JP2014060430A - 直接パターンによるピンホールフリーのマスク層を利用した太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘電体層が上に設けられた基板を準備する。次に、誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する。次に、パターニングされたピンホールフリーのマスク層をマスクとして利用して誘電体層をエッチングして、パターニングされた誘電体層を形成して、基板の一部を露呈させる。次に、パターニングされたピンホールフリーのマスク層を除去して、パターニングされた誘電体積層体を露呈させて、パターニングされた誘電体積層体内に複数の金属コンタクトを形成する。
【選択図】図1
Description
Claims (23)
- 太陽電池の製造方法であって、
誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程と、
前記誘電体層の上にピンホールフリーのマスク層を形成する工程と、
パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成するべく、マスクを利用せずに前記誘電体層で前記基板を保護しながら、前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程と
を備える製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
波長を有するレーザによるレーザアブレーション法を利用する工程を含む請求項1に記載の製造方法。 - 前記レーザアブレーション法を利用する工程は、
前記ピンホールフリーのマスク層が前記誘電体層よりも速いアブレーションレートを有するように前記レーザの前記波長を選択する工程を含む請求項2に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
ウェットエッチング溶液によるスポットエッチング法を利用する工程を含む請求項1に記載の製造方法。 - 前記スポットエッチング法を利用する工程は、
前記ピンホールフリーのマスク層が前記誘電体層よりも速いエッチングレートを有するように前記ウェットエッチング溶液を選択する工程を含む請求項4に記載の製造方法。 - 前記ウェットエッチング溶液を選択する工程は、
水酸化カリウム水溶液を利用する工程を含む請求項5に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
化学気相成長法を利用する工程を含む請求項1に記載の製造方法。 - 前記化学気相成長法を利用する工程は、
アモルファスシリコン、アモルファスカーボン、およびポリイミドからなる群から選択された材料を堆積させる工程を含む請求項7に記載の製造方法。 - 前記誘電体層が上に設けられた基板を準備する工程は、
二酸化シリコン層が上に設けられた結晶シリコン基板を準備する工程を含み、
前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
前記二酸化シリコン層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む請求項1に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
前記誘電体層全体を保存する工程を含む請求項1に記載の製造方法。 - 太陽電池の製造方法であって、
誘電体積層体が上に設けられた基板を準備する工程と、
前記誘電体積層体の上にピンホールフリーのマスク層を形成する工程と、
パターニングされたピンホールフリーのマスク層を形成するべく、マスクを利用せずに前記誘電体積層体で前記基板を保護しながら、前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程と、
パターニングされた誘電体積層体を形成して前記基板の一部を露呈させるべく、前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層をマスクとして利用して前記誘電体積層体をエッチングする工程と、
前記パターニングされた誘電体積層体を露呈させるべく前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層を除去する工程と、
前記パターニングされた誘電体積層体内に複数の金属コンタクトを形成する工程と
を備える製造方法。 - 前記誘電体積層体をエッチングする工程は、
全体的な緩衝酸化物エッチング溶液を利用する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層を除去する工程は、
水酸化カリウム水溶液を利用する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
波長を有するレーザによるレーザアブレーション法を利用する工程を含み、
前記レーザアブレーション法を利用する工程は、
前記ピンホールフリーのマスク層が前記誘電体積層体よりも速いアブレーションレートを有するように前記レーザの前記波長を選択する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
ウェットエッチング溶液によるスポットエッチング法を利用する工程を含み、
前記スポットエッチング法を利用する工程は、
前記ピンホールフリーのマスク層が前記誘電体積層体よりも速いエッチングレートを有するように前記ウェットエッチング溶液を選択する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記ウェットエッチング溶液を選択する工程は、
水酸化カリウム水溶液を利用する工程を含む請求項15に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
化学気相成長法を利用する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記化学気相成長法を利用する工程は、
アモルファスシリコン、アモルファスカーボン、およびポリイミドからなる群から選択された材料を堆積させる工程を含む請求項17に記載の製造方法。 - 前記誘電体積層体が上に設けられた基板を準備する工程は、
二酸化シリコン層が結晶シリコン基板の上に設けられ、窒化シリコン層が前記二酸化シリコン層の上に設けられた前記結晶シリコン基板を準備する工程を含み、
前記ピンホールフリーのマスク層を形成する工程は、
前記窒化シリコン層の上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - 前記ピンホールフリーのマスク層をパターニングする工程は、
前記誘電体積層体全体を保存する工程を含む請求項11に記載の製造方法。 - パターニングされた誘電体層が上に設けられた基板と、
前記パターニングされた誘電体層の上に設けられた、パターニングされたピンホールフリーのマスク層と
を備え、
前記パターニングされた誘電体層および前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層は、略同じパターンを有する太陽電池。 - 前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層は、アモルファスシリコン、アモルファスカーボン、およびポリイミドからなる群から選択された材料を含む請求項21に記載の太陽電池。
- 前記基板は結晶シリコンを含み、
前記パターニングされた誘電体層は、二酸化シリコンを含み、
前記パターニングされたピンホールフリーのマスク層はアモルファスシリコンを含む請求項21に記載の太陽電池。
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