JP2006080555A - 集積回路キャリヤを製造する方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複雑な熱応力の発生を防ぐことのできる集積回路キャリヤを提供する。
【解決手段】集積回路キャリヤを製造する方法は、基板を提供することを含む。集積回路14を搭載するための少なくとも1つの受容ゾーン12は、基板の上で境界が定められる。複数のアイランド16画定部分は、受容ゾーンの各々を中心として配置されている。剛性低減機構40が、基板から材料を除去することによって近傍のアイランド画定部分との間に作成される。
【選択図】図8

Description

本発明は、集積回路パッケージに関する。更に詳細には、本発明は、集積回路パッケージのための集積回路キャリヤを製造する方法に関する。
集積回路の絶えず増大する接続(ピンカウント)の数により、プリント回路基板に集積回路を接続するボール・グリッド・アレイ・パッケージの使用が増加している。これは、プリント回路基板(PCB)へのアタッチメントに対する、非常に大きなピッチのボール・グリッド・アレイに、かなり細かいピッチの、集積回路のフリップ・チップ・バンプ・アレイの再分布を容易にする。
キャリヤは、介在物(interposer)としてしばしば呼ばれ、ビスメールイミド・トリアジン(bismaleimide triazine)(BT)等のプラスチック材料又はセラミック等の異なる材料から製造することができる。
キャリヤも、熱伝導によって集積回路から熱エネルギーを除去することによってヒートシンクとして機能する。従って、キャリヤは熱のひずみにさらされる。
更に、集積回路、キャリヤ及びPCBを含む電子パッケージ組立体は、異なる機械的性質を有する多くの異なる材料を備えている。複雑な熱応力が、非均一な温度分布、幾何学的形状、材料構成と熱膨張ミスマッチによって、動作中のパッケージの中で起こる可能性がある。
一般的に、今日集積回路は、金又ははんだバンプのボール・グリッド・アレイによって、キャリヤに電気的に接続される。同じように、キャリヤははんだボールの更なる、より大きなボール・グリッド・アレイによって、PCBに電気的に接続される。熱機械ストレスは、PCBとキャリヤとの間のはんだボール接合点で一般的に最も厳しい。これは、はんだボール接続のせん断で終わる可能性がある。PCBとキャリヤとの間の熱ひずみの差の増加によるキャリヤのエッジ長さの増加によって問題が増幅される。キャリヤのエッジ長さでの増加は、集積回路接続とはんだボールの数の増加と一般的に関連する。
電流ボール・グリッド・アレイ設計は、現在、代表的な集積回路ピンカウントに対する信頼性の限界にある。
一般的に、はんだボールは、約0.08%のピーク弾性せん断ひずみ値を備えている。500ミクロンの厚さの固体シリコンキャリヤ、1ミリメートルのピッチの500ミクロン直径はんだボール、700ミクロンの厚さのPCB及び側面の16ミリメートルのシリコンチップを使用して、出願人によってなされた計算の実験は、はんだボールの可塑性の生産値よりはるかに高い、パッケージの最外部のボールにおける1.476%のピークのせん断ひずみ値を示した。
パッケージの最外部のエッジのボールが平行せん断の最大量を経験するとき、この結果が予想されることになっている。
半導体のためのインターナショナル・テクノロジー・ロードマップのアセンブリとパッケージング・セクションの刊行物の1999年編集(本明細書を提出する時点で市販されている最近の版)の217ページの表59aに示されるように、高性能集積回路のピンカウントは1800オーダのピンを備える。近い期間、すなわち2005年までの技術の要求は、高性能な集積回路に対して、3,000を超えるピンカウントが必要とされることを示すが、表が示すようにそれに対して現在までに知られた解法は存在しない。同じように、刊行物の表59bの219ページで、より長い期間の約2014年まで、9,000オーダの高性能な集積回路パッケージに対するピンカウントが必要とされる。再び、表で示すように、この種のパッケージに対する知られた解法はない。
これらの見地が本発明の焦点である。
本発明によると、
基板を提供するステップと、
基板上の集積回路のための少なくとも1つの受容ゾーンと、前記少なくとも1つの受容ゾーンを中心として配置される複数のアイランド画定部分の境界を定めるステップと、
基板から材料を除去することによって近傍のアイランド画定部分との間に剛性低減機構を作成するステップと、を含む集積回路キャリヤを製造する方法が提供される。
本方法は、前記少なくとも1つの受容ゾーンで電気的コンタクトを形成し、各々のアイランド画定部分で、電気的な端子を形成することを含み、各々の電気的な端子が、電気的コンタクトのうちの1つまで回路層のトラックを介して電気的に接続されている。
したがって、本方法は、基板上に金属層を堆積させることによって基板の表面上に回路層を形成することを含むだろう。次に、本方法はトラックを形成するために金属層にエッチングすることを含むだろう。
本方法は、基板の表面に加えられるマスクによって、前記少なくとも1つの受容ゾーンとアイランド画定部分の境界を定めることを含むだろう。
本方法は、次に基板の材料を除去し、マスクを載せて基板を露光した後、基板を通してエッチングすることによって剛性低減機構を作成することを含むだろう。
好ましくは、本方法は、キャリヤのヒートシンク能力を改良するためにリエントラント・エッチによって剛性低減機構を形成することを含む。
本方法は、前記少なくとも1つの受容ゾーンと前記少なくとも1つの受容ゾーンに接しているそれらのアイランド画定部分の各々との間に二次的剛性低減機構を作成することを含むだろう。再度、本方法は基板を通したエッチングによって二次的剛性低減機構を作成することを含むだろう。
本方法は、絶縁層を備えている無ドープ・シリコンウェーハから基板を形成することを含むだろう。絶縁層は、エッチのための硬いマスクとして使用されるだろう。
本方法は、基板に凹部を形成することによって前記少なくとも1つの受容ゾーンの境界を定めることを含むだろう。凹部は、基板にエッチングすることによって境界を定められるだろう。
その代わりに、本方法は基板を通して通路を形成することによって前記少なくとも1つの受容ゾーンの境界を定めることを含むだろう。通路を囲む基板の領域は電気的コンタクトを支えている。再度、通路は基板をエッチングすることによって形成されるだろう。
本発明を、添付図面と関連して、一例として説明する。
図面を参照し、本発明に従う集積回路キャリヤを、参照符号10によって全体的に示す。集積回路キャリヤを、図2で更に詳細に示す。
集積回路キャリヤ10は、チップ14(図7)又は集積回路を受容するための、受容ゾーン12を備えている。
複数のアイランド画定部分又はアイランド16は、受容ゾーン12を囲んでいる。各々のアイランド16は、上にはんだボール20が取り付けられ、又はリフローされる電気的な端子18を有する。
各々のアイランド16は、曲折部材22の形の剛性を低減する構成によって、その近傍のアイランド又はアイランド16に接続される。これは、図1で概念的に更に詳細に示される。図1で示すように、各々の曲折部材22は、ばねのような機能として役立ち、各々のアイランド16は近傍のアイランド16に関して運動の自由度を備える。従って、プリント回路基板24(図7〜9)とキャリヤ10との間の膨張の差は、関連した曲折部材22の伸張又は収縮によって補正される。その結果、アイランド16上ではんだボール20に与えられるせん断ひずみはかなり低減され、はんだボール20の疲労破壊はそれに対応して低減される。
キャリヤ10の種々の実施形態を、図3〜6に関して説明する。図3でキャリヤ10は単一の、カーブしたアーム26を備える曲折部材22によって、その近傍のアイランド16に接続される各々のアイランド16を備えている。
図4で示す発明の実施形態で、各々の曲折部材22は、直角のブリッジング部分30により相互接続する一対の並列のアーム28によって、その近傍のアイランド16に1つのアイランド16を接続する。
図5で示す実施形態の各々の曲折部材22は、互いに平行に延びた3つのアーム34を備えた構成によって、その近傍のアイランド16に1つのアイランド16を接続する。隣接アーム34は、直角のブリッジング部分32によって一体に接続されている。
図6で示す実施形態で、1つのアイランド16をその近傍のアイランド16に接続する各々の曲折部材22は、直角のブリッジング部分38によって接続された隣接アーム36を有する5つの並列したアーム36を備えている。
説明の容易さのために、図3〜図6に示す実施形態は、以下で、各々、1つのアーム26曲折部材22、2つのアーム28曲折部材22、3つのアーム34曲折部材22及び5つのアーム36の曲折部材22として述べる。
図7〜9において、より明らかに示すように、受容ゾーン12を囲むアイランド16は、ジクザグの素子40の形の剛性低減構成によって、受容ゾーンに接続され、はんだボール20に与えられるひずみを低減することを更に補助する。
また、図7〜9に示すように、集積回路14は、はんだバンプ44によって受容ゾーン12で電気的なコンタクト42(図2)に、電気的に接続される。
キャリヤ10は、集積回路14と同じ材料から形成される。従って、キャリヤ10は二酸化けい素の絶縁層を備えるシリコンで形成される。絶縁層も、更に詳細に下で説明するように、曲折部材22にエッチングするための硬いマスクとして役立つ。
集積回路キャリヤ10の製造で、シリコンウェーハ46が提供される。ウェーハ46は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンであることができる。
図10に示すキャリヤ10の変形では、図7で示すように、受容ゾーン12が、パッド18と、キャリヤ10の同じ側にあることに注意をされたい。図8で示すように、受容ゾーン12がキャリヤ10の反対の表面の上にある所で、回路層がウェーハ46の両側に加えられる。これは、図9でより少ないスケールの上で示される。本実施形態において、各々の軌道52は、ウェーハ46を通して延びるめっきした貫通穴58によって、その関連したパッド18に電気的に接続される。
次に図11と図12を参照して、キャリヤ10の2つの更なる実施形態を説明する。前の図面に関して、特に明記しない限り、同じような参照符号は同じような部分である。
図示する例では、キャリヤ10の表面上で境界を定められる代わりに、受容ゾーン12は、キャリヤ10を通して定められる通路60である。キャリヤ10の1つの表面に結合される金属のふた62の形で、集積回路14はマウンティング手段又は保持手段に取り付けられる。集積回路14の反対の表面は、キャリヤ10に集積回路を電気的に接続するためのボンド・パッドを備えている。いうまでもなく、この実施形態で、電気的なコンタクトは、通路60を囲むキャリヤ10の部分に配置される。図11で示される実施形態で、相互接続はワイヤ・ボンド64である。ボール又はウェッジボンドの何れも使用されることができる。図12で示される実施形態で、相互接続は、ビーム・リード等のテープ・オートメーテッド・ボンド(TAB)フィルム66又は他のプレーナ接続である。
図13を参照し、集積回路キャリヤの展開図を、参照符号70によって全般的に示す。前の図面に関連し、特に明記しない限り、同じような参照符号は同じような部分を示す。
本発明のこの実施形態で、キャリヤ70は、図13の72、74と76で示されるような、複数の集積回路又はチップを指示しているチップ・モジュール基板70である。チップ72、74と76は、図10と11に関して上で説明したように、キャリヤ70の表面で支えられるか、図14で示されるようにキャリヤ70で奥まった所に置かれる。
上で示すように、曲折部材22は、1つのアーム26の構造、2つのアーム28の構造、3つのアーム34の構造又は5つのアーム36の構造等の異なる構造を備えているだろう。4つのアーム又は6つ以上のアーム構造等の他の構造も、有限要素解析を使用して可能であり、異なる形の曲折部材22を備えた異なるキャリヤ実現、及び異なるボール・アレイを有する結果マトリックスが発生される。下で設定されるマトリックスは、1〜24のボールのロー、固体のシリコンのキャリヤ、固体のAl、固体のBT、1つのアーム26の曲折部材22、2つのアーム28の曲折部材22、3つのアーム34の曲折部材22、5つのアーム36の曲折部材、備えたボール・グリッド・アレイに対する結果を含む。
Figure 2006080555
上で示すように、はんだに対する弾性ひずみ限界はおよそ0.08%である。受容ゾーン12のエッジからキャリヤ10のエッジまでと、はんだボールのローは定められる。
その結果、PCB24とキャリヤ10との間の熱機械ひずみの蓄積効果によって、固体のキャリヤに対するピークのはんだボールひずみ値が特定の点まで増加するはんだボール20によって増加されることを示す。はんだボールひずみは、100個のボールの実施(おそらく固体のシリコンキャリヤのたわみ形での変化による)のために実際に下がる。キャリヤとPCBとの間の差膨張が最小にされて低減するものの、ピークひずみは最外部のボールにおいてまだ発生する。また、BTキャリヤとは別に、固体のキャリヤのピークのひずみ値は、まだはんだのための弾性ひずみ限界をはるかに上回る。
曲折部材22の実現は、はんだボールの増加によるピークはんだボールひずみの減少を示す。これは、熱のひずみミスマッチが、多くのはんだボール20の上に分配されるという事実によるものであり、厳しい勾配が少ない曲がった形という結果になる。ロー内により少しのボールを有する、より少ないボール・グリッド・アレイは、最も奥の部分又は最も外部のはんだボール20の上で集中荷重を引き起こすより厳しいたわみ勾配を示す。
従って、増加するはんだボール20によるピークひずみの減少により、集積回路ピン接続の量に熱機械限界がないことは、本発明の特別な利点である。受容ゾーン12の全てのサイドの100のボールのラインは、40,000ボール以上のボール・グリッドに匹敵し、2014×9,000ボールの期待された要件を良好に上回る。有限要素計算は、ピークはんだボールひずみが、8つ以上のボールのローを有する、3つ以上のアーム曲折部材を有するキャリヤに対するはんだの弾性限界より少ないことを示す。受容ゾーンがシリコンであるので、従って、シリコン集積回路と同じ熱膨張率を備え、集積回路14からキャリヤ10へのバンプ接続に対するひずみは最小にされる。これは、本明細書で説明したエッチングされた対応領域を有するシリコンBGAが、ボール・グリッド・アレイを使用して、チップとPCBとの間に作成可能な接続の数を現在制限している熱サイクリングからの不良の問題に対して、一定の解法を提供することができることを示す。また、先に述べたように、曲折部材22の準備によって、更に、キャリヤ10のヒートシンク能力が高められるように、リエントラント・エッチ50によって高めるより大きな表面領域が提供される。これも、アレイを構成することができるはんだボール20の数が増加することを援助する。
特定の実施形態で示したように、広く説明された本発明の精神と範囲から離れることなく多数の変化及び/又は修正が本発明になされうることは、当該技術に熟練する人によって認識される。故に、本実施形態は、あらゆる点において、解説的なものであって限定的なものでないとみなされる。
概念上の集積回路キャリヤの部分の概略平面図を示す。 本発明に従った、集積回路キャリヤの部分の平面図を示す。 集積回路キャリヤの一実施形態の部分の斜視断面図を示す。 集積回路キャリヤの第2の実施形態の部分の斜視断面図を示す。 集積回路キャリヤの第3の実施形態の部分の斜視断面図を示す。 集積回路キャリヤの第4の実施形態の部分の斜視断面図を示す。 使用中の集積回路キャリヤの一実施形態の側断面図を示す。 使用中の集積回路キャリヤの他の実施形態の側断面図を示す。 図8の丸で囲んだ部分「A」の拡大図である。 更に拡大した集積回路キャリヤの部分の側断面である。 集積回路キャリヤの更なる実施形態の側面図を示す。 集積回路キャリヤの更なる実施形態の側断面図を示す。 集積回路キャリヤに基づくマルチチップ・モジュールを示す。 集積回路キャリヤに基づくマルチチップ・モジュールの側断面図を示す。

Claims (11)

  1. 基板を提供するステップと、
    基板上の集積回路のための少なくとも1つの受容ゾーンと、前記少なくとも1つの受容ゾーンを中心として配置される複数のアイランド画定部分の境界を定めるステップと、
    基板から材料を除去することによって近傍のアイランド画定部分との間に剛性低減機構を作成するステップと、
    を含む集積回路キャリヤを製造する方法。
  2. 前記少なくとも1つの受容ゾーンで電気的コンタクトを形成し、各々のアイランド画定部分で、電気的な端子を形成することを含み、各々の電気的な端子が、電気的コンタクトのうちの1つまで回路層のトラックを介して電気的に接続されている請求項1に記載の方法。
  3. 基板上に金属層を堆積させることによって基板の表面上に回路層を形成することを含む請求項2に記載の方法。
  4. 基板の表面に加えられるマスクによって、前記少なくとも1つの受容ゾーンとアイランド画定部分の境界を定めることを含む請求項1に記載の方法。
  5. マスクを載せて基板を露光した後、基板を通してエッチングすることによって、剛性低減機構を作成するために基板の材料を除去することを含む請求項4に記載の方法。
  6. 基板を通してエッチングすることによって二次的剛性低減機構を作成することを含む請求項1に記載の方法。
  7. 絶縁層を備えた無ドープ・シリコンのウェーハから基板を形成することを含む請求項1に記載の方法。
  8. 基板に凹部を形成することによって前記少なくとも1つの受容ゾーンの境界を定めることを含む請求項1に記載の方法。
  9. 基板にエッチングすることによって凹部を形成することを含む請求項8に記載の方法。
  10. 基板を通して通路を形成することによって前記少なくとも1つの受容ゾーンの境界を定めることを含み、通路を囲む基板の領域が電気的コンタクトを支えている請求項2に記載の方法。
  11. 基板をエッチングすることによって通路を形成することを含む請求項10に記載の方法。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6775906B1 (en) * 2000-10-20 2004-08-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of manufacturing an integrated circuit carrier
US7221043B1 (en) * 2000-10-20 2007-05-22 Silverbrook Research Pty Ltd Integrated circuit carrier with recesses
US6890185B1 (en) * 2003-11-03 2005-05-10 Kulicke & Soffa Interconnect, Inc. Multipath interconnect with meandering contact cantilevers
JP2007053248A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Tdk Corp フレキシブル基板、実装構造、表示ユニット、及び携帯用電子機器
WO2010042653A1 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
JP5689066B2 (ja) * 2008-11-12 2015-03-25 エムシー10 インコーポレイテッドMc10,Inc. 高度に伸縮可能な電子部品
EP2902294B1 (en) * 2008-11-12 2020-03-04 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
CN101909413A (zh) * 2009-06-03 2010-12-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 金属网孔板、盖板制造方法及电子设备
US8837159B1 (en) 2009-10-28 2014-09-16 Amazon Technologies, Inc. Low-profile circuit board assembly
EP2570006A4 (en) * 2010-05-12 2018-02-28 Monolithe Semiconductor Inc. Extendable network structure
US8531014B2 (en) * 2010-09-27 2013-09-10 Infineon Technologies Ag Method and system for minimizing carrier stress of a semiconductor device
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
USD701864S1 (en) 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
WO2014007871A1 (en) 2012-07-05 2014-01-09 Mc10, Inc. Catheter device including flow sensing
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9082025B2 (en) 2012-10-09 2015-07-14 Mc10, Inc. Conformal electronics integrated with apparel
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
KR20160040670A (ko) 2013-08-05 2016-04-14 엠씨10, 인크 곡면부착형 전자기기를 포함하는 유연한 온도 센서
CA2925387A1 (en) 2013-10-07 2015-04-16 Mc10, Inc. Conformal sensor systems for sensing and analysis
KR102365120B1 (ko) 2013-11-22 2022-02-18 메디데이타 솔루션즈, 인코포레이티드 심장 활동 감지 및 분석용 등각 센서 시스템
CA2935372C (en) 2014-01-06 2023-08-08 Mc10, Inc. Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same
KR20160129007A (ko) 2014-03-04 2016-11-08 엠씨10, 인크 전자 디바이스를 위한 다부분 유연성 봉지 하우징
US9402312B2 (en) * 2014-05-12 2016-07-26 Invensas Corporation Circuit assemblies with multiple interposer substrates, and methods of fabrication
US9899330B2 (en) 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
US10297572B2 (en) 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
USD781270S1 (en) 2014-10-15 2017-03-14 Mc10, Inc. Electronic device having antenna
US10477354B2 (en) 2015-02-20 2019-11-12 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
WO2016140961A1 (en) 2015-03-02 2016-09-09 Mc10, Inc. Perspiration sensor
US9741620B2 (en) 2015-06-24 2017-08-22 Invensas Corporation Structures and methods for reliable packages
US10653332B2 (en) 2015-07-17 2020-05-19 Mc10, Inc. Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers
US10709384B2 (en) 2015-08-19 2020-07-14 Mc10, Inc. Wearable heat flux devices and methods of use
CN112822840A (zh) 2015-08-20 2021-05-18 苹果公司 具有电子部件阵列的基于织物的物品
US10910315B2 (en) 2015-08-20 2021-02-02 Apple Inc. Fabric with embedded electrical components
WO2017059215A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Mc10, Inc. Method and system for interacting with a virtual environment
WO2017062508A1 (en) 2015-10-05 2017-04-13 Mc10, Inc. Method and System for Neuromodulation and Stimulation
CN108781313B (zh) 2016-02-22 2022-04-08 美谛达解决方案公司 用以贴身获取传感器信息的耦接的集线器和传感器节点的系统、装置和方法
EP3420732B8 (en) 2016-02-22 2020-12-30 Medidata Solutions, Inc. System, devices, and method for on-body data and power transmission
CN109310340A (zh) 2016-04-19 2019-02-05 Mc10股份有限公司 用于测量汗液的方法和系统
US10447347B2 (en) 2016-08-12 2019-10-15 Mc10, Inc. Wireless charger and high speed data off-loader
US10799403B2 (en) 2017-12-28 2020-10-13 Stryker Corporation Patient transport apparatus with controlled auxiliary wheel deployment
US10779403B2 (en) 2018-09-20 2020-09-15 Apple Inc. Shorting pattern between pads of a camera module

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01258458A (ja) * 1988-04-08 1989-10-16 Nec Corp ウェーハ集積型集積回路
JPH0685010A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Toshiba Corp マルチチップモジュール
JPH0945809A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置実装用基板
WO1998028793A1 (en) * 1996-12-23 1998-07-02 General Electric Company Interface structures for electronic devices
JPH11135675A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Kawasaki Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH11176870A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO1999059206A2 (en) * 1998-05-13 1999-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device and method for making the device
WO1999065075A1 (fr) * 1998-06-12 1999-12-16 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et procede correspondant
JP2002110850A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723176A (en) * 1969-06-19 1973-03-27 American Lava Corp Alumina palladium composite
US3670409A (en) * 1970-11-19 1972-06-20 Gte Automatic Electric Lab Inc Planar receptacle
US4426773A (en) * 1981-05-15 1984-01-24 General Electric Ceramics, Inc. Array of electronic packaging substrates
JPH0654798B2 (ja) 1985-03-11 1994-07-20 沖電気工業株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
US4802277A (en) * 1985-04-12 1989-02-07 Hughes Aircraft Company Method of making a chip carrier slotted array
JPS6169150A (ja) 1985-09-06 1986-04-09 Nec Corp 半導体集積回路装置
JP2533511B2 (ja) * 1987-01-19 1996-09-11 株式会社日立製作所 電子部品の接続構造とその製造方法
US5086337A (en) * 1987-01-19 1992-02-04 Hitachi, Ltd. Connecting structure of electronic part and electronic device using the structure
JPH01144652A (ja) 1987-11-30 1989-06-06 Nec Corp 集積回路
US4967260A (en) * 1988-05-04 1990-10-30 International Electronic Research Corp. Hermetic microminiature packages
US4989063A (en) * 1988-12-09 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hybrid wafer scale microcircuit integration
US5045921A (en) * 1989-12-26 1991-09-03 Motorola, Inc. Pad array carrier IC device using flexible tape
US5148265A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
EP0482247A1 (en) 1990-10-26 1992-04-29 International Business Machines Corporation Method for producing an integrated circuit structure with a dense multilayer metallization pattern
US5379191A (en) * 1991-02-26 1995-01-03 Microelectronics And Computer Technology Corporation Compact adapter package providing peripheral to area translation for an integrated circuit chip
US5173055A (en) * 1991-08-08 1992-12-22 Amp Incorporated Area array connector
US6568073B1 (en) * 1991-11-29 2003-05-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for the fabrication of wiring board for electrical tests
DE4342767A1 (de) * 1993-12-15 1995-06-22 Ant Nachrichtentech Verfahren zur Herstellung einer quaderförmigen Vertiefung zur Aufnahme eines Bauelementes in einer Trägerplatte
US5632631A (en) * 1994-06-07 1997-05-27 Tessera, Inc. Microelectronic contacts with asperities and methods of making same
US5802699A (en) * 1994-06-07 1998-09-08 Tessera, Inc. Methods of assembling microelectronic assembly with socket for engaging bump leads
US6361959B1 (en) * 1994-07-07 2002-03-26 Tessera, Inc. Microelectronic unit forming methods and materials
US5983492A (en) * 1996-11-27 1999-11-16 Tessera, Inc. Low profile socket for microelectronic components and method for making the same
US5810609A (en) * 1995-08-28 1998-09-22 Tessera, Inc. Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor
DE19534590A1 (de) 1995-09-11 1997-03-13 Laser & Med Tech Gmbh Scanning Ablation von keramischen Werkstoffen, Kunststoffen und biologischen Hydroxylapatitmaterialien, insbesondere Zahnhartsubstanz
DE69630107D1 (de) 1996-04-15 2003-10-30 St Microelectronics Srl Mit einem EEPROM integrierter FLASH-EPROM
JP2000512065A (ja) * 1996-05-24 2000-09-12 テセラ,インコーポレイテッド 超小型電子素子のコネクタ
JP2755252B2 (ja) * 1996-05-30 1998-05-20 日本電気株式会社 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
US6064576A (en) * 1997-01-02 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Interposer having a cantilevered ball connection and being electrically connected to a printed circuit board
US5796050A (en) 1997-02-05 1998-08-18 International Business Machines Corporation Flexible board having adhesive in surface channels
US6114763A (en) * 1997-05-30 2000-09-05 Tessera, Inc. Semiconductor package with translator for connection to an external substrate
US6313402B1 (en) * 1997-10-29 2001-11-06 Packard Hughes Interconnect Company Stress relief bend useful in an integrated circuit redistribution patch
DE19754874A1 (de) * 1997-12-10 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Umformung eines Substrats mit Randkontakten in ein Ball Grid Array, nach diesem Verfahren hergestelltes Ball Grid Array und flexible Verdrahtung zur Umformung eines Substrats mit Randkontakten in ein Ball Grid Array
US5973394A (en) * 1998-01-23 1999-10-26 Kinetrix, Inc. Small contactor for test probes, chip packaging and the like
JPH11284029A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Denso Corp 電子部品の実装構造
JP3575324B2 (ja) 1998-03-31 2004-10-13 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装方法
JP2000012732A (ja) 1998-06-24 2000-01-14 Rohm Co Ltd Bga型半導体装置の構造
US6160715A (en) * 1998-09-08 2000-12-12 Lucent Technologies Inc. Translator for recessed flip-chip package
US6341071B1 (en) 1999-03-19 2002-01-22 International Business Machines Corporation Stress relieved ball grid array package
US6396143B1 (en) * 1999-04-30 2002-05-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Ball grid array type printed wiring board having exellent heat diffusibility and printed wiring board
US6078505A (en) 1999-05-14 2000-06-20 Triquint Semiconductor, Inc. Circuit board assembly method
US6365967B1 (en) * 1999-05-25 2002-04-02 Micron Technology, Inc. Interconnect structure
JP3494593B2 (ja) * 1999-06-29 2004-02-09 シャープ株式会社 半導体装置及び半導体装置用基板
US6524115B1 (en) * 1999-08-20 2003-02-25 3M Innovative Properties Company Compliant interconnect assembly
JP2001094228A (ja) 1999-09-22 2001-04-06 Seiko Epson Corp 半導体装置の実装構造
US6393143B1 (en) * 1999-12-08 2002-05-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for estimating the pose of surface shapes using tripod operators
US6775906B1 (en) * 2000-10-20 2004-08-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of manufacturing an integrated circuit carrier
US6507099B1 (en) * 2000-10-20 2003-01-14 Silverbrook Research Pty Ltd Multi-chip integrated circuit carrier
US6710457B1 (en) * 2000-10-20 2004-03-23 Silverbrook Research Pty Ltd Integrated circuit carrier

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01258458A (ja) * 1988-04-08 1989-10-16 Nec Corp ウェーハ集積型集積回路
JPH0685010A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Toshiba Corp マルチチップモジュール
JPH0945809A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置実装用基板
WO1998028793A1 (en) * 1996-12-23 1998-07-02 General Electric Company Interface structures for electronic devices
JPH11135675A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Kawasaki Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH11176870A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO1999059206A2 (en) * 1998-05-13 1999-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device and method for making the device
WO1999065075A1 (fr) * 1998-06-12 1999-12-16 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et procede correspondant
JP2002110850A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置搭載用配線基板

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