JP2006080450A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】太陽電池ウエハ上にパッシベーション膜として形成されたシリコンナイトライド膜または酸化チタン膜にYAGレーザーを照射して、前記パッシベーション膜を部分的に除去する。この除去された箇所を介して前記P+拡散層またはN+拡散層に接触する電極を形成する。YAGレーザーはデフォーカスして、スポット直径を10〜200nmに調整して走査する。
【選択図】図2
Description
まず、前記図6(g)の工程後、受光面にレジスト71をスピンコーターなどで塗布後、100℃程度で硬化ベークを行う。裏面も受光面と同様に、レジスト72を塗布後、硬化ベークを行う(図7(a))。次に、裏面側のレジスト72に、P+拡散層64及びN+拡散層62aと接触させるためのコンタクト孔領域のみパターン露光し、現像してレジスト孔73を形成する(図7(b))。水洗を行った後、ウェットエッチングにより前記レジスト孔73から裏面シリコンナイトライド膜65の剥離を行い、コンタクト孔74を形成する(図7(c))。この場合のウェットエッチングは混酸またはフッ化アンモニウム+フッ酸で行う。最後に、水洗、乾燥、レジスト剥離をすれば、このフォトリソグラフィー工程は終了する。この後は前記の通り、N電極66と、P電極67が形成される。
本発明は上記課題に鑑みて、上記フォトリソグラフィー工程を不要にして、裏面電極型太陽電池の製造時間を短縮し、工程数も削減することによりコストダウンを図るものである。
本発明の太陽電池の製造方法は、前記部分的に除去する箇所が、前記シリコン基板の裏面側に形成されたP+拡散層またはN+拡散層を覆うパッシベーション膜であるとよい。
また本発明の太陽電池の製造方法は、前記パッシベーション膜を部分的に除去した後、この除去された箇所を介して前記P+拡散層またはN+拡散層に接触する電極を形成するとよい。
本発明の太陽電池の製造方法は、前記YAGレーザーの波長が355nmよりも短いことが望ましい。
本発明の太陽電池の製造方法は、前記YAGレーザーはデフォーカスして照射するのが好ましい。
本発明の太陽電池の製造方法は、前記YAGレーザーのスポット直径が10〜200nmであるとよい。
本発明によれば、必要な装置はYAGレーザー装置のみであり、使用部材は無くなり、処理時間も短くなる。また、現像工程、水洗工程、エッチング工程がなくなるので、廃棄物や排水もなくすことが出来、環境与える影響はほとんどない。使用装置、使用部材を削減出来ること、また環境への配慮の必要が無いことから、結果的にコストダウンにもつながる。
シリコン基板21の受光面にテクスチャ25が形成され、その表面に反射防止膜26が形成される。裏面側にP+拡散層23とN+拡散層24が形成され、このP+拡散層23とN+拡散層24に、裏面パッシベーション膜26のコンタクト孔を介して接触するようにP+電極27とN+電極28が形成される。
最初に、厚さ270〜500μmのP型単結晶シリコンウエハ21をアルカリエッチングで200〜240μmに薄型化する(図2(a))。その後、両面に100〜500nmの酸化膜22を形成する(図2(b))。次に裏面側をフォトリソグラフィー工程により、裏面にP+拡散する領域のみ露光してフッ化アンモニウム+フッ酸でウェットエッチングし、酸化膜22を部分的に剥離する(図2(c))。次にBBr3気相拡散を行いP+拡散層23を形成する(図2(d))。その際、酸化膜22は拡散マスクの役割を果たし、酸化膜22がある部分には拡散されない。
次に受光面にテクスチャー構造25を形成するため、裏面全面に再び酸化膜22bを保護膜として形成し、受光面側をテクスチャーエッチングする(図2(g))。テクスチャーエッチングはKOHを溶かした溶液を80℃程度に加熱し、シリコンウエハを40分程度浸して処理を行う。またはヒドラジン水溶液や、5重量パーセント水酸化ナトリウム水溶液などのエッチング液を用いて異方性エッチングをしてランダムテクスチャを形成してもよい。
以上の工程により、裏面電極型太陽電池の製造工程において、裏面に電極を形成する前段階として裏面パッシベーション膜を除去する工程は、フォトリソグラフィー工程を必要とせず、除去したい部分にレーザー照射することによって行うことが可能となる。
22 酸化膜
23 P+拡散層
24 N+拡散層
25 テクスチャ
26 反射防止膜
27 裏面パッシベーション膜
28 P+電極
29 N+電極
Claims (6)
- シリコン基板上にパッシベーション膜として形成されたシリコンナイトライド膜または酸化チタン膜にYAGレーザーを照射して、前記パッシベーション膜を部分的に除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 前記部分的に除去する箇所は、前記シリコン基板の裏面側に形成されたP+拡散層またはN+拡散層を覆うパッシベーション膜であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記パッシベーション膜を部分的に除去した後、この除去された箇所を介して前記P+拡散層またはN+拡散層に接触する電極を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記YAGレーザーの波長は355nmよりも短いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記YAGレーザーはデフォーカスして照射することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記YAGレーザーのスポット直径は10〜200nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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