JP2006075981A - トレンチされたキャビティを有するセンサエレメント - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャビティをトレンチエッチングプロセスの第2の期間中に少なくとも1つのアクセス穴を通して形成し、その際、第2の期間中に、設定された第2の持続時間にわたる第2のトレンチステップを実施し、第2の持続時間が第1の持続時間よりも長いようにした。
【選択図】図1
Description
少なくとも1つのアクセス穴およびキャビティをトレンチエッチングプロセスもしくは特に等方性のエッチングプロセスにより基板内に形成し、
その際、トレンチエッチングプロセスが、
−種々異なるトレンチステップと、
−第1の期間および第2の期間とを有しており、
第1の期間中に交互に、
−設定された第1の持続時間にわたる第1のトレンチステップと、
−第1のパッシベーションプロセスとを実施することにより製作する方法に関する。
−第2の期間中に、設定された第2の持続時間にわたる第2のトレンチステップを実施し、
−第2の持続時間が第1の持続時間よりも長いようにした。
−基板と、
−埋設されたキャビティと、
−キャビティの上方に存在するダイヤフラムと
が設けられており、
−キャビティが、特に等方性のエッチングプロセスにより形成されており、
−キャビティの上方に、少なくとも1つのアクセス穴が、高いアスペクト比と波形付けられた側壁とを伴って存在しているようにした。
−ダイヤフラム縁部の格子穴を省略する、例えば第1列の穴を1つおきに省略する(方形の格子を示す図4a参照)、
−ダイヤフラム縁部の穴、例えば第1列の穴を小さくする、
−ダイヤフラム縁部の格子ウェブの幅を広くする
ことにより改善されることができる。
Claims (13)
- 少なくとも1つの基板(100,350)と、1つのアクセス穴(140,330)と、1つの埋設されたキャビティ(155,360,510,650,655)とを有するマイクロマシニング型のセンサエレメントを、
少なくとも1つのアクセス穴およびキャビティをトレンチエッチングプロセスもしくは特に等方性のエッチングプロセスにより基板内に形成し、
その際、トレンチエッチングプロセスが、
種々異なるトレンチステップと、
第1の期間および第2の期間とを有しており、
第1の期間中に交互に、
設定された第1の持続時間にわたる第1のトレンチステップと、
第1のパッシベーションプロセスとを実施することにより
製作する方法において、
キャビティをトレンチエッチングプロセスの第2の期間中に少なくとも1つのアクセス穴を通して形成し、その際、
第2の期間中に、設定された第2の持続時間にわたる第2のトレンチステップを実施し、
第2の持続時間が第1の持続時間よりも長い
ことを特徴とする、マイクロマシニング型のセンサエレメントを製作する方法。 - トレンチエッチングプロセスの第2の期間を実施する前に、トレンチエッチングプロセスの第1の期間を少なくとも2度通して行う、請求項1記載の方法。
- 第2のトレンチステップを、
等方性の気相エッチングステップにより実施する、かつ/または
第1のトレンチステップよりも遙かに長く継続する、
請求項1記載の方法。 - キャビティの形成後、基板上に、有利には単結晶の層(170)を被着する、その際特に、
該層(170)が
エピタキシ法により被着される、かつ/または
少なくとも1つのアクセス穴を閉鎖する、かつ/または
アクセス穴および/またはキャビティの壁に、有利には単結晶の層(170)の前に、別のパッシベーション層(120,210)が被着される、かつ/または
アクセス穴の壁が前もってパッシベーション層から解放される
ようにする、請求項1記載の方法。 - 基板が半導体材料、特にシリコンを有している、請求項1記載の方法。
- トレンチエッチングプロセスを実施するためにエッチングマスク(110,300)を基板に被着する、その際特に、エッチングマスクが、基板表面におけるアクセス穴の分布を、エッチングマスクに設けられた穴により規定するようにする、請求項1記載の方法。
- 多数のアクセス穴を基板表面に配置する、その際特に、第2の持続時間が基板表面におけるアクセス穴の分布および/またはエッチングマスクにおける穴の分布に依存して設定可能であるようにする、請求項1または6記載の方法。
- 基板の表面から延びる少なくとも1つのアクセス穴を、キャビティ(510)の形成後に閉鎖し、別の方法ステップで、基板の裏面から、キャビティ(510)に通じるアクセス穴(500)を形成する、請求項1記載の方法。
- トレンチプロセスの第2の期間後に、新たに別のトレンチプロセスの第1の期間および第2の期間を実施する、請求項1記載の方法。
- マイクロマシニング型のセンサエレメントにおいて、特に請求項1から9までのいずれか1項記載の方法に従って製作されており、
基板(100,350)と、
埋設されたキャビティ(155,360,510,650,655)と、
キャビティの上方に存在するダイヤフラム(170)と
が設けられており、
キャビティが、特に等方性のエッチングプロセスにより形成されており、
キャビティの上方に、少なくとも1つのアクセス穴(140,330)が、高いアスペクト比と波形付けられた側壁(130)とを伴って存在している
ことを特徴とする、マイクロマシニング型のセンサエレメント。 - キャビティが、相並んで位置していて互いに接続された複数の空隙(150)を有しており、その際特に、
各空隙が1つのアクセス穴を有している、かつ/または
少なくとも1つのアクセス穴が閉鎖されている、
請求項10記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。 - 少なくとも1つのアクセス穴の側壁がパッシベーション材料(120)により被覆されている、かつ/または
センサエレメントが圧力、空気質量、温度、加速度および/またはヨーレートを検出する、かつ/または
キャビティ壁が保護層またはパッシベーション層(210)、特に酸化物層を有している、かつ/または
センサエレメントが、少なくとも部分的に重なり合わせに位置する少なくとも2つのキャビティ(150,650)を有している、かつ/または
センサエレメントが、特にエピタキシャル成長させられたダイヤフラムを有している、
請求項10記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。 - センサエレメントにより、圧力、温度、加速度またはヨーレートが検出可能である、請求項10記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。
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---|---|---|---|
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DE102004043356A DE102004043356A1 (de) | 2004-09-08 | 2004-09-08 | Sensorelement mit getrenchter Kaverne |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005259437A Expired - Fee Related JP5221845B2 (ja) | 2004-09-08 | 2005-09-07 | トレンチされたキャビティを有するセンサエレメント |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7354786B2 (ja) |
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FR (1) | FR2874908B1 (ja) |
IT (1) | ITMI20051637A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008100347A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Robert Bosch Gmbh | モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法 |
JP2009538238A (ja) * | 2006-05-26 | 2009-11-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシン構成素子及びその製法 |
WO2011045988A1 (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | 住友精密工業株式会社 | シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム |
JP2014120729A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体装置 |
JP2015527743A (ja) * | 2012-09-05 | 2015-09-17 | 無錫華潤上華半導体有限公司 | 複数のトレンチ構造の製造方法 |
US9147579B2 (en) | 2012-08-30 | 2015-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
KR101617536B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2016-05-02 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | Mems 디바이스를 제조하는 방법 및 mems 디바이스 |
US10418967B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-09-17 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, manufacturing method for resonator element, resonator, electronic device, and moving object |
JP2020514738A (ja) * | 2017-03-09 | 2020-05-21 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 微小機械圧力センサのためのmemsデバイスを製造する方法 |
JP2020525803A (ja) * | 2017-06-26 | 2020-08-27 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | マイクロメカニカル膜センサの製造方法 |
JP7408764B2 (ja) | 2017-05-30 | 2024-01-05 | ローム株式会社 | Mems素子およびmemsモジュール |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005007540A1 (de) | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Membransensor mit Doppelmembran |
DE602005007235D1 (de) * | 2005-09-28 | 2008-07-10 | St Microelectronics Srl | Verfahren zum Herstellen von dicken hängenden Strukturen aus Halbleitermaterial |
EP1804281B1 (en) * | 2005-12-28 | 2011-12-14 | STMicroelectronics Srl | Process for digging a deep trench in a semiconductor body and semiconductor body so obtained |
DE102007002273A1 (de) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Sensorelement |
DE102007053280A1 (de) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit einem Membrangitter |
WO2009114818A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | University Of Utah Research Foundation | Methods of forming an embedded cavity for sensors |
DE102008040597A1 (de) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit Rückvolumen |
US20130130502A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-05-23 | Sand 9, Inc. | Micromechanical membranes and related structures and methods |
US7998776B1 (en) | 2010-06-10 | 2011-08-16 | Memsensing Microsystems Technology Co., Ltd. | Methods for manufacturing MEMS sensor and thin film thereof with improved etching process |
US8481400B2 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-09 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor manufacturing and semiconductor device with semiconductor structure |
DE102011006332A1 (de) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von monokristallinen Piezowiderständen |
DE102012200983A1 (de) | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Continental Automotive Gmbh | Sensorelement mit Luftdruckmessung |
US8881596B2 (en) * | 2012-01-30 | 2014-11-11 | Continental Automotive Systems, Inc. | Semiconductor sensing device to minimize thermal noise |
JP5868202B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-02-24 | ローム株式会社 | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
EP3153851B1 (en) | 2015-10-06 | 2024-05-01 | Carrier Corporation | Mems die with sensing structures |
WO2017200621A2 (en) * | 2016-02-29 | 2017-11-23 | The Regents Of The University Of Michigan | Assembly processes for three-dimensional microstructures |
DE102016220077A1 (de) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors |
CN109205549A (zh) * | 2017-07-03 | 2019-01-15 | 无锡华润上华科技有限公司 | 双空腔结构的制备方法 |
US10461152B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-10-29 | Globalfoundries Inc. | Radio frequency switches with air gap structures |
DE102017213351A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung mit zumindest einer chemischen oder elektrochemischen Detektiereinrichtung |
CN107473178A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-15 | 叶军 | 一种mems器件湿法刻蚀工艺 |
US10833153B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-11-10 | Globalfoundries Inc. | Switch with local silicon on insulator (SOI) and deep trench isolation |
DE102017216941A1 (de) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Elements |
US10446643B2 (en) | 2018-01-22 | 2019-10-15 | Globalfoundries Inc. | Sealed cavity structures with a planar surface |
KR101999726B1 (ko) * | 2018-04-24 | 2019-07-12 | 한국과학기술연구원 | 트렌치를 따라 주름진 멤브레인을 갖는 멤브레인 소자 및 그 제조방법과 이를 이용하는 응용장치 |
DE102018207689B4 (de) * | 2018-05-17 | 2021-09-23 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen mindestens einer Membrananordnung, Membrananordnung für einen mikromechanischen Sensor und Bauteil |
CN108839672A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-20 | 上海工程技术大学 | 一种钢轨长波波磨检测装置 |
US11410872B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-08-09 | Globalfoundries U.S. Inc. | Oxidized cavity structures within and under semiconductor devices |
US10923577B2 (en) * | 2019-01-07 | 2021-02-16 | Globalfoundries U.S. Inc. | Cavity structures under shallow trench isolation regions |
US11127816B2 (en) | 2020-02-14 | 2021-09-21 | Globalfoundries U.S. Inc. | Heterojunction bipolar transistors with one or more sealed airgap |
DE102020211554B3 (de) | 2020-09-15 | 2021-09-30 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil |
DE102021200431A1 (de) * | 2021-01-19 | 2022-07-21 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Bilden eines Trenchgrabens in einer ersten Halbleiterschicht eines Mehrschichtsystems |
DE102021205736A1 (de) | 2021-06-08 | 2022-12-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanisches Bauteil für eine Sensorvorrichtung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05340957A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法および半導体センサ |
US5501893A (en) * | 1992-12-05 | 1996-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Method of anisotropically etching silicon |
JPH08506857A (ja) * | 1993-02-04 | 1996-07-23 | コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス |
JP2002510139A (ja) * | 1998-01-15 | 2002-04-02 | コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド | ミクロ加工デバイスのトレンチアイソレーション |
JP2004146552A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Fujitsu Ltd | 微細レジストパターンの形成方法 |
JP2004235297A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6756247B1 (en) * | 1998-01-15 | 2004-06-29 | Timothy J. Davis | Integrated large area microstructures and micromechanical devices |
EP1043770B1 (en) | 1999-04-09 | 2006-03-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Formation of buried cavities in a monocrystalline semiconductor wafer and a wafer |
DE10030352A1 (de) | 2000-06-21 | 2002-01-10 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement, insbesondere Sensorelement, mit einer stabilisierten Membran und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements |
KR100414570B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2004-01-07 | 조동일 | 삼중막을 이용한 단결정 실리콘 미세 구조물의 절연 방법 |
DE10032579B4 (de) | 2000-07-05 | 2020-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
US7294536B2 (en) * | 2000-07-25 | 2007-11-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Process for manufacturing an SOI wafer by annealing and oxidation of buried channels |
DE10114036A1 (de) | 2001-03-22 | 2002-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoren und damit hergestellte Sensoren |
DE102004036032A1 (de) | 2003-12-16 | 2005-07-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor |
US7425507B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-09-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrates including vias of nonuniform cross section, methods of forming and associated structures |
-
2004
- 2004-09-08 DE DE102004043356A patent/DE102004043356A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-09-06 IT IT001637A patent/ITMI20051637A1/it unknown
- 2005-09-06 FR FR0552684A patent/FR2874908B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-07 JP JP2005259437A patent/JP5221845B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-08 US US11/223,592 patent/US7354786B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05340957A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法および半導体センサ |
US5501893A (en) * | 1992-12-05 | 1996-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Method of anisotropically etching silicon |
JPH08506857A (ja) * | 1993-02-04 | 1996-07-23 | コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス |
JP2002510139A (ja) * | 1998-01-15 | 2002-04-02 | コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド | ミクロ加工デバイスのトレンチアイソレーション |
JP2004146552A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Fujitsu Ltd | 微細レジストパターンの形成方法 |
JP2004235297A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009538238A (ja) * | 2006-05-26 | 2009-11-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシン構成素子及びその製法 |
US8165324B2 (en) | 2006-05-26 | 2012-04-24 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for its production |
JP2008100347A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Robert Bosch Gmbh | モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法 |
WO2011045988A1 (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | 住友精密工業株式会社 | シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム |
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JP2014120729A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体装置 |
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