによって、電流プログラミング信号(乗算器出力信号)Imoを生成して出力する。これは、図33にて説明した電流指令値に相当する。出力電圧Voutは、この電流プログラミング信号の平均振幅を可変することで制御される。つまり、電流プログラミング信号の平均振幅の変化に応じたPWM信号が生成され、このPWM信号に基づいたドライブ信号によってスイッチング駆動が行われることによって、出力電圧Voutのレベルをコントロールするものである。
したがって、電流プログラミング信号は、入力電圧と出力電圧を制御する平均振幅の波形を有する。なお、アクティブフィルタは、出力電圧Voutのみではなく、入力電流Vinも制御するようになっている。そして、フィードフォワード回路における電流ループは、整流ライン電圧によってプログラムされるということがいえるので、後段のコンバータ(負荷110)への入力は抵抗性になる。
図36は、図33に示した構成に基づくアクティブフィルタの後段に対して電流共振形コンバータを接続して成る電源回路の構成例を示している。この図に示す電源回路は、AC100V系とAC200V系の双方の交流入力電圧に対応する、いわゆるワイドレンジ対応とされている。また、負荷電力0〜150Wの条件に対応可能な構成を採っている。また、電流共振形コンバータとしては、他励式のハーフブリッジ結合方式による構成を採る。
この図36に示す電源回路においては、商用交流電源ACに対して、図示する接続態様により、2組のコモンモードチョークコイルCMCによるコモンモードノイズフィルタと、3組のアクロスコンデンサCLが接続され、この後段にブリッジ整流回路Diが接続される。
また、ブリッジ整流回路Diの整流出力ラインには、1組のチョークコイルLNと、2組のフィルタコンデンサ(フィルムコンデンサ)CN,CNを図示するようにして接続して成るノーマルモードノイズフィルタ125が接続される。
ブリッジ整流回路Diの正極出力端子は、上記チョークコイルLNと、パワーチョークコイルPCCのインダクタLpcと、高速リカバリ型の整流ダイオードD20の直列接続を介して、平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。この平滑コンデンサCiは、図33、図35における出力コンデンサCoutに相当する。また、パワーチョークコイルPCCのインダクタLpcとダイオードD20は、それぞれ、図33に示したインダクタLとダイオードDに相当する。
また、この図における整流ダイオードD20には、コンデンサCsn−抵抗Rsnから成るRCスナバ回路が並列に接続される。
この図におけるスイッチング素子Q11は、図33におけるスイッチング素子Q10に相当する。つまり、実際にアクティブフィルタのスイッチング素子を実装するのにあたって、この場合にはスイッチング素子Q11をパワーチョークコイルLpcと高速リカバリ型の整流ダイオードD20の接続点と、一次側アース(抵抗R3を介する)との間に挿入するようにしている。
この場合のスイッチング素子Q11にはMOS−FETが選定されている。
力率・出力電圧制御用IC120は、この場合には力率を1に近づけるように力率改善を行うアクティブフィルタの動作を制御する集積回路(IC)とされている。
この場合、力率・出力電圧制御回路20は、乗算器、除算器、誤差電圧増幅器、PWM制御回路、及びスイッチング素子をスイッチング駆動するためのドライブ信号を出力するドライブ回路等を備えて構成される。図35に示した乗算器111、電圧誤差増幅器112、除算器113、及び二乗器114などに相当する回路部は、この力率・出力電圧制御IC20内に搭載される。
この場合、フィードバック回路は平滑コンデンサCiの両端電圧(整流平滑電圧Ei)を分圧抵抗R5,R6により分圧した電圧値を、力率・出力電圧制御IC20の端子T1に入力するようにして形成される。
また、フィードフォワード回路としては、スイッチング素子Q3のソースと一次側アース間に挿入される抵抗R3の接続点から、抵抗R4を介して端子T2に対し整流電流レベルを入力するようにしている。つまり、図33における電流検出ラインLIに相当するラインとしてのフィードフォワード回路が形成されている。
また、端子T4には、力率・出力電圧制御IC20の動作電源が供給される。この端子T4には、パワーチョークコイルPCCにおける、インダクタLpcとトランス結合された巻線N5に励起された交番電圧が、図示するダイオードD21及びコンデンサC21とから成る半波整流回路により低圧直流電圧に変換されて供給される。
また、端子T3からは、スイッチング素子を駆動するためのドライブ信号がスイッチング素子Q3のゲートに対して出力される。
スイッチング素子Q3は、印加されるドライブ信号に応じてスイッチング動作を行う。
そして、スイッチング素子Q3のスイッチング駆動は、図33及び図35により説明したようにして、整流出力電流の導通角が、整流出力電圧波形とほぼ同等の導通角となるように、PWM制御に基づくドライブ信号によって行われる。整流出力電流の導通角が整流出力電圧波形とほぼ同等の導通角となるということは、即ち、商用交流電源ACから流入する交流入力電流の導通角が、交流入力電圧VACの波形とほぼ同じ導通角となることであり、結果的に、力率がほぼ1となるように制御されることになる。つまり、力率改善が図られる。
ここで、実際における力率改善動作を示すものとして、図37、図38に、図36に示す回路にて得られる交流入力電流IACの波形を、交流入力電圧VACとの対比により示す。なお、これらの図において、図37では交流入力電圧VAC=100V時の、また図38では交流入力電圧VAC=230V時の結果を示している。
図37に示されるように、交流入力電圧VAC=100V時では、交流入力電流IACのピークレベルは6.5Apとなる。そして、交流入力電流IACの導通期間としては、交流入力電圧VACの導通期間とほぼ一致するようにされて、力率の改善が図られていることがわかる。
また、図38に示す交流入力電圧VAC=230V時では、交流入力電流IACのピークレベルは3.0Apとなり、この場合もその導通期間は交流入力電圧VACの導通期間とほぼ一致するようにされ、力率の改善が図られていることが理解できる。
また、このような力率の改善と共に、図36に示す力率・出力電圧制御IC20によっては、整流平滑電圧Ei(図35では、Voutに相当する)=380Vの平均値について、交流入力電圧VAC=85V〜264Vの範囲で定電圧化するようにも動作する。つまり、後段の電流共振形コンバータには、交流入力電圧VAC=85V〜264Vの変動範囲に関わらず380Vで安定化された直流入力電圧が供給されることとなる。このことは、上記した図37、図38において、交流入力電流IACのピークレベルが交流入力電圧VAC=230時に1/2以下に低下していることによっても示されている。
そして、このような交流入力電圧VAC=85V〜264Vの範囲は、商用交流電源AC100V系と200V系を連続的にカバーするものであり、従って、後段のスイッチングコンバータには、商用交流電源AC100V系と200V系とで、同じレベルで安定化された直流入力電圧(Ei)が供給されることとなる。つまり、図36に示す電源回路は、アクティブフィルタを備えることで、ワイドレンジの電源回路としても構成されている。
アクティブフィルタの後段の電流共振形コンバータは、図示するようにして、2石のスイッチング素子Q1,Q2を備えて成る。この場合には、スイッチング素子Q1がハイサイドで、スイッチング素子Q2がローサイドとなるようにしてハーフブリッジ接続し、整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)に対して並列に接続している。つまり、ハーフブリッジ結合方式による電流共振形コンバータを形成している。
この場合の電流共振形コンバータは他励式とされ、これに対応して上記スイッチング素子Q1,Q2には、MOS−FETが用いられている。これらスイッチング素子Q1,Q2に対しては、それぞれ並列にクランプダイオードDD1,DD2が接続され、これによりスイッチング回路が形成される。これらクランプダイオードDD1,DD2は、スイッチング素子Q1,Q2のターンオフ時における逆方向電流を流す経路を形成する。
スイッチング素子Q1,Q2は、発振・ドライブ回路2によって、交互にオン/オフとなるタイミングによって所要のスイッチング周波数によりスイッチング駆動される。また、発振・ドライブ回路2は、図示する制御回路1による後述する二次側直流出力電圧Eoのレベルに応じた制御に基づき、スイッチング周波数を可変制御するように動作し、これにより、二次側直流出力電圧Eoの安定化を図るようにされる。
絶縁コンバータトランスPITは、上記スイッチング素子Q1,Q2のスイッチング出力を一次側から二次側に伝送するために設けられる。
絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1の一方の端部は、スイッチング素子Q1,Q2の接続点(スイッチング出力点)に対して接続され、他方の端部は、直列共振コンデンサC1を介して一次側アースに接続される。ここで、直列共振コンデンサC1は、自身のキャパシタンスと一次巻線N1のリーケージインダクタンス(L1)とによって直列共振回路を形成する。この直列共振回路は、スイッチング素子Q1,Q2のスイッチング出力が供給されることで共振動作を生じるが、これによって、スイッチング素子Q1,Q2から成るスイッチング回路の動作を電流共振形とする。
絶縁コンバータトランスPITの二次側には二次巻線N2が巻装される。
この場合の二次巻線N2に対しては、図示するようにしてブリッジ接続された整流ダイオードDo1〜Do4によるブリッジ整流回路、及び平滑コンデンサCoから成る全波整流回路を接続している。これにより、平滑コンデンサCoの両端電圧として二次側直流出力電圧Eoが得られる。この二次側直流出力電圧Eoは、図示しない負荷側に供給されるとともに、上記した制御回路1のための検出電圧としても分岐して入力される。制御回路1は、入力される二次側直流出力電圧Eoのレベルに応じた制御信号を発振・ドライブ回路2に対して供給する。発振・ドライブ回路2は、この制御信号に応じて二次側直流出力電圧Eoが安定化されるようにスイッチング周波数を可変するようにしてスイッチング素子Q1,Q2を駆動するようにされる。つまり、スイッチング周波数制御方式による安定化が行われるものである。
図39は、負荷変動に対するAC→DC電力変換効率(総合効率)、力率、及び整流平滑電圧Eiの各特性を示している。この図では、負荷電力Po=150W〜0Wの変動に対する特性が示されている。また、交流入力電圧VAC=100V時(AC100V系)の特性を実線で示し、交流入力電圧VAC=230V時(AC200V系)の特性を破線で示している。
また、図40は、交流入力電圧VACの変動に対するAC→DC電力変換効率(総合効率)、力率、及び整流平滑電圧Eiの各特性を示している。この図では、負荷電力Po=150Wで一定の負荷条件の下での、交流入力電圧VAC=85V〜264Vの変動に対する特性が示される。
先ず、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)は、図39に示すようにして、負荷電力Poが重負荷の条件となるのに従って高くなっていく傾向となっている。また、交流入力電圧VACの変動に対しては、同じ負荷条件の下では、図39及び図40に示されるように、交流入力電圧VACのレベルが高くなっていくのに応じて高くなっていく傾向となっている。
実際においては、負荷電力Po=150Wの負荷条件で、交流入力電圧VAC=100V時には、ηAC→DC=88.0%程度が得られ、交流入力電圧VAC=230V時にはηAC→DC=91.0%程度が得られている。
また、力率PFについては、図39に示すように、負荷電力Poが重負荷の傾向となるのに従って高くなっていく傾向を有している。また、交流入力電圧VACの変動に対しては、図39及び図40に示されるように、交流入力電圧VACのレベルが上昇するのに応じて、低下する傾向となっていることが分かる。
実際としては、負荷電力Po=150Wの負荷条件で、交流入力電圧VAC=100V時には力率PF=0.99程度、交流入力電圧VAC=230V時には力率PF=0.98程度が得られる。
また、整流平滑電圧Eiについては、図39、図40に示されるように、負荷電力Po=150W〜0W、交流入力電圧VAC=85V〜264Vの変動に対して一定となる結果が得られている。
これまでの説明から分かるように、図36に示した電源回路は、従来から知られている図33及び図35に示したアクティブフィルタを実装して構成されている。このような構成を採ることによって、力率改善を図っている。また、負荷電力が150W以下の条件の下で、商用交流電源AC100V系とAC200V系とで動作する、いわゆるワイドレンジ対応の構成を実現している。
しかしながら、図36に示した構成による電源回路としても、次のような問題を有している。
先ず、図36に示す電源回路における電力変換効率としては、図示もしているように、前段のアクティブフィルタに対応するAC→DC電力変換効率と、後段の電流共振形コンバータのDC→DC電力変換効率とを総合したものとなる。
つまり、図36に示される回路の総合的な電力変換効率としては、これらの電力変換効率の値を乗算した値となるものであり、その分低下傾向となってしまう。
実験によれば、図36の回路におけるアクティブフィルタに対応する部分でのAC→DC電力変換効率は、交流入力電圧VAC=100V時ではηAC→DC=93%程度、交流入力電圧VAC=230Vの条件ではηAC→DC=96%程度となる。また、電流共振形コンバータ側でのDC→DC電力変換効率は、負荷電力Po=150W、整流平滑電圧Ei=380V時にηDC→DC=95%程度である。
従って、図36の回路における総合的なAC→DC電力変換効率としては、先の図39、図40にて説明したように、交流入力電圧VAC=100V時ではηAC→DC=88.0%程度に低下し、交流入力電圧VAC=230V時としてもηAC→DC=91.0%程度に低下してしまう。
また、アクティブフィルタ回路はハードスイッチング動作であることから、ノイズの発生レベルが非常に大きいため、比較的重度のノイズ抑制対策が必要となる。
このため、図36に示した回路では、商用交流電源ACのラインに対して、2組のコモンモードノイズチョークコイルと、3組のアクロスコンデンサによるノイズフィルタを形成している。つまり、2段以上のフィルタが必要となっている。
また、整流出力ラインに対しては、1組のチョークコイルLNと、2組のフィルタコンデンサCNから成るノーマルモードノイズフィルタを設けている。さらに、整流用の高速リカバリ型のダイオードD20に対しては、RCスナバ回路を設けている。
このようにして、実際の回路としては非常に多くの部品点数によるノイズ対策が必要であり、コストアップ及び電源回路基板の実装面積の大型化を招いている。
さらに、汎用ICとしての力率・出力電圧制御用IC120によって動作するスイッチング素子Q3のスイッチング周波数は60kHzで固定であるのに対して、後段の電流共振形コンバータのスイッチング周波数は80kHz〜200kHzの範囲で可変する。このようにして両者のスイッチングタイミングが個々に独立して行われることで、両者のスイッチング動作により、一次側アース電位は干渉しあって不安定になり、例えば異常発振が生じやすくなる。これにより、例えば回路設計が難しいものとなったり、信頼性を劣化させるなどの問題も招くことになる。
そこで本発明は上記した課題を考慮して、スイッチング電源回路として次のように構成する。
つまり、商用交流電源を入力して整流平滑電圧を生成する整流平滑手段と、整流平滑電圧を直流入力電圧として入力してスイッチングを行うスイッチング素子を備えて形成したスイッチング手段と、スイッチング素子をスイッチング駆動するスイッチング駆動手段を備える。
また、少なくとも、スイッチング手段のスイッチング動作により得られるスイッチング出力が供給される一次巻線と、この一次巻線により交番電圧が誘起される二次巻線とが巻装されて形成され、一次側と二次側とで所定の結合係数が得られるようにして、コアの所定位置に形成されるギャップ長が設定されるコンバータトランスと、少なくとも、コンバータトランスの一次巻線の漏洩インダクタンス成分と、一次巻線に対して直列に接続される一次側直列共振コンデンサのキャパシタンスとによって形成されるもので、所定の第1の共振周波数が設定され、スイッチング手段の動作を電流共振形とする一次側直列共振回路を備える。
また、少なくとも、コンバータトランスの二次巻線の漏洩インダクタンス成分と、二次巻線に対して直列に接続される二次側直列共振コンデンサのキャパシタンスとによって形成され、所定の第2の共振周波数が設定される二次側直列共振回路を備える。
また、二次側直列共振回路に得られる共振出力を入力して整流動作を行って二次側直流出力電圧を生成する二次側直流出力電圧生成手段と、二次側直流出力電圧のレベルに応じて上記スイッチング駆動手段を制御して、スイッチング手段のスイッチング周波数を可変することで、二次側直流出力電圧について定電圧制御を行う定電圧制御手段を備える。
また、スイッチング手段のスイッチング動作により一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力を、整流平滑手段を形成する整流平滑回路の所定の整流電流経路に対して帰還し、この帰還されたスイッチング出力により整流電流を断続するようにして構成される力率改善手段を備える。
また、一次側直列共振回路と二次側直列共振回路とを有して形成される電磁結合形共振回路についての、スイッチング周波数を有する周波数信号の入力に対する出力特性が単峰特性となるようにして、上記コンバータトランスの一次側と二次側との総合結合係数を設定する総合結合係数設定手段を備える。
上記構成によるスイッチング電源回路では、一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力を整流電流に帰還する方式による力率改善機能を備え、かつ、一次側のスイッチング動作を電流共振形とする一次側直列共振回路が形成されたスイッチングコンバータの構成を採った上で、二次側に対しても直列共振回路を形成するものとしている。
このような構成を採ることで、本発明のスイッチング電源回路としてはコンバータトランスの電磁結合による結合形共振回路を形成することになる。そのうえで、電源回路内におけるコンバータトランスの一次側と二次側とでの総合的な結合係数(総合結合係数)について、疎結合と見なされる所定値が設定されるようにしている。
このようにして、コンバータトランスの総合結合係数について疎結合とされる値が設定されることで、上記結合形共振回路に対する入力であるスイッチング周波数の周波数信号(スイッチング出力)に対する出力特性として、急峻な単峰特性を得ることが可能となる。この結果、一次側にのみ直列共振回路を形成した場合よりも、安定化に要するスイッチング周波数の可変範囲(必要制御範囲)を縮小することができる。
このようにして本発明によれば、定電圧制御に必要なスイッチング周波数の可変制御範囲(必要制御範囲)が縮小される。
これにより、力率改善機能を有する共振形コンバータとして、スイッチング周波数制御のみによりワイドレンジ対応化することが容易に実現化可能となる。
このようにして、スイッチング周波数制御によるワイドレンジ対応が実現化されることで、力率改善機能を備えるワイドレンジ対応のスイッチング電源回路として、アクティブフィルタを備えない構成を採ることができる。これにより、例えばアクティブフィルタによって力率改善を図る電源回路よりも電力変換効率が向上される。
また、本発明の電源回路としては、アクティブフィルタを構成するための多数の部品素子が不要となる。また、電源回路を構成する電流共振形コンバータ、及び力率改善回路はソフトスイッチング動作であり、スイッチングノイズが大幅に低減されるから、ノイズフィルタを強化する必要もなくなる。
このために、先行技術と比較しては、部品点数が大幅に削減されることになって、電源回路サイズの小型/軽量化を図ることが可能となる。また、それだけコストダウンが図られることにもなる。
また、さらには、アクティブフィルタが省略されたことで、一次側アース電位の干渉が無くなるので、一次側アース電位も安定することとなって、信頼性が向上する。
ここで、上記したような本発明の効果を得るための基本構成としては、帰還方式の力率改善機能が付加された、一次側直列共振回路を備える電流共振形コンバータの構成に対して、二次側直列共振コンデンサを追加すればよいわけであり、部品点数の追加、あるいは変更などは、非常に小規模で済むことになる。
また、上記のようにしてスイッチング周波数の必要制御範囲が縮小されれば、例えば負荷電力が最大/無負荷で高速に変動する場合には、定電圧制御の応答性も向上されることとなり、この点で、より高い信頼性を得ることができる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下実施の形態とする)について説明していく。また、以降の実施の形態の説明にあたり、大きくは、実施の形態1,2,3,4の4つの形態に分類する。そのうえで、実施の形態1、2,3,4ごとの範疇におけるバリエーションを、そのバリエーション数(n)に応じて、実施の形態1−1〜1−n、2−1〜2−n、3−1〜3−n、4−1〜4−nとして表記することとする。
図1は、実施の形態1−1としてのスイッチング電源回路の構成例を示す回路図である。この図に示す電源回路は、一次側の基本構成として、ハーフブリッジ結合方式による他励式の電流共振形コンバータに対して部分電圧共振回路が組み合わされた構成を採る。
また、この図1に示される電源回路としては、AC100V系とAC200V系の双方の入力に対応して動作可能な、いわゆるワイドレンジ対応の構成を採るものとされる。
また、この場合の電源回路としては、例えばプリンタ装置の電源として使用して好適とされ、負荷電力Poとしては最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0W(無負荷)までの比較的広範囲の負荷変動に対応する構成が採られる。
先ず、この図1に示す電源回路において、商用交流電源ACに対しては、フィルタコンデンサCL、CL、及びコモンモードチョークコイルCMCによるコモンモードノイズフィルタが形成されている。
そして、上記ノイズフィルタの後段となる商用交流電源ACに対しては、ブリッジ整流回路Di及び1本の平滑コンデンサCiから成る全波整流平滑回路が接続される。ただし、本実施の形態においては、ブリッジ整流回路Diの正極出力ラインと、平滑コンデンサCiの正極端子間には、力率改善回路11が介在するようにして設けられる。この力率改善回路11の構成及びその動作については後述する。
この全波整流平滑回路が商用交流電源ACを入力して全波整流動作を行うことによって、平滑コンデンサCiの両端には整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)が得られる。この場合の整流平滑電圧Eiは、交流入力電圧VACの等倍に対応したレベルとなる。
上記直流入力電圧を入力してスイッチング(断続)する電流共振形コンバータとしては、図示するようにして、MOS−FETによる2本のスイッチング素子Q1,Q2をハーフブリッジ結合により接続したスイッチング回路を備える。スイッチング素子Q1,Q2の各ドレイン−ソース間に対しては、ダンパーダイオードDD1,DD2が並列に接続される。ダンパーダイオードDD1のアノード、カソードは、それぞれスイッチング素子Q1のソース、ドレインと接続される。同様にして、ダンパーダイオードDD2のアノード、カソードは、それぞれスイッチング素子Q2のソース、ドレインと接続される。ダンパーダイオードDD1,DD2は、それぞれスイッチング素子Q1,Q2が備えるボディダイオードとされる。
また、スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に対しては、一次側部分共振コンデンサCpが並列に接続される。この一次側部分共振コンデンサCpのキャパシタンスと一次巻線N1のリーケージインダクタンスL1によっては並列共振回路(部分電圧共振回路)を形成する。そして、スイッチング素子Q1,Q2のターンオフ時にのみ電圧共振する、部分電圧共振動作が得られるようになっている。
また、スイッチング素子Q1,Q2をスイッチング駆動するために、発振・ドライブ回路2が設けられる。この発振・ドライブ回路2は、発振回路、駆動回路を有しており、例えば汎用のICを用いることができる。そして、この発振・ドライブ回路2内の発振回路及び駆動回路によって、所要の周波数によるドライブ信号(ゲート電圧)をスイッチング素子Q1,Q2の各ゲートに対して印加する。これにより、スイッチング素子Q1,Q2は、所要のスイッチング周波数により交互にオン/オフするようにしてスイッチング動作を行う。
絶縁コンバータトランスPITは、スイッチング素子Q1 、Q2のスイッチング出力を二次側に伝送するために設けられる。
この絶縁トランスPITの一次巻線N1の一方の端部は、スイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの接続点(スイッチング出力点)に接続されることで、スイッチング出力が伝達されるようになっている。また、一次巻線N1の他方の端部は、一次側直列共振コンデンサC1の直列接続を介して、後述する力率改善回路11内のスイッチングダイオードD1のカソードと高周波インダクタL10の接続点に対して接続されている。
ここで、絶縁コンバータトランスPITは、図2の断面図に示すような構造を有する。
図2に示されるように、絶縁コンバータトランスPITは、フェライト材によるE型コアCR1、CR2を互いの磁脚が対向するように組み合わせたEE型コア(EE字形コア)を備える。
そして、一次側と二次側の巻装部について相互に独立するようにして分割した形状により、例えば樹脂などによって形成される、ボビンBが備えられる。このボビンBの一方の巻装部に対して一次巻線N1を巻装する。また、他方の巻装部に対して二次巻線N2を巻装する。このようにして一次側巻線及び二次側巻線が巻装されたボビンBを上記EE型コア(CR1,CR2)に取り付けることで、一次側巻線及び二次側巻線とがそれぞれ異なる巻装領域により、EE型コアの中央磁脚に巻装される状態となる。このようにして絶縁コンバータトランスPIT全体としての構造が得られる。
そのうえで、EE型コアの中央磁脚に対しては、図のようにしてギャップGを形成する。この場合のギャップGとしては、例えばギャップ長2.8mm程度を設定し、これによって結合係数kとしては、例えばk=0.65程度若しくはこれ以下による疎結合の状態を得るようにしている。
ちなみに、先の図36に示した電源回路をはじめ、従来の電流共振形コンバータを備えた電源回路においては、絶縁コンバータトランスPITのコアに形成するギャップとして例えば1.5mm程度若しくはこれ以下を設定するものとされていた。そして、結合係数としてはk=0.75程度若しくはこれ以上を得るようにされていた。
これに対し、上記のような実施の形態の場合の絶縁コンバータトランスPITの構造によれば、一次側と二次側の結合度は、従来の電源回路の場合よりも低下するようにされているものである。
図1において、絶縁コンバータトランスPITは、上記のような構造によって一次巻線N1に所要のリーケージインダクタンスL1を生じさせる。そして、一次側直列共振コンデンサC1のキャパシタンスと、上記リーケージインダクタンスL1によっては一次側直列共振回路を形成する。
さらに、上記した接続態様によれば、スイッチング素子Q1,Q2のスイッチング出力はこの一次側直列共振回路に伝達されることとなる。この一次側直列共振回路が、伝達されたスイッチング出力により共振動作を行うことで、一次側スイッチングコンバータの動作を電流共振形とする。
ここで、これまでの説明によると、この図に示す一次側スイッチングコンバータとしては、一次側直列共振回路(L1−C1)による電流共振形としての動作と、前述した一次側部分電圧共振回路(Cp//L1)とによる部分電圧共振動作とが得られることになる。
つまり、この図に示す電源回路の一次側では、一次側スイッチングコンバータを共振形とするための共振回路に対して、他の共振回路とが組み合わされた構成を採っている。ここでは、このように2つの共振回路が組み合わされたコンバータを、「複合共振形コンバータ」ということにする。
絶縁コンバータトランスPITの二次巻線N2には、一次巻線N1に伝達されたスイッチング出力に応じた交番電圧が励起(誘起)される。
この場合、二次巻線N2については、先ず、その巻き終わり端部側に対して直列に二次側直列共振コンデンサC2を接続している。これにより、二次側直列共振コンデンサC2のキャパシタンスと、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2とによって二次側直列共振回路を形成することになる。つまり、本実施の形態としては、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側とのそれぞれにおいて直列共振回路が形成される。
ここで、実施の形態1―1においては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについて、少なくとも
fo1>fo2
で表される関係を満たすべきこととしている。そして、実際においては、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1/2倍程度となるようにして設定している。この図1に示す電源回路の実際としては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1について約70kHzを設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2bについて35kHz程度を設定する。
また、絶縁コンバータトランスPITの二次巻線N2に対しては、図示するようにブリッジ接続された整流ダイオードDo1〜Do4から成るブリッジ整流回路と、平滑コンデンサCoとにより形成される全波整流回路を接続することとしている。
上記全波整流回路の接続態様は次のようになっている。
二次巻線N2の一方の端部は、上記二次側直列共振コンデンサC2の直列接続を介して、整流ダイオードDo1のアノードと整流ダイオードDo2のカソードの接続点(ブリッジ整流回路の正極入力端子)に対して接続される。また、二次巻線N2の他方の端部は、整流ダイオードDo3のアノードと整流ダイオードDo4のカソード(ブリッジ整流回路の負極入力端子)の接続点に対して接続されている。
整流ダイオードDo2のアノードと整流ダイオードDo4のアノードの接続点(ブリッジ整流回路の負極出力端子)は、二次側アースに接続され、整流ダイオードDo1のカソードと整流ダイオードDo3のカソードの接続点(ブリッジ整流回路の正極出力端子)は平滑コンデンサCoの正極端子と接続されている。
平滑コンデンサCoの負極端子は、二次側アース(ブリッジ整流回路の負極出力端子)と接続される。
このようにして形成されるブリッジ全波整流回路によっては、二次巻線N2に励起される交番電圧の一方の半周期において、ブリッジ整流回路の整流ダイオード[Do1,Do4]の組が導通して、平滑コンデンサCoに対して整流電流を充電する動作が得られる。また、二次巻線N2に励起される交番電圧の他方の半周期においては、整流ダイオード[Do2,Do3]の組が導通して平滑コンデンサCoに対して整流電流を充電する動作が得られる。
これによって平滑コンデンサCoの両端電圧として、二次巻線N2に励起される交番電圧のレベルの等倍に対応したレベルによる二次側直流出力電圧Eoが得られる。
このようにして得られた二次側直流出力電圧Eoは、図示しない負荷に供給されるとともに、後述する制御回路1のための検出電圧としても分岐して入力される。
また、上記全波整流回路は、二次側直列共振回路の共振出力について整流平滑動作を行っているものとしてみることができる。このことから、この全波整流回路による二次側整流動作としても電流共振形となる。つまり、整流電流波形としては、二次側直列共振回路の共振周波数による正弦波形を含むことになる。
また、この場合の電源回路の二次側においては、上記した整流ダイオードDo1のアノードと整流ダイオードDo2のカソードの接続点と、整流ダイオードDo3のアノードと整流ダイオードDo4のカソードの接続点との間に、二次側部分共振コンデンサCp2を挿入している。つまり、二次側部分共振コンデンサCp2を、二次側のブリッジ整流回路の正極入力端子と負極入力端子との間に挿入しているものである。
この二次側部分共振コンデンサCp2のキャパシタンスと二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2によっては、並列共振回路(部分電圧共振回路)が形成される。そして、この並列共振回路によっては、整流ダイオードDo1〜Do4のターンオフ時にのみ電圧共振する、部分電圧共振動作が得られるようになっている。
このような二次側部分共振コンデンサCp2の挿入によっては、整流ダイオードDo1〜Do4のターンオフ時に生じる逆方向電流を流す経路が形成されて、整流ダイオードDo1〜Do4に生じる電力損失の低減が図られる。
ここで、これまでに説明したようにして、実施の形態のスイッチング電源回路としては、一次側には一次側直列共振回路(L1−C1)と一次側部分共振回路(L1//Cp)、二次側には二次側直列共振回路(L2−C2)と二次側部分共振回路(L2//Cp2)とを備えるものとされる。
先にも述べたように、一次側におけるような直列共振回路と部分共振回路とによる2つの共振回路の組み合わせに対しては、複合共振形コンバータということとしたが、このように3つ以上の共振回路が組み合わされたスイッチングコンバータを、ここでは「多重複合共振形コンバータ」ということにする。
制御回路1は、二次側直流出力電圧Eoのレベル変化に応じた検出出力を発振・ドライブ回路2に供給する。発振・ドライブ回路2では、入力された制御回路1の検出出力に応じてスイッチング周波数が可変されるようにして、スイッチング素子Q1,Q2を駆動する。スイッチング素子Q1,Q2のスイッチング周波数が可変されることで、一次側直列共振回路と二次側直列共振回路の共振インピーダンスが変化し、二次側直流出力電圧Eoのレベルも変化する。つまり、これによって二次側直流出力電圧Eoのレベルを安定化させるように動作する。
例えば重負荷の傾向となって二次側直流出力電圧Eoが低下するのに応じては、上記スイッチング周波数を低くするように制御するが、これは共振インピーダンスを小さくすることとなり、このために二次側直流出力電圧Eoを上昇させる。これに対して、軽負荷の傾向となって二次側直流出力電圧Eoが上昇するのに応じては、上記スイッチング周波数を高くするように制御することで、共振インピーダンスを大きくし、二次側直流出力電圧Eoを低下させる。
また、実施の形態1−1の電源回路に対しては、力率改善回路11が備えられる。
前述もしたように、この力率改善回路11は、商用交流電源ACから直流入力電圧(Ei)を得るための整流平滑回路における整流電流経路に対して挿入されるようにして設けられるもので、電力回生方式として、磁気結合形による形式を採るものとされる。
力率改善回路11においては、先ずブリッジ整流回路Diの正極出力端子に対して、高速リカバリ型のダイオード素子であるスイッチングダイオード(力率改善用スイッチング素子)D1のアノードが接続される。そして、このスイッチングダイオードD1のカソードが、高周波インダクタ(チョークコイル)L10の一端と接続され、さらにこの高周波インダクタL10の他端が平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続される。
つまり、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子間に対しては、スイッチングダイオードD1(アノード→カソード)−高周波インダクタL10による直列接続回路が挿入されているものである。
このスイッチングダイオードD1−高周波インダクタL10の直列接続回路に対しては、図示するようにフィルタコンデンサCNが並列に接続される。このフィルタコンデンサCNは、ノーマルモードノイズを抑制するために備えられる。
そして、これらスイッチングダイオードD1−高周波インダクタL10による直列接続回路において、スイッチングダイオードD1のアノードと高周波インダクタL10との接続点は、上記もしたように一次側直列共振コンデンサC1の直列接続を介して一次巻線N1の端部と接続されている。
つまり、これによると、スイッチングダイオードD1のカソードと高周波インダクタL10との接続点に対しては、一次側直列共振回路(L1−C1)が接続されているものとなる。
このような構成により、力率改善回路11においては、一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)を電力として回生して、これを平滑コンデンサCiに帰還する動作が得られる。
そして、この場合の電力の回生は、高周波インダクタL10を介するようにして行われることから、磁気結合方式により行われているとみることができる。
このようにして、一次側直列共振電流が電力として平滑コンデンサCiに回生されることで、力率改善回路11においては、スイッチング素子Q1、Q2のスイッチング出力に応じた高周波の交番電圧が得られる。
この交番電圧に応じて、高速リカバリ型であるスイッチングダイオードD1がスイッチング動作を行う。このとき、スイッチングダイオードD1によるスイッチング動作は、交流入力電圧VACの絶対値レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧レベルよりも高いとされる期間だけではなく、低いとされる一定期間においても行われることになる。整流電流は、このスイッチング動作が行われる期間に応じて流れ、整流電流の導通角が拡大される。このようにして整流電流の導通角が拡大されるのに伴って交流入力電流IACの導通角も拡大される。これにより交流入力電流IACの平均的な波形が交流入力電圧VACの波形に近付くこととなって力率の改善が図られる。
次に図1に示す実施の形態1−1としてのスイッチング電源回路において二次側直流出力電圧Eoがどのようにして安定化されるかについて説明をする。
まず、順を追って説明するために、図1に示した実施の形態の電源回路の構成から、二次側直列共振コンデンサC2を省略して、二次側直列共振回路を形成しないものとした複合共振形コンバータについて、二次側直流出力電圧Eoがどのようにして安定化されるかについて説明をする。
このような複合共振形コンバータは、一次側直列共振回路(及び一次側部分電圧共振回路)は備えるが、二次側直列共振回路は備えていない。このために、アッパーサイド制御のスイッチング周波数制御方式により二次側直流出力電圧Eoを安定化するのにあたっては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1よりも高い周波数範囲でスイッチング周波数を可変制御し、これにより生じる共振インピーダンスの変化を利用することになる。
このことについて、図6を参照して説明する。図6は、複合共振形コンバータによる二次側直流出力電圧Eoについての定電圧制御特性を示している。この図において、横軸にはスイッチング周波数fsを示し、縦軸に二次側直流出力電圧Eoを示している。
ここで、直列共振回路は、共振周波数fo1で最も共振インピーダンスが小さくなる。これにより、アッパーサイド制御における二次側直流出力電圧Eoとスイッチング周波数fsの関係として、二次側直流出力電圧Eoのレベルは、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して、スイッチング周波数fsが近づいていくほど上昇し、共振周波数fo1から離れていくのに従って低下していくものとなる。
従って、負荷電力Poを一定とした条件でのスイッチング周波数fsに対する二次側直流出力電圧Eoのレベルは、図6に示すようにして、スイッチング周波数fsが一次側直列共振回路の共振周波数fo1と同じときにピークとなり、共振周波数fo1から離れるのに応じて低下する二次曲線的な変化を示す。
また、同じスイッチング周波数fsに対応する二次側直流出力電圧Eoのレベルは、最小負荷電力(Pomin)時よりも最大負荷電力(Pomax)時のほうが、所定分低下するようにしてシフトする特性が得られる。つまり、スイッチング周波数fsを固定として考えると、重負荷の条件となるのに従って二次側直流出力電圧Eoのレベルは低下する。
そして、このような特性のもとで、アッパーサイド制御により二次側直流出力電圧Eoについて、Eo=tgとなるようにして安定化しようとした場合、電源回路において必要となるスイッチング周波数の可変範囲(必要制御範囲)は、図においてΔfsとして示される範囲となる。
例えばこの複合共振形コンバータの実際として、AC100V系としての交流入力電圧VAC=85V〜120Vの入力変動範囲と、二次側直流出力電圧Eoの最大負荷電力(Pomax)=150W、最小負荷電力(Pomin)=0W(無負荷)の負荷条件に対応するとして、スイッチング周波数制御方式により、二次側直流出力電圧Eo=135Vで安定化する仕様を設定したとする。
この場合、この複合共振形コンバータが定電圧制御のために可変するスイッチング周波数fsの可変範囲は、fs=80kHz〜200kHz以上であり、必要制御範囲量であるΔfsとしても120kHz以上と相応に広範囲なものとなる。
このことをふまえて、この複合共振形コンバータについて、ワイドレンジ対応として構成することを考えてみる。
ワイドレンジ対応とするためには、例えばVAC=85V〜288Vの交流入力電圧範囲に対応すべきことになる。従って、例えば、AC100V系のみ、あるいはAC200V系のみの単レンジに対応する場合と比較して、二次側直流出力電圧Eoのレベル変動範囲も大きくなる。このような交流入力電圧範囲に応じて拡大された二次側直流出力電圧Eoのレベル変動に対して定電圧制御動作を行うためには、より広範囲なスイッチング周波数制御範囲が必要となる。例えば、スイッチング周波数fsの制御範囲は、約80kHz〜500kHzにまで拡大する必要がでてくる。
しかしながら、現状のスイッチング素子を駆動するためのIC(発振・ドライブ回路2)としては、対応可能な駆動周波数の上限は200kHz程度にしておくのが好ましい。また、上述したような高い周波数での駆動が可能なスイッチング駆動用ICを構成して実装したしたとしても、スイッチング素子Q1,スイッチング素子Q2における電力変換効率が低下するために、現実の電源回路として実用的ではなくなる。このような点を考慮した場合には、例えば、複合共振形コンバータによって効率よく安定化することが可能な交流入力電圧VACレベルの上限は、100V程度である。
そこで、従来から、スイッチング周波数制御方式により安定化を図るスイッチング電源回路をワイドレンジ対応化するための構成の1つとして、先に図36に示したようにして、前段に対してアクティブフィルタを備えれば良いことが知られている。すなわち、アクティブフィルタの出力側に発生する直流入力電圧(Ei)の値が略一定の値となるように制御するものである。
しかしながら、上述したように、アクティブフィルタ回路はハードスイッチング動作であることから、ノイズの発生レベルが非常に大きいものである。このために、コモンモードノイズ、ノーマルモードノイズのいずれに対しても比較的重度のノイズ抑制対策が必要となる。
更に、アクティブフイルタ回路と、複合共振形コンバータとのスイッチング周波数が異なっているために、お互いのアース電位の干渉や、構成部品の各々から生じる磁気の相互の磁気干渉を軽減する必要があるために、基板上における各々の部品の配置が制限を受け、更に各々の構成部品から流出するノイズ電流の経路を考慮してアースパターンの設計を行わなければならず、基板上におけるパターンの引き回しに困難があった。
また、別のワイドレンジ対応化のための構成としては、商用交流電源を入力して直流入力電圧(Ei)を生成する整流回路系について、AC100V系とAC200V系の商用交流電源入力に応じて、倍電圧整流回路と全波整流回路とで切り換えを行うように機能を与えるものとしても良い。この場合には、商用交流電源の電圧のレベルを検出して、その検出されたレベルに応じて、AC100V系では倍電圧整流回路とし、AC200V系では全波整流回路が形成されるように、電磁リレーを用いたスイッチにより、整流回路系における回路接続の切り換えを行うように回路を構成するものである。
しかしながら、このような整流回路系の切り換えの構成では、電磁リレーが必要になる。また、倍電圧整流回路を形成するために少なくとも2本1組の平滑コンデンサを設ける必要も生じる。このため、それだけ部品点数が増加してコストアップとなると共に、電源回路基板のマウント面積も拡大して大型化する。特に、これら平滑コンデンサや電磁リレーは、電源回路を形成する部品のうちでも大型であるから、基板サイズは相当に大きくなってしまう。
また、全波整流動作と倍電圧整流動作を切り換える構成とした場合において、AC200V系の商用交流電源が入力されているときに、瞬間停電が生じたり、また、交流入力電z圧が定格以下に低下するなどして、AC200系に対応するよりも低いレベルとなると、AC100V系であると誤って検出して倍電圧整流回路に切り換えるという誤動作が生じることがある。このような誤動作が生じると、AC200V系のレベルの交流入力電圧について倍電圧整流を行うこととなるために、例えばスイッチング素子Q1,Q2などが耐圧オーバーとなって破壊される可能性もある。
そこで、実際の回路としては、上述したような誤動作が生じないようにするために、メインとなるスイッチングコンバータの直流入力電圧だけではなく、スタンバイ電源側のコンバータ回路の直流入力電圧も検出する構成を採るようにされる。これにより、スタンバイ電源側のコンバータ回路を検出するための部品の追加などにより、上述したコストアップ、及び回路基板サイズの大型化が更に助長されてしまうことになる。
また、誤動作防止を目的としてスタンバイ電源側のコンバータの直流入力電圧を検出するということは、整流動作切り換えのための回路を備えるワイドレンジ対応の電源回路としては、メイン電源の他にスタンバイ電源を備える電子機器でなければ、実際に使用することができないということになる。つまり、電源を実装可能な電子機器の種類が、スタンバイ電源を備えたものに限定されるわけであり、それだけ利用範囲が狭くなる。
また、ワイドレンジ対応のための、更に別の構成として、AC100V系/AC200V系の商用交流電源入力に応じて、一次側の電流共振形コンバータの形式をハーフブリッジ結合とフルブリッジ結合とで切り換える構成とすることも知られている。
この構成であれば、例えば上述した瞬間停電などによって、AC200V系の交流入力電圧がAC100V系のレベルにまで低下して誤動作したとしても、スイッチング動作がハーフブリッジ動作からフルブリッジ動作となるだけであり、スイッチング素子などが耐圧オーバーになることはない。このためにスタンバイ電源側の直流入力電圧を検出する必要もなくなるので、スタンバイ電源を備えない電子機器に対しても採用することが可能となる。また、商用電源ラインにおける切り換えではないために、半導体スイッチによる回路形態の切り換えが可能であるので、電磁リレーのような大型のスイッチ部品は不要となる。
しかし、この構成では、AC100V系時に対応してフルブリッジ結合を形成するために、スイッチング素子を少なくとも4本備える必要がある。つまり、2本のスイッチング素子により形成可能なハーフブリッジ結合方式のみによるコンバータの構成と比較すれば、2本のスイッチング素子を追加する必要があることになる。
また、この構成の場合には、フルブリッジ動作では4個のスイッチング素子がスイッチング動作を行う。共振形コンバータは、低スイッチングノイズではあるが、このようにしてスイッチングを行うスイッチング素子数が増加するほどスイッチングノイズに関しては不利となる。
このようにして、ワイドレンジ対応として上述した何れの構成を採った場合にも、単レンジ対応の構成と比較した場合には、部品点数の増加などによる回路規模の拡大、コストアップがさけられない。また、前者の構成では機器への利用範囲の制限、後者の構成ではスイッチングノイズの増加など、それぞれ、単レンジ対応の構成では抱えていなかった固有の問題が生じる。
また、図1の電源回路から二次側直列共振回路を省略した複合共振形コンバータについて、スイッチング周波数の制御範囲が相応に広範囲となることに起因しては、二次側直流出力電圧Eoについての安定化の高速応答特性が低下するという問題も抱える。
例えば、電子機器によっては、最大負荷の状態とほぼ無負荷とされる状態との間で、負荷条件が瞬時的に切り換わるようにして変動する動作を伴うものがある。このような負荷変動は、スイッチング負荷ともいわれる。このような機器に搭載される電源回路としては、スイッチング負荷とされる負荷変動にも対応して二次側直流出力電圧が適正に安定化されるようにする必要がある。なお、スイッチング負荷としての動作を行う機器として、例えば、パーソナルコンピュータの周辺機器であるプリンタ、プラズマディスプレイ装置などを挙げることができる。
しかしながら、先に図6によっても説明したようにスイッチング周波数の制御範囲が広範である特性を持つ場合には、スイッチング負荷のような負荷変動に対応して、二次側直流出力電圧を所要レベルとするためのスイッチング周波数にまで可変させるためには比較的長い時間を要することになる。つまり、定電圧制御の応答特性としては良好でない結果が得られることになる。
このような上述のワイドレンジ化の構成に対して、図1に示す本実施の形態の電源回路では、一次側と二次側とで、それぞれ直列共振回路(一次側直列共振回路、二次側直列共振回路)を備えることとしている。これにより、電流共振形コンバータを基とする電源回路として、スイッチング周波数制御のみの定電圧制御によりながらもワイドレンジ対応を可能とする。以下、この点について説明する。
図3の回路図は、図1に示す本実施の形態の電源回路について、一次側直列共振回路と二次側直列共振回路との関係によりみた場合の等価回路を示している。なお、この等価回路図において、図1と同一部分には、同一符号を付している。
この図3においては、破線でコンバータトランスPITを示し、一点鎖線で理想トランスITを示している。ここで、理想トランスITは1:nの巻線比(1:二次巻線N2の巻数/一次巻線N1の巻数)に応じて電圧を変換するものである。また、図3において、符号L1、符号L11、符号L1eは、それぞれ、一次巻線N1のリーケージ(漏洩)インダクタンス、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンス、一次巻線N1の励磁インダクタンスを示す。また、符号L2、符号L2eは、それぞれ二次巻線N2のリーケージ(漏洩)インダクタンス、二次巻線N2の励磁インダクタンスを示すものである。
この図3に示す等価回路図において、コンバータトランスPITの一次側では、スイッチング周波数fsによる交流(周波数信号)が入力されている。つまり、一次側スイッチングコンバータ(スイッチング素子Q1,Q2)のスイッチング出力が入力となっている。
そして、コンバータトランスPITの一次側では、このスイッチング周波数fsによる交流の入力を、一次側直列共振回路に供給することになる。そして、この一次側直列共振回路の共振周波数fo1の値は、図3に示す等価回路に基づいて求められるものとなる。
また、二次側直列共振回路の共振周波数fo2の値も同様に、図3に示す等価回路に基づいて求められるものとなる。
実施の形態1−1においては、実際に設定された共振周波数fo1,fo2の関係としては、fo1≒fo2×2となるようにされている。
なお、図3の等価回路においては、コンバータトランスPITの結合係数k、一次巻線N1の自己インダクタンスをL1s、一次巻線N1のリーケージインダクタンスL1については(数1)が成立する。
Figure 2006109687
また、一次巻線N1の励磁インダクタンスL1eについては(数2)が成立する。
Figure 2006109687
同様にして、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2、励磁インダクタンスL2eについては、それぞれ、(数3)、(数4)が成立する。ここで、L2sは二次巻線N2の自己インダクタンスである。
Figure 2006109687
Figure 2006109687
ここで、図3に示す等価回路においては、コンバータトランスPITの電磁誘導を介して、一次側に一次側直列共振回路を備え、二次側に二次側直列共振回路を備えていることが示されている。従って、この図に示す回路は、電磁結合による結合形共振回路を形成しているものとしてみることができる。このために、図1に示す電源回路における二次側直流出力電圧Eoについての定電圧制御特性は、コンバータトランスPITの結合係数kに応じて異なるものとなる。この点について図4を参照して説明する。
図4は、図3の等価回路についての、入力(スイッチング周波数信号)に対する出力特性を示している。つまり、二次側直流出力電圧Eoについての制御特性をスイッチング周波数fsとの関係により示している。この図では、スイッチング周波数を横軸にとり、二次側直流出力電圧Eoのレベルを縦軸にとっている。
なお、図4の説明は、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と二次側直列共振回路の共振周波数fo2の周波数関係がどのようなものであるかに関わらず当てはまる一般的なものである。図において、符号fo1及び符号fo2が括弧内に記載されているのは、共振周波数fo1と共振周波数fo2との周波数の上下関係によらず、図4に示す特性が成立することを示している。なお、図5における、括弧内に記載されている符号fo1及び符号fo2の意味も同様のものである。
ここで、結合係数kt=1による密結合とされる状態を設定したとする。この状態は、コンバータトランスPITの結合係数kの値が1となる状態である。すると、この場合の一次巻線N1のリーケージインダクタンスL1、及び二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2は、それぞれ、(数1)(数3)に対してk=1を代入することで、(数5)を得ることができる。
Figure 2006109687
つまり、コンバータトランスPITが密結合であることで、一次巻線N1及び二次巻線N2のリーケージインダクタンスは存在していない状態であることが示される。
このようにして、コンバータトランスPITの一次側と二次側とが密結合とされる状態での定電圧制御特性としては、図4の特性曲線1として示すように、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と二次側直列共振回路の共振周波数fo2とは異なる周波数f1、f2において二次側直流出力電圧Eoがピークとなる、いわゆる双峰特性となる。ここで、周波数f1は、(数6)で表され、周波数f2は、(数7)で表される。
Figure 2006109687
Figure 2006109687
また、(数6)(数7)における項の1つであるfoは、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、二次側直列共振回路の共振周波数fo2との中間に存在する中間共振周波数であり、一次側のインピーダンスと二次側のインピーダンスと、一次側と二次側とで共通となるインピーダンス(相互結合インダクタンスM)により決定される周波数である。なお、相互結合インダクタンスMについては、(数8)で表される。
Figure 2006109687
また、上述した結合係数kについて、k=1の状態から徐々に小さくしていったとする、つまり、密結合の状態から徐々に疎結合の度合いを高くしていったとすると、図4に示される特性曲線1は、双峰の傾向が徐々に希薄となって、中間共振周波数fo近傍で平坦化していくような変化を示す。そして、ある総合結合係数ktにまで低下した段階で、いわゆる臨界結合の状態となる。この臨界結合の状態では、特性曲線2として示すようにして、双峰特性としての傾向ではなくなっており、中間共振周波数foを中心として曲線形状が平坦となる特性となる。
そして、更に、臨界結合の状態から結合係数kの値を小さくしていって、疎結合の状態を強めていったとすると、図4の特性曲線3として示すように、中間周波数foにおいてのみピークとなる単峰特性が得られる。また、この特性曲線3と、特性曲線1,2とを比較してみると、特性曲線3は、ピークレベルそのものは特性曲線1,2より低下するものの、その二次関数的な曲線形状として、より急峻な傾斜を有していることが分かる。
図4に示す単峰特性と、先に図6に示した複合共振形コンバータの定電圧制御特性を実際に比較してみると、図4に対して図6に示した特性は、二次曲線的には相当に緩やかな傾斜となる。
上述のようにして図6に示す特性が曲線的に緩やかであることから、二次側直流出力電圧Eoについて定電圧制御を行うためのスイッチング周波数の必要制御範囲は、例えば単レンジ対応の条件下であっても、fs=80kHz〜200kHz以上でΔfs=120kHz以上となるため、スイッチング周波数制御による定電圧制御のみによって、ワイドレンジ対応とすることが非常に困難であることは、先に説明したとおりである。
また、このように広範囲にスイッチング周波数を変化させる場合には、コモンモードノイズに対するコモンモードノイズフィルタ及びノーマルモードノイズに対するノーマルモードフィルタのいずれも、このような広い範囲のスイッチング周波数に対応する広帯域のものとせねばならず、その実現が困難となる。更に、より高い周波数で電力用のスイッチング素子Q1及びスイッチング素子Q2を動作させなければならず、スイッチング損失が増加する点からも好ましいものではない。
これに対して、本実施の形態の定電圧制御特性としては、図4の特性曲線3により示される単峰特性であることで、定電圧制御動作としては、図5に示すものとなる。図5においては、図1に示す本実施の形態の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V時(AC100V系)における最大負荷電力(Pomax)時、最小負荷電力(Pomin)時の各特性曲線A,Bと、交流入力電圧VAC=230V時(AC200V系)における最大負荷電力(Pomax)時、最小負荷電力(Pomin)時の各特性曲線C,Dとの、4つの特性曲線が示されている。
この図5から分かるように、先ず、AC100V系の入力に対応する交流入力電圧VAC=100V時において、二次側直流出力電圧Eoを所要の定格レベルtgで定電圧化するために必要となるスイッチング周波数の可変制御範囲(必要制御範囲)は、Δfs1で示されることになる。つまり、特性曲線Aにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fsから、特性曲線Bにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fsまでの周波数範囲となる。
また、AC200V系の入力に対応する交流入力電圧VAC=230V時において、二次側直流出力電圧Eoを所要の定格レベルtgで定電圧化するために必要となるスイッチング周波数の可変制御範囲(必要制御範囲)は、Δfs2で示される。つまり、特性曲線Cにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fsから、特性曲線Dにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fsまでの周波数範囲となる。
前述したように、本実施の形態における二次側直流出力電圧Eoの制御特性である単峰特性は、先に図6に示した制御特性と比較して、二次関数曲線的に相当に急峻である。このために、上述した交流入力電圧VAC=100V時、VAC=230V時の各必要制御範囲となるΔfs1、Δfs2は、図6に示されるΔfsと比較して相当に縮小されたものとなっている。
そのうえで、Δfs1における最低スイッチング周波数(特性曲線Aにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fs)から、Δfs2における最高スイッチング周波数(特性曲線Aにおいてレベルtgとなるスイッチング周波数fs)までの周波数可変範囲(ΔfsA)としても、相応に狭いものとなっている。
ここで、図1に示す本実施の形態の電源回路における実際の周波数可変範囲ΔfsAは、現状におけるスイッチング駆動用IC(発振・ドライブ回路2)が対応するスイッチング周波数の可変範囲内に充分に収まるものとなっている。更には、スイッチング素子Q1及びスイッチング素子Q2も損失が少なく動作する周波数の範囲となっている。
つまり、図1に示す電源回路では、スイッチング周波数について、現実に、周波数可変範囲ΔfsAで可変制御することが可能とされている。そして、このことは、図1に示す電源回路が、AC100V系とAC200V系の何れの商用交流電源入力にも対応して、二次側直流出力電圧Eoを安定化可能であることを意味する。つまり、図1に示す電源回路は、スイッチング周波数制御のみによって、ワイドレンジ対応を可能としている。また、このようにして、必要制御範囲が縮小されることによっては、二次側直流出力電圧Eoを安定化する際の高速応答性が向上することとなって、例えば前述したスイッチング負荷といわれる負荷変動に対応して、良好な定電圧制御の性能が得られることになる。
ちなみに、電磁結合による結合形共振回路は、例えば中間周波トランス増幅器などのようにして、通信技術において、トランジスタによる増幅回路の増幅帯域幅を拡大するための手法として既に知られてはいる。しかしながら、このような分野では、密結合での双峰特性、或いは臨界結合での平担特性を用いているものであり、疎結合での単峰特性は用いられてはいない。本実施の形態では、このような電磁結合による結合形共振回路の技術において、通信技術の分野では採用されていなかった疎結合での単峰特性を、共振形スイッチングコンバータの分野において積極的に用いている、ということがいえる。これにより、上述のようにして、二次側直流出力電圧Eoを安定化するために必要なスイッチング周波数の可変範囲(必要制御範囲)を縮小し、スイッチング周波数制御での定電圧制御のみによるワイドレンジ対応を可能としているものである。
一般的に、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との間の疎結合の度合いを高くしていくのに応じては、絶縁コンバータトランスPITにおける電力損失が増加する傾向となり、電力変換効率もその分低下していくことになる。しかしながら、本実施の形態としては、後述するようにして、実用上充分な電力変換効率の特性を得ている。これは、二次側に対しても直列共振回路(二次側直列共振回路)を形成するようにしたことによる。
すなわち、二次側直列共振回路を備えることで、その共振動作により得られるエネルギーの増加分を含めて二次側直流出力電圧Eoとしての電力を供給可能となるものであり、疎結合とされたことによる効率の低下を補償しているものである。さらに、前述したように、二次側に二次側部分電圧共振回路を形成することによっても、二次側の整流ダイオードにおけるスイッチング損失を低減しており、このことも電力変換効率の向上に大きく寄与している。
図7及び図8は、図1に示した実施の形態1−1の電源回路についての諸特性を示している。
図7は、図1に示した電源回路についての、負荷電力変動に対する整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)、力率PF、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の変動特性を示している。ここでは、AC100V系となる交流入力電圧VAC=100V時の特性を実線で示し、AC200V系となる交流入力電圧VAC=230V時の特性を破線で示している。
また、図8は、交流入力電圧に対する整流平滑電圧Ei、力率PF、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の変動特性を示している。この図に示す特性は、最大負荷電力Pomax=150W(最大負荷条件)の下で、交流入力電圧VAC=80V〜288Vで変動した場合の実験結果が示されている。
なお、これらの図に示す特性は、図1に示した電源回路の構成について、要部を次のように選定して、実験を行って得られたものである。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとした。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=40T、二次巻線N2=50Tとなる。この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
なお、上記EERのコアは、よく知られているように、製品としてのコアの型式、規格の1つであり、この型式には、EEのあることも知られている。本願においてEE型という場合には、断面がEE字形状であることに応じて、EER、EEの何れのタイプについてもEE型のコアであるとして扱うものとする。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=330pF
また、高周波インダクタL10のインダクタンスについてはL10=30μHを選定し、フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
また、商用交流電源の入力条件としては交流入力電圧VAC=85V〜290(288)Vのワイドレンジ入力とされ、負荷条件は、最大負荷電力Pomax=150Wから、最小負荷電力Pomin=0W(無負荷)の範囲とした。
先ず、図7において、AC→DC電力変換効率については、交流入力電圧VAC=100V、230V時で共に、負荷電力Poが重負荷となるのに応じて高くなる特性が得られる。そして、交流入力電圧VAC=100V時では、負荷電力Po=150W時において最大となり、ηAC→DC=90.5%程度が得られる。
また、交流入力電圧VAC=230V時としても負荷電力Po=150W時に最大値が得られ、ηAC→DC=90.4%程度が得られる。
この結果からも、実施の形態によれば、スイッチング周波数制御によるワイドレンジ対応の構成を実用充分なものとして実現できることが理解できる。
また、図8に示されるように、この場合のAC→DC電力変換効率は、交流入力電圧VACの85V〜200V付近までの上昇に伴っては上昇する傾向となる。すなわち、AC100V系の範囲では、負荷電力Poについての重負荷傾向と、交流入力電圧VACの上昇とに対してAC→DC電力変換効率が高くなっていくという結果が得られている。
また、力率PFとしては、図7に示されるように負荷電力Poが重負荷となるのに伴っては、交流入力電圧VAC=100V時、230V時で共に上昇する傾向となる。実験によると、交流入力電圧VAC=100V時、負荷電力Po=150W〜0Wの変動に対する力率PFは0.8以上が得られ、負荷電力Po=150W時に最大で力率PF=0.94が得られる。
また、交流入力電圧VAC=230V時は、負荷電力Po=150W〜70Wの変動に対し、力率PFは0.75以上が得られ、負荷電力Po=150W時に力率PF=0.85の最大値が得られる。
また、図8に示されるように、交流入力電圧VACの変動に対する力率PFは、交流入力電圧VAC=85Vから288Vまでの上昇に応じては低下していく傾向となっているが、最大の交流入力電圧VAC=288V時においても、PF=0.8以上を維持している。
また、スイッチングコンバータの直流入力電圧となる整流平滑電圧Eiは、図7に示するようにして、交流入力電圧VAC=100V時には約140V付近レベルとなり、交流入力電圧VAC=220V時には約340V付近のレベルとなる。また、交流入力電圧VAC=100V時/220V時の何れの場合にも、重負荷の条件となるのに従って、回路を流れる電流レベルが増加するために、整流平滑電圧Eiのレベルは低下する傾向となる。
また、交流入力電圧VACの上昇に応じては上昇する特性となる。
また、整流平滑電圧Eiは、図8に示すようにして、交流入力電圧VACの上昇に応じては高くなっていく傾向となる。整流平滑電圧Eiは、商用交流電源AC(VAC)を入力してブリッジ整流回路Di及び平滑コンデンサCiから成る全波整流回路が整流動作を行うことで、平滑コンデンサCiの両端電圧として得られるものであることから、このような特性となる。
また、上記した力率特性を得るための力率改善回路11による力率改善動作を示すものとして、図9及び図10の波形図を示す。これら図9及び図10には、交流入力電流IACを交流入力電圧VACと共に示している。また、図9,図10は、それぞれ、最大負荷電力Pomax=150Wの負荷条件の下での、交流入力電圧VAC=100V時/VAC=230V時の波形を示している。
これらの図に示すようにして、交流入力電流IACの波形は、交流入力電圧VACのレベルが所定以上となっている期間において流れる波形となっているが、実際には、力率改善回路10を備えない場合よりも、正弦波に近いものとなって導通角が拡大している。つまり、図9及び図10には力率が改善された結果が示されている。
なお、実施の形態1−1の回路の場合には、交流入力電流IACのレベルは、交流入力電圧VAC=100V時において7Apとなっており、交流入力電圧VAC=230V時には4Apとなっている。
また、上記図7,図8には示されていないが、図1に示す電源回路についての交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomaxから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pominまでに対応するスイッチング周波数fsの必要制御範囲ΔfsAは、約4kHzであり、従来が120kHzであることと比較すると1/30程度にまで抑制されている。
ここで、これまでに説明した実施の形態の電源回路と、同じ力率の改善とワイドレンジ対応化を図る先行技術として、先の図36にて示したアクティブフィルタ備える電源回路とを比較した場合には、次のようなことがいえる。
先ず、先の図7、図8にて説明した実験結果によると、図1に示した回路では、図36の回路の場合よりも、AC100V系時の電力変換効率が向上している。また、AC200V系時の電力変換効率としても、図1の回路では図36の回路の場合とほぼ同等の電力変換効率が得られる。
これは、電力回生方式による力率改善回路を備える構成とし、さらにスイッチング周波数の可変制御のみにより安定化を図るワイドレンジ対応の構成とされていることで、アクティブフィルタを不要とすることができたことによる。すなわち、アクティブフィルタを備える場合のように前段と後段の2つの電力変換効率値の乗算により総合効率が低下することにはならないため、その分、電源回路全体での電力変換効率の低下の抑制が図られるものである。
また、図1に示した回路では、アクティブフィルタを不要としたことで、回路構成部品点数の削減が図られる。
つまりアクティブフィルタは、1組のコンバータを構成するものであり、図36による説明からも分かるように、実際には、1本のスイッチング素子と、これらを駆動するためのIC等を始め、多くの部品点数により構成される。
これに対し図1に示す電源回路では、力率改善及びワイドレンジ対応のために必要な追加部品として、少なくとも高周波インダクタL10、フィルタコンデンサCN、スイッチングダイオードD1、二次側直列共振コンデンサC2が備えられればよいものであるから、アクティブフィルタと比較すれば非常に少ない部品点数とすることができる。
これにより、図1に示す電源回路としては、力率改善機能を有するワイドレンジ対応の電源回路として、図36に示す回路よりもはるかに低コストとすることができる。また、部品点数が大幅に削減されることで、回路基板についても有効に小型軽量化を図ることができる。
また、図1に示す電源回路では、共振形コンバータ及び力率改善回路11の動作はいわゆるソフトスイッチング動作であるから、図36に示したアクティブフィルタと比較すればスイッチングノイズのレベルは大幅に低減される。
このため、図1にも示したように、各1組のコモンモードチョークコイルCMCとアクロスコンデンサCLから成る1段のノイズフィルタを備えれば、電源妨害規格をクリアすることが充分に可能とされる。また、整流出力ラインのノーマルモードノイズについては、図1にも示しているように、1つのフィルタコンデンサCNのみにより対策を行っている。
このようにしてノイズフィルタとしての部品点数が削減されることによっても、電源回路のコストダウンと、回路基板の小型軽量化は促進される。
また、図1に示す電源回路の場合、一次側のスイッチングコンバータを形成する各スイッチング素子Q1,Q2は、交互にオン・オフするタイミングで同期するようにしてスイッチング動作する。従って、一次側アース電位としては、図36の電源回路のように、アクティブフィルタ側と、その後段のスイッチングコンバータとの間で干渉することが無く、スイッチング周波数の変化に関わらず安定とすることができる。
これにより、従来のアクティブフィルタを備える図36の回路で問題となっていた、異常発振の抑制を図ることができる。
また、図1に示す回路における力率PFとしては、先の図7、図8にて説明したようにAC100Vでは負荷電力Po=150W〜0Wの変動して力率PF=0.8以上が得られ、AC230Vでは負荷電力Po=150W〜70Wの変動に対して力率PF=0.75以上が得られる。このような力率PFの値によれば、例えば電源高調波歪み規制をクリアすることができ、実用上充分な力率が得られているといえる。
これらの比較より、図1に示した実施の形態の回路では、アクティブフィルタを備えた図36の回路が有する各種の問題を解決した上で実用上充分な力率を得ることができ、さらに、電力変換効率としても同等又はそれ以上の特性が得られている、ということがいえる。
また、共振型コンバータについてワイドレンジ対応とするための構成としては、先に説明したように、商用交流電源ACを入力して直流入力電圧(Ei)を生成する整流平滑回路について、AC100V系とAC200V系の入力に応じて倍電圧整流回路と全波整流回路とで切り換える構成が知られている。あるいは、スイッチング回路をフルブリッジ結合とハーフブリッジ結合とで切り換える構成が知られている。これらの構成が有する問題点については、先に述べたとおりである。
本実施の形態では、これらの問題の解決が図られていることになる。つまり、上記のような回路切り換えのための構成が不要となれば、例えば平滑コンデンサCiは1本のみとすることができ、またスイッチング素子としては少なくともハーフブリッジ結合に必要な2本のみとすることが可能となって、その分回路構成部品の削減、回路規模の縮小、及びスイッチングノイズの低減などが図られる。
また、回路切換の構成が不要となれば、切り換えによる誤動作防止のために特別な構成を備えるような必要もなくなり、この点でも構成部品の増加とコストアップの抑制が図られる。さらには、誤動作防止のためにスタンバイ電源を必須としないので、電源回路が使用可能な機器範囲を広げることができる。
また、本実施の形態におけるワイドレンジ対応化は、必要制御範囲(Δfs1、Δfs2ΔfsA)が縮小される結果として得られるものであることから、例えば単レンジでの動作においても、定電圧制御の応答性の向上という利点が得られることになる。これにより、例えば先に述べたような、スイッチング負荷といわれる負荷変動に対しても、良好な定電圧制御の応答性能が得られることになる。このことから、本実施の形態の電源回路は、例えばプリンタやプラズマディスプレイ装置などのスイッチング負荷を伴う動作の機器の電源に適用して好適なものであるということがいえる。
また、本実施の形態において絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との結合係数kについて一定以下とした構成により、必要制御範囲(Δfs1、Δfs2ΔfsA)が縮小されることの理由としては、先に図3〜図5により説明した電磁結合による結合形共振回路の他にも、次の理由も挙げることができる。
例えば、実施の形態の電源回路の構成から二次側直列共振コンデンサC2を省略し、また絶縁コンバータトランスPITのギャップについて、従来と同等の1.5mm程度以上として結合係数kについて0.8程度以上を設定した構成では、或る一定の軽負荷とされる状態から無負荷までの範囲(例えば負荷電力Po=25W〜0W程度の範囲)の変動に応じてスイッチング周波数fsが例えば数十kHzから200kHz程度にまで急峻に上昇する特性となることが実験により確認されている。このようなスイッチング周波数の変化特性が、スイッチング周波数の必要制御範囲(Δfs1、Δfs2、ΔfsA)を拡大させる要因となっている。
本実施の形態のようにして、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との結合係数kについて一定以下を設定した疎結合の状態とすることで、このような上記した軽負荷から無負荷条件でのスイッチング周波数fsの急峻な上昇は抑制される特性ことも実験により確認された。このようなスイッチング周波数fsの特性が得られることも、本実施の形態における必要制御範囲(Δfs1、Δfs2、ΔfsA)の縮小要因となっている。
但し、一般的に、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との間の疎結合の度合いを高くしていくのに応じては、絶縁コンバータトランスPITにおける電力損失が増加する傾向となり、電力変換効率もその分低下していくことになる。しかしながら、本実施の形態としては、後述するようにして、実用上充分な電力変換効率の特性を得ている。これは、二次側に対しても直列共振回路(二次側直列共振回路)を形成するようにしたことによる。
すなわち、二次側直列共振回路を備えることで、その共振動作により得られるエネルギーの増加分を含めて二次側直流出力電圧Eoとしての電力を供給可能となるものであり、疎結合とされたことによる効率の低下を補償しているものである。さらに、前述したように、二次側において、さらに二次側部分電圧共振回路を形成することによっても、二次側の整流ダイオードにおけるスイッチング損失を低減しており、このことも電力変換効率の低下阻止、向上に大きく寄与している。
また、本実施の形態では、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側の結合係数k(結合度)について一定以下を設定して、さらに疎結合としていることで、次のような効果も得られている。
つまり、実施の形態では、力率改善を図るにあたり電力回生方式による力率改善回路を備えるものとしているが、このような電力回生方式による力率改善の構成を採る場合は、一次側直列共振電流に重畳する商用交流電源周期のリップルが、二次側直流出力電圧Eoに重畳してしまうことが知られている。このため、従来において電力回生方式による力率改善構成を採用するとした場合は、二次側の平滑コンデンサCoの容量について、力率改善回路を備えない通常の場合より5倍程度増加させ、リップル対策を図るようにしていたが、平滑コンデンサCoの容量増加が大きなコストアップにつながり、このことが実用化の妨げとなっていた。
本実施の形態では、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との結合度を低下させていることで、一次側から二次側への商用交流電源周期の交番電圧成分の伝送量が減少するために、二次側直流出力電圧Eoに重畳する商用交流電源周期のリップルが抑制されることになる。例えば実施の形態1−1においては、二次側の平滑コンデンサCoの容量は、例えば、力率改善回路を備えない場合に対して2倍程度にまで抑えられており、電力回生方式による力率改善回路の実用化を可能としている。
図11は、実施の形態1−2としてのスイッチング電源回路の構成例を示す。
実施の形態1−2は、実施の形態1−1の場合の磁気結合形による力率改善回路11に代えて、静電結合形による力率改善回路12を備える。
なお、図8において、既に図1にて説明した部分については同一の符号を付して説明を省略する。
この場合の力率改善回路12としても、商用交流電源ACから整流平滑電圧Eiを生成する整流平滑回路における整流電流経路に対して挿入されるようにして設けられる。
先ず、力率改善回路12においては、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子に対して、高周波インダクタL10の一端が接続されている。高周波インダクタL10の他端には、スイッチングダイオードD1のアノードが接続され、スイッチングダイオードD1のカソードは、平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続される。つまり、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子間に対しては、この場合も高周波インダクタL10−スイッチングダイオードD1の直列接続回路が挿入される。
また、この場合も上記高周波インダクタL10−スイッチングダイオードD1の直列接続回路に対しては、フィルタコンデンサCNを並列に接続している。
さらに、スイッチングダイオードD1に対しては、力率改善用直列共振コンデンサC20を並列に接続している。この場合、力率改善用直列共振コンデンサC20は、高周波インダクタL10に対しては直列に接続されることとなるが、これにより、力率改善用直列共振コンデンサC20のキャパシタンスと、高周波インダクタL10のインダクタンスとにより、力率改善回路12内(商用交流電源の整流電流経路内)において直列共振回路を形成する。
そして、図示するように高周波インダクタL10と、スイッチングダイオードD1のアノードと、力率改善用直列共振コンデンサC20との接続点に対して、一次側直列共振回路(L1−C1)を接続している。
このような力率改善回路12の回路構成によると、この場合は一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)を電力として回生して、スイッチングダイオードD1//力率改善用直列共振コンデンサC20の並列接続を介するようにして平滑コンデンサCiに帰還する動作が得られる。このとき、平滑コンデンサCiと一次側直列共振回路との間には、力率改善用直列共振コンデンサC20のキャパシタンス(静電容量)が介在することから、電力回生は、静電結合により行われるものとみることができる。
このようにして形成される力率改善回路12によっても、交流入力電圧VACの絶対値レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧レベルよりも低いとされる期間にもわたってスイッチダイオードD1に依るスイッチング動作が行われることになり、図1の場合と同様に交流入力電流IACの導通角が拡大されることとなって、力率が改善される。
図12は、実施の形態1−3としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、図1、図11と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
実施の形態1−3は、実施の形態1−1と同様のワイドレンジ対応の構成を採るものであり、この電源回路に備えられる力率改善回路13は、電力回生方式として磁気結合形を採用している。
ところで、先に図7及び図8に示したように、図1に示す電源回路では、軽負荷の傾向、若しくは交流入力電圧レベルが上昇するの従って、改善される力率PFの値が低下していく傾向となる。軽負荷の傾向となるのに応じては、電源回路内にて流れる電流量が減少していくことになるために、これに伴って交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。また、交流入力電圧レベルが高くなることで、スイッチングダイオードD1が整流電流をスイッチングする(整流する)のに必要とされる交流入力電圧VACのレベルの下限を引き上げることになる。これにより、交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。
先の図1に示す電源回路の力率特性によっても、実用上充分な力率が得られてはいるのであるが、交流入力電圧条件や負荷の条件などによっては、交流入力電圧レベルや負荷の変動に対して、より安定した値の力率が得られるようにした方が好ましい場合がある。
そこで、図12に示す実施の形態1−3の電源回路では、図1に示した力率改善回路10の構成を基として、改善される力率を一定とするように構成される。
先ず、図12に示される力率改善回路13においては、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子に対し、制御トランスPRTの被制御巻線NRの直列接続を介してスイッチングダイオードD1のアノードが接続される。スイッチングダイオードD1のカソードは、平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。つまり、この場合には、整流平滑電圧Eiを生成する整流電流経路において、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子との間のラインに対して、スイッチングダイオードD1−被制御巻線NRの直列接続回路を挿入していることになる。ここで、被制御巻線NRは、電力回生された一次側直列共振電流の帰還を受ける高周波インダクタとしての機能を有する。
そして、力率改善回路13内においては、上記したスイッチングダイオードD1と被制御巻線NRとの接続点に対して一次側直列共振コンデンサC1を接続することで、一次側直列共振回路の端部を接続するようにされている。
また、フィルタコンデンサCNは、この場合にはスイッチングダイオードD1−被制御巻線NRの直列接続回路に対して並列に接続される。
力率改善回路13内に備えられる制御トランスPRTは、上記被制御巻線NRを巻装すると共に、この被制御巻線NRに対して、例えばその巻方向が直交するようにして制御巻線Ncを巻装して構成することで、可飽和リアクタとして機能する。つまり、制御巻線Ncに流れる直流電流(制御電流Ic)のレベルに応じて、自身におけるリーケージインダクタンスを可変する。
力率制御回路3は、負荷電力Poの変動、及び交流入力電圧VACの変動に応じて、制御巻線Ncに流れる制御電流Icのレベルを可変制御するように構成され、これによって交流入力電圧変動と負荷変動とに対して力率を一定とするように制御することになる。
先ず、交流入力電圧VACの変動に応じた制御系としては、図示する分圧抵抗R1−R2による直列接続回路を備える。この分圧抵抗R1−R2の直列接続回路は、平滑コンデンサCiに対して並列に接続される。力率制御回路3には、これら分圧抵抗R1−R2により分圧された整流平滑電圧Eiが入力される。つまり、力率制御回路3は、分圧抵抗R1−R2の分圧出力を入力することで、整流平滑電圧Eiのレベルを検出するようにされている。整流平滑電圧Eiのレベルは交流入力電圧VACのレベルに応じたものとなる。従って、力率制御回路3では、分圧抵抗R1−R2による検出出力(分圧出力)に基づき交流入力電圧VAC(商用交流電源AC)のレベルを検出していることになる。
力率制御回路3は、このように検出される交流入力電圧VACのレベル上昇に応じては、制御電流Icのレベルを低下させるように、制御巻線Ncに流す電流レベルを制御する。また、交流入力電圧VACのレベル低下に応じては制御電流Icのレベルを上昇させるように動作するものとなる。
可飽和リアクタである制御トランスPRTにおいては、制御巻線Ncに流れる制御電流Icのレベルの低下に応じて、被制御巻線NRのインダクタンスを増加させるように動作する。これによれば、上記のようにして力率制御回路3によって交流入力電圧VACのレベル上昇に応じて制御電流Icのレベルが低下されることに伴い、被制御巻線NRのインダクタンスが増加する。
力率改善回路13内において高周波インダクタとして機能する被制御巻線NRのインダクタンスが増加することによっては、その分、一次側直列共振回路から帰還される或る一定量の電力に応じて被制御巻線NRとしてのインダクタに蓄積されるエネルギーも増加することになる。つまり、交流入力電圧VACの上昇に応じて力率改善のための電力帰還量が増加するように制御が行われることになる。このようにして、力率改善のための電力帰還量が増加することで、力率改善効果も増大する。
実施の形態1−3では、このようにして交流入力電圧VACの上昇に応じて、改善される力率値を高くする傾向での力率制御を行うようにしたことで、交流入力電圧VACの変動に対して力率がほぼ一定となるように制御することができる。
また、力率改善回路13において、負荷変動に応じた制御系としては、制御トランスPRTにおいて上記被制御巻線NRとともに巻装される検出巻線ND、及び整流ダイオードD5と平滑コンデンサC5とによる整流平滑回路(半波整流回路)を備える。
検出巻線NDとしては、上記した被制御巻線NRと同じとされる巻回方向により、この被制御巻線NRに対して密結合となるようにして制御トランスPRTに巻装される。
そして、検出巻線NDの一端は、一次側アースに接続され、他端は整流ダイオードD5のアノードと接続される。整流ダイオードD5のカソードは平滑コンデンサC5の正極端子と接続されており、平滑コンデンサC5の負極端子は一次側アースと接続される。つまり、整流ダイオードD5と平滑コンデンサC5によっては半波整流回路が形成される。この半波整流回路によっては、検出巻線NDに得られた交番電圧VDを整流平滑化して直流化した電圧VD1が平滑コンデンサC5の両端電圧として得られる。力率制御回路3は、この電圧VD1を検出入力するようにされている。
ここで、上記もしたように被制御巻線NRは、一次巻線N1と平滑コンデンサCiとの間にて挿入されているインダクタとなるので、一次側直列共振電流に応じたレベルの電流が流れ、従って被制御巻線NRの両端には一次側直列共振電流に応じたレベルの電圧が得られる。そして、一次側直列共振電流のレベルは、二次側直流出力電圧Eoに接続される負荷に流れる負荷電流レベルに応じて変化する。つまり、検出巻線NDに誘起される電圧VDのレベルは、負荷電流レベルを示していることになる。
実施の形態においては、二次側直流出力電圧Eoは安定化されるので、負荷電流レベルがそのまま負荷電力値として得られることになる。つまり、検出巻線NDによっては、負荷電力を検出しているということがいえる。なお、以降において、検出巻線NDの両端電圧については検出電圧VDともいうことにする。この検出電圧VDについて上記半波整流回路により直流化した電圧が、負荷電力を示す直流検出電圧VD1として力率制御回路3に入力される。
力率制御回路3では、上記直流検出電圧VD1のレベルが低下するのに応じては制御電流Icのレベルを低下させるように制御する。
ここで、負荷電力が軽くなるほど負荷電流レベルは減少する。従って、負荷電流に対応するレベル変化を示す一次側直列共振電流としても負荷電力が軽くなるのに応じてレベルが減少するから、直流検出電圧VDのレベルも、負荷電力が軽くなるのに応じて低下する。
このことから、上記のように直流検出電圧VD1のレベルが低下するのに応じて制御巻線Ncに流れる制御電流Icのレベルを低下させることによっては、負荷電流レベルの低下(軽負荷傾向)に応じて制御電流Icのレベルを低下させていることになる。
制御巻線Ncに流れる制御電流Icのレベルが低下すれば、上記もしたように可飽和リアクタである制御トランスPRTは、被制御巻線NRのインダクタンスを増加させる。そして、被制御巻線NRのインダクタンスが増加することによっては、その分一次側直列共振回路から帰還される電力の帰還量が増加する傾向となるから、負荷電力の低下に応じては、力率値を高くする傾向となるように制御が行われる。
これによっては、負荷電力が低下するのに従って力率が低下する傾向をキャンセルするように制御が行われて、結果として負荷電力変動にかかわらず力率が一定となるように制御することができる。
なお、実施の形態1−3において、力率制御回路3は、実際にはダイオードD5及びコンデンサC5から成る半波整流回路、分圧抵抗R1−R2からの各検出出力に応じて制御巻線Ncに流す制御電流Icのレベルを可変するように形成した増幅回路として構成することができる。このような増幅回路は、例えばバイポーラトランジスタと周辺の抵抗素子、コンデンサなどの数点の部品により、簡易で安価に構成することができる。
図13の回路図は、実施の形態1−4としての構成を示している。なお、この図において、図1、及び図11、図12と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路が備える力率改善回路14としても、図12に示した力率改善回路13と同様にして、負荷変動及び交流入力電圧変動に対して改善される力率が一定となるように制御する構成を採るもので、図12に示した力率改善回路13の場合と同様の構造の制御トランスPRTを備える。
ただし、この実施の形態1−4の力率改善回路14の場合には、制御トランスPRTの被制御巻線NRと、スイッチングダイオードD1の接続関係が、力率改善回路13の場合とは逆になっている。つまり、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子とスイッチングダイオードD1のアノードとの間に対して被制御巻線NRを直列に挿入して、スイッチングダイオードD1のカソードを平滑コンデンサCiの正極端子に接続している。
このような接続形態を有する電力回生方式の力率改善回路は、一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力を、スイッチングダイオードD1を経由して平滑コンデンサCiに電力帰還するものとしてみることができるので、ダイオード結合形といわれる。
このようにして形成される力率改善回路14においても、先の実施の形態1−3の力率改善回路13と同様にして力率制御回路3が動作して、制御トランスPRTにおけるインダクタンス制御を行うことになる。従って、実施の形態1−4としても、負荷変動及び交流入力電圧変動に対して一定の力率とする力率改善動作が得られる。
また、上記実施の形態1−1〜1−4までの電源回路についての二次側の変形例を、実施の形態1−5,1−6,1−7として、図14〜図16により説明する。なお、これら図14〜図16においては、絶縁コンバータトランスPITの二次側の構成のみが示されているが、一次側については、例えばこれまで説明した実施の形態1−1〜1−4の何れかの構成要素が組み合わされればよい。
先ず、図14に示される実施の形態1−5について説明する。
この実施の形態1−5の電源回路としても、多重複合共振形コンバータとしての構成を採ることから、二次巻線N2と二次側共振コンデンサとから成る二次側直列共振回路を備えるが、二次巻線N2に対して接続される整流回路として、倍圧全波(倍電圧全波)整流回路が備えられる。
この倍圧全波整流回路としては、先ず、二次巻線N2についてセンタータップを施すことで、二次巻線部N2A,N2Bに分割する。この場合、二次巻線N2のセンタータップは二次側アースに接地する。
そして、この場合の二次巻線N2の巻終わり端部となる二次巻線部N2A側の端部は、二次側直列共振コンデンサC2Aの直列接続を介して、整流ダイオードDo1のアノードと、整流ダイオードDo2のカソードとの接続点に対して接続される。
また、二次巻線N2の巻始め端部となる二次巻線部N2B側の端部は、二次側直列共振コンデンサC2Bの直列接続を介して、整流ダイオードDo3のアノードと、整流ダイオードDo4のカソードとの接続点に対して接続される。
また、整流ダイオードDo2,Do4のアノードの接続点は二次側アースに対して接続される。整流ダイオードDo1と整流ダイオードDo2のカソードの接続点は、平滑コンデンサCoの正極端子と接続される。平滑コンデンサCoの負極端子は二次側アースに接続される。
また、この場合には、2本の二次側部分共振コンデンサCp2A,Cp2Bを設けることとして、二次側部分共振コンデンサCp2Aは、整流ダイオードDo1のアノードと整流ダイオードDo2のカソードの接続点と、二次側アース間に挿入する。
また、二次側部分共振コンデンサCp2Bは、整流ダイオードDo3のアノードと整流ダイオードDo4のカソードの接続点と、二次側アース間に挿入する。
上記接続態様によって形成される倍圧全波整流回路の整流動作は次のようになる。
先ず、この倍圧全波整流回路は、[二次巻線部N2A、二次側直列共振コンデンサC2A、整流ダイオードDo1,Do2、二次側部分共振コンデンサCp2A]により形成される第1の倍圧半波(倍電圧半波)整流回路と、[二次巻線部N2B、二次側直列共振コンデンサC2B、整流ダイオードDo3,Do4、二次側部分共振コンデンサCp2B]により形成される第2の倍圧半波整流回路とに分けることができる。
また、第1の倍圧半波整流回路においては、二次巻線部N2A−二次側直列共振コンデンサC2Aの直列接続回路が形成されていることで、二次巻線部N2Aのリーケージインダクタンス成分(L2A)と二次側直列共振コンデンサC2Aのキャパシタンスとによって、第1の二次側直列共振回路を形成することになる。
同様に、第2の倍圧半波整流回路においては、二次巻線部N2B−二次側直列共振コンデンサC2Bの直列接続回路が形成されることで、二次巻線部N2Bのリーケージインダクタンス成分(L2B)と二次側直列共振コンデンサC2Bのキャパシタンスとによって、第2の二次側直列共振回路を形成することになる。
また、先の説明のようにして挿入される二次側部分共振コンデンサCp2Aは、二次巻線部N2A−二次側直列共振コンデンサC2Aの直列接続に対して並列に接続されるものであり、従って、二次側部分共振コンデンサCp2Aは、自身のキャパシタンスと、二次巻線N2AのリーケージインダクタンスL2Aとにより、第1の倍圧半波整流回路に対応する二次側部分電圧共振回路を形成する。同様にして、二次側部分共振コンデンサCp2Bは、二次巻線部N2B−二次側直列共振コンデンサC2Bの直列接続に対して並列に接続されており、自身のキャパシタンスと、二次巻線N2AのリーケージインダクタンスL2Aとにより、第2の倍圧半波整流回路に対応する二次側部分電圧共振回路を形成する。
第1の倍圧半波整流回路の整流動作としては次のようになる。
先ず、二次巻線N2に誘起される交番電圧の一方の半周期の期間においては、二次巻線部N2A−整流ダイオードDo2−二次側直列共振コンデンサC2Aの経路により整流電流が流れることで、二次側直列共振コンデンサC2Aに対して整流電流を充電するようにされる。このときの整流動作によって、二次側直列共振コンデンサC2Aには、二次巻線部N2Aに誘起される交番電圧の等倍に対応するレベルの両端電圧が生成される。
また、続く二次巻線N2の交番電圧の他方の半周期の期間においては、二次巻線部N2A−二次側直列共振コンデンサC2A−整流ダイオードDo1−平滑コンデンサCoの経路で整流電流が流れる。このときには、二次巻線部N2Aの誘起電圧に対して、先の二次巻線N2の交番電圧の半周期の期間の整流動作により得られている二次側直列共振コンデンサC2Aの両端電圧が重畳される状態で、平滑コンデンサCoへの充電が行われる。これにより、平滑コンデンサCoには、二次巻線部N2Aの交番電圧に対して2倍となるレベルの両端電圧が生成されることになる。
つまり、第1の倍圧半波整流回路は、二次巻線部N2Aの交番電圧の一方の半周期の期間で二次巻線部N2Aの交番電圧の等倍に対応するレベルの二次側直列共振コンデンサC2Aの両端電圧を生成し、二次巻線部N2Aの交番電圧の他方の半周期の期間で、二次巻線部N2Aの交番電圧と二次側直列共振コンデンサC2Aの両端電圧の重畳レベルにより平滑コンデンサCoに充電を行うことで、平滑コンデンサCoの両端電圧として、二次巻線部N2Aの交番電圧の2倍に対応するレベルの両端電圧を得る、という倍圧半波整流動作を行う。
また、上記した倍圧半波整流動作では、二次側直列共振コンデンサC2Aに対して、正/負の両極の方向で半周期ごとに電流が流れているが、これに応じて、第1の二次側直列共振回路が共振動作を行うことになる。
また、上記第1の倍圧半波整流回路の整流動作に伴い、整流ダイオードDo1,Do2がターンオフするタイミングに応じて、二次側部分共振コンデンサCp2Aを備える二次側部分電圧共振回路による部分電圧共振動作が得られる。
また、第2の倍圧半波整流回路は、[二次巻線部N2B、二次側直列共振コンデンサC2B、整流ダイオードDo3,Do4]により、上記第1の倍圧半波整流回路と同様の倍圧半波整流動作を、上記第1の倍圧半波整流回路の整流動作に対して、半周期シフトした周期タイミングにより実行する。また、この整流動作により、第2の二次側直列共振回路が共振動作を得ることになる。さらに、この整流動作に伴い、整流ダイオードDo3,Do4がターンオフするタイミングに応じて、二次側部分共振コンデンサCp2Aを備える二次側部分電圧共振回路による部分電圧共振動作が得られる。
このような整流動作が実行されることにより、平滑コンデンサCoに対しては、第1の倍圧半波整流回路による充電と、第2の倍圧半波整流回路による充電とが、二次巻線N2の交番電圧の半周期ごとに繰り返し実行されることになる。つまり、二次巻線N2に対して接続される整流回路全体では、二次巻線部N2A,N2Bに誘起される交番電圧の2倍に対応する充電電位により、二次巻線N2の交番電圧が正/負の各半波の期間で平滑コンデンサCoへの充電を行う、倍圧全波整流動作を行っている。この整流動作によって平滑コンデンサCoには、二次巻線部N2A,N2Bに誘起される交番電圧の2倍に対応する整流平滑電圧である、二次側直流出力電圧Eoが得られることになる。
この図14に示す実施の形態1−5の電源回路について、例えば図1に示した実施の形態1―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、図1(実施の形態1−1)の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=40T、二次巻線N2A=N2B=25Tとなる。つまり、実施の形態1−5の場合の二次側整流回路は倍圧全波整流回路とされていることで、二次巻線部N2A,N2Bの各々の巻数については、ブリッジ全波整流回路に備えられる図1(実施の形態1−1)の二次巻線N2の巻数に対して、1/2となる25Tを設定することができる。そして、この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
また、高周波インダクタL10のインダクタンスについてはL10=30μHを選定し、フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、実施の形態1−1の電源回路についての実験結果である図7、図8、図9、図10とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.3%、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=90.2%であり、実施の形態1−1と同様に良好な特性が得られていることが分かる。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.94であり、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0Wの範囲に対して0.8以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=150Wから負荷電力Po=70Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態1−5の電源回路における交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=150Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態1−1〜1−4などと同様に4kHz以下であり、スイッチング周波数制御のみによるワイドレンジ対応化が図られている。
また、上記図14では、2本の二次側部分共振コンデンサCp2A,Cp2Bを図示するようにして挿入することで、第1、第2の倍圧半波整流回路ごとに対応させて2つの部分電圧共振回路を備えるようにしているが、1つの二次側部分共振コンデンサにより、第1及び第2の倍圧半波整流回路の部分電圧共振回路を形成することができる。
このような構成を実施の形態1−6として、図15に示す。なお、この図において、図14と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図においては、1本の二次側部分共振コンデンサCp2を、整流ダイオードDo1のアノードと整流ダイオードDo2のカソードの接続点と、整流ダイオードDo3のアノードと整流ダイオードDo4のカソードの接続点との間に挿入するようにされる。このような挿入形態とすることで、二次側部分共振コンデンサは、第1、第2の倍圧半波整流回路ごとに対応する部分電圧共振回路を形成するための共通のキャパシタンスとして機能する。
続いて、図16に示す実施の形態1−7としての電源回路について説明する。
この図においては、二次巻線N2に対して設けられる整流回路として、倍圧半波整流回路が備えられる。
この場合の倍圧半波整流回路としては、先ず、二次巻線N2の一方の端部に対して、二次側直列共振コンデンサC2の直列接続を介して、整流ダイオードDo1のアノードを接続する。整流ダイオードDo1のカソードは、平滑コンデンサCoの正極端子に接続される。平滑コンデンサCoの負極端子は二次側アースに接続される。
また、二次巻線N2の他方の端部は、二次側アースに接地させたうえで、整流ダイオードDo2のアノードとも接続する。整流ダイオードDo2のカソードは、整流ダイオードDo1のアノードと二次側直列共振コンデンサC2の接続点に対して接続する。
また、二次側部分共振コンデンサCp2は、二次側直列共振回路を成す二次巻線N2−二次側直列共振コンデンサC2の直列接続回路に対して並列に接続されており、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2とともに二次側部分電圧共振回路(並列共振回路)を形成する。
上記した倍圧半波整流回路の整流動作は、例えば上記図14により説明した第1若しくは第2の倍圧半波整流回路と同様となるので、ここでの詳しい説明は省略する。また、二次側部分共振コンデンサCp2を備えて成る二次側部分電圧共振回路は、整流ダイオードDo1,Do2がそれぞれターンオフするタイミングに応じて部分電圧共振動作を行う。
この図16に示す実施の形態1−7の電源回路について、例えば図1に示した実施の形態1―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、図1の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=40T、二次巻線N2=25Tとなる。実施の形態1−7の二次側整流回路が倍圧半波整流回路であるのに対して、図1に示した実施の形態1−1の二次側整流回路はブリッジ全波整流回路であることから、この場合の二次巻線部N2の巻数については、図1の二次巻線N2の巻数に対して1/2となる25Tを設定することができる。そして、この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.39μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
また、高周波インダクタL10のインダクタンスについてはL10=30μHを選定し、フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、実施の形態1−1の電源回路についての実験結果である図7,図8、図9,図10とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.1%、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=90.0%であり、良好な特性が得られていることが分かる。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.94であり、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0Wの範囲に対して0.8以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=150Wから負荷電力Po=70Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態1−7の電源回路における交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=150Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態1−1〜1−4などと同様に4kHz以下である。
そして、上記図14、図15、図16として示した実施の形態1−5、1−6、1−7の電源回路は、二次巻線N2に対して設けられる整流回路系の形式、構成が異なる以外は、先に説明した実施の形態1−1〜1−4のいずれかと同様の多重複合共振形コンバータの回路構成を採ることから、ワイドレンジ対応化及び力率改善機能など以外にも、先の各実施の形態にて説明したのと同様の効果が得られるものである。
図17の回路図は、実施の形態2−1としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、先の実施の形態1の構成を示した各図と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路の基本構成としては、例えば図1と同様となる。
つまり、ブリッジ整流回路Di及び平滑コンデンサCiから成るブリッジ全波整流回路により整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)を生成する。また、ブリッジ整流回路Diの出力と平滑コンデンサCiの正極端子間の整流電流経路としてのラインに対して、力率改善回路21を介在させている。但し、後述するようにして、この力率改善回路21の構成が、図1の場合と異なる。
また、直流入力電圧を入力して動作するスイッチングコンバータは、図1と同様の回路構成による、電流共振形コンバータを基とする多重複合共振形コンバータとされる。つまり、スイッチング素子Q1,Q2をハーフブリッジ結合した電流共振形コンバータを備えるとともに、スイッチング素子Q2に対して並列に一次側部分共振コンデンサCpを接続することで、一次側部分電圧共振回路を形成している。二次側も、図1と同様の接続態様により、二次巻線N2に対して二次側直列共振コンデンサC2を接続して二次側直列共振回路を形成するとともに、整流回路としては、整流ダイオードDo1〜Do4及び平滑コンデンサCoとによるブリッジ全波整流回路を備える。また、二次側部分共振コンデンサCp2を備えることで、二次側部分電圧共振回路を形成している。
また、絶縁コンバータトランスPITについては、図2と同様の構造とされ、一定以下の結合係数kによる疎結合の状態が得られるようにしてギャップGのギャップ長などが設定されている。
また、実施の形態2−1としても、実施の形態1と同様に、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについて、
fo1>fo2
で表される関係を満たすべきこととして、そのうえで、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1/2となるようにして設定している。この図17に示す電源回路の実際としては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1について約70kHzを設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2としては、35kHz程度に設定している。
このようにして、絶縁コンバータトランスPITについて一定以下の疎結合の状態を設定するとともに、一次側と二次側とに直列共振回路を備えることで、AC100V系とAC200V系の両者の入力レベル範囲に対応する、ワイドレンジ対応の電源回路とされている。
先に説明した実施の形態1の電源回路では電力回生方式の力率改善回路を備えている。これに対して、実施の形態2では電圧帰還方式の力率改善回路を備える。そして、実施の形態2−1の電源回路において備えられる力率改善回路21は、電圧帰還方式として力率改善用トランスVFTを備える構成を採る。
力率改善回路21は、図示するようにして、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子に対して、高速リカバリ型であるスイッチングダイオード(力率改善用スイッチング素子)D1のアノードが接続される。スイッチングダイオードD1のカソードは、力率改善用トランスVFTの二次巻線N12の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。つまり、この場合には、整流平滑電圧Eiを生成する整流電流経路において、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子との間のラインに対して、スイッチングダイオードD1−二次巻線N12の直列接続回路を挿入していることになる。ここで、二次巻線N12は、電圧帰還方式による力率改善回路において、スイッチング出力を電圧帰還することにより得られる、スイッチング周期の交番電圧を受けるインダクタとしての機能を有する。
フィルタコンデンサCNは、スイッチングダイオードD1のスイッチング動作により生じるスイッチング周期の交番成分を吸収することでノーマルモードノイズを抑制するために設けられるもので、この場合には、スイッチングダイオードD1−二次巻線N12の直列接続回路に対して並列に接続される。
力率改善用トランスVFTは、一次巻線N11と二次巻線N12とについて、磁気的に結合されるようにしてコアに巻装した構造を有する。なお、この場合の力率改善用トランスVFTは、分割された巻装位置が形成されているいわゆる分割ボビンを有し、一次巻線N11と二次巻線N12とを、上記分割ボビンにおいてそれぞれ異なる巻装位置に巻回するようにしている。これにより、一次側と二次側の結合度としては、疎結合とされる所定の結合係数が得られるようにされている。
このようにして構成される力率改善回路21においては、一次側直列共振回路にスイッチング出力(一次側直列共振電流)が得られるのに応じて、この一次側直列共振回路に含まれるとされる力率改善用トランスVFTの一次巻線N11にスイッチング出力としての電流が流れることになる。そして、力率改善用トランスVFTにおいては、この一次巻線N11に流れる交番電流に応じて、二次巻線N12に交番電圧を誘起させる。
この場合、力率改善用トランスVFTの二次巻線N12は、スイッチングダイオードD1と直列接続された形態で、商用交流電源ACの整流電流経路に挿入されている。このために、二次巻線N12に誘起される交番電圧は、整流出力電圧に対して重畳されるものとなる。つまり、力率改善用トランスVFTによっては、一次側直列共振電流を、力率改善用トランスVFTの磁気結合を介して整流電流経路に電圧として帰還するようにしている。このようにして、スイッチング出力を電圧として帰還して力率改善を図るようにされた力率改善回路の方式を、ここでは電圧帰還方式といっている。
スイッチングダイオードD1は、上記した交番電圧の重畳分により整流電流をスイッチング(断続)するようにして動作する。このような動作が得られる結果、交流入力電圧VACのレベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期間にも整流電流を流すことになる。つまり、整流電流の導通角を拡大させる。
上記のようにして整流電流の導通角が拡大されるのに伴っては、交流入力電流IACの導通角も拡大されることとなり、これによって交流入力電流IACの平均的な波形が交流入力電圧VACの波形に近づくこととなって、力率が改善される。
このような実施の形態2−1の電源回路では、力率改善及びワイドレンジ対応のために必要な追加部品として、フィルタコンデンサCN、スイッチングダイオードD1、力率改善用トランスVFT、二次側直列共振コンデンサC2を備えていることになる。つまり、実施の形態2−1としても、アクティブフィルタと比較すれば非常に少ない部品点数により、力率改善及びワイドレンジ対応を図っている。
上記した回路構成を有する実施の形態2−1の電源回路について、例えば、商用交流電源の入力条件として、交流入力電圧VAC=85V〜290(288)Vのワイドレンジ入力とし、また、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0W(無負荷の)までの対応負荷条件とした場合には、電源回路を形成する要部を次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとした。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=45T、二次巻線N2=50Tとなる。この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
また、力率改善用トランスVFTは、一次巻線N11のインダクタンスL11については、L11=47μH、二次巻線N12のインダクタンスL12については、L12=30μHを設定した。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.033μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=330pF
また、フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先に示した図7、図8、図9,図10についての説明とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.3%、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=90.5%であり、良好な特性が得られている。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.94であり、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0Wの範囲に対して0.8以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=150Wから負荷電力Po=70Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=150Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは4kHz以下であり、スイッチング周波数制御のみによるワイドレンジ対応が実現化されていることを示している。
図18は、実施の形態2−2としての電源回路の構成例を示す回路図である。なお、この図において、これまで説明した実施の形態の回路構成を示す各図と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す実施の形態2−2の電源回路は、例えば図17に示した実施の形態2−1の電源回路において、商用交流電源AC(VAC)から整流平滑電圧Eiを生成する整流平滑回路について倍電圧整流回路としたうえで、この倍電圧整流回路に対して電圧帰還方式よる力率改善のための回路構成を組み合わせた力率改善回路22を備える。
また、直流入力電圧を入力して動作するスイッチングコンバータは、先の各実施の形態と同様の多重複合共振形コンバータとしての回路形態を採っている。
また、絶縁コンバータトランスPITについては、図2と同様の構造により、例えば実施の形態2−1の場合と同様の結合係数kによる疎結合の状態が得られるようにしてギャップGのギャップ長などが設定されている。
また、実施の形態2−2としても、実施の形態1と同様に、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについて、
fo1>fo2
で表される関係を満たすべきこととして、そのうえで、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1/2となるようにして設定している。この図18に示す電源回路においても、一次側直列共振回路の共振周波数fo1について約70kHzを設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2としては、35kHz程度に設定している。
このようにして、絶縁コンバータトランスPITについて一定以下の疎結合の状態を設定するとともに、一次側と二次側とに直列共振回路を備えることで、AC100V系とAC200V系の両者の入力レベル範囲に対応する、ワイドレンジ対応の電源回路としている。
続いて、力率改善回路22について説明する。
先に説明したように、力率改善回路22には倍電圧整流回路が組み合わされる。この力率改善回路22に含まれる倍電圧整流回路は、整流ダイオードD11,D12、及び2つの直列接続された平滑コンデンサCi1,Ci2により形成される。この場合において、整流ダイオードD11,D12は、力率改善用のスイッチング素子としても機能するので、高速リカバリ型が選定される。
コモンモードノイズフィルタ(CMC,CL)の後段となる商用交流電源ACの正極ラインに対しては、高周波インダクタL10が接続され、さらにこの高周波インダクタL10に対して、絶縁コンバータトランスPITの三次巻線N3が直列に接続される。三次巻線N3は、絶縁コンバータトランスPITにおいて、二次側(二次巻線N2と同じ巻装位置)に対して所定巻数により巻装される。
高周波インダクタと接続されない側の三次巻線N3の端部は整流ダイオードD11のアノードと整流ダイオードD12のカソードとの接続点に対して接続される。
整流ダイオードD11のカソードは、平滑コンデンサCi1の正極端子と接続され、整流ダイオードD12のアノードは、一次側アースと接続される。
直列接続された平滑コンデンサCi1,Ci2の接続点は、コモンモードノイズフィルタ(CMC,CL)の後段となる商用交流電源ACの負極ラインに対して接続される。平滑コンデンサCi2の負極端子は一次側アースに接地される。
また、フィルタコンデンサCNは、商用交流電源ACの正極ラインと高周波インダクタL10との接続点と、平滑コンデンサCi1,Ci2の接続点との間に挿入される。
このようにして構成される力率改善回路22における倍電圧整流回路の動作としては、商用交流電源ACが一方の半周期(正極性)となる期間においては、商用交流電源AC→(CMCの巻線)→高周波インダクタL10→三次巻線N3→整流ダイオードD11→平滑コンデンサCi1→(CMCの巻線)→商用交流電源ACの整流電流経路が形成され、整流ダイオードD11が商用交流電源ACを整流し、平滑コンデンサCi1がその整流出力を平滑化する動作が得られる。
また、商用交流電源ACが他方の半周期(負極性)となる期間においては、商用交流電源AC→(CMCの巻線)→平滑コンデンサCi2→整流ダイオードD12→三次巻線N3→高周波インダクタL10→(CMC)→商用交流電源ACの整流電流経路が形成され、整流ダイオードD12が商用交流電源ACを整流し、平滑コンデンサCi2がその整流出力を平滑化する。
これにより、平滑コンデンサCi1,Ci2の各両端電圧としては商用交流電源ACの等倍に対応するレベルの整流平滑電圧が得られる。従って、平滑コンデンサCi1−Ci2の直列接続回路の両端電圧としては、商用交流電源ACのレベルの2倍に対応するレベルの整流平滑電圧Eiが得られることになる。つまり、倍電圧整流動作が得られる。
また、上記した整流電流経路によれば、商用交流電源ACが正極性となる半周期の期間においては、高周波インダクタL10−三次巻線N3−整流ダイオードD11の直列接続回路が形成され、商用交流電源ACが負極性となる半周期の期間においては、整流ダイオードD12→三次巻線N3→高周波インダクタL10の直列接続回路が形成される。つまり、商用交流電源ACが正/負の各期間で、三次巻線N3は、整流電流経路に挿入される状態となる。これにより、商用交流電源ACが正/負となる各期間において、整流出力電圧に対して、三次巻線N3に誘起された交番電圧が重畳することになる。つまり、この場合には、一次巻線N1と三次巻線N3の磁気結合を介して、スイッチング素子Q1,Q2のスイッチング出力を電圧として整流電流経路に帰還する形式を採っている。
整流ダイオードD11,D12は、上記のようにして交番電圧成分が重畳された整流出力電圧が印加されることで、交流入力電圧VACの絶対値が平滑コンデンサCiの両端電圧レベルより低いとされる期間にも、ブリッジ整流回路Diの整流動作によって得られる整流電流をスイッチング(断続)するように動作する。これにより、力率改善回路22によっても、整流出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期間にも平滑コンデンサCiへの充電電流が流れるようにされ、交流入力電流IACの導通角が拡大されて力率改善が図られる。
なお、三次巻線N3により電圧帰還する方式の力率改善回路の構成は、例えば整流平滑電圧Eiを生成する整流回路系が、ブリッジ整流回路などを備える通常の全波整流回路とされる場合にも採用できるものである。また、逆に、図17に示した力率改善用トランスVFTを備える力率改善回路の構成を、倍電圧整流回路と組み合わせることも可能である。
図20の実施の形態2−2のようにして、整流平滑電圧Eiを生成する整流回路系について倍電圧整流回路とするのは、商用交流電源ACが100V系の単レンジで、かつ、最大負荷電力が150W以上などのようにして、比較的重負荷の条件となるような場合である。このような条件では、スイッチングコンバータに流れる電流が増加して電力損失が増加する傾向となるが、倍電圧整流回路により整流平滑電圧Eiを2倍にまで増加させて生成すると、同じ負荷条件に対してスイッチングコンバータに流れる電流量を低減させることができるために、電力損失が低減される。
また、確認のために述べておくと、図17に示した力率改善用トランスVFTを備える力率改善回路21、及び図18に示した三次巻線N3を備える力率改善回路22も、電圧帰還方式の力率改善回路であるが、電圧帰還方式は、本来、二次側直流出力電圧に重畳する商用交流電源周期のリップルを有効に抑制することを目的とした力率改善回路の構成である。
つまり、帰還方式の力率改善回路として、例えば電力回生方式といわれる構成では、一次側共振形コンバータの共振回路を、商用交流電源の整流電流経路に対して直接的に接続する形態を採っており、これにより、整流電流経路に対して共振回路に得られる電流を電力として帰還することで力率改善を図るようにされている。
このような回路構成であることから、上記共振回路のインダクタンスである、絶縁コンバータトランスの一次巻線に流れる電流には、商用交流電流周期の電流が重畳しやすくなる。この重畳分が絶縁コンバータトランスの二次側に伝送された状態で二次側における整流平滑回路が動作する結果、二次側直流出力電圧の商用電源周期のリップル電圧が増加する。例えば、力率PF=0.8程度が得られるように構成した場合には、リップル電圧のレベルは5〜6倍にまで増加する。
この対策として、1つには、安定化制御のための制御ゲインを高く設定することが考えられる。しかし、上記のようにして5〜6倍にまでリップル電圧のレベルが増加してしまうと、制御ゲインを限界まで高くしたとしても、リップルを有効に抑制するには不足となる。そこで、上記制御ゲインについてある限度にまで高く設定したうえで、さらに、二次側直流出力電圧平滑用の平滑コンデンサの静電容量を5〜6倍に増加させることが考えられる。しかしながら、このような平滑コンデンサの選定は大幅なコストアップとなり、実用化は現実的ではない。
これに対して、電圧帰還方式による力率改善の構成であれば、上記したリップル電圧は大幅に抑制される。
つまり、図17に示した力率改善回路21の構成の場合、一次側スイッチングコンバータのスイッチング出力は、力率改善用トランスVFTの磁気結合を介するようにして整流電流経路に帰還されることになる。この場合において、力率改善用トランスVFTは疎結合に形成されるので、二次巻線N12から一次巻線N11に対しては、商用交流電源周期のリップル成分が誘起されにくくなる。つまり、一次側スイッチングコンバータに得られるスイッチング出力を商用交流電源の整流電流経路に帰還するのにあたり、力率改善用トランスVFTの疎結合による磁気結合を介して間接的に行っているということがいえる。このようにして、商用交流電源ライン側から絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に伝達される商用交流電源周期の電圧成分量が低減されることにより、二次側直流出力電圧に重畳する商用交流電源周期のリップル電圧の抑制効果が得られることとなる。
また、図18に示した力率改善回路22としても、一次巻線N1により交番電圧が誘起される三次巻線N3を介するようにして、整流電流経路に対して間接的にスイッチング出力を電圧帰還しているということがいえる。これにより、三次巻線N3から一次巻線N1に対しては、商用交流電源周期のリップル成分が誘起されにくくなる。さらに、図11に示す構成においては、三次巻線N3に対して高周波インダクタL10を直列に接続することで、三次巻線N3と高周波インダクタL10の合成インダクタンスにより、等価的には、三次巻線が一次巻線に対して低結合度であることになる。これにより、商用交流電源周期のリップル成分は、さらに一次巻線に対して誘起されにくくなる。この結果、二次側直流出力電圧に重畳する商用交流電源周期のリップル電圧は有効に抑制される。
また、本実施の形態の電源回路としては、先にも説明したように、二次側直流出力電圧Eoを安定化するためのスイッチング周波数の必要制御範囲(Δfs)を縮小することを目的として、絶縁コンバータトランスPITの結合係数kについて、k=0.63にまで結合度を低下させた疎結合としている。これにより、絶縁コンバータトランスPITにおいて一次側から二次側への商用交流電源周期の交番電圧成分の伝送量が減少する。本実施の形態の場合には、電圧帰還方式の力率改善回路を備えることに加え、絶縁コンバータトランスPITについてこれまでより疎結合としたことによって、二次側直流出力電圧Eoに重畳する商用交流電源周期のリップルを有効に抑制しているということになる。
なお、確認のために述べておくと、先に説明した電力回生方式の力率改善回路の問題は、スイッチングコンバータが一定以上の結合係数kを有する従来のものである場合に生じる。
先の実施の形態1に対応して電源回路が備える力率改善回路11〜15は電力回生方式であるが、絶縁コンバータトランスPITについて一定以下の結合係数kによる疎結合の状態を得ていることで、上記した二次側直流出力電圧の商用電源周期のリップル電圧についての増加の問題は解消されている。
図19は、実施の形態2−3としての電源回路の構成例を示す回路図である。なお、この図において、これまで説明した実施の形態の回路構成を示す各図と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す実施の形態2−3の電源回路は、先に図17に示した実施の形態2−1の電源回路の構成を基として、後述するようにして、負荷変動及び交流入力電圧変動に対して改善される力率が一定となるように制御する構成の力率改善回路23を備える。
実施の形態2−3の絶縁コンバータトランスPITについては、図2と同様の構造により、例えば実施の形態2−1の場合と同様の結合係数kによる疎結合の状態が得られるようにしてギャップGのギャップ長などが設定されている。
また、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについては、これまでの実施の形態と同様にして、
fo1>fo2
で表される関係を満たすべきこととして、そのうえで、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1/2となるようにして設定している。この図19に示す電源回路においても、一次側直列共振回路の共振周波数fo1について約70kHzを設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2としては、35kHz程度に設定することができる。
このようにして、絶縁コンバータトランスPITについて一定以下の疎結合の状態を設定するとともに、一次側と二次側とに直列共振回路を備えることで、実施の形態2−3としても、AC100V系とAC200V系の両者の入力レベル範囲に対応する、ワイドレンジ対応の電源回路としている。
例えば図7及び図8の特性として示されるように、図17に示す実施の形態2―1の電源回路では、軽負荷の傾向、若しくは交流入力電圧レベルが上昇するの従って、改善される力率PFの値が低下していく傾向となる。軽負荷の傾向となるのに応じては、電源回路内にて流れる電流量が減少していくことになるために、これに伴って交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。また、交流入力電圧レベルが高くなることで、スイッチングダイオードD1が整流電流をスイッチングする(整流する)のに必要とされる交流入力電圧VACのレベルの下限を引き上げることになる。これにより、交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。
先の実施の形態2−1などの電源回路の力率特性によっても、実用上充分な力率が得られてはいるのであるが、交流入力電圧条件や負荷の条件などによっては、交流入力電圧レベルや負荷の変動に対して、より安定した値の力率が得られるようにした方が好ましい場合がある。
そこで、図19に示す実施の形態2−3の電源回路では、図17に示した力率改善回路21の構成を基として、改善される力率を一定とするように構成される。
この図19に示す電源回路が備える力率改善回路23は、先に図17に示した力率改善回路21の力率改善用トランスVFTに代えて、制御トランスPRTを備えている。この場合の制御トランスPRTは、図17に示した力率改善用トランスVFTを可飽和リアクタとして構成したものとなる。
ここで、制御トランスPRTの構造例を図31及び図32に示す。
先ず、図31に示す制御トランスPRTとしては、4本の磁脚を有する2つのダブルコの字型コアCR11,CR12を備えるようにしている。そして、これらダブルコの字型コアCR11,CR12の互いの磁脚の端部を接合するようにして、立体型コアを形成する。
このようにして立体型コアを形成した場合には、上記4本の磁脚ごとに対応して、ダブルコの字型コアCR11、CR12の接合部は4つ在ることとなるが、この場合、これら4つの接合部において隣り合う2つの接合部については所定長のギャップG,Gをそれぞれ形成し、残る2つの接合部についてはギャップを形成しないようにされる。
そして、このようにして形成される立体型コアにおいて、例えばダブルコの字型コアCR11側のギャップGが形成してある磁脚と、この磁脚と隣り合うギャップの形成していない磁脚とに跨るようにして、制御巻線Ncを所定ターン数(巻数)により巻装する。
また、他方のダブルコの字型コアCR12側に対しては、上記制御巻線Ncの巻回方向に対して直交する巻回方向となるようにして、2本の隣り合う磁脚に跨って、一次巻線N11及び二次巻線N12を所定ターン数により巻装する。さらに、本実施の形態においては、これら一次巻線N11及び二次巻線N12と同じ巻回方向により、一次巻線N11及び二次巻線N12側に対して密結合となるようにして検出巻線NDを巻装している。
このような構造により、この場合の制御トランスPRTとしては、制御巻線Ncに流れる制御電流Icの増加に伴って飽和状態となる、可飽和リアクタとして構成される。また、このような構造によっても、一次巻線N11と二次巻線N12とは、所要の疎結合の状態が得られている。
また、制御トランスPRTの他の構造としては、図32に示すようにして、立体型コアについて、一方のコアは4本の磁脚を有するダブルコの字型コアCR11とするが、他方のコアは、ダブルコの字型コアCR12に代えて、任意の断面がコ字状となるシングルコの字型コアCR21として組み合わせて形成することもできる。
この場合においても、図31の制御トランスPRTと同様の位置関係により2つのギャップG,Gを形成するようにされる。そして、制御巻線Ncについては図31の場合と同様にしてダブルコの字型コアCR11の2本の磁脚に対して巻装し、シングルコの字型コアCR21に対しては、図のようにして一次巻線N11、二次巻線N12、及び検出巻線NDを巻装するようにしている。
なお、先に図12、図13に示した実施の形態1−3,1−4の力率改善回路13,15にそれぞれ備えられる制御トランスPRTについても、上記図31又は図32に準じた構造により構成すればよい。つまり、力率改善回路13,15の制御トランスPRTとしては、図31又は図32の構造において、一次巻線N11、二次巻線N12に代えて、被制御巻線NR(及び検出巻線ND)を巻装した構造とすればよい。
説明を図19に戻す。
制御トランスPRTの一次巻線N11及び二次巻線N12は、例えば先に図17に示した力率改善回路21における力率改善用トランスVFTの一次巻線N11及び二次巻線N12と同様の接続態様となっている。
これにより、力率改善のための基本的な動作としては、図17の力率改善回路21と同様にして、疎結合状態の一次巻線N11と二次巻線N12の磁気結合を介して整流電流経路にスイッチング出力を電圧帰還するようにされる。つまり、力率改善用トランスVFTを備える電圧帰還方式による力率改善動作となる。
また、検出巻線NDの一端は一次側アースに接地され、他端はダイオードD5のアノードに接続される。このダイオードD5及びコンデンサC5とによっては半波整流回路が形成される
ここで、前述したように、検出巻線NDは、制御トランスPRTにおいて一次巻線N11及び二次巻線N12に対して密結合となるようにして巻装されているので、検出巻線NDには、一次巻線N11、二次巻線N12に生じる交番電圧に応じたレベルの交番電圧が誘起されることになる。
ここで、一次巻線N11は、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1と直列に接続されるインダクタとなるので、この一次巻線N11には、一次側直列共振回路(C1−N1(L1))にてスイッチング出力として流れる一次側直列共振電流に応じたレベルの電流が流れ、一次巻線N11(及び二次巻線N12)の両端電圧としては、この一次側直列共振電流に応じたレベルとなる。そして、一次側直列共振電流のレベルは、二次側直流出力電圧Eoに接続される負荷に流れる負荷電流レベルに応じて変化する。従って、検出巻線NDに誘起される電圧VDのレベルは、負荷電流レベルを示していることになる。本実施の形態においては、二次側直流出力電圧Eoは安定化されるので、負荷電流レベルがそのまま負荷電力値として得られることになる。つまり、検出巻線NDによっては、負荷電力を検出しているということがいえる。
そして、この検出巻線NDの交番電圧は、上記ダイオードD5及びコンデンサC5から成る半波整流回路により整流される。これにより、コンデンサC5の両端電圧としては、検出巻線NDの交番電圧レベルに応じたレベルの直流電圧が得られることになる。つまり、コンデンサC5の両端電圧レベルは、負荷電力を示していることになる。このコンデンサC5の両端電圧は、力率制御回路3に対して負荷電力を示す検出入力として供給される。
また、力率改善回路23内においては、分圧抵抗R1−R2が備えられている。この分圧抵抗R1−R2の直列接続回路は、平滑コンデンサCiに対して並列に接続される。つまり整流平滑電圧Ei(直流入力電圧Ei)を分圧するようにして設けられる。この分圧抵抗R1−R2の分圧点は、力率制御回路3に対して接続されている。
整流平滑電圧Eiは、商用交流電源AC(交流入力電圧VAC)を直流化したものであるから、整流平滑電圧Eiのレベルは、交流入力電圧VACのレベルに応じて変化するものとなる。従って、分圧抵抗R1−R2の分圧点と接続される力率制御回路3としては、分圧抵抗R1−R2により検出した商用交流電源ACのレベルを入力していることになる。
この場合の力率制御回路3は、例えばA級増幅器などによる簡単な増幅回路として構成され、負荷電力を示すコンデンサC5の両端電圧レベルと、商用交流電源ACのレベルを示す分圧抵抗R1−R2により分圧された電圧レベルとを入力して、制御トランスPRTの制御巻線Ncに流すべき直流電流である制御電流Icのレベルを可変する。なお、図12、図13に示される力率制御回路3についても、この図19の場合の力率制御回路3と同様に構成できる。
先ず、力率制御回路3は、負荷電力に対応する動作としては、コンデンサC5の両端電圧レベルが低くなるのに応じて、制御電流Icのレベルを低下させるように可変する。ここで、コンデンサC5の両端電圧レベルが低くなるということは、負荷電流が減少していることになるので、軽負荷の傾向となっていくことを意味する。
また、商用交流電源ACのレベルに対応する動作としては、分圧抵抗R1−R2の分圧レベルが高くなっていくのに応じて、制御電流Icのレベルを低下させるようにして可変する。
可飽和リアクタである制御トランスPRTにおいては、制御巻線Ncに流れる制御電流Icのレベルが低下するのに応じて、被制御巻線となる一次巻線N11及び二次巻線N12のインダクタンスL11,L12を増加させるように動作する。
力率改善回路10内においてインダクタとして機能する二次巻線N12、及びこの二次巻線N12と磁気結合される一次巻線N11のインダクタンスL11、L12が増加するということは、その分、一次側直列共振回路から帰還される或る一定量の電力に応じて、二次巻線N12(及び一次巻線N11)としてのインダクタに蓄積されるエネルギーも増加するということであり、これは、力率改善のための電力帰還量が増加することにつながる。この電力帰還量の増加が、スイッチングダイオードD1が整流電流をスイッチングするのに必要とされる交流入力電圧VACのレベルの下限を引き下げることとなって、力率の低下(つまり、軽負荷傾向、及び交流入力電圧VACの上昇傾向に応じた電力帰還量の減少)をキャンセルする傾向に作用することになる。この結果、負荷電力が軽負荷となる傾向となるのに対して電力帰還量はほぼ一定となるように維持され、負荷電力変動にかかわらず力率が一定となるように制御されることとなる。
このようにして、図12に示す第4の実施の形態としては、スイッチング周波数制御のみによるワイドレンジ対応が可能であり、電圧帰還方式による力率改善機能を有する多重複合共振形コンバータとして、交流入力電圧(商用交流電源)変動及び負荷変動に対して、改善される力率が一定となるように制御される。
なお、交流入力電圧の入力条件や負荷条件などによっては、この力率の安定化の構成として、例えば、交流入力電圧変動に対応してのみ安定化する、あるいは逆に、負荷変動に対応してのみ安定化する構成としてもよい。この点については、先に図12、図13に示した力率改善回路13,15についても同様である。
上記実施の形態2−1〜2−3までの電源回路についての二次側の変形例として、実施の形態2−4、2−5、2−6の3例を挙げる。これらの実施の形態2−4、2−5、2−6としては、それぞれ、先に示した図14、図15、図16となる。これらの実施の形態2−4、2−5、2−6の一次側としては、実施の形態2−1〜2−3の何れかの一次側の回路構成が組み合わされればよいことになる。なお、図14、図15、図16の回路形態については先に説明したので、ここでの説明は省略する。
ここで、図14の回路形態を有する実施の形態2−4の電源回路について、例えば図17に示した実施の形態2―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、図17の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=40T、二次巻線N2A=N2B=25Tとなる。つまり、二次巻線部N2A,N2Bの各々の巻数については、図17(実施の形態2−1)の二次巻線N2の巻数に対して1/2となる25Tを設定することができる。そして、この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.033μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
また、力率改善用トランスVFTにおいて、一次巻線N11のインダクタンスL11については、L11=47μH、二次巻線N12のインダクタンスL12については、L12=30μHを設定した。
フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の図7,図8、図9,図10とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.0%、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=90.3%であり、良好な特性が得られていることが分かる。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.94であり、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0Wの範囲に対して0.8以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=150Wから負荷電力Po=70Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態2−4の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=150Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態2−1〜2−3などと同様に4kHz以下である。
また、図16の回路形態を有する実施の形態2−6の電源回路について、例えば図17に示した実施の形態2―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、図17の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−35型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、2.8mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=40T、二次巻線N2=25Tとなる。この場合、二次巻線部N2の巻数については、図17(実施の形態2−1)の二次巻線N2の巻数に対して1/2となる25Tを設定することができる。そして、この構造により、絶縁コンバータトランスPITにおける一次巻線N1と二次巻線N2の結合係数k=0.63を得ている。
また、多重複合共振形を形成するための各共振コンデンサについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.033μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.39μF
・一次側部分共振コンデンサCp=330pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
また、力率改善用トランスVFTについては、一次巻線N11のインダクタンスL11については、L11=47μH、二次巻線N12のインダクタンスL12については、L12=30μHを設定した。
フィルタコンデンサCNについては、1μFを選定した。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の電源回路についての実験結果である図7,図8、図9,図10とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.5%、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=90.8%であり、良好な特性が得られていることが分かる。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.94であり、最大負荷電力Pomax=150Wから最小負荷電力Pomin=0Wの範囲に対して0.8以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=150W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=150Wから負荷電力Po=70Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態2−6の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=150Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態2−1〜2−4(及び2−5)などと同様に4kHz以下である。
また、確認のために述べておくと、実施の形態2−4、2−5、2−6の電源回路は、先にも述べたように、二次巻線N2に対して設けられる整流回路系の形式、構成が異なる以外は、先に説明した実施の形態2−1〜2−3のいずれかと同様の多重複合共振形コンバータの構成を採る。従って、先の各実施の形態2−1〜2−3にて説明したのと同様の効果が得られるものである。
図20の回路図は、実施の形態3−1としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、先の実施の形態1の構成を示した各図と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路の基本的な回路形態としては、例えば図1、図17などと同様となる。
つまり、ブリッジ整流回路Di及び平滑コンデンサCiから成るブリッジ全波整流回路により整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)を生成する。また、ブリッジ整流回路Diの出力と平滑コンデンサCiの正極端子間の整流電流経路としてのラインに対して、力率改善回路を介在させている。
また、直流入力電圧を入力して動作するスイッチングコンバータは、図1と同様の回路構成による、電流共振形コンバータを基とする多重複合共振形コンバータとされる。つまり、スイッチング素子Q1,Q2をハーフブリッジ結合した電流共振形コンバータを備えるとともに、スイッチング素子Q2に対して並列に一次側部分共振コンデンサCpを接続することで、一次側部分電圧共振回路を形成している。二次側も、図1と同様の接続態様により、二次巻線N2に対して二次側直列共振コンデンサC2を接続して二次側直列共振回路を形成するとともに、整流回路としては、整流ダイオードDo1〜Do4及び平滑コンデンサCoとによるブリッジ全波整流回路を備える。また、二次側部分共振コンデンサCp2を備えることで、二次側部分電圧共振回路を形成している。
また、実施の形態3−1としても、実施の形態1と同様に、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについて、
fo1>fo2
で表される関係を満たすべきこととして、そのうえで、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1/2となるようにして設定している。この図17に示す電源回路の実際としては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1について約70kHzを設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2としては、35kHz程度に設定している。
また、この実施の形態3−1では、絶縁コンバータトランスPITの全体的な構造としては、図2と同様でよいものとされるが、ギャップGのギャップ長については、例えば1.6mm程度を設定しており、これによって一次側と二次側との結合係数kとしては、例えば0.75程度の状態を得るようにしている。従って、絶縁コンバータトランスPITの結合度としては、先に図36に示した先行技術としての電源回路と同様となる。なお、本実施の形態の電源回路における実際の結合係数kとしては、k=0.74を設定した。
ちなみに、上記した絶縁コンバータトランスPITのギャップ長設定を含む構造そのものとしては、例えば先に図36に示した電源回路をはじめとして、先行技術としての電流共振形コンバータを備える電源回路に採用されるものと同等となる。つまり、実施の形態の絶縁コンバータトランスPITの結合係数kとしては、先行技術とほぼ同様の値が設定される。この絶縁コンバータトランスPITそのものの結合係数kの設定に関しては、以降説明する実施の形態3(3−2〜3−8)についても同様である。
このようにして、実施の形態3では、絶縁コンバータトランスPITについては、先の実施の形態1,2よりも高い結合度が設定されるのであるが、後述するようにして、AC100V系とAC200V系の両者の入力レベル範囲に対応する、ワイドレンジ対応の電源回路が得られる。
このために、実施の形態3としては、電力回生方式又は電圧帰還方式の力率改善回路として、先の実施の形態1、2とはそれぞれ異なる構成を採る。そこで、図20に示す実施の形態3−1の電源回路において備えられる力率改善回路31について説明する。
この力率改善回路31は、インダクタンス素子である高周波インダクタ(高周波チョークコイル)L11、スイッチングダイオードD1(力率改善用スイッチング素子)、及びフィルタコンデンサCNを備える。
この場合の高周波インダクタL11には、所定の巻線位置に対してタップが設けられており、これにより、高周波インダクタL11は、高周波巻線部L11A(第1巻線部)と、高周波巻線部L11B(第2巻線部)とに分割される。この場合、高周波インダクタL11としての巻線全体の巻始め端部は高周波巻線部L11B側の巻始め端部となり、従って、高周波巻線部L11Bの巻終わり端部と、高周波巻線部L11Aの巻始め端部が、タップ位置となる。高周波巻線部L11A側の巻終わり端部が、高周波インダクタL11としての巻線全体の巻終わり端部となる。
そして、高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Aと高周波巻線部L11Bとの接続点となるタップに対しては、スイッチングダイオードD1のカソードが接続される。スイッチングダイオードD1のアノードはブリッジ整流回路Diの正極出力端子と接続される。
また、高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Aの巻終わりとなる側の端部は、一次巻線N1の端部と接続される。また、高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Bの巻始めとなる側の端部は、平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。
上記した接続形態では、商用交流電源ACから直流入力電圧Eiを生成する整流回路系において、商用交流電源ACが正極性/負極性となる半周期ごとに形成される整流電流経路において、高周波巻線部L11BがスイッチングダイオードD1と直列に接続される回路形態が得られることになる。
また、一次側直列共振回路を形成するとされる一次側直列共振コンデンサC1と一次巻線N1の直列接続回路は、さらに高周波インダクタL11の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続されることになる。ここで、高周波巻線部L11Bは、スイッチングダイオードD1と直列接続された状態で、平滑コンデンサCiに整流電流を流す整流電流経路内に挿入された形態となっている。このことは、一次側直列共振回路経由でスイッチング出力の帰還を受ける力率改善回路11からは、一次側直列共振回路としては、一次側直列共振コンデンサC1のキャパシタンスと一次巻線N1のリーケージインダクタンスに加え、高周波巻線部L11Aのインダクタンスも含んで形成されるものとしてみえることになる。
また、この場合のフィルタコンデンサCNは、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と、平滑コンデンサCiの正極端子との間に挿入される。この挿入形態では、フィルタコンデンサCNは、スイッチングダイオードD1−高周波巻線部L11Bの直列接続回路に対して並列に接続されていることになる。このフィルタコンデンサCNは、スイッチングコンバータのスイッチング動作に伴って整流電流経路に生じるノーマルモードノイズを抑制する。
このような力率改善回路31の回路構成によると、整流電流経路において、高周波巻線部L11Bとしてのインダクタンス成分と、スイッチングダイオードD1としての電流をスイッチング(断続)する素子とが直列接続されて挿入されていることになる。そして、この直列接続回路の接続点に対して、一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)が印加されることで、これにより整流電流経路内に生じる交番電圧に応じてスイッチングダイオードD1が整流電流を断続するようにしてスイッチング動作を行って、この整流電流を平滑コンデンサCiに流すようにされる。つまり、力率改善回路31においては、一次側直列共振回路に得られる一次側直列共振電流を電力として回生して、整流電流経路を経由して平滑コンデンサに対して帰還している動作が得られていることになる。
この場合、一次側直列共振電流を電力として回生して平滑コンデンサCiに帰還するのにあたっては、上述のようにして整流電流経路に挿入される高周波巻線部L11Bが介在しているものと見ることができる。つまり、電力回生は、高周波巻線部L11Bにおける磁気結合により行われるものとみることができる。
そして、上記のようにして断続される状態で流れる整流電流のエンベロープ波形の導通期間は、ブリッジ整流回路Diから出力される整流出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期間にも流れるものとなるが、交流入力電流IACの導通期間としては、この整流電流の導通期間にほぼ一致したものとなる。つまり、交流入力電流IACの導通角は、力率改善回路を備えない場合よりも拡大されているものであり、交流入力電流IACの波形としては、交流入力電圧VACの波形に近付くようにして導通角が拡大されたものとなっている。つまり、力率改善が図られていることになる。
また、高周波インダクタL11が一次巻線N1に対して直列関係にあることで、等価的には、高周波インダクタL11のインダクタンスは、一次巻線N1のリーケージインダクタンス成分としてみなすことができる。ただし、高周波インダクタL11における高周波巻線部L11Bは、整流電流経路においてスイッチングダイオードD1と直列接続されることで、主としては、力率改善のためにスイッチング出力が印加される高周波インダクタとして機能するもので、一次巻線N1のリーケージインダクタンス成分として含まれるべき高周波インダクタL11のインダクタンスは、主としては、高周波巻線部L11Aとなる。一次巻線N1は、この高周波インダクタL11との直列接続を介するようにして、整流電流経路としてのラインである、スイッチングダイオードD1のカソードと高周波巻線部L11Bとの接続点に対して接続されているものとみることができる。従って、絶縁コンバータトランスPITにおける一次側のリーケージインダクタンスとしては、L1+L11A(L1は絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1自体が有するものとされるリーケージインダクタンス成分)により表されるものとみることができる。
このために、絶縁コンバータトランスPITそのものとしての結合係数kとしては、前述したように、k=0.74となるのであるが、上記のようにして、一次側のリーケージインダクタンスが、高周波インダクタL11(高周波巻線部L11A)のインダクタンスの合成分によって見かけ上増加することで、電源回路内における絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側についての総合的な結合係数(総合結合係数)ktとしては、0.74よりも低い値が得られることになる。つまり、電源回路における絶縁コンバータトランスPITの結合度としては、絶縁コンバータトランスPITの構造そのものによる結合係数kに対して、より低く設定されることになる。本実施の形態としては、高周波インダクタL11について所定のインダクタンス値を設定することで、総合結合係数ktについて、0.65程度若しくはそれ以下を設定することとし、実際としては、kt=0.61を設定することとしている。このように、一次側と二次側との総合結合係数ktの値とコンバータトランスPIT自体の結合係数kの値とは、コンバータトランスPITの1次巻線にインダクタンスが付加されている場合には異なる値となる。
本実施の形態のようにして、絶縁コンバータトランスPITに対してインダクタンスが負荷された場合には、先の図3〜図5の説明において用いた結合係数kに替えて、上記した総合結合係数ktを用いることになる。従って、本実施の形態における総合結合係数kt=0.61の設定によっては、定電圧制御は、図4の特性曲線3として示される単峰特性による動作となる。
このことから、実施の形態3−1の電源回路としても、スイッチング周波数制御のみによるワイドレンジ対応化が実現されることになる。
ところで、本実施の形態における総合結合係数kt=0.65程度以下と同等の疎結合の状態を、高周波インダクタL11を省略して、絶縁コンバータトランスPITの構造のみにより得ようとした場合には、例えば絶縁コンバータトランスPITのEE型コアの内磁脚のギャップGについて、2.8mm程度にまで拡大して、絶縁コンバータトランスPITそのものを、結合係数k=0.65程度以下の疎結合トランスとして構成することが考えられる。
このような構成を採ることによっても、図4にて説明した単峰特性を得ることができるので、図5にて説明したようにして、スイッチング周波数の必要制御範囲が縮小され、AC100V系とAC200V系の商用交流電源入力に対応して二次側直流電圧の安定化を図ることができる。
しかしながら、このような絶縁コンバータトランスPITの構造とした場合、絶縁コンバータトランスPITのコアのギャップG近傍における渦電流損失が増加し、その分のAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の低下が生じることになる。この渦電流損失に起因するAC→DC電力変換効率の低下傾向は、交流入力電圧VACのレベルが上昇するのに応じて顕著となる。従って、ワイドレンジ対応の電源回路としては、AC100V系で使用しているときよりもAC200V系で使用したときにAC→DC電力変換効率が低下するという問題を生じることになる。
ただし、上記した渦電流損失の増加は、例えば最大負荷電力Pomax=150W以下程度までの負荷条件では許容範囲であるために、上記したように、高周波インダクタL11を省略して、絶縁コンバータトランスPITのみによって結合係数k=0.65以下の疎結合の状態を設定したとしても、実用可能なワイドレンジ対応の電源回路を得ることができる。しかし、最大負荷電力Pomax=200W程度にまで対応すべき場合には、上記した渦電流損失の増加が無視できない程度に顕著となってくる。このために、絶縁コンバータトランスPIT自体について結合係数k=0.65以下に設定してワイドレンジ対応の電源回路として実用化するのは困難になってくる。
そこで本実施の形態では、例えば最大負荷電力Pomaxについて200W程度まで引き上げたうえで、実用化が図られるようにすることを目的として、前述もしたように、一次巻線N1に対して高周波インダクタL11を接続することで、高周波インダクタL11のインダクタンスにより一次巻線N1のリーケージインダクタンスを等価的に増加させている。そして、これにより、電源回路内における絶縁コンバータトランスPITの総合結合係数ktについて、kt=0.65程度以下を設定するようにしている。
この場合、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、先行技術の電源回路と同等のk=0.75程度を設定することができるので、ギャップGのギャップ長としても、前述したように、1.6mm程度とすることができる。つまり、渦電流の増加の問題が生じない程度の一定以下のギャップ長に抑えることができる。
これにより、実施の形態の電源回路としては、上記した渦電流損失の増加の問題は解消されるため、これに起因するAC→DC電力変換効率の低下も生じないことになる。従って、AC200V系時での使用においても、ワイドレンジ対応の電源回路として実用的な程度に良好なAC→DC電力変換効率特性が得られることになる。
また、先にも説明しているように、二次側に対しても直列共振回路(二次側直列共振回路)を形成していることで、このことも電力変換効率を向上させる1要因となっている。
つまり、二次側直列共振回路を備えることで、その共振動作により得られるエネルギーの増加分を含めて二次側直流出力電圧Eoとしての電力を供給することが可能になり、疎結合としたことによる電力変換効率の低下が補償されることになる。さらに、前述したように、二次側において、二次側部分電圧共振回路を形成することによっても、二次側の整流ダイオードにおけるスイッチング損失を低減しており、このことも電力変換効率の向上に寄与している。
図21は、図20に示した実施の形態3−1の電源回路ついての実験結果として、最大負荷電力Pomax=200W〜最小負荷電力Pomin=0W(無負荷)の範囲での負荷変動に対する整流平滑電圧(直流入力電圧)Ei、力率(PF)、及びAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)を示している。この図においては、AC100V系に対応する交流入力電圧VAC=100V時の特性を実線で示し、AC200V系に対応する交流入力電圧VAC=230V時の特性を破線で示している。
また、図22は、図20に示した電源回路についての実験結果として、交流入力電圧VAC=85V〜288Vの範囲での変動に対する、整流平滑電圧(直流入力電圧)Ei、力率(PF)、及びAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)を示している。なお、負荷条件は、最大負荷電力であるPo=200Wで固定としている。
また、図21及び図22に示す特性を得るのにあたっては、図20に示した電源回路について、要部を次のように選定した。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EE型コアのギャップGのギャップ長については1.6mmとしたうえで、一次巻線N1=26T、二次巻線N2=26Tを巻装した。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.61を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
また、二次側直流出力電圧Eoとしては、135Vを定格レベルとした。
先ず、図20に示されるように、スイッチングコンバータの直流入力電圧となる整流平滑電圧Eiは、交流入力電圧VAC=100V時には約140V付近レベルとなり、交流入力電圧VAC=220V時には約340V付近のレベルとなる。また、交流入力電圧VAC=100V時/220V時の何れの場合にも、重負荷の条件となるのに従って、回路を流れる電流レベルが増加するために、整流平滑電圧Eiのレベルは若干低下する傾向となる。
また、力率改善回路31の動作に応じて得られる力率PFについては、先ず、交流入力電圧VAC=100V時/230V時とで共に、重負荷となるのに従って高くなっていく傾向となっている。そのうえで、交流入力電圧VAC=100V時においては、負荷電力Po=20W〜200Wの範囲で0.75以上であり実用上充分な力率値を得ている。最大負荷電力Pomax=200W時には、PF=0.95が得られた。また、交流入力電圧VAC=230V時においては、負荷電力Po=50W〜200Wの範囲で0.75以上であり、最大負荷電力Pomax=200W時には、PF=0.85が得られた。
また、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、負荷電力Poが重負荷の傾向となっていくのに従って高くなる傾向で、最大負荷電力Pomax=200Wの負荷条件では、交流入力電圧VAC=100V時にはηAC→DC=90.1%、交流入力電圧VAC=230V時には、92.0%となり、ともに90%以上となる測定結果が得られた。
また、図22によると、整流平滑電圧Eiは、商用交流電源AC(VAC)を入力してブリッジ整流回路Di及び平滑コンデンサCiから成る全波整流回路が整流動作を行うことで、平滑コンデンサCiの両端電圧として得られるものであるために、交流入力電圧VACの上昇に応じて高くなっていく傾向となる。
また、力率PFに関しては、交流入力電圧VACの上昇に応じて低下していく傾向となっているが、最大の交流入力電圧VAC=288V時においても、PF≧0.8を維持している。
また、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)としては、交流入力電圧VACが低レベルの範囲では若干低下傾向にはなるものの、上記図21の特性としても示されているように、交流入力電圧VAC=100V以上のレベル範囲では、90%以上を維持している。
また、上記した力率特性を得るための力率改善回路31による力率改善動作としては、図23及び図24の波形図により示される。これら図23及び図24には、交流入力電流IACを交流入力電圧VACと共に示している。また、図23は、交流入力電圧VAC=100V(AC100V系)、最大負荷電力Pomax=200W時の動作を示し、図24は、交流入力電圧VAC=230V(AC200V系)、最大負荷電力Pomax=200W時の動作を示している。
これらの図に示すようにして、交流入力電流IACは、交流入力電圧VACが正/負となる半波の期間ごとにおいて、交流入力電圧VACの絶対値レベルが所定以上となる期間に対応する導通角により交流入力電圧VACと同じ極性で流れる。そして、力率改善回路31が先に説明した力率改善動作を行っていることで、この交流入力電流IACの導通角としては、力率改善回路31を備えない場合よりも拡大されたものとなっている。つまり、図23及び図24には力率が改善された結果が示されている。
なお、この場合には、交流入力電流IACのレベルは、交流入力電圧VAC=100V時において9.3Apとなっており、交流入力電圧VAC=230V時には5.3Apとなっている。
また、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、本実施の形態においても4kHz以下となる。
本実施の形態においては、高周波インダクタL11の高周波巻線部L11Bが、力率改善のためにスイッチングダイオードD1と直列接続されて整流電流経路に挿入されるべき高周波インダクタ(力率改善用インダクタ)として機能する。従って、力率改善回路31において得るべき力率PFの値は、主として、高周波巻線部L11Bのインダクタンスにより設定することができる。
これに対して、高周波巻線部L11A(結合係数設定用インダクタ)は、一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスL1とともに、一次側のリーケージインダクタンスを形成するインダクタンス成分となる。従って、総合結合係数ktは、主として高周波巻線部L11Aのインダクタンスにより設定することができる。
図25の回路図は、実施の形態3−2としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、図1と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路では、図20に示した実施の形態3−1としての構成において、力率改善回路31に代えて力率改善回路32を備えた構成を採る。
力率改善回路32としても、高周波インダクタL11、スイッチングダイオードD1、及びフィルタコンデンサCNを備えて成る。また、この場合にも、高周波インダクタL11における所定の巻線位置に対してタップを設けることで、巻き終わり側から高周波巻線部L11Aと、高周波巻線部L11Bとに分割される。
そしてこの場合、高周波インダクタL11のタップに対しては、スイッチングダイオードD1のアノードが接続される。スイッチングダイオードD1のカソードは平滑コンデンサCiの正極出力端子と接続される。
また、高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Aの巻終わりとなる側の端部は、一次巻線N1の端部と接続される。また、高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Bの巻始めとなる側の端部は、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と接続される。
上記した接続形態によっても、一次側直列共振回路を形成するとされる一次側直列共振コンデンサC1と一次巻線N1の直列接続回路は、さらに高周波インダクタL11の直列接続回路を介して平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。従って、この場合にも、一次側直列共振回路としては、一次側直列共振コンデンサC1のキャパシタンスと一次巻線N1のリーケージインダクタンスに加え、高周波インダクタL11のインダクタンスも含んで形成されるものとなる。
また、この場合にも、商用交流電源ACから直流入力電圧Eiを生成する整流回路系での、商用交流電源ACが正極性/負極性となる半周期ごとに形成される整流電流経路において、高周波巻線部L11BがスイッチングダイオードD1と直列に接続される回路形態が得られている。つまり、高周波巻線部L11Bは、力率改善回路12においても、力率改善のためにスイッチング出力が印加される高周波インダクタとして機能する。
そして、このような力率改善回路32の構成では、一次側直列共振回路(C1−L1−L11A)に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)を、スイッチングダイオードD1を介して平滑コンデンサCiに帰還するような電力回生の動作となる。つまり、ダイオード結合形による電力回生の動作となる。
このようなダイオード結合形による力率改善回路32を備えた場合にも、回生された電力によりスイッチングダイオードD1が整流電流をスイッチングして断続するようにされる。この結果、図20に示した磁気結合形の力率改善回路31と同様にして、交流入力電流IACの導通角は拡大されて力率改善が図られることになる。
また、この場合においても、一次巻線N1は、高周波巻線部L11Aと直列接続されたうえで整流平滑電圧Eiを生成するための整流平滑回路系の整流電流経路(高周波巻線部L11B−スイッチングダイオードD1の直列接続回路の接続点)と接続される形態を採っている。これにより、実施の形態3−1と同様にして、総合結合係数ktとしては、例えば図4及び図5にて説明したような単峰特性が得られる程度の疎結合の状態を設定して、スイッチング周波数の必要制御範囲を縮小することが可能である。従って、実施の形態3−2としても、先の実施の形態3−1と同様の効果が得られることになる。
図26の回路図は、実施の形態3−3としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、図20及び図25などと同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路としては、先ず、商用交流電源AC(交流入力電圧VAC)を入力して整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)を生成するための整流電流回路系として、交流入力電圧VACの2倍に対応するレベルの整流平滑電圧Eiを生成する、倍電圧整流回路を備える。そのうえで、図26に示す電源回路は、次に説明するようにして、上記倍電圧整流回路に対して、電力回生方式の力率改善のための回路構成を組み合わせた力率改善回路33を備える。
この力率改善回路33としては、高周波インダクタL11、フィルタコンデンサCN、整流ダイオードD11,D12、及び2つの直列接続された平滑コンデンサCi1,Ci2により形成されるものとしている。また、この力率改善回路33に含まれる倍電圧整流回路は、整流ダイオードD11,D12、及び2つの直列接続された平滑コンデンサCi1,Ci2により形成されるものとなる。この場合において、整流ダイオードD11,D12は、力率改善用のスイッチング素子としても機能するので、高速リカバリ型が選定される。
先ず、倍電圧整流回路を備える力率改善回路33の構成として、フィルタコンデンサCNはコモンモードノイズフィルタ(CMC,CL)の後段となる商用交流電源ACの正極ラインと負極ラインとの間に対して挿入される。
高周波インダクタL11は、この場合にもタップが施されることで、タップ位置を分割位置として、巻き終わり側から高周波巻線部L11A,L11Bに分割される。高周波インダクタL11において高周波巻線部L11Bの巻始めとなる側の端部は、コモンモードノイズフィルタ(CMC,CL)の後段における商用交流電源ACの正極ラインと接続される。また、高周波インダクタL11のタップは、整流ダイオードD11のアノードと整流ダイオードD12のカソードの接続点に対して接続される。また、高周波インダクタL11において高周波インダクタL11Aの巻終わりとなる側の端部は、一次巻線N1の一方の端部と接続されることになる。なお、この場合の一次巻線N1の他方の端部も、一次側直列共振コンデンサC1を介してスイッチング素子Q1のドレインとスイッチング素子Q2のソースとの接続点(スイッチング出力点)に対して接続される。
整流ダイオードD11のカソードは、平滑コンデンサCi1の正極端子と接続され、整流ダイオードD12のアノードは、一次側アースと接続される。
直列接続された平滑コンデンサCi1,Ci2の接続点は、コモンモードノイズフィルタ(CMC,CL)の後段となる商用交流電源ACの負極ラインに対して接続される。平滑コンデンサCi2の負極端子は一次側アースに接地される。
このようにして構成される力率改善回路33における倍電圧整流回路の動作としては、商用交流電源ACが一方の半周期(正極性)となる期間においては、商用交流電源AC→(CMCの巻線)→高周波巻線部L11B→整流ダイオードD11→平滑コンデンサCi1→(CMCの巻線)→商用交流電源ACの整流電流経路が形成され、整流ダイオードD11が商用交流電源ACを整流し、平滑コンデンサCi1がその整流出力である整流電流を充電することで整流電圧の平滑動作が得られる。
また、商用交流電源ACが他方の半周期(負極性)となる期間においては、商用交流電源AC→(CMCの巻線)→平滑コンデンサCi2→整流ダイオードD12→高周波巻線部L11B→(CMC)→商用交流電源ACの整流電流経路が形成され、整流ダイオードD12が商用交流電源ACを整流し、平滑コンデンサCi2がその整流出力を平滑化することになる。
これにより、平滑コンデンサCi1,Ci2の各両端電圧としては商用交流電源ACの等倍に対応するレベルの整流平滑電圧が得られる。従って、平滑コンデンサCi1−Ci2の直列接続回路の両端電圧としては、商用交流電源ACのレベルの2倍に対応するレベルの整流平滑電圧Eiが得られることになる。つまり、倍電圧整流動作が得られる。
そして、上記した整流電流経路によれば、商用交流電源ACが正極性となる半周期の期間においては、高周波巻線部L11B−整流ダイオードD11の直列接続回路が形成され、商用交流電源ACが負極性となる半周期の期間においては、整流ダイオードD12→高周波巻線部L11Bの直列接続回路が形成される。つまり、この場合においても、高周波巻線部L11Bは、スイッチングダイオードとして機能する整流ダイオードD11,D12と直列接続されるようになっており、力率改善回路33において力率改善のためにスイッチング出力が印加される高周波インダクタとして機能するようにされている。
そして、この場合においては、一次側直列共振回路(C1−L1−L11A)の端部は、スイッチング出力(一次側直列共振電流)は、高周波巻線部L11Bと、整流ダイオードD11のアノードと、整流ダイオードD12のカソードとの接続点に対して接続されていることになる。これにより、商用交流電源が正/負の期間ごとに対応する整流電流経路に対して、一次側スイッチング出力を帰還する系が形成されていることになる。
整流ダイオードD11,D12は、上記のようにして帰還されたスイッチング出力に応じて、ブリッジ整流回路Diの整流動作によって得られる整流電流をスイッチング(断続)するようにされる。これにより、力率改善回路33によっても、整流出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期間にも平滑コンデンサCiへの充電電流が流れるようにされ、交流入力電流IACの導通角が拡大されて力率改善が図られる。
なお、この力率改善回路33としては、一次側直列共振回路(C1−L1−L11A)に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)を、整流ダイオードD11を介して平滑コンデンサCi1に帰還し、また、整流ダイオードD12を介して平滑コンデンサCi2に帰還しているものとみることができる。つまり、ダイオード結合形としての電力回生の動作が得られている。
また、本実施の形態においても、一次巻線N1は、高周波巻線部L11Aと直列接続されたうえで整流平滑電圧Eiを生成するための整流平滑回路系の整流電流経路(高周波巻線部L11B−スイッチングダイオードD1との接続点)と接続される形態を採っている。これにより、総合結合係数ktとしては、例えば図4及び図5にて説明したような単峰特性が得られる程度の疎結合の状態を設定して、スイッチング周波数の必要制御範囲を縮小することが可能である。従って、この実施の形態3−3としても、先の各実施の形態と同様の効果が得られることになる。
なお、この実施の形態3−3のようにして、整流平滑電圧Eiを生成する整流回路系について倍電圧整流回路とするのは、商用交流電源ACが100V系の単レンジで、かつ、最大負荷電力が200W以上などのようにして、比較的重負荷の条件となるような場合である。このような条件では、スイッチングコンバータに流れる電流が増加して電力損失が増加する傾向となるが、倍電圧整流回路により整流平滑電圧Eiを2倍にまで増加させて生成すると、同じ負荷条件に対してスイッチングコンバータに流れる電流量を低減させることができるために、電力損失が低減される。例えば、この実施の形態3−3としての図26の回路構成を採った場合には、300W以上程度の最大負荷電力(Pomax)に対応可能なワイドレンジ対応の電源回路を得ることができる。
図27の回路図は、実施の形態3−4としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、図20、図25、及び図26などと同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図に示す電源回路においては、一次側の電流共振形コンバータの構成について、4石のスイッチング素子Q1〜Q4を備える、フルブリッジ結合方式としている。
フルブリッジ結合方式としては、図示するようにして、スイッチング素子Q1,Q2のハーフブリッジ接続に対して、スイッチング素子Q3,Q4のハーフブリッジ接続を並列に接続するようにされる。
上記スイッチング素子Q3,Q4についても、スイッチング素子Q1,Q2と同様にして、それぞれ、ボディダイオードであるダンパーダイオードDD3、ダンパーダイオードDD4が、ドレイン−ソース間に対して並列に接続されている。
また、この場合には、スイッチング素子Q3,Q4が備えられることに対応して、スイッチング素子Q4のソース−ドレイン間に対して並列に一次側部分共振コンデンサCp1が接続される。この一次側部分共振コンデンサCp1としても、自身のキャパシタンスと一次巻線N1のリーケージインダクタンスL1(及び高周波インダクタL11のインダクタンス)とにより並列共振回路(部分電圧共振回路)を形成し、スイッチング素子Q3,Q4のターンオフ時にのみ電圧共振する部分電圧共振動作を得る。
そのうえで、この場合には、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1については、その一方の端部を、一次側直列共振コンデンサC1と、後述する力率改善用トランスVFTの一次巻線N11の直列接続を介して、スイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインの接続点と接続する。スイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインの接続点は、フルブリッジ結合のスイッチング回路系における一方のスイッチング出力点となる。
また、一次巻線N1の他方の端部は、他方のスイッチング出力点であるスイッチング素子Q3のソースとスイッチング素子Q4のドレインとの接続点に対して接続する。
上記接続態様によると、本実施の形態としては、一次巻線N1−一次側直列共振コンデンサC1−一次巻線N11の直列接続が形成されていることになる。これにより、一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスとから成る合成インダクタンスと、一次側直列共振コンデンサC1のキャパシタンスとにより、一次側直列共振回路が形成されることになる。
そして、一次側直列共振回路としては、スイッチング素子Q1,Q2側のスイッチング出力点と、スイッチング素子Q3,Q4側のスイッチング出力点との間に挿入されていることになる。
また、この場合の発振・ドライブ回路2は、スイッチング素子Q1〜Q4の4石のスイッチング素子を駆動するようにされている。この発振・ドライブ回路2によっては、スイッチング素子[Q1,Q4]の組と、スイッチング素子[Q2,Q3]の組とが交互にオン/オフするようにしてスイッチング駆動が行われる。そして、これらスイッチング素子のスイッチング出力が、上記のようにしてスイッチング出力点間に挿入される一次側直列共振回路に伝達され、そのスイッチング動作を電流共振形とする。
なお、発振・ドライブ回路2の実際としては、ハーフブリッジ結合方式に対応して、2本のスイッチング素子を駆動する駆動回路(IC)を2組備え、これらの駆動回路がそれぞれ、スイッチング素子[Q1,Q2]の組と、スイッチング素子[Q3,Q4]の組とが同期し、かつ、上記したスイッチング素子[Q1,Q4]の組と、スイッチング素子[Q2,Q3]の組によるスイッチングタイミングが得られるようにスイッチングさせる構成とすることも考えられる。
なお、この実施の形態3−4のようにして、一次側の電流共振形コンバータの構成についてフルブリッジ結合方式とするのは、重負荷の条件に対応するためである。重負荷の傾向となるのに従っては、スイッチングコンバータに流れる電流が増加して、回路部品への負担も重くなり、また、電力損失も増加していくことになる。
そこで、フルブリッジ結合とすれば、必要な負荷電流を4つのスイッチング素子によりまかなうこととなるために、例えば2本のスイッチング素子から成るハーフブリッジ結合方式の場合よりも、各部品への負担は軽くなり、また、電力損失も低減され、重負荷の条件に有利となる。例えば、この図27に示す構成を採ることによっては、300W以上程度の最大負荷電力(Pomax)に対応可能なワイドレンジ対応の電源回路を得ることができる。
また、この実施の形態3−4としての電源回路においては、電圧帰還方式により力率を改善する力率改善回路34が備えられる。この力率改善回路34は、力率改善用トランスVFT、スイッチングダイオードD1、及びフィルタコンデンサCNを備えて成る。
スイッチングダイオードD1のアノードは、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子に対して接続される。スイッチングダイオードD1のカソードは、力率改善用トランスVFTの二次巻線N12の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端子と接続される。
上記した力率改善回路34の接続形態では、整流平滑電圧Eiを生成する整流電流経路において、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子との間のラインに対して、スイッチングダイオードD1−二次巻線N12の直列接続回路を挿入していることになる。つまり、二次巻線N12は、電圧帰還方式による力率改善回路において、スイッチング出力を電圧帰還することにより得られる、スイッチング周期の交番電圧を受けるインダクタとしての機能を有するもので、ここでの二次巻線N12は、先の各実施の形態における高周波インダクタL11における高周波巻線部L11Bと同等の機能を有している。
また、この場合のフィルタコンデンサCNは、スイッチングダイオードD1−二次巻線N12の直列接続回路に対して並列に接続される。
力率改善用トランスVFTは、一次巻線N11と二次巻線N12とについて、磁気的に結合されるようにしてコアに巻装した構造を有する。なお、この場合の力率改善用トランスVFTは、分割された巻装位置が形成されているいわゆる分割ボビンを有し、一次巻線N11と二次巻線N12とを、上記分割ボビンにおいてそれぞれ異なる巻装位置に巻回するようにしている。これにより、一次側と二次側の結合度としては、疎結合とされる所定の結合係数が得られるようにされている。
このようにして構成される力率改善回路34においては、一次側直列共振回路にスイッチング出力(一次側直列共振電流)が得られるのに応じて、この一次側直列共振回路に含まれるとされる力率改善用トランスVFTの一次巻線N11にスイッチング出力としての電流が流れることになる。そして、力率改善用トランスVFTにおいては、この一次巻線N11に流れる交番電流に応じて、二次巻線N12に交番電圧を誘起させる。
先に述べたように、力率改善用トランスVFTの二次巻線N12は、スイッチングダイオードD1と直列接続された形態で、商用交流電源ACの整流電流経路に挿入されている。このために、二次巻線N12に誘起される交番電圧は、整流出力電圧に対して重畳されるものとなる。つまり、力率改善用トランスVFTによっては、一次側直列共振電流を、力率改善用トランスVFTの磁気結合を介して整流電流経路に電圧として帰還するようにしている。このようにして、スイッチング出力を電圧として帰還して力率改善を図るようにされた力率改善回路の方式を、ここでは電圧帰還方式といっている。
従って、この場合のスイッチングダイオードD1としても、上記した交番電圧の重畳分により整流電流をスイッチング(断続)するようにして動作する。このような動作が得られる結果、交流入力電圧VACのレベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期間にも整流電流を流すことになる。この結果、先の各実施の形態と同様にして、交流入力電流IACの導通角が拡大され、交流入力電流IACの波形が交流入力電圧VACに近づくこととなって力率が改善される。
また、この図27に示す電源回路においては、前述もしたように、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に対して、一次側直列共振コンデンサC1を介して力率改善用トランスVFTの一次巻線N11が直列に接続されている。この場合、一次巻線N1と一次巻線N11との間には、一次側直列共振コンデンサC1が介在するものの、一次側直列共振回路を成すリーケージインダクタンス成分としては、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスとを合成したものとなる。このことから、一次側直列共振回路内において、一次巻線N1と一次巻線N11とは相互に直列接続される関係にあるインダクタンスであるとみてよく、従って、絶縁コンバータトランスPITの一次側と二次側との総合結合係数ktとしても、一次巻線N1自体のリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスとを合成して得られる総合のリーケージインダクタンスに対応した値を有することになる。つまり、本実施の形態では、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11が、例えば図1などに示した高周波巻線部L11Aとしての機能を有している。
そして、このような構成が採られることで、本実施の形態としても、総合結合係数ktとしては、例えば図4及び図5にて説明したような単峰特性が得られる程度の疎結合の状態を設定して、スイッチング周波数の必要制御範囲を縮小することが可能であり、これによる効果としては、先の実施の形態と同様となるものである。
なお、この図27の実施の形態3−4としての力率改善回路34と同様の構成は、先に図17に示した実施の形態2−1としての力率改善回路21と同様となっている。この実施の形態2−1の力率改善回路21としても、厳密には、一次側直列共振回路を成すリーケージインダクタンス成分としては、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスとを合成したものとなり、総合結合係数ktについても、一次巻線N1自体のリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスとを合成したものとして表される。
ただし、実施の形態3−4の電源回路が対応する最大負荷電力は、実施の形態3−1〜3−3などと同様に200Wであり、実施の形態2−1の電源回路が対応する最大負荷電力が150Wであることと比較して重負荷の条件となっている。このために、上記もしているように、実施の形態3−4の電源回路では、電流共振形コンバータをフルブリッジ結合方式としている。これに対して、実施の形態2−1では、ハーフブリッジ結合方式としちている。このようにして、フルブリッジ結合方式とすることで、重負荷に対応して増加するスイッチング電流をまかなうことができる。そして、このようにして、スイッチング電流が増加するのに応じて、一次側直列共振回路を成す一次側リーケージインダクタンス成分としては、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンス(リーケージインダクタンス)が有効になってくる。
なお、確認のために述べておくと、一次側の電流共振形コンバータについてフルブリッジ結合方式とする構成に対して組み合わせるべき力率改善回路の形式などは任意であり、例えば他の電圧帰還方式あるいは電力回生方式による力率改善回路を任意に組み合わせることができる。
図28の回路図は、実施の形態3−5としての電源回路の構成例を示している。なお、この図において、図1及び図11〜図13と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
先に図21及び図22に示したように、実施の形態3−1の電源回路では、軽負荷の傾向、若しくは交流入力電圧レベルが上昇するのに従って、改善される力率PFの値が低下していく傾向となる。軽負荷の傾向となるのに応じては、電源回路内にて流れる電流量が減少していくことになるために、これに伴って交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。また、交流入力電圧レベルが高くなることで、スイッチングダイオードD1が整流電流を導通させるのに必要とされる交流入力電圧VACのレベルの下限を引き上げることになる。これにより、交流入力電流IACの導通角は縮小して力率が低下する。このような特性は、同様の根拠から、実施の形態3−4の電源回路にも現れる。
この場合においても、例えば実施の形態3―1などでは、先に図21及び図22に示した力率特性により実用上充分な力率が得られているものであるが、交流入力電圧条件や負荷の条件などによっては、交流入力電圧レベルや負荷の変動に対して、より安定した値の力率が得られるようにした方が好ましい場合がある。
そこで、この実施の形態3−5の電源回路では、改善される力率を一定とするように構成される。このために、実施の形態3−5としては、力率改善回路35を備える。
力率改善回路35としては、スイッチングダイオードD1、フィルタコンデンサCN、制御トランスPRT、半波整流回路(D5,C5)、抵抗R1,R2、力率制御回路3を備える。また、制御トランスPRTは、この場合にも、一次巻線N11、二次巻線N12、及び検出巻線NDを巻装して構成される。なお、制御トランスPRTの構造そのものとしては、図31又は図32にて説明したのと同様でよい。
そのうえで、実施の形態3−5の力率改善回路35においては、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCiの正極端子との間に対して、スイッチングダイオードD1と制御トランスPRTの二次巻線N12との直列接続回路を挿入する。この場合には、スイッチングダイオードD1のアノードをブリッジ整流回路Diの正極端子に接続して、スイッチングダイオードD1のカソードを制御トランスPRTの二次巻線N12の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端子に接続するようにしている。
そして、この場合には、制御トランスPRTの一次巻線N11の一方の端部を、二次巻線N12とスイッチングダイオードD1のアノードとの接続点に対して接続している。一次巻線N11の他方の端部は、この場合には、一次側直列共振コンデンサC1を介して一次巻線N1と直列に接続される。
なお、これ以外の力率改善回路35における接続態様としては、図19に示した力率改善回路23と同様となるので、ここでの説明は省略する。
上記した力率改善回路35の接続態様によると、制御トランスPRTの一次巻線N11と二次巻線N12は、それぞれ、例えば図20に示した実施の形態3−1の高周波インダクタL11における高周波巻線部L11A,L11Bと同様の接続態様によって、力率改善回路16内において備えられているものであることが分かる。
つまり、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11は、この場合には一次側直列共振コンデンサC1を介しているが、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1と直列接続される関係にあり、従って、一次側直列共振回路を形成するインダクタンス成分となる。また、一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスL1と、一次巻線N11のインダクタンスとの合成インダクタンスにより、総合結合係数ktが設定されるようになっている。本実施の形態としても、例えば、総合結合係数kt=0.65程度以下の所定値が設定されることで、定電圧制御特性としては先に説明した単峰特性が得られるようにされる。
また、力率改善用トランスVFTの二次巻線N12は、商用交流電源ACが正/負となる各半波の期間に形成される整流電流経路において、スイッチングダイオードD1と直列接続回路を形成しており、この直列接続回路の接続点に対して、一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力(一次側直列共振電流)が印加されるようになっている。つまり、電力回生方式としてのスイッチング出力帰還が行われる構成となっており、これによる力率改善が図られることになる。
そのうえで、先の図19の力率改善回路23と同様にして、力率制御回路3が動作することで、改善される力率としては、負荷変動及び交流入力電圧変動に対して一定となるように制御されることになる。つまり、この場合には、図20などに示された高周波インダクタL11を基として制御トランスPRTを形成しているものとみることができる。
なお、この場合にも、交流入力電圧の入力条件や負荷条件などによっては、この力率の安定化の構成として、例えば、交流入力電圧変動に対応してのみ安定化する、あるいは逆に、負荷変動に対応してのみ安定化する構成としてもよい。
また、確認のために述べておくと、この場合においても、図27に示した実施の形態3−4と同様にして、制御トランスPRTの一次巻線N11が高周波巻線部L11Aとしての機能を有しているものであり、一次巻線N1自体のリーケージインダクタンスL1と、力率改善用トランスVFTの一次巻線N11のインダクタンスの合成により得られる総合的なリーケージインダクタンス成分により、図4及び図5にて説明した単峰特性を得るための総合結合係数ktが設定される。
上記実施の形態3−1〜3−5までの電源回路についての二次側の変形例として、実施の形態3−6、3−7、3−8の3例を挙げる。これら実施の形態3−6、3−7、3−8の構成は、それぞれ、先に示した図14、図15、図16となる。また、実施の形態3−6、3−7、3−8の一次側としては、実施の形態3−1〜3−5の何れかの一次側の回路構成が組み合わされればよいことになる。なお、図14、図15、図16の回路形態については先に説明したので、ここでの説明は省略する。
ここで、図15の回路形態を有する実施の形態3−7の電源回路について、例えば図20に示した実施の形態3―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、実施の形態3―1の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−40型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、1.6mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=26T、二次巻線N2A=N2B=13Tとなる。つまり、二次巻線部N2A,N2Bの各々の巻数については、図20(実施の形態3−1)などの二次巻線N2の巻数に対して1/2となる13Tを設定することができる。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.61を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
また、二次側直流出力電圧Eoとしては、135Vを定格レベルとした。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の図21,図22、図23,図24とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.0%、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=91.8%であり、良好な特性が得られている。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.95であり、最大負荷電力Pomax=200WからPo=20Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=200Wから負荷電力Po=50Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態3−7の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態3−1〜3−5などと同様に4kHz以下である。なお、図14の回路形態による実施の形態3−6としても、実施の形態3−7と同様の特性が得られる。
また、図16の回路形態を有する実施の形態3−8の電源回路について、例えば図20に示した実施の形態3―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、実施の形態3―1の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−40型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、1.6mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=26T、二次巻線N2=13Tとなる。つまり、二次巻線部N2の巻数については、図20(実施の形態3−1)における二次巻線N2の巻数に対して1/2となる13Tを設定することができる。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.61を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.039μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.33μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
また、二次側直流出力電圧Eoとしては、135Vを定格レベルとした。
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の図21,図22、図23,図24とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=90.3%、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=92.2%であり、良好な特性が得られている。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.95であり、最大負荷電力Pomax=200WからPo=20Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=200Wから負荷電力Po=50Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、この実施の形態3−8の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態3−1〜3−7などと同様に4kHz以下である。
確認のために述べておくと、上記実施の形態3−6、3−7、3−8の電源回路は、先にも述べたように、二次巻線N2に対して設けられる整流回路系の形式、構成が異なる以外は、先に説明した実施の形態3−1〜3−5のいずれかと同様の多重複合共振形コンバータの構成を採る。従って、先の各実施の形態3−1〜3−5にて説明したのと同様の効果が得られるものである。
続いて、実施の形態4の電源回路として、先ず実施の形態4−1について説明する。
実施の形態4−1の電源回路の回路形態としては、先に実施の形態3−1として示した図20と同様となる。
そのうえで、実施の形態4−1としては、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、上記二次側直列共振回路の共振周波数fo2とについて、
fo1<fo2
で表される関係を満たすべきこととしている。かつ、実際としては、二次側直列共振回路の共振周波数fo2が、一次側直列共振回路の共振周波数fo1に対して約1.5倍程度以内となるようにして設定している。ただし、実施の形態4―1の電源回路の実際としては、二次側直列共振回路の共振周波数fo2を、一次側直列共振回路の共振周波数fo1の1.4倍から1.3倍程度の範囲で設定することとしている。具体的には、一次側直列共振回路の共振周波数fo1についてはfo1≒70kHzの所定値を設定し、二次側直列共振回路の共振周波数fo2についてはfo2≒90kHzの所定値を設定することとしている。
この実施の形態4−1の電源回路については、例えば、実施の形態3−1の電源回路と同等の交流入力電圧条件(VAC=85V〜288V)、負荷条件(Pomax=200〜Pomin=0W)、二次側直流出力電圧Eoの定格レベル(135V)を設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−40型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、1.6mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=26T、二次巻線N2=24Tとなる。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.645を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.047μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.075μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
そして、上記のようにして構成した実施の形態4−1の電源回路について実験を行ったところ、最大負荷電力Pomax=200W〜最小負荷電力Pomin=0W(無負荷)の範囲での負荷変動に対する整流平滑電圧(直流入力電圧)Ei、力率(PF)、及びAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の各特性は図29に示すものとなった。この図においては、AC100V系に対応する交流入力電圧VAC=100V時の特性を実線で示し、AC200V系に対応する交流入力電圧VAC=230V時の特性を破線で示している。
また、交流入力電圧VAC=85V〜288Vの範囲での変動に対する、整流平滑電圧(直流入力電圧)Ei、力率(PF)、及びAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の各特性は、図30に示すものとなった。なお、負荷条件は、最大負荷電力であるPo=200Wで固定としている。
先ず、図29に示されるように、スイッチングコンバータの直流入力電圧となる整流平滑電圧Eiは、交流入力電圧VAC=100V時には約140V付近レベルとなり、交流入力電圧VAC=220V時には約340V付近のレベルとなる。また、交流入力電圧VAC=100V時/220V時の何れの場合にも、重負荷の条件となるのに従って、回路を流れる電流レベルが増加するために、整流平滑電圧Eiのレベルは若干低下する傾向となる。
また、力率改善回路31の動作に応じて得られる力率PFについては、先ず、交流入力電圧VAC=100V時/230V時とで共に、重負荷となるのに従って高くなっていく傾向となっている。そのうえで、交流入力電圧VAC=100V時においては、負荷電力Po=20W〜200Wの範囲で0.75以上であり実用上充分な力率値を得ている。最大負荷電力Pomax=200W時には、PF=0.95が得られた。また、交流入力電圧VAC=230V時においては、負荷電力Po=50W〜200Wの範囲で0.75以上であり、最大負荷電力Pomax=150W時には、PF=0.82が得られた。
また、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、負荷電力Poが重負荷の傾向となっていくのに従って高くなる傾向で、最大負荷電力Pomax=200Wの負荷条件では、交流入力電圧VAC=100V時にはηAC→DC=91.5%、交流入力電圧VAC=230V時には、91.7%となり、ともに91%以上となる測定結果が得られている。
また、図30によると、整流平滑電圧Eiは、商用交流電源AC(VAC)を入力してブリッジ整流回路Di及び平滑コンデンサCiから成る全波整流回路が整流動作を行うことで、平滑コンデンサCiの両端電圧として得られるものであるために、交流入力電圧VACの上昇に応じて高くなっていく傾向となる。
また、力率PFに関しては、交流入力電圧VACの上昇に応じて低下していく傾向となっているが、最大の交流入力電圧VAC=288V時においても、PF≧0.8を維持している。
また、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)としては、交流入力電圧VACが低レベルの範囲では若干低下傾向にはなるものの、上記図9の特性としても示されているように、交流入力電圧VAC=100V以上のレベル範囲では、90%以上を維持している。
ここで、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)についての測定結果を、例えば実施の形態3−1の測定結果と比較してみると、実施の形態4−1のほうが良好な特性となっている。これは、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、二次側直列共振回路の共振周波数fo1について、実施の形態3−1とは異なる周波数値、周波数値の関係を設定していることが主に関係している。例えば、共振周波数fo1,fo2の設定を変更することによって、スイッチング素子Q1,Q2に流れるスイッチング電流や、二次側整流回路を流れる整流電流波形に変化が生じ、この変化が例えばピークレベルの低下などとして現れて、スイッチング損失の低減などを生む。このようなことが要因となって、電力変換効率が向上するという結果が得られている。
また、図29,図30により説明した力率特性を得るための力率改善回路31による力率改善動作としては、この場合にも、図23及び図24の波形図により示されることになる。
また、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、本実施の形態においては10kHz以下であり、ワイドレンジ対応化が実現されていることを示している。
また、実施の形態4の電源回路に関しては、力率改善回路や電流共振形コンバータの形式などの一次側構成のバリエーションとして、実施の形態4−2〜4−5を挙げることができる。
実施の形態4−2の回路構成は、先に実施の形態3−2として示した図25と同様となる。
実施の形態4−3の回路構成は、先に実施の形態3−3として示した図26と同様となる。
実施の形態4−4の回路構成は、先に実施の形態3−4として示した図27と同様となる。
実施の形態4−5の回路構成は、先に実施の形態3−5として示した図28と同様となる。
実施の形態4−2〜4−5としては、上記各図の回路形態を採ったうえで、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、二次側直列共振回路の共振周波数fo2について、実施の形態4−1と同様の設定を行うようにされる。これにより、実施の形態4−2〜4−5の電源回路と実施の形態3−2〜3−5の電源回路とについてそれぞれ対応させて比較した場合には、実施の形態4−1と実施の形態3−1とを比較した場合と同様にして、実施の形態4−2〜4−5の電源回路のほうが、良好なAC→DC電力変換効率(ηAC→DC)の特性が得られている。
さらに、実施の形態4の電源回路に関しては、二次側のバリエーションとして、実施の形態4−6、4−7、4−8を挙げることができる。
これら実施の形態4−6、4−7、4−8の構成は、それぞれ、先に示した図14、図15、図16となる。また、実施の形態4−6、4−7、4−8の一次側としては、実施の形態4−1〜4−5の何れかの一次側の回路構成が組み合わされればよいことになる。そのうえで、実施の形態4−6、4−7、4−8は、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と、二次側直列共振回路の共振周波数fo2について、実施の形態4−1と同様の設定を行う。
ここで、図15の回路形態を有する実施の形態4−7の電源回路について、例えば図20に示した実施の形態4―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、実施の形態4―1の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−40型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、1.6mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=26T、二次巻線N2A=N2B=12Tとなる。つまり、二次巻線部N2A,N2Bの各々については、図20(実施の形態4―1)などの二次巻線N2の巻数に対してほぼ1/2となる巻数を設定することができる。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.645を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.047μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の図29,図30、図23,図24とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=91.2.%、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=91.6%であり、実施の形態3−7と比較して良好な特性が得られている。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.95であり、最大負荷電力Pomax=200WからPo=20Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.83であり、最大負荷電力Pomax=200Wから負荷電力Po=50Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、実施の形態3−7の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態4−1〜4−5などと同様に10kHz以下である。なお、図14の回路形態による実施の形態4−6としても、実施の形態4−7と同様の特性が得られる。
また、図16の回路形態を有する実施の形態4−8の電源回路について、例えば図20に示した実施の形態4―1の電源回路と同様の一次側の構成を組み合わせたうえで、実施の形態4―1の電源回路と同等の交流入力電圧条件、負荷条件、二次側直流出力電圧Eoのレベルを設定した仕様とする場合には、要部の部品素子等について、次のように選定することができる。
先ず、絶縁コンバータトランスPITについては、EER−40型のフェライトコアを選定し、ギャップGのギャップ長については、1.6mmとする。また、各巻線の巻数(ターン数:T)としては、一次巻線N1=26T、二次巻線N2=12Tとなる。つまり、二次巻線部N2A,N2Bの各々の巻数については、図20(実施の形態4−1)などの二次巻線N2の巻数に対してほぼ1/2となる巻数を設定することができる。この構造により、絶縁コンバータトランスPIT自体の結合係数kとしては、k=0.74を得ている。そのうえで、高周波インダクタL11については、高周波巻線部L11A=10μH、高周波巻線部L11B=30μHを選定することで、総合結合係数kt=0.645を設定している。
また、一次側直列共振回路、二次側直列共振回路、及び一次側部分電圧共振回路、二次側部分電圧共振回路を形成するための各共振コンデンサ、及びフィルタコンデンサCNについては、下記のように選定した。
・一次側直列共振コンデンサC1=0.047μF
・二次側直列共振コンデンサC2=0.15μF
・一次側部分共振コンデンサCp=1000pF
・二次側部分共振コンデンサCp2=1000pF
・フィルタコンデンサCN=1μF
そして、上記のようにして構成した電源回路について実験を行ったところ、先の図21,図22、図23,図24とほぼ同等の結果が得られた。
具体的には、AC→DC電力変換効率(ηAC→DC)については、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではηAC→DC=91.0%、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではηAC→DC=91.3%であり、実施の形態3−8と比較して良好な特性が得られている。
力率PFについては、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=100時ではPF=0.95であり、最大負荷電力Pomax=200WからPo=20Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。また、最大負荷電力Pomax=200W/交流入力電圧VAC=230時ではPF=0.85であり、最大負荷電力Pomax=200Wから負荷電力Po=50Wの範囲に対して0.75以上となる特性が得られた。
また、この実施の形態4−8の電源回路についての、交流入力電圧VAC=100V/最大負荷電力Pomax=200Wから、交流入力電圧VAC=230V/最小負荷電力Pomin=0Wまでの範囲に対応するΔfsAは、先の実施の形態4−1〜4−7などと同様に10kHz以下である。
また、確認のために述べておくと、上記実施の形態4−6、4−7、4−8の電源回路は、先にも述べたように、二次巻線N2に対して設けられる整流回路系の形式、構成が異なる以外は、先に説明した実施の形態4−1〜4−5のいずれかと同様の多重複合共振形コンバータの構成を採る。従って、先の各実施の形態4−1〜4−5にて説明したのと同様の効果が得られるものである。
なお、これまでの説明においては、絶縁コンバータトランスPIT自体の一次側と二次側の結合係数についてはkで表し、電源回路内における絶縁コンバータトランスPITとしての一次側と二次側との総合的な結合係数については、総合結合係数ktとして表し、両者を区別していた。
しかしながら、これまで説明した実施の形態のうちで、実施の形態1,2のようにして、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に対して直列に高周波インダクタ、あるいは力率改善用トランスVFTの一次巻線を接続していない場合においては、例えば回路内における絶縁コンバータトランスPITの総合的なリーケージインダクタンスとしては、高周波インダクタあるいは力率改善用トランスVFTの一次巻線のインダクタンスが0であると考えれば、一次巻線N1そのもののリーケージインダクタンスをL1として、L1+0として表すことができる。そこで、本発明における概念としては、この場合の結合係数kは、高周波インダクタのインダクタンスが0の場合の総合結合係数ktとして扱われるべきものである。
また、本発明はこれまで説明した実施の形態に限定されるべきものではない。
例えば、絶縁コンバータトランスPIT、及び制御トランスPRTについては、コア形式などをはじめとして、その構造については適宜変更されて構わない。
また、実施の形態で例示したスイッチングコンバータは、他励式による電流共振形コンバータをその基礎としているが、例えば自励式による電流共振形コンバータを備えて構成することも可能である。この場合には、スイッチング素子として例えばバイポーラトランジスタを選定することができる。また、例えばスイッチングコンバータの一次側のスイッチング素子としては、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)など、他励式に使用可能な素子であれば、MOS−FET以外の素子が採用されて構わない。
また、先に説明した各部品素子の定数なども、実際の条件等に応じて適宜変更されて構わないものである。また、これに伴い、一次側直列共振回路の共振周波数fo1と二次側直列共振回路の共振周波数fo2の周波数値の設定についても、上記実施の形態として例示したものに限定されることなく、適宜変更されてよい。
また、電力回生方式、あるいは電圧帰還方式による力率改善回路としても、各実施の形態として示した構成に限定されるものではなく、適宜変更されてかまわない。
本発明の実施の形態1−1の電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態のスイッチング電源回路が備える絶縁コンバータトランスの構造例を示す断面図である。 実施の形態の電源回路を電磁結合形共振回路としてみた等価回路図である。 本実施の形態の電源回路についての定電圧制御特性を示す図である。 実施の形態の電源回路の定電圧制御動作として、交流入力電圧条件及び負荷変動に応じたスイッチング周波数制御範囲(必要制御範囲)を示す図である。 図1に示す電源回路から二次側直列共振回路を省略した構成の電源回路についての定電圧制御特性を示す図である。 実施の形態1―1の電源回路についての、負荷変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態1―1の電源回路についての、交流入力電圧変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態1、2の電源回路の力率改善動作を示す波形図である。 実施の形態1、2の電源回路の力率改善動作を示す波形図である。 実施の形態1−2としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態1−3としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態1−4としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態1−5、2−4、3−6、4−6としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態1−6、2−5、3−7、4−7としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態1−7、2−6、3−8、4−8としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態2−1としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態2−2としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態2−3としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態3−1(4−1)としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態3―1の電源回路についての、負荷変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態3―1の電源回路についての、交流入力電圧変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態3、4の電源回路の力率改善動作を示す波形図である。 実施の形態3、4の電源回路の力率改善動作を示す波形図である。 実施の形態3−2(4−2)としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態3−3(4−3)としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態3−4(4−4)としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態3−5(4−5)としての電源回路の構成例を示す回路図である。 実施の形態4―1の電源回路についての、負荷変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態4―1の電源回路についての、交流入力電圧変動に対する整流平滑電圧、力率、及びAC→DC電力変換効率の特性を示す図である。 実施の形態の電源回路に備えられる制御トランスの構造例を示す斜視図である。 実施の形態の電源回路に備えられる制御トランスの構造例を示す斜視図である。 アクティブフィルタの基本的回路構成を示す回路図である。 図33に示すアクティブフィルタにおける動作を示す波形図である。 アクティブフィルタのコントロール回路系の構成を示す回路図である。 アクティブフィルタを実装した従来の電源回路の構成例を示す回路図である。 図36に示す電源回路においてAC100V系時に対応して得られる交流入力電圧と交流入力電流の波形を示した波形図である。 図36に示す電源回路においてAC200V系時に対応して得られる交流入力電圧と交流入力電流の波形を示した波形図である。 図36に示す電源回路の負荷変動に対する電力変換効率、力率、整流平滑電圧の各特性について示した特性図である。 図36に示す電源回路の交流入力電圧変動に対する電力変換効率、力率、整流平滑電圧の各特性について示した特性図である。
符号の説明
1 制御回路、2 発振・ドライブ回路、3,7 力率制御回路、11〜14,21〜23,31〜35 力率改善回路、Di ブリッジ整流回路、Ci,Ci1,Ci2 平滑コンデンサ、Q1,Q2,Q3,Q4 スイッチング素子、PIT 絶縁コンバータトランス、C1 一次側直列共振コンデンサ、C2、C2A、C2B 二次側直列共振コンデンサ、Cp,Cp1 一次側部分共振コンデンサ、Cp2,Cp2A,Cp2B 二次側部分共振コンデンサ、N1 一次巻線、N2 二次巻線、二次巻線部 N2A,N2B、Do1〜Do4 (二次側)整流ダイオード、Co (二次側)平滑コンデンサ、D1 スイッチングダイオード、D11,D12 スイッチングダイオード(整流ダイオード)、CN フィルタコンデンサ、L10,L11 高周波インダクタ、L11A,L11B 高周波巻線部、VFT 力率改善用トランス、PRT 制御トランス、N11 一次巻線、N12 二次巻線、Nc 制御巻線、NR 被制御巻線、
ND 検出巻線

Claims (15)

  1. 商用交流電源を入力して整流平滑電圧を生成する整流平滑手段と、
    上記整流平滑電圧を直流入力電圧として入力してスイッチングを行うスイッチング素子を備えて形成したスイッチング手段と、
    上記スイッチング素子をスイッチング駆動するスイッチング駆動手段と、
    少なくとも、上記スイッチング手段のスイッチング動作により得られるスイッチング出力が供給される一次巻線と、この一次巻線により交番電圧が誘起される二次巻線とが巻装されて形成され、一次側と二次側とで所定の結合係数が得られるようにして、コアの所定位置に形成されるギャップ長が設定されるコンバータトランスと、
    少なくとも、上記コンバータトランスの一次巻線の漏洩インダクタンス成分と、上記一次巻線に対して直列に接続される一次側直列共振コンデンサのキャパシタンスとによって形成されるもので、所定の第1の共振周波数が設定され、上記スイッチング手段の動作を電流共振形とする一次側直列共振回路と、
    少なくとも、上記コンバータトランスの二次巻線の漏洩インダクタンス成分と、上記二次巻線に対して直列に接続される二次側直列共振コンデンサのキャパシタンスとによって形成され、所定の第2の共振周波数が設定される二次側直列共振回路と、
    上記二次側直列共振回路に得られる共振出力を入力して整流動作を行って二次側直流出力電圧を生成する二次側直流出力電圧生成手段と、
    上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて上記スイッチング駆動手段を制御して、上記スイッチング手段のスイッチング周波数を可変することで、上記二次側直流出力電圧について定電圧制御を行う定電圧制御手段と、
    上記スイッチング手段のスイッチング動作により上記一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力を、上記整流平滑手段を形成する整流平滑回路の所定の整流電流経路に対して帰還し、この帰還されたスイッチング出力により整流電流を断続するようにして構成される力率改善手段と、を備え、
    上記一次側直列共振回路と上記二次側直列共振回路とを有して形成される電磁結合形共振回路についての、上記スイッチング周波数を有する周波数信号の入力に対する出力特性が単峰特性となるようにして、上記コンバータトランスの一次側と二次側との総合結合係数を設定している、
    を備えることを特徴とするスイッチング電源回路。
  2. 上記力率改善手段は、
    上記スイッチング出力である一次側直列共振回路に得られる電流を電力として回生するようにして、上記整流平滑手段を形成する整流平滑回路の所定の整流電流経路に対して帰還するように構成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  3. 上記力率改善手段は、
    上記整流平滑手段において商用交流電源を整流する整流回路の整流出力端子と平滑コンデンサの正極端子間の整流電流経路に対して直列に挿入される、高周波インダクタと、上記力率改善用スイッチング素子とを直列に接続した直列接続回路と、
    上記直列接続回路に対して並列に接続されるフィルタコンデンサと、少なくともを備えると共に、
    上記高周波インダクタと上記力率改善用スイッチング素子との接続点に対して、上記一次側直列共振回路を接続して形成される、
    ことを特徴とする請求項2に記載のスイッチング電源回路。
  4. 上記力率改善手段は、
    上記整流平滑手段において商用交流電源を整流する整流回路の整流出力端子と平滑コンデンサの正極端子間の整流電流経路に対して直列に挿入される、高周波インダクタと、上記力率改善用スイッチング素子とを直列に接続した直列接続回路と、
    上記力率改善用スイッチング素子に対して並列に接続され、上記高周波インダクタと共に直列共振回路を形成する力率改善用直列共振コンデンサとを少なくとも備えると共に、
    上記高周波インダクタと上記力率改善用スイッチング素子との接続点に対して、上記一次側直列共振回路を接続して形成される、
    ことを特徴とする請求項2に記載のスイッチング電源回路。
  5. 上記力率改善手段は、
    上記一次側直列共振回路に得られるスイッチング出力を、上記整流平滑手段を形成する整流平滑回路の所定の整流電流経路に対して、電圧として帰還するように構成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  6. 上記力率改善手段は、
    少なくとも一次巻線と二次巻線とが所定の疎結合の状態となるようにして備えられる力率改善用トランスと、力率改善用スイッチング素子とを少なくとも備え、
    上記力率改善用トランスの一次巻線を、上記一次側直列共振回路に対して直列の関係となるようにして接続し、
    上記整流平滑手段において商用交流電源を整流する整流回路の整流出力端子と平滑コンデンサの正極端子間に対して、上記力率改善用トランスの二次巻線と上記力率改善用スイッチング素子との直列接続回路を挿入して形成される、
    ことを特徴とする請求項5に記載のスイッチング電源回路。
  7. 上記力率改善手段は、
    コンバータトランスの一次巻線に得られるスイッチング出力により交番電圧が誘起されるようにして上記コンバータトランスの一次側に巻装される三次巻線と、高周波インダクタと、力率改善用スイッチング素子を少なくとも備え、
    上記整流平滑手段を形成する整流回路と平滑コンデンサとから成る整流平滑回路における所定の整流電流経路に対して、上記力率改善用スイッチング素子、上記三次巻線、及び上記高周波インダクタを直列接続して成る直列接続回路を挿入して形成される、
    ことを特徴とする請求項5に記載のスイッチング電源回路。
  8. 上記力率改善手段は、
    所定の巻線位置に施したタップにより第1巻線部と第2巻線部とに分割された1つのインダクタンス素子と、力率改善用スイッチング素子とを少なくとも備え、
    上記第1巻線部を上記コンバータトランスの一次巻線に対して直列となる関係が得られるように接続して設け、
    上記力率改善用スイッチング素子と上記第2巻線部とから成る直列接続回路を、上記整流平滑手段を形成する整流平滑回路の所定の整流電流経路に対して挿入するようにして形成する、
    ことを特徴とする請求項2に記載のスイッチング電源回路。
  9. 上記整流平滑手段としての整流平滑回路は倍電圧整流回路とされ、
    上記倍電圧整流回路において整流素子となるダイオード素子を、上記力率改善手段において整流電流を断続する力率改善用スイッチング素子として備える、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  10. 上記力率改善手段は、商用交流電源のレベル変化に対して力率が一定となるように制御する力率制御手段をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  11. 上記力率改善手段は、負荷変動に対して力率が一定となるように制御する力率制御手段をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  12. 上記二次側直流出力電圧生成手段は、
    この二次側直流出力電圧生成手段を形成する整流素子のターンオフのタイミングでのみ共振動作を行う部分共振回路を形成するようにして接続される二次側部分共振コンデンサを備えることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  13. 上記二次側直流出力電圧生成手段は、
    上記二次巻線と上記二次側直列共振コンデンサの直列接続回路に対して、ブリッジ整流回路を備える全波整流回路を接続して形成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  14. 上記二次側直流出力電圧生成手段は、
    上記二次巻線にセンタータップを施すことで、第1の二次巻線部と第2の二次巻線部とに分割し、
    上記第1の二次巻線部の漏洩インダクタンス成分と、第1の二次側直列共振コンデンサのキャパシタンスにより第1の二次側直列共振回路を形成する、これら第1の二次巻線部と第1の二次側直列共振コンデンサの直列接続回路に対して、倍圧半波整流動作を行うようにして所要の整流ダイオードと二次側平滑コンデンサを接続して形成される第1の倍圧半波整流回路と、
    上記第2の二次巻線部の漏洩インダクタンス成分と、第2の二次側直列共振コンデンサのキャパシタンスにより第2の二次側直列共振回路を形成する、これら第2の二次巻線部と第2の二次側直列共振コンデンサの直列接続回路に対して、倍圧半波整流動作を行うようにして所要の整流ダイオードと上記二次側平滑コンデンサを接続して形成される第2の倍圧半波整流回路とを備え、
    上記第1の倍圧半波整流回路の整流動作による上記二次側平滑コンデンサに対する充電と、上記第2の倍圧半波整流回路の整流動作による上記二次側平滑コンデンサに対する充電とが、上記二次巻線に誘起される交番電圧の半周期のタイミングで交互に行われるようにされた倍圧全波整流回路として形成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  15. 上記第1の二次側直流出力電圧生成手段は、
    上記二次巻線と上記二次側直列共振コンデンサの直列接続回路に対して、倍圧半波整流回路を接続して形成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
JP2005082518A 2004-06-02 2005-03-22 スイッチング電源回路 Pending JP2006109687A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005082518A JP2006109687A (ja) 2004-06-02 2005-03-22 スイッチング電源回路
KR1020050045521A KR20060046271A (ko) 2004-06-02 2005-05-30 스위칭 전원 회로
EP05011854A EP1603222A2 (en) 2004-06-02 2005-06-01 Switching power supply circuit
US11/143,987 US7170761B2 (en) 2004-06-02 2005-06-02 Switching power supply circuit

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004164452 2004-06-02
JP2004194106 2004-06-30
JP2004235912 2004-08-13
JP2004262695 2004-09-09
JP2004265442 2004-09-13
JP2005082518A JP2006109687A (ja) 2004-06-02 2005-03-22 スイッチング電源回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006109687A true JP2006109687A (ja) 2006-04-20

Family

ID=34978698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005082518A Pending JP2006109687A (ja) 2004-06-02 2005-03-22 スイッチング電源回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7170761B2 (ja)
EP (1) EP1603222A2 (ja)
JP (1) JP2006109687A (ja)
KR (1) KR20060046271A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016036210A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 キヤノン株式会社 整流平滑回路、電源装置及び画像形成装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100434173B1 (ko) * 2002-05-16 2004-06-04 엘지전자 주식회사 영상 디스플레이 기기의 전원 공급장치
DE10244665A1 (de) * 2002-09-24 2004-04-01 Ebm Werke Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung zur galvanisch getrennten Signalübertragung
EP1744440A3 (en) * 2005-06-30 2009-04-15 Sony Corporation Switching power supply circuit
US7362077B2 (en) * 2005-08-02 2008-04-22 Gm Global Technology Operations, Inc. Pre-charge method for isolated boost converter
TW200721655A (en) * 2005-10-07 2007-06-01 Sony Corp Switching power supply circuit
JP2007236010A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Sony Corp スイッチング電源回路
JP4525617B2 (ja) * 2006-03-03 2010-08-18 ソニー株式会社 スイッチング電源回路
EP1835606A2 (en) * 2006-03-13 2007-09-19 Sony Corporation Switching power supply circuit
JP2007295645A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Roland Corp スイッチング電源装置
JP5040268B2 (ja) * 2006-11-10 2012-10-03 富士電機株式会社 スイッチング電源装置
CN101874340A (zh) * 2007-11-26 2010-10-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 功率因数控制电路和市电电源
KR100910198B1 (ko) * 2008-03-24 2009-07-30 (주)유니온전자통신 고휘도 led 조명장치용 정전류형 전원공급장치
US20110109283A1 (en) * 2008-06-06 2011-05-12 Infineon Technologies Austria Ag System and method for controlling a converter
US8026704B2 (en) * 2008-06-06 2011-09-27 Infineon Technologies Austria Ag System and method for controlling a converter
KR101695419B1 (ko) * 2009-04-15 2017-01-24 삼성디스플레이 주식회사 전원 공급 방법, 이를 수행하기 위한 전원 공급 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI404086B (zh) * 2009-07-29 2013-08-01 Wun Chih Liu 功率因數補償變壓器及其構成之直流電壓至交流電壓轉換裝置
JP5472354B2 (ja) * 2012-03-28 2014-04-16 株式会社村田製作所 スイッチング電源装置
ITRE20120021A1 (it) * 2012-04-02 2013-10-03 Igor Spinella Metodo ed apparato per il trasferimento di potenza elettrica
JP5926606B2 (ja) * 2012-04-27 2016-05-25 キヤノン株式会社 画像形成装置および電圧発生装置
US9413251B2 (en) * 2013-01-15 2016-08-09 Rohm Co., Ltd. Power delivery device, AC adapter, electronic apparatus and power delivery system, having variable function of output voltage value and available output current capacity
US9461546B2 (en) 2013-02-08 2016-10-04 Advanced Charging Technologies, LLC Power device and method for delivering power to electronic devices
KR101481277B1 (ko) * 2013-06-10 2015-01-09 현대자동차주식회사 친환경 차량의 배터리 충전용 온보드 충전기
US9455568B2 (en) * 2014-04-15 2016-09-27 General Electric Company Energy storage system for renewable energy source
JP6232341B2 (ja) * 2014-05-09 2017-11-15 東芝テック株式会社 電力変換装置
WO2016030933A1 (ja) * 2014-08-25 2016-03-03 富士電機株式会社 電力変換装置
NO341430B1 (en) * 2015-01-19 2017-11-13 Waertsilae Norway As An apparatus and a method for wireless transmission of power between DC voltage sources
JP6578128B2 (ja) * 2015-05-14 2019-09-18 ローム株式会社 電力供給装置、acアダプタ、acチャージャ、電子機器および電力供給システム
TWI641205B (zh) 2015-09-30 2018-11-11 財團法人工業技術研究院 漣波補償控制方法與應用此漣波補償控制之電能轉換裝置
US9780689B2 (en) * 2015-10-21 2017-10-03 Texas Instruments Incorporated Isolated capacitive power transfer
CN107294413B (zh) * 2016-04-08 2021-01-05 松下知识产权经营株式会社 电力变换装置
US10516371B2 (en) * 2016-07-21 2019-12-24 Cool Dry, Inc. Power converting system
EP3592271A4 (en) * 2017-03-10 2020-12-23 Minnetronix Inc. CONTROL AND UPS DESIGN TOPOLOGIES FOR ELECTRONIC MEDICAL DEVICES
DE102017106424B4 (de) 2017-03-24 2021-09-02 Infineon Technologies Austria Ag Leistungswandlerschaltung mit einem Hauptwandler und einem Hilfswandler
TWI714355B (zh) * 2019-11-18 2020-12-21 捷拓科技股份有限公司 單階雙切式寬輸入範圍電源轉換電路
CN110932557B (zh) * 2019-11-29 2021-01-12 山东科技大学 一种基于倍压整流电路的高增益准谐振dc-dc变换器
US11496062B2 (en) 2020-07-08 2022-11-08 Texas Instruments Incorporated DC transformer load regulation circuit
CN112910279B (zh) * 2021-01-29 2022-03-22 深圳市航嘉驰源电气股份有限公司 一种电源电路及其控制方法
CN113037125B (zh) * 2021-03-15 2022-01-07 无锡复溪电子科技有限公司 一种用于产生低温等离子体的谐振重频高压脉冲电源

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09233849A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチングインバータ回路
JP2001178129A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sony Corp スイッチング電源回路
JP2003189614A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Sony Corp スイッチング電源回路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128868A (en) * 1977-03-30 1978-12-05 Rca Corporation D-C converter using pulsed resonant circuit
US5274543A (en) * 1992-04-20 1993-12-28 At&T Bell Laboratories Zero-voltage switching power converter with lossless synchronous rectifier gate drive
JPH06327246A (ja) 1993-05-14 1994-11-25 Sony Corp スイッチング電源回路
US6310792B1 (en) * 1999-12-29 2001-10-30 Intel Corporation Shared package for VRM and processor unit
US6583999B1 (en) * 2002-01-25 2003-06-24 Appletec Ltd. Low output voltage, high current, half-bridge, series-resonant, multiphase, DC-DC power supply
US6930893B2 (en) * 2002-01-31 2005-08-16 Vlt, Inc. Factorized power architecture with point of load sine amplitude converters

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09233849A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチングインバータ回路
JP2001178129A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sony Corp スイッチング電源回路
JP2003189614A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Sony Corp スイッチング電源回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016036210A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 キヤノン株式会社 整流平滑回路、電源装置及び画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050281059A1 (en) 2005-12-22
KR20060046271A (ko) 2006-05-17
US7170761B2 (en) 2007-01-30
EP1603222A2 (en) 2005-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006109687A (ja) スイッチング電源回路
US7339801B2 (en) Switching power supply circuit
JP4099597B2 (ja) スイッチング電源回路
US20070035971A1 (en) Switching power supply circuit
US7656686B2 (en) Switching power supply circuit
US20070195560A1 (en) Switching power supply circuit
US20080025052A1 (en) Switching power supply circuit
JP2006197753A (ja) スイッチング電源回路
JP2006262640A (ja) スイッチング電源回路
JP2006271172A (ja) スイッチング電源回路
JP2007014139A (ja) スイッチング電源回路
JP2007043787A (ja) スイッチング電源回路
JP2006149171A (ja) スイッチング電源回路
JP2006094584A (ja) スイッチング電源回路
JP2006094583A (ja) スイッチング電源回路
JP2005204451A (ja) スイッチング電源回路
JP2007043875A (ja) スイッチング電源回路
JP2007020252A (ja) スイッチング電源回路
JP2007028753A (ja) スイッチング電源回路
JP2006180595A (ja) スイッチング電源回路
JP2007074779A (ja) スイッチング電源回路
JP2006174650A (ja) スイッチング電源回路、スイッチングコンバータ装置
JP2007181342A (ja) スイッチング電源回路
JP2007181252A (ja) スイッチング電源回路
JP2006197671A (ja) スイッチング電源回路

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081202