JP2006100661A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006100661A5 JP2006100661A5 JP2004286324A JP2004286324A JP2006100661A5 JP 2006100661 A5 JP2006100661 A5 JP 2006100661A5 JP 2004286324 A JP2004286324 A JP 2004286324A JP 2004286324 A JP2004286324 A JP 2004286324A JP 2006100661 A5 JP2006100661 A5 JP 2006100661A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor device
- manufacturing
- film semiconductor
- annealing step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004286324A JP2006100661A (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| TW094128605A TWI280623B (en) | 2004-09-30 | 2005-08-22 | Method of manufacturing thin film semiconductor device |
| US11/236,001 US7273774B2 (en) | 2004-09-30 | 2005-09-27 | Method for making thin-film semiconductor device |
| CNB2005101070407A CN100380579C (zh) | 2004-09-30 | 2005-09-27 | 制备薄膜半导体器件的方法 |
| KR1020050091280A KR101222420B1 (ko) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 박막 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11/893,580 US7335539B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-08-16 | Method for making thin-film semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004286324A JP2006100661A (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006100661A JP2006100661A (ja) | 2006-04-13 |
| JP2006100661A5 true JP2006100661A5 (enExample) | 2007-11-15 |
Family
ID=36145879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004286324A Pending JP2006100661A (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7273774B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2006100661A (enExample) |
| KR (1) | KR101222420B1 (enExample) |
| CN (1) | CN100380579C (enExample) |
| TW (1) | TWI280623B (enExample) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4169071B2 (ja) | 2006-05-25 | 2008-10-22 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| CN102376830B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-07-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP5880916B2 (ja) | 2011-06-03 | 2016-03-09 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
| DE102012213869A1 (de) | 2012-08-06 | 2014-02-06 | Wacker Chemie Ag | Polykristalline Siliciumbruchstücke und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN102945789B (zh) * | 2012-11-22 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法 |
| KR102443695B1 (ko) * | 2015-08-25 | 2022-09-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| CN106803744A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-06-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法 |
| CN105632905B (zh) * | 2016-01-21 | 2018-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法 |
| CN109273404B (zh) * | 2017-07-12 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| JP2022014755A (ja) * | 2020-07-07 | 2022-01-20 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| TWI783583B (zh) | 2020-07-21 | 2022-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於非晶矽中減少氫併入的離子佈植 |
| WO2025013431A1 (ja) * | 2023-07-07 | 2025-01-16 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839012A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Fujitsu Ltd | 非単結晶半導体層の単結晶化方法 |
| JPS58162032A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶化法 |
| JPS61179524A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Toshiba Corp | 多結晶シリコン膜の単結晶方法 |
| JPH01230221A (ja) * | 1989-01-17 | 1989-09-13 | Fujitsu Ltd | 非単結晶半導体層の単結晶化方法 |
| JPH0614932B2 (ja) * | 1989-05-29 | 1994-03-02 | 株式会社東芝 | 超音波診断装置 |
| US5366926A (en) * | 1993-06-07 | 1994-11-22 | Xerox Corporation | Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon |
| TW303526B (enExample) * | 1994-12-27 | 1997-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
| EP0850779B1 (en) * | 1996-12-27 | 2001-05-02 | Omron Corporation | Method of marking an object with a laser beam |
| JP4646368B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2011-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| US6274463B1 (en) * | 2000-07-31 | 2001-08-14 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of a photoconductive or a cathoconductive device using lateral solid overgrowth method |
| JP2002064060A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 |
| JP2002158173A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-05-31 | Sony Corp | 薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体装置、半導体薄膜の製造方法、及び半導体薄膜製造装置 |
| JP2003059858A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2003077834A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶化半導体膜の形成方法およびその製造装置と薄膜トランジスタの製造方法およびそれらを用いた表示装置 |
| US6872658B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device by exposing resist mask |
| JP2003168645A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜装置、その製造方法及び画像表示装置 |
| JP2004363241A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化半導体層の形成方法及び形成装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2005005323A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体加工方法および半導体加工装置 |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004286324A patent/JP2006100661A/ja active Pending
-
2005
- 2005-08-22 TW TW094128605A patent/TWI280623B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-27 US US11/236,001 patent/US7273774B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-27 CN CNB2005101070407A patent/CN100380579C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-29 KR KR1020050091280A patent/KR101222420B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-16 US US11/893,580 patent/US7335539B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101132404B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP2007053364A5 (enExample) | ||
| JP2006100661A5 (enExample) | ||
| JP2000228361A5 (enExample) | ||
| JP2003197521A5 (enExample) | ||
| JP2004311935A (ja) | 単結晶シリコン膜の製造方法 | |
| JP2003203918A5 (enExample) | ||
| JP2003163221A5 (enExample) | ||
| JP2004119919A (ja) | 半導体薄膜および半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2009518864A (ja) | 膜を加工するためのシステム及び方法並びに薄膜 | |
| JP2002313721A5 (enExample) | ||
| JP2006310445A5 (enExample) | ||
| JP2008227077A (ja) | レーザ光のマスク構造、レーザ加工方法、tft素子およびレーザ加工装置 | |
| JP2009130231A (ja) | 結晶シリコンアレイ、および薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2006100662A5 (enExample) | ||
| WO2004066372A1 (ja) | 結晶化半導体素子およびその製造方法ならびに結晶化装置 | |
| JP2006134986A (ja) | レーザ処理装置 | |
| JP2007281465A (ja) | 多結晶膜の形成方法 | |
| KR20100132020A (ko) | 균일한 결정질 si 막들을 제조하는 리소그래피 방법 | |
| JP2003224070A5 (enExample) | ||
| JP2006196539A (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置 | |
| JP2003163165A5 (enExample) | ||
| JP4564486B2 (ja) | シリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法 | |
| KR20090117611A (ko) | 광조사장치, 결정화장치, 결정화방법, 및 디바이스 | |
| JP2005123262A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 |