JP2006099059A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含有する微細パターン形成材料とアミン化合物含有現像液を用いて、架橋膜膜厚を抑えた、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法。アミン化合物含有現像液は、ポリアリルアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン等の第1級アミン化合物、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン等の第2級アミン化合物、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン等の第3級アミン化合物、水酸化テトラメチルアミン等の第4級アミン化合物が好ましい。
【選択図】 図1
Description
0.1≦x+y≦5
の関係を満たすことが好ましく、
0.2≦x+y≦2.5
の関係を満たすことが特に好ましい。
(微細パターン形成材料の調製、及びパターン形成評価)
ポリビニルアセタール(アセチル化度:12mo1%、アセタール化度:30mo1%)100重量部と尿素誘導体(メトキシメチルイミダゾリジノン)の水溶性架橋剤20重量部とメトキシカルボニル化ポリアリルアミン(PAA−U50:商品名)(日東紡製)4重量部と界面活性剤であるアセチレノールEL(川研ケミカル社製)0.5重量部とを、純水と水溶性有機溶媒であるイソプロピルアルコールとの混合溶媒(純水95重量部に対して、イソプロピルアルコール5重量部)1470重量部に溶かし、微細パターン形成材料組成物(組成物A)を調製した。次いで以下の「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」に付した。
AZKrF−17B80(クラリアント社製、「AZ」は登録商標(以下同じ))を6インチのベア(Bare)なシリコンウエハ上にスピン塗布し、180℃で60秒問ダイレクトホットプレートによりベークし、0.080μm厚の反射防止膜を形成した。さらにAZDX5240P(クラリアント社製)をスピン塗布し、90℃で60秒間ダイレクトホットプレートによりベークして、0.585μm厚のレジスト膜を形成させた。このレジスト膜を248.4nmKrFエキシマレーザー光により、ハーフトーンマスクを介して選択的に露光し、120℃で60秒間ダイレクトホットプレートにてポストエクスポージャーベーク(PEB)した後、現像液としてAZ300MIF(クラリアント社製;2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い、60秒間パドル現像することにより、シリコンウエハ上に直径0.220μmサイズのホールパターンを形成させた。このホールパターン上に、組成物Aを回転塗布し、85℃で70秒間ダイレクトホットプレートにてベークして、0.350μmの膜を形成した。次いで、レジスト層と組成物Aとの界面での架橋反応を促進させるため、115℃で70秒間ダイレクトホットプレートにて加熱(ミキシングベーク)を行った後、純水で60秒間流水現像することにより、架橋膜の形成を行った。CD−SEM(日立ハイテクノロジーズ社製S9220)を使用し、架橋膜形成後のホールパターンの直径を測長し、初期ホール径との差を架橋膜の膜厚とした。得られた結果は表1に示す通りであった。
AZKrF−17B80(クラリアント社製)を8インチのベアなシリコンウエハ上にスピン塗布し、180℃で60秒間ダイレクトホットプレートによりベークし、0.080μm厚の反射防止膜を形成させた。さらにAZDX5240P(クラリアント社製)をスピン塗布し、90℃で60秒間ダイレクトホットプレートによりベークして、0.585μm厚のレジスト膜を形成させた。このレジスト膜を248.4nmKrFエキシマレーザー光により、バイナリーマスクを介して選択的に露光し、120℃で60秒問ダイレクトホットプレートにてポストエクスポージャーベーク(PEB)した後、現像液としてAZ300MIF(クラリアント社製;2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い、60秒間パドル現像することにより、シリコンウエハ上に直径0.250μmサイズのホールパターンを形成させた。このホールパターン上に、組成物Aを回転塗布し、85℃で70秒間ダイレクトホットプレートにてベークして、0.350μmの膜を形成した。次いで、レジスト層と組成物Aとの界面での架橋反応を促進させるため、115℃で70秒間ダイレクトホットプレートにて加熱(ミキシングベーク)を行った後、純水で60秒間流水現像することにより、架橋膜の形成を行った。表面欠陥検査計(KLAテンコール社製、KLA−2115)を使用し、現像後の欠陥検査測定を行った。現像後の欠陥数の評価は、現像後のホールパターンにブリッジなどが形成され、ホールパターンがきれいに抜けて現像されていない場合を現像後の欠陥とし、ウエハ上の全欠陥数を、現像後の欠陥数とした。得られた結果は表1に示す通りであった。
(水溶性架橋剤量を減らした微細パターン形成材料の調製、及びパターン形成評価)
ポリビニルアセタール(アセチル化度:12mo1%、アセタール化度:30mol%)100重量部と尿素誘導体(メトキシメチルイミダゾリジノン)の水溶性架橋剤10重量部とメトキシカルボニル化ポリアリルアミン(日東紡製)4重量部と界面活性剤であるアセチレノールEL(川研ケミカル社製)0.5重量部とを、純水と水溶性有機溶媒であるイソプロピルアルコールとの混合溶媒(純水95重量部に対して、イソプロピルアルコール5重量部)1470重量部に溶かし、微細パターン形成材料(組成物B)を調製した。比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
(架橋反応温度を低くしたパターン形成評価)
組成物Aを用い、架橋反応工程時(ミキシングベイク)の温度を115℃ではなく90℃にすることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
ポリビニルアセタール(アセチル化度:12mo1%、アセタール化度:30mol%)100重量部と尿素誘導体(メトキシメチルイミダゾリジノン)の水溶性架橋剤20重量部と界面活性剤であるアセチレノールEL(川研ケミカル社製)0.5重量部とを、純水と水溶性有機溶媒であるイソプロピルアルコールとの混合溶媒(純水95重量部に対して、イソプロピルアルコール5重量部)1470重量部に溶かし、微細パターン形成材料(組成物C)を調製した。そして、組成物Cを用い、現像時に使用する溶液が純水に変えて0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて0.05%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて0.25%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて1.0%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて1.5%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて0.5%ポリアリルアミン水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
組成物Aを用い、現像時に使用する溶液が純水に替えて0.5%ジエチルアミン水溶液であることを除き、比較例1と同様にして、「架橋膜膜厚の検査」および「現像後の欠陥検査」を行った。得られた結果は表1に示す通りであった。
2 フォトレジスト層
3 レジストパターン
4 微細パターン形成材料による被覆層
5 現像液不溶性の架橋膜
Claims (7)
- 加熱により酸を供給することができる物質を含むレジストパターン上に微細パターン形成材料組成物を塗布して被覆層を形成させ、加熱によりレジストパターンから酸を拡散させ、前記被覆層の前記レジストパターンに接する部分において架橋反応を起こさせて前記被覆層に架橋膜を形成させ、前記被覆層の未架橋部分を現像液を用いて除去することにより現像する微細パターン形成方法において、前記微細パターン形成材料組成物が水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含んでなり、前記被覆層の未架橋部分の除去をアミン化合物を含有する現像液を用いて行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
- 前記微細パターン形成材料組成物が、アミン化合物をさらに含んでなる、請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記微細パターン形成材料組成物が、界面活性剤をさらに含んでなる、請求項1または2に記載の微細パターン形成方法。
- 前記現像液が、第1級アミン化合物、第2級アミン化合物、第3級アミン化合物、第4級アミン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含んでなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。
- 前記現像液中のアミン化合物濃度が0.1〜2.0%である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。
- 前記現像を15〜30℃で行う、請求項1〜5に記載の微細パターン形成方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の微細パターン形成方法により形成されたことを特徴とするパターン。
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