JP2006066897A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006066897A5 JP2006066897A5 JP2005213720A JP2005213720A JP2006066897A5 JP 2006066897 A5 JP2006066897 A5 JP 2006066897A5 JP 2005213720 A JP2005213720 A JP 2005213720A JP 2005213720 A JP2005213720 A JP 2005213720A JP 2006066897 A5 JP2006066897 A5 JP 2006066897A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- capacitive element
- contact region
- contact
- channel formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
Claims (4)
- 第１の容量素子及び第２の容量素子を有し、
前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子のそれぞれは、
チャネル形成領域及びコンタクト領域を形成する半導体層と、
前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記コンタクト領域上のコンタクト電極と、
を有し、
前記コンタクト領域の不純物の濃度は、前記チャネル形成領域の不純物の濃度より高く、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子では、前記ゲート電極の端部と前記コンタクト領域との間の距離が異なることを特徴とする半導体装置。 - 第１の容量素子及び第２の容量素子を有し、
前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子のそれぞれは、
チャネル形成領域及びコンタクト領域を形成する半導体層と、
前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記コンタクト領域上のコンタクト電極と、
を有し、
前記コンタクト領域の不純物の濃度は、前記チャネル形成領域の不純物の濃度より高く、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子では、前記チャネル形成領域に同一の不純物が添加され、該不純物の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記コンタクト領域は、前記チャネル形成領域と逆の導電型を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記コンタクト領域は、前記チャネル形成領域と同じ導電型を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005213720A JP2006066897A (ja) | 2004-07-30 | 2005-07-25 | 容量素子及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004224731 | 2004-07-30 | ||
| JP2005213720A JP2006066897A (ja) | 2004-07-30 | 2005-07-25 | 容量素子及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006066897A JP2006066897A (ja) | 2006-03-09 |
| JP2006066897A5 true JP2006066897A5 (ja) | 2008-08-14 |
Family
ID=36113037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005213720A Withdrawn JP2006066897A (ja) | 2004-07-30 | 2005-07-25 | 容量素子及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006066897A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144273A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH088401A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
| SE515783C2 (sv) * | 1997-09-11 | 2001-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning |
| JP4332244B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2009-09-16 | シャープ株式会社 | Ｍｏｓ型容量素子 |
| JP2002026254A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および不揮発性メモリ |
| JP4136452B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2008-08-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005213720A patent/JP2006066897A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008235873A5 (ja) | ||
| JP2011054949A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010183022A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011181917A5 (ja) | ||
| JP2011151383A5 (ja) | ||
| JP2009060096A5 (ja) | ||
| JP2007096055A5 (ja) | ||
| JP2009033145A5 (ja) | ||
| JP2010532095A5 (ja) | ||
| JP2012068627A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011171721A5 (ja) | ||
| JP2011171726A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011147121A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012015500A5 (ja) | ||
| JP2013149964A5 (ja) | 半導体素子 | |
| JP2013214729A5 (ja) | ||
| JP2007537595A5 (ja) | ||
| JP2013030783A5 (ja) | ||
| JP2010141304A5 (ja) | ||
| JP2012169610A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010282987A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009177156A5 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2007141916A5 (ja) | ||
| JP2010161358A5 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2012080092A5 (ja) |