JP2006093484A - コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラスおよびフィラーを含有するガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体11a、11bの間に、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層12a〜12c及びその上下に積層された金属粉末の焼結体から成る金属層13a〜13dから成るコンデンサ部が形成されており、誘電体層12a〜12cは、チタン酸バリウムを主成分とする平均粒径が0.3μm以下のペロブスカイト化合物粉末と軟化温度が400℃乃至600℃のガラス粉末との焼結体から成り、焼結体におけるペロブスカイト化合物の体積比率が90体積%以上であり、絶縁基体11a、11bと誘電体層12a,12cとの間に形成された金属層13a,13dは、AgまたはCuを95体積%以上含む。
【選択図】 図2
Description
上田達也,「低温焼成多層基板、内蔵コンデンサ用高誘電率材料とその応用」ファインセラミックスレポート(Fine Ceramics Report),社団法人日本ファインセラミックス協会,1996年,第14巻,第8号,p.220〜222 亀原伸男、丹羽紘一,「CR複合基板」,ニューセラミックス,1995年,第1号,p.39〜44
絶縁基体11や誘電体層12,12cにクラック等の欠陥が発生することを防ぐことができる。
2・・・絶縁基体
3・・・誘電体層
4・・・金属層
5・・・貫通導体
6・・・配線層
10・・・コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板
12a〜12c・・・誘電体層
13a〜13d・・・電極層
14・・・配線層
15・・・貫通導体
Claims (5)
- ガラスおよびフィラーを含有するガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体の内部に、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層およびその上下に積層された金属粉末の焼結体から成る金属層から成るコンデンサ部が形成されているコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板であって、前記誘電体層は、チタン酸バリウムを主成分とする平均粒径が0.3μm以下のペロブスカイト化合物粉末と軟化温度が400℃乃至600℃のガラス粉末との焼結体から成るとともに、該焼結体における前記ペロブスカイト化合物の体積比率が90体積%以上であり、前記絶縁基体と前記誘電体層との間に形成された前記金属層は、AgまたはCuを95体積%以上含むことを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記絶縁基体と前記誘電体層との間に形成された前記金属層は、厚みが10μm以上であることを特徴とする請求項1記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記絶縁基体と前記誘電体層との間に形成された前記金属層は、平均粒径が2μm乃至5μmである、Ag粉末またはCu粉末の焼結体から成ることを特徴とする請求項1または請求項2記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記コンデンサ部は、前記コンデンサ部の上下面のそれぞれに誘電体拡散防止層およびメタライズ拡散防止層が順次積層されて形成されており、前記メタライズ拡散防止層は平均粒径が2μm乃至5μmである、Ag粉末またはCu粉末の焼結体から成ることを特徴とした請求項1記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
- 前記誘電体層は、チタン酸バリウムを主成分とし、B2O3,SiO2,CaO,BaOおよびZnOを含むガラスとCuOとを含有しており、前記ガラスおよびCuOは、それぞれチタン酸バリウム100質量部に対する含有量が2乃至10質量部であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
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