JP2006100662A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006100662A5 JP2006100662A5 JP2004286325A JP2004286325A JP2006100662A5 JP 2006100662 A5 JP2006100662 A5 JP 2006100662A5 JP 2004286325 A JP2004286325 A JP 2004286325A JP 2004286325 A JP2004286325 A JP 2004286325A JP 2006100662 A5 JP2006100662 A5 JP 2006100662A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor device
- manufacturing
- semiconductor
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004286325A JP4715149B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004286325A JP4715149B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006100662A JP2006100662A (ja) | 2006-04-13 |
| JP2006100662A5 true JP2006100662A5 (enExample) | 2007-11-15 |
| JP4715149B2 JP4715149B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=36240159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004286325A Expired - Lifetime JP4715149B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4715149B2 (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI424499B (zh) | 2006-06-30 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 製造半導體裝置的方法 |
| US7678701B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-16 | Eastman Kodak Company | Flexible substrate with electronic devices formed thereon |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936376A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JPH1012882A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JP4566503B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004286325A patent/JP4715149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101132404B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP2000228361A5 (enExample) | ||
| JP2003197521A5 (enExample) | ||
| JP2004119919A (ja) | 半導体薄膜および半導体薄膜の製造方法 | |
| JP5000609B2 (ja) | 結晶化方法 | |
| JP2003163221A5 (enExample) | ||
| KR100573225B1 (ko) | 비정질 실리콘층의 결정화 방법 | |
| JP2004349699A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及びこれを利用したスイッチング素子 | |
| JP2006100661A5 (enExample) | ||
| JP2005142567A (ja) | ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2000003875A5 (enExample) | ||
| JP4203141B2 (ja) | 非晶質シリコン層の結晶化方法及びこれを使用する薄膜トランジスターの製造方法 | |
| JP2006100662A5 (enExample) | ||
| JP2008227077A (ja) | レーザ光のマスク構造、レーザ加工方法、tft素子およびレーザ加工装置 | |
| JP2006100810A5 (enExample) | ||
| US20110175099A1 (en) | Lithographic method of making uniform crystalline si films | |
| JP2003163165A5 (enExample) | ||
| KR102034136B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 | |
| JP4564486B2 (ja) | シリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法 | |
| JP2008218690A (ja) | 半導体装置の製造方法及びテンプレート | |
| JP4730514B2 (ja) | レーザ処理方法およびレーザ照射装置 | |
| JP2005123262A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2008311494A (ja) | 結晶性半導体膜の製造方法、及び、レーザー装置 | |
| JP2005123475A (ja) | 半導体薄膜とその製造方法およびその薄膜を用いた薄膜トランジスタ | |
| JP2005285826A (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法並びに結晶化装置、薄膜トランジスタ、およびこの薄膜トランジスタを使用した表示装置 |