JP2006032867A - 記憶素子及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 記憶データの内容の判別が容易にできると共に、消費電力を低減することが可能な構成の記憶素子を提供する。
【解決手段】 一方の電極1と他方の電極2との間に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子11,12を備え、2つの可変抵抗素子11,12において、一方の電極1を接続して共通端子Zとし、他方の電極2を独立させて端子X,Yを設けて、合計3端子X,Y,Zとしてメモリセルを形成した記憶素子10を構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 一方の電極1と他方の電極2との間に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子11,12を備え、2つの可変抵抗素子11,12において、一方の電極1を接続して共通端子Zとし、他方の電極2を独立させて端子X,Yを設けて、合計3端子X,Y,Zとしてメモリセルを形成した記憶素子10を構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、記憶素子及びその駆動方法に係わり、不揮発性メモリに用いて好適なものである。
次世代の大容量半導体メモリの候補として、可逆的に抵抗値が変化する可変抵抗素子を用いて構成した不揮発性メモリの研究が進んでいる。
一方、不揮発性デバイスを使って論理回路を構成することにより、電源を切っても情報が失われない回路や、別チップになったRAMとのデータ転送を必要としない回路を実現するために、ロジック・イン・メモリと呼ばれる構成の研究が進められている(例えば、非特許文献1参照)。
そして、不揮発性デバイスとして、例えば、フローティング・ゲートのMOSトランジスタ、強誘電体デバイス、TMRデバイス等を用いたものが提案されている。
そして、不揮発性デバイスとして、例えば、フローティング・ゲートのMOSトランジスタ、強誘電体デバイス、TMRデバイス等を用いたものが提案されている。
木村、羽生、亀山、藤森、中村、高須「強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成」、電子情報通信学会論文誌 C,Vol.J86−C,No.8,2003年8月,p.886−893
ところで、本出願人は、先に、上述した各種の不揮発デバイスよりも優れた特性を持ちうる、不揮発性の可変抵抗素子を提案している。
この可変抵抗素子の膜構成は、例えば、図9Aの断面図に示すように、2つの電極101,102の間に導体膜103と絶縁体膜104を持つ膜構成になっている。導体膜103から絶縁体膜104に向かって電流Iが流れるように電圧をかけると、可変抵抗素子105が低抵抗に変化してデータが書き込まれ、絶縁体膜104から導体膜103に向かって電流が流れるように電圧をかけると可変抵抗素子105が高抵抗に変化してデータが消去される。
また、この可変抵抗素子105は、例えば、図9Bに示すように、一般の可変抵抗器の回路記号と同様の回路記号で記載すると共に、矢印の向きを図9Aに示す書き込み時の電流Iの向きと等しくなるように決めている。
また、この可変抵抗素子105は、例えば、図9Bに示すように、一般の可変抵抗器の回路記号と同様の回路記号で記載すると共に、矢印の向きを図9Aに示す書き込み時の電流Iの向きと等しくなるように決めている。
しかしながら、不揮発性デバイスとして、この不揮発性の可変抵抗素子を用いて、前述したロジック・イン・メモリを実現しようとすると、次のような問題点を生じると考えられる。
(1)記憶されたデータを破壊しないように読み出し電圧を設定すると、負荷抵抗との間で電位が分割されるため、記憶データの内容に対応する電位の変化がとても小さくなってしまう。これにより、記憶データの内容の判別が難しくなる。
(2)低抵抗となった素子に対して読み出し電圧を加えると、大きな電流が流れるので、消費電力が大きくなってしまう。
(1)記憶されたデータを破壊しないように読み出し電圧を設定すると、負荷抵抗との間で電位が分割されるため、記憶データの内容に対応する電位の変化がとても小さくなってしまう。これにより、記憶データの内容の判別が難しくなる。
(2)低抵抗となった素子に対して読み出し電圧を加えると、大きな電流が流れるので、消費電力が大きくなってしまう。
まず、上述の(1)の問題点を説明するために、図10A〜図10Dに可変抵抗素子の電位の変化を示す。
図10A及び図10Bは、可変抵抗素子VRと1個の選択用のMOSトランジスタTrとを接続した構成であり、図10C及び図10Dは、可変抵抗素子VRの両側にそれぞれ選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2を接続し合計2個接続した構成である。ここでは、説明を簡単にするために、可変抵抗素子VRが高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr,Tr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
図10A及び図10Bは、可変抵抗素子VRと1個の選択用のMOSトランジスタTrとを接続した構成であり、図10C及び図10Dは、可変抵抗素子VRの両側にそれぞれ選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2を接続し合計2個接続した構成である。ここでは、説明を簡単にするために、可変抵抗素子VRが高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr,Tr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
ここで、記憶されたデータを破壊しない大きさの読み出し電圧として、0.3Vを与えてみた場合を考える。
図10A及び図10Bに示すMOSトランジスタTrが1個の場合には、可変抵抗素子VRが高抵抗状態(100kΩ)のときには、与えた電圧がほとんど可変抵抗素子VRにかかるため、センス端子で得られる電位Vzは、読み出し電圧そのままの0.3Vとなる。一方、可変抵抗素子VRが低抵抗状態(1kΩ)のときには、MOSトランジスタTrのオン抵抗と可変抵抗素子VRとの間で1/2ずつに分圧されるため、センス端子で得られる電位Vzが0.15Vになってしまう。
このため、記憶されたデータの内容に対応する電位の変化(電位差)は、0.3−0.15=0.15Vしか得られない。この電位差0.15Vでは、図示しない次の段のMOSトランジスタをオン/オフするにしても、センス・アンプで増幅するにしても、安定に動作しない可能性が高い。
図10A及び図10Bに示すMOSトランジスタTrが1個の場合には、可変抵抗素子VRが高抵抗状態(100kΩ)のときには、与えた電圧がほとんど可変抵抗素子VRにかかるため、センス端子で得られる電位Vzは、読み出し電圧そのままの0.3Vとなる。一方、可変抵抗素子VRが低抵抗状態(1kΩ)のときには、MOSトランジスタTrのオン抵抗と可変抵抗素子VRとの間で1/2ずつに分圧されるため、センス端子で得られる電位Vzが0.15Vになってしまう。
このため、記憶されたデータの内容に対応する電位の変化(電位差)は、0.3−0.15=0.15Vしか得られない。この電位差0.15Vでは、図示しない次の段のMOSトランジスタをオン/オフするにしても、センス・アンプで増幅するにしても、安定に動作しない可能性が高い。
実際には、可変抵抗素子が半選択状態にならないようにするために、また共通電位から分離してノイズから守るために、図10C及び図10Dに示す、可変抵抗素子VRの両側を選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2で挟み込んだ構成とすることが望ましい。
しかしながら、このMOSトランジスタTr1,Tr2が2個の場合には、可変抵抗素子VRが低抵抗状態(1kΩ)のときには、MOSトランジスタTr1,Tr2のON抵抗との間で1/3に分圧されるため、高抵抗状態(100kΩ)との電位差が0.1Vになってしまう。図10Cの構成では、センス端子の電位Vzが0.2Vと0.3Vになっており、図10Dの構成では、センス端子の電位Vzが0.1Vと0Vになっている。
従って、MOSトランジスタが1個の場合よりも、次の段の回路を安定に駆動することがさらに困難になる。
しかしながら、このMOSトランジスタTr1,Tr2が2個の場合には、可変抵抗素子VRが低抵抗状態(1kΩ)のときには、MOSトランジスタTr1,Tr2のON抵抗との間で1/3に分圧されるため、高抵抗状態(100kΩ)との電位差が0.1Vになってしまう。図10Cの構成では、センス端子の電位Vzが0.2Vと0.3Vになっており、図10Dの構成では、センス端子の電位Vzが0.1Vと0Vになっている。
従って、MOSトランジスタが1個の場合よりも、次の段の回路を安定に駆動することがさらに困難になる。
次に、上述した(2)の問題点に関しても、図10を例に説明すると、可変抵抗素子VRが低抵抗状態(1kΩ)のときに流れる電流は、MOSトランジスタが1個の場合(図10A及び図10B)は150μA、MOSトランジスタが2個の場合(図10C及び図10D)は100μAとなり、この可変抵抗素子VRを何千や何万と用いて大規模な回路を構成した場合には、大きな消費電力になってしまう。
従って、この不揮発性の可変抵抗素子VRを前述したロジック・イン・メモリに用いるためには、記憶データの内容の判別が容易にできると共に、消費電力が小さくなるように構成することが必要になる。
上述した問題の解決のために、本発明においては、記憶データの内容の判別が容易にできると共に、消費電力を低減することが可能な構成の記憶素子及びその駆動方法を提供するものである。
本発明の記憶素子は、一方の電極と他方の電極との間に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、2つの可変抵抗素子の各素子の一方の電極を接続して共通端子とし、2つの可変抵抗素子の各素子の他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計3端子としてメモリセルを構成したものである。
本発明の記憶素子の駆動方法は、一方の電極と他方の電極との間に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、2つの可変抵抗素子の各素子の一方の電極を接続して共通端子とし、2つの可変抵抗素子の各素子の他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計3端子としてメモリセルを構成した記憶素子を駆動する方法であって、可変抵抗素子は、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化するときにそれぞれ電圧の閾値を有し、記憶素子の両端の端子に電圧の閾値よりも大きい電圧を印加することにより、情報の記録・消去を行い、記憶素子の両端の端子に電圧の閾値よりも小さい電圧を印加することにより、記憶素子に記録された情報を読み出すものである。
上述の本発明の記憶素子の構成によれば、2つの可変抵抗素子の各素子の一方の電極を接続して共通端子とし、2つの可変抵抗素子の各素子の他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計3端子としてメモリセルを構成したことにより、一方の電極が共通端子であるので、これら2つの可変抵抗素子を相補的に動作させて、情報の記録を行うことが可能になる。
即ち、一方の電極が共通端子であるので、2つの可変抵抗素子の他方の電極の間に2つの可変抵抗素子が直列に接続されることになる。そして、これら他方の電極間に電圧を印加すると、その電圧が2つの可変抵抗素子の一方の可変抵抗素子に対しては高抵抗状態から低抵抗状態に変化させるように作用し、他方の可変抵抗素子に対しては低抵抗状態から高抵抗状態に変化させるように作用する。これにより、一方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、それぞれ変化させ、その変化した後の状態を安定して保持することができる。
また、他方の電極間に上述した電圧と逆極性の電圧を印加すると、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、それぞれ変化させて、これにより、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変えて、情報を書き換えることができる。
これを利用して、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせが、高抵抗状態・低抵抗状態である場合と、低抵抗状態・高抵抗状態である場合とにより、例えば「1」と「0」の2つの情報を各メモリセルに記憶することが可能になる。
また、他方の電極間に上述した電圧と逆極性の電圧を印加すると、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、それぞれ変化させて、これにより、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変えて、情報を書き換えることができる。
これを利用して、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせが、高抵抗状態・低抵抗状態である場合と、低抵抗状態・高抵抗状態である場合とにより、例えば「1」と「0」の2つの情報を各メモリセルに記憶することが可能になる。
さらに、2つの可変抵抗素子の抵抗状態が変化するときには、高抵抗状態だった可変抵抗素子が先に低抵抗状態に変化して、その後、低抵抗状態だった可変抵抗素子が高抵抗状態に変化するので、2つの可変抵抗素子が共に低抵抗状態となる中間状態を経由することになる。
そして、中間状態となる時間は短く、それ以外は2つの可変抵抗素子のうち一方が高抵抗状態にあるため、メモリセル全体の合成抵抗が大きくなり、メモリセルに流れる電流は小さい。これにより、情報の記録・消去や情報の読み出しの際に、メモリセルに電圧を印加して流れる電流を低減することができる。
さらに、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせ、即ち情報の内容によって、共通端子の電位が大きく変化するため、情報の読み出し時に充分な電位差が得られる。
上述の本発明の記憶素子の駆動方法によれば、上記本発明の記憶素子を駆動する際に、可変抵抗素子が高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化するときにそれぞれ電圧の閾値を有する構成であり、記憶素子の両端の端子に電圧の閾値よりも大きい電圧を印加することにより、情報の記録・消去を行い、記憶素子の両端の端子に電圧の閾値よりも小さい電圧を印加することにより、記憶素子に記録された情報を読み出すので、情報の記録・消去の際には、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを容易に変化させて情報の記録・消去を行うことができ、情報の読み出しの際には、閾値よりも小さい電圧により、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変化させることがなく、非破壊で情報を読み出すことができる。
また、上記本発明の記憶素子において、可変抵抗素子は、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化するときに、それぞれ電圧の閾値を有する構成とすることも可能である。
このような構成としたときには、情報の読み出しの際に、電圧の閾値よりも小さい電圧を印加すれば、印加した電圧の極性に関わらず、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変化させることがなく、非破壊で情報を読み出すことができる。
このような構成としたときには、情報の読み出しの際に、電圧の閾値よりも小さい電圧を印加すれば、印加した電圧の極性に関わらず、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変化させることがなく、非破壊で情報を読み出すことができる。
また、上記本発明の記憶素子において、可変抵抗素子は、一方の電極と他方の電極との間に導体膜と絶縁体膜が形成され、導体膜から絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、絶縁体膜から導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると低抵抗状態から高抵抗状態に変化する特性を有し、導体膜側の電極を接続して共通端子としている構成とすることも可能である。
また、上記本発明の記憶素子において、可変抵抗素子は、一方の電極と他方の電極との間に導体膜と絶縁体膜が形成され、導体膜から絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、絶縁体膜から導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると低抵抗状態から高抵抗状態に変化する特性を有し、絶縁体膜側の電極を接続して共通端子としている構成とすることも可能である。
これらの構成としたときには、可変抵抗素子が一方の電極と他方の電極との間に導体膜と絶縁体膜が形成され、導体膜から絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、絶縁体膜から導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると低抵抗状態から高抵抗状態に変化する特性を有するので、可変抵抗素子の抵抗値を、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化させることができる。
そして、素子のサイズ依存性がなく、大きい信号が得られる。また、情報の記録を高速に行うことが可能になり、低電圧かる低電流で動作させることができる。
また、上記本発明の記憶素子において、可変抵抗素子は、一方の電極と他方の電極との間に導体膜と絶縁体膜が形成され、導体膜から絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、絶縁体膜から導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると低抵抗状態から高抵抗状態に変化する特性を有し、絶縁体膜側の電極を接続して共通端子としている構成とすることも可能である。
これらの構成としたときには、可変抵抗素子が一方の電極と他方の電極との間に導体膜と絶縁体膜が形成され、導体膜から絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、絶縁体膜から導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると低抵抗状態から高抵抗状態に変化する特性を有するので、可変抵抗素子の抵抗値を、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化させることができる。
そして、素子のサイズ依存性がなく、大きい信号が得られる。また、情報の記録を高速に行うことが可能になり、低電圧かる低電流で動作させることができる。
上述の本発明によれば、一方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、それぞれ変化させ、その変化した後の状態を安定して保持することができ、この動作を利用してメモリセルに情報を記憶することにより、メモリセルに安定して情報を記憶することができる。これにより、記憶素子に対して不揮発で情報を記憶することができる。
また、情報の記録・消去や情報の読み出しの際に、記憶素子に電圧を印加して流れる電流を低減することができるため、消費電力を小さくすることができる。
さらに、情報の読み出し時には、記憶された情報の内容により、充分な電位差が得られるため、情報の内容を容易に判別することができると共に、端子の電位を利用して次段の回路を容易に駆動することが可能になる。
また、情報の記録・消去や情報の読み出しの際に、記憶素子に電圧を印加して流れる電流を低減することができるため、消費電力を小さくすることができる。
さらに、情報の読み出し時には、記憶された情報の内容により、充分な電位差が得られるため、情報の内容を容易に判別することができると共に、端子の電位を利用して次段の回路を容易に駆動することが可能になる。
従って、本発明によれば、上述の各効果を実現できることから、本発明の記憶素子をロジック・イン・メモリ等を構成するための基本素子として用いることができる。
そして、ロジック・イン・メモリを構成することにより、電源を切っても情報を失わない回路や、別チップになったRAMとのデータ転送を必要としない回路を実現することが可能になる。
そして、ロジック・イン・メモリを構成することにより、電源を切っても情報を失わない回路や、別チップになったRAMとのデータ転送を必要としない回路を実現することが可能になる。
本発明の一実施の形態として、記憶素子の概略構成図を図1A及び図1Bに示す。図1Aは模式的な構成図を示しており、図1Bは回路構成図を示している。
この記憶素子10は、図1Aに示すように、いずれも不揮発性の、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12を有して成る。これらの可変抵抗素子11,12は、いずれも、電極1,2の間に導体膜3と絶縁体膜4を設けた膜構成となっている。
そして、2つの可変抵抗素子11,12において、導体膜3側の電極1を接続して共通端子Zとし、絶縁体膜4側の電極2をそれぞれX端子とY端子に接続することで、コンプリメンタリな3端子の記憶素子10を構成している。回路記号では、図1Bに示すように、2つの可変抵抗素子11,12の矢印が互いに背を向けている。
この記憶素子10は、図1Aに示すように、いずれも不揮発性の、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12を有して成る。これらの可変抵抗素子11,12は、いずれも、電極1,2の間に導体膜3と絶縁体膜4を設けた膜構成となっている。
そして、2つの可変抵抗素子11,12において、導体膜3側の電極1を接続して共通端子Zとし、絶縁体膜4側の電極2をそれぞれX端子とY端子に接続することで、コンプリメンタリな3端子の記憶素子10を構成している。回路記号では、図1Bに示すように、2つの可変抵抗素子11,12の矢印が互いに背を向けている。
第1及び第2の可変抵抗素子11,12を構成する導体膜3としては、例えば、Cu,Ag,Zn等の金属元素を含有する金属膜、合金膜(例えばCuTe合金膜)、金属化合物膜等が挙げられる。
また、絶縁体膜4としては、例えば、アモルファスGd2O3や、SiO2等の絶縁体が挙げられる。
また、絶縁体膜4としては、例えば、アモルファスGd2O3や、SiO2等の絶縁体が挙げられる。
具体的な膜構成としては、例えば、導体膜3としてCuTe膜を膜厚20nmで形成し、その上に絶縁体膜4としてアモルファスGd2O3膜を膜厚5nmで形成する。
このような材料膜を用いた場合、導体膜3に含まれるCu,Ag,Zn等の金属元素が、イオン化して陰極側に引き寄せられる性質を有する。
従って、可変抵抗素子11,12の上下の電極1,2間に、絶縁体膜4側の電極2が低電位になるように電圧を加えると、金属元素のイオンが電極2に引き寄せられて、絶縁体膜4内に入っていく。そして、イオンが電極2まで到達すると、上下の電極1,2間が導通して抵抗値が下がることになる。
一方、可変抵抗素子11,12の上下の電極1,2間に、導体膜3側の電極1が低電位になるように電圧を加えると、金属元素がイオン化して電極1に引き寄せられて、絶縁体膜4から抜けていくため、上下の電極1,2間の絶縁性が増して、抵抗値が上がることになる。
このような変化を繰り返すことにより、可変抵抗素子11,12の抵抗値を、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化させることができる。
従って、可変抵抗素子11,12の上下の電極1,2間に、絶縁体膜4側の電極2が低電位になるように電圧を加えると、金属元素のイオンが電極2に引き寄せられて、絶縁体膜4内に入っていく。そして、イオンが電極2まで到達すると、上下の電極1,2間が導通して抵抗値が下がることになる。
一方、可変抵抗素子11,12の上下の電極1,2間に、導体膜3側の電極1が低電位になるように電圧を加えると、金属元素がイオン化して電極1に引き寄せられて、絶縁体膜4から抜けていくため、上下の電極1,2間の絶縁性が増して、抵抗値が上がることになる。
このような変化を繰り返すことにより、可変抵抗素子11,12の抵抗値を、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化させることができる。
このような膜構成の可変抵抗素子11,12は、素子のサイズ依存性がなく、大きい信号を得ることができるため、スケーリングに強いという特長を有する。
また、抵抗変化によるデータ書き込み速度を例えば5ナノ秒程度と速くすることができ、また低電圧(例えば1V程度)かつ低電流(例えば20μA程度)で動作させることができるという利点を有する。
また、抵抗変化によるデータ書き込み速度を例えば5ナノ秒程度と速くすることができ、また低電圧(例えば1V程度)かつ低電流(例えば20μA程度)で動作させることができるという利点を有する。
また、本発明の他の実施の形態として、記憶素子の概略構成図を図2A及び図2Bに示す。図2Aは模式的な構成図を示しており、図2Bは回路構成図を示している。
この記憶素子20は、図2Aに示すように、図1Aと同様の第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12を有して成る。
そして、2つの可変抵抗素子11,12において、絶縁体膜4側の電極1を接続して共通端子Zとし、導体膜3側の電極2をそれぞれX端子とY端子に接続することで、コンプリメンタリな3端子の記憶素子20を構成している。回路記号では、図2Bに示すように、2つの可変抵抗素子11,12の矢印が向かい合っている。
この記憶素子20は、図2Aに示すように、図1Aと同様の第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12を有して成る。
そして、2つの可変抵抗素子11,12において、絶縁体膜4側の電極1を接続して共通端子Zとし、導体膜3側の電極2をそれぞれX端子とY端子に接続することで、コンプリメンタリな3端子の記憶素子20を構成している。回路記号では、図2Bに示すように、2つの可変抵抗素子11,12の矢印が向かい合っている。
次に、図2に示した実施の形態の記憶素子20の構成における、具体的な動作を説明する。
まず、この記憶素子20がとり得る4つの状態を、図3A〜図3Dに示す。
そして、図3Aに示すように、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が低抵抗(例えば1kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が高抵抗(例えば100kΩ)である状態を「S=1状態」と定義し、図3Bに示すように、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が高抵抗(例えば100kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が低抵抗(例えば1kΩ)である状態を「S=0状態」と定義することにする。
さらに、図3Cに示すように、2つの可変抵抗素子11,12が共に低抵抗になっている状態を「中間状態」と呼び、図3Dに示すように、2つの可変抵抗素子11,12が共に高抵抗になっている状態を「禁止状態」と呼ぶことにする。
まず、この記憶素子20がとり得る4つの状態を、図3A〜図3Dに示す。
そして、図3Aに示すように、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が低抵抗(例えば1kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が高抵抗(例えば100kΩ)である状態を「S=1状態」と定義し、図3Bに示すように、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が高抵抗(例えば100kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が低抵抗(例えば1kΩ)である状態を「S=0状態」と定義することにする。
さらに、図3Cに示すように、2つの可変抵抗素子11,12が共に低抵抗になっている状態を「中間状態」と呼び、図3Dに示すように、2つの可変抵抗素子11,12が共に高抵抗になっている状態を「禁止状態」と呼ぶことにする。
なお、図1に示した実施の形態の記憶素子10の構成を用いる場合も、可変抵抗素子11,12の矢印の向きが、図3A〜図3Dとは反対の向きに入れ替わるだけで、動作的には全く同じである。
続いて、記憶素子20にデータを書き込むために、端子XとYに書き込みのための電圧Vx,Vyを与えた場合の動作を説明する状態推移図を図4に示す。そして、図4の状態遷移図を補足するために、図3A〜図3Dに示した各状態における電圧配分例を図5及び図6に示す。
図4では、各状態の円内に可変抵抗素子11,12の抵抗値として(第1の可変抵抗素子11の抵抗値/第2の可変抵抗素子12の抵抗値)を記載し、各状態の推移を矢印で示し、この矢印に対してそれぞれ記憶素子20の各端子X,Y,Zに印加される電圧として{Vx,Vy}/Vzを記載している。
図5及び図6は、記憶素子20の両端X、Yに、それぞれ選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2を接続した場合を示している。これら図5及び図6では、説明を簡単にするために、可変抵抗素子11,12が高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
図4では、各状態の円内に可変抵抗素子11,12の抵抗値として(第1の可変抵抗素子11の抵抗値/第2の可変抵抗素子12の抵抗値)を記載し、各状態の推移を矢印で示し、この矢印に対してそれぞれ記憶素子20の各端子X,Y,Zに印加される電圧として{Vx,Vy}/Vzを記載している。
図5及び図6は、記憶素子20の両端X、Yに、それぞれ選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2を接続した場合を示している。これら図5及び図6では、説明を簡単にするために、可変抵抗素子11,12が高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
さらに、各可変抵抗素子11,12のデータ書き込み閾値をVwrと定義し、データ消去閾値をVerと定義したときに、
0.3V<Ver<0.5V,0.3V<Vwr<2.0V (1)
が成立するものと仮定する。ここで用いている数値も必ずしも正しくないが、概ね妥当な数値になっている。
0.3V<Ver<0.5V,0.3V<Vwr<2.0V (1)
が成立するものと仮定する。ここで用いている数値も必ずしも正しくないが、概ね妥当な数値になっている。
まず、図4の上側の「S=1状態」(1kΩ/100kΩ)の場合、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が低抵抗(1kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が高抵抗(100kΩ)である。この状態において、Vx=2V,Vy=0Vという電圧を与えると、端子Xから端子Yに電流が流れるが、図5Aに示すように、これは低抵抗の第1の可変抵抗素子11にとっても高抵抗の第2の可変抵抗素子12にとっても安定な方向なので、Vz=2.0Vになるだけである。従って、図4の「S=1状態」を表す円の上の矢印({2,0}/2)で示すように、各可変抵抗素子11,12の状態は変化しない。
次に、「S=1状態」(1kΩ/100kΩ)において、Vx=0V,Vy=2Vという電圧を与えると、端子Yから端子Xに電流が流れるが、第2の可変抵抗素子12が高抵抗(100kΩ)であるため、図5Bに示すように、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。これにより、高抵抗の第2の可変抵抗素子12に書き込み方向の電圧2Vが与えられるため、第2の可変抵抗素子12が低抵抗(1kΩ)に変化して、図5Cに示すように、「S=1状態」から「中間状態」に状態が推移する。従って、図4中上側の「S=1状態」(1kΩ/100kΩ)から、右側の中間状態(1kΩ/1kΩ)に推移する。
この中間状態(1kΩ/1kΩ)では、2つの可変抵抗素子11,12が両方とも低抵抗(1kΩ)であるため、図5Cに示すように、XY間の2Vの電圧が半分ずつ分圧されてVz=1.0Vになっており、第1の可変抵抗素子11に1Vの電圧が消去方向にかかることになる。すると、第1の可変抵抗素子11が高抵抗(100kΩ)に変化して、図5Dに示すように、「S=0状態」に状態が推移し、安定状態となってVz=0.0Vとなる。従って、図4中右側の中間状態(1kΩ/1kΩ)から、下側の「S=0状態」(100kΩ/1kΩ)に推移する。
同様に、図4の下側の「S=0状態」(100kΩ/1kΩ)の場合、端子Xと接続されている第1の可変抵抗素子11が高抵抗(100kΩ)で、端子Yと接続されている第2の可変抵抗素子12が低抵抗(1kΩ)である。この状態において、Vx=0V,Vy=2Vという電圧を与えると、端子Yから端子Xに電流が流れるが、図5Dに示すように、これは低抵抗の第2の可変抵抗素子12にとっても高抵抗の第1の可変抵抗素子11にとっても安定な方向なので、Vz=0Vになるだけである。従って、図4の「S=0状態」を表す円の下の矢印({0,2}/0)で示すように、各可変抵抗素子11,12の状態は変化しない。
次に、「S=0状態」(100kΩ/1kΩ)において、Vx=2V,Vy=0Vという電圧を与えると、端子Xから端子Yに電流が流れるが、第1の可変抵抗素子11が高抵抗(100kΩ)であるため、図6Eに示すように、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。これにより、高抵抗の第1の可変抵抗素子11に書き込み方向の電圧2Vが与えられるため、第1の可変抵抗素子11が低抵抗(1kΩ)に変化して、図6Fに示すように、「S=0状態」から「中間状態」に状態が推移する。従って、図4中下側の「S=0状態」(100kΩ/1kΩ)から、左側の中間状態(1kΩ/1kΩ)に推移する。
この中間状態(1kΩ/1kΩ)では、2つの可変抵抗素子11,12が両方とも低抵抗(1kΩ)であるため、図6Fに示すように、XY間の2Vの電圧が半分ずつに分圧されてVz=1.0Vになっており、第2の可変抵抗素子12に0.5Vの電圧が消去方向にかかることになる。すると、第2の可変抵抗素子12が高抵抗(100kΩ)に変化して、図5Aに示すように、「S=1状態」に状態が推移し、安定状態となってVz=2.0Vとなる。従って、図4中左側の中間状態(1kΩ/1kΩ)から上側の「S=1状態」(1kΩ/100kΩ)に推移する。
このように、本実施の形態の記憶素子20では、コンプリメンタリに接続されている2つの可変抵抗素子11,12が互いに高抵抗と低抵抗という異なる抵抗値であって、どちらの素子が低抵抗になっているかによって、記憶データが1であるか0であるかを区別する点に特徴がある。
また、データが書き換えられる場合には、1個の可変抵抗素子の書き込み及び消去の動作(図10A〜図10D参照)とは異なり、不安定な「中間状態」を経てから安定な「S=1状態」又は「S=0状態」に推移する点に特徴がある。
また、データが書き換えられる場合には、1個の可変抵抗素子の書き込み及び消去の動作(図10A〜図10D参照)とは異なり、不安定な「中間状態」を経てから安定な「S=1状態」又は「S=0状態」に推移する点に特徴がある。
このような書き換え動作を繰り返し行うためには、記憶素子20に使用している不揮発性の可変抵抗素子11,12が、書き込み時の電圧の約1/4の電圧が逆方向に掛かることで消去される必要がある。
また、このようなデータの書き換え動作は、両側の端子X,Yに、可変抵抗素子11,12のデータ書き込み閾値Vwrより大きく、なおかつデータ消去閾値Verの4倍よりも大きい電圧を与えることによって実現することができる。
そして、これら2つの閾値Vwr,Verよりも小さい読み出し電圧Vrdを与えたときの共通端子Zの電位Vzを調べることによって、データを読み出すことができる。
また、このようなデータの書き換え動作は、両側の端子X,Yに、可変抵抗素子11,12のデータ書き込み閾値Vwrより大きく、なおかつデータ消去閾値Verの4倍よりも大きい電圧を与えることによって実現することができる。
そして、これら2つの閾値Vwr,Verよりも小さい読み出し電圧Vrdを与えたときの共通端子Zの電位Vzを調べることによって、データを読み出すことができる。
さらに、図3Dに示した「禁止状態」、即ち2つの可変抵抗素子11,12がいずれも高抵抗である状態が、記憶素子20の初期状態となる。この状態では、図6G又は図6Hに示すように、両側の端子X,Yに2Vの電位差を与えても、どちらの可変抵抗素子11,12も低抵抗にはならない。
このため、記憶素子20の共通端子Zと両側の端子X,Yとの間にデータ書き込み閾値Vwrよりも大きい電圧を与えることによって、不揮発性の可変抵抗素子11,12を2つとも又は1つだけ低抵抗にするような操作(初期化)を行う必要がある。この操作を行うことにより、記憶素子20が図4に示した状態推移サイクルの中に入り、データ書き込み及びデータ消去の動作が可能になる。
このため、記憶素子20の共通端子Zと両側の端子X,Yとの間にデータ書き込み閾値Vwrよりも大きい電圧を与えることによって、不揮発性の可変抵抗素子11,12を2つとも又は1つだけ低抵抗にするような操作(初期化)を行う必要がある。この操作を行うことにより、記憶素子20が図4に示した状態推移サイクルの中に入り、データ書き込み及びデータ消去の動作が可能になる。
次に、記憶素子20のデータを読み出す動作を説明する。また、記憶素子20の各状態における読み出し時の電圧配分例を図7に示す。
図7では、説明を簡単にするために、可変抵抗素子11,12が高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
図7では、説明を簡単にするために、可変抵抗素子11,12が高抵抗のときには100kΩで、低抵抗のときには1kΩの各抵抗値であるものとしている。また、選択用のMOSトランジスタTr1,Tr2には適切なゲート電圧が与えられ、オン抵抗が1kΩであるものとしている。これらは、必ずしも正しくはないが、概ね妥当な値である。
そして、記憶素子20に対して、読み出し電圧として、両側の端子X,Y間に0.3Vを与えた場合を考える。この電圧は、可変抵抗素子11,12の書き込み閾値Vwr及び消去閾値Verよりも小さいため、可変抵抗素子11,12の抵抗値は変化しない。
図7Aに示すように、S=1状態(1kΩ/100kΩ)において、Vx=0.3V,Vy=0Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.3Vとなる。
図7Bに示すように、S=1状態(1kΩ/100kΩ)において、Vx=0V,Vy=0.3Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。
図7Cに示すように、S=0状態(100kΩ/1kΩ)において、Vx=0.3V,Vy=0Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。
図7Dに示すように、S=0状態(100kΩ/1kΩ)において、Vx=0V,Vy=0.3Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.3Vとなる。
図7Aに示すように、S=1状態(1kΩ/100kΩ)において、Vx=0.3V,Vy=0Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.3Vとなる。
図7Bに示すように、S=1状態(1kΩ/100kΩ)において、Vx=0V,Vy=0.3Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。
図7Cに示すように、S=0状態(100kΩ/1kΩ)において、Vx=0.3V,Vy=0Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.0Vとなる。
図7Dに示すように、S=0状態(100kΩ/1kΩ)において、Vx=0V,Vy=0.3Vを与えると、端子Zの電位Vz=0.3Vとなる。
従って、図7Aと図7Cを、図7Bと図7Dを、それぞれ比較することにより、記憶データが1であるか0であるかによって生じるセンス端子Zの電位Vzの電位差はいずれも0.3Vであり、Vx及びVyの電位差とほぼ等しくなることがわかる。
つまり、センス端子Zにおいて、図10のように単体で可変抵抗素子VRを用いた場合と比較して、3倍の電位差が得られることになり、次の段のMOSトランジスタをON/OFFするにしても、センス・アンプで増幅するにしても、ずっと安定に動作させることが可能になることがわかる。
つまり、センス端子Zにおいて、図10のように単体で可変抵抗素子VRを用いた場合と比較して、3倍の電位差が得られることになり、次の段のMOSトランジスタをON/OFFするにしても、センス・アンプで増幅するにしても、ずっと安定に動作させることが可能になることがわかる。
また、この記憶素子20では、安定な2つの状態である「S=1状態」と「S=0状態」とにおいて、2つの可変抵抗素子11,12の合成抵抗は一定であり、ほぼ高抵抗の値と同じになる。
従って、上述の読み出し電圧を与えた場合に流れる電流は、わずか3μAに過ぎず、図10に示した単体で可変抵抗素子VRを用いた場合と比較して、消費電力を大幅に削減することができる。
従って、上述の読み出し電圧を与えた場合に流れる電流は、わずか3μAに過ぎず、図10に示した単体で可変抵抗素子VRを用いた場合と比較して、消費電力を大幅に削減することができる。
なお、データ書き換えの際に、「中間状態」では両方の可変抵抗素子11,12が低抵抗になっているため、75μAの電流が流れることになるが、この状態は不安定であり、ごく短い時間しか持続しないため、これによる消費電力の増加は問題にならない。
上述の各実施の形態の記憶素子10,20の構成によれば、2つの不揮発性の可変抵抗素子11,12を接続して、一方の電極1又は2を共通端子Zとして記憶素子10,20を構成しているので、2つの可変抵抗素子11,12を相補的に動作させて、情報の記録を行うことが可能になる。
即ち、2つの可変抵抗素子11,12の一方の電極が共通端子Zとなっているため、それぞれ独立したX端子とY端子との間で2つの可変抵抗素子11,12が直列に接続される。そして、X端子とY端子との間に電圧を印加すると、この電圧が、一方の可変抵抗素子に対しては高抵抗状態から低抵抗状態に変化させるように作用し、他方の可変抵抗素子に対しては低抵抗状態から高抵抗状態に変化させるように作用する。
これにより、一方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、それぞれ変化させると共に、その変化した後の状態を安定して保持することができる。
また、X端子とY端子との間に、上述した電圧と逆極性の電圧を印加すると、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、それぞれ変化させることができる。これにより、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変えて、情報を書き換えることができる。
即ち、2つの可変抵抗素子11,12の一方の電極が共通端子Zとなっているため、それぞれ独立したX端子とY端子との間で2つの可変抵抗素子11,12が直列に接続される。そして、X端子とY端子との間に電圧を印加すると、この電圧が、一方の可変抵抗素子に対しては高抵抗状態から低抵抗状態に変化させるように作用し、他方の可変抵抗素子に対しては低抵抗状態から高抵抗状態に変化させるように作用する。
これにより、一方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、それぞれ変化させると共に、その変化した後の状態を安定して保持することができる。
また、X端子とY端子との間に、上述した電圧と逆極性の電圧を印加すると、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態に、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態に、それぞれ変化させることができる。これにより、第1の可変抵抗素子及び第2の可変抵抗素子の抵抗状態の組み合わせを変えて、情報を書き換えることができる。
このことを利用して、可変抵抗素子11と可変抵抗素子12の抵抗状態の組み合わせにより、「S=1状態」と「S=0状態」との2つの情報を各メモリセルに記憶することが可能になる。
そして、変化した後の抵抗状態を安定して保持することができるため、メモリセルに安定して情報を記憶することができ、記憶素子10,20に対して不揮発で情報を記憶することができる。
そして、変化した後の抵抗状態を安定して保持することができるため、メモリセルに安定して情報を記憶することができ、記憶素子10,20に対して不揮発で情報を記憶することができる。
さらに、2つの可変抵抗素子11,12の抵抗状態が変化する際に、共に低抵抗状態となる中間状態を経由するので、1つの可変抵抗素子のみでメモリセルを構成した場合とは、状態の変化のしかたが異なる。
そして、中間状態となる時間は短く、それ以外の時間は、2つの可変抵抗素子11,12のうち一方が高抵抗状態にあり、メモリセル全体の合成抵抗が大きくなることから、メモリセルに流れる電流は小さくなる。
これにより、情報の記録・消去や情報の読み出しの際に、メモリセルに電圧を印加して流れる電流を低減することができる。
従って、メモリセルに流れる電流を低減して、記憶素子の消費電力を低減することができる。
これにより、情報の記録・消去や情報の読み出しの際に、メモリセルに電圧を印加して流れる電流を低減することができる。
従って、メモリセルに流れる電流を低減して、記憶素子の消費電力を低減することができる。
さらに、情報の内容(「1」と「0」)によって、共通端子Zの電位Vzが大きく変化するため、情報の読み出し時に充分な電位差が得られる。
これにより、情報の内容を容易に判別することができると共に、共通端子Zの電位Vzを利用して次段の回路(MOSトランジスタ等)を容易に駆動することが可能になる。
これにより、情報の内容を容易に判別することができると共に、共通端子Zの電位Vzを利用して次段の回路(MOSトランジスタ等)を容易に駆動することが可能になる。
このため、上述の各実施の形態の記憶素子10,20は、電源を切っても情報を失わない回路や、別チップになったRAMとのデータ転送を必要としない回路を実現するための、ロジック・イン・メモリ等を構成するための基本素子として用いることができる。
上述の各実施の形態の形態の記憶素子10,20を、多数マトリクス状に配置することにより、記憶装置を構成することができる。
そして、上述の各実施の形態の形態の記憶素子10,20を用いることにより、消費電力が小さい記憶装置を構成することができる。
そして、上述の各実施の形態の形態の記憶素子10,20を用いることにより、消費電力が小さい記憶装置を構成することができる。
続いて、本発明のさらに他の実施の形態として、記憶素子の概略構成図を図8Aに示すように、可変抵抗素子が2つの電極に対応して分離されていないような構成を考えることができる。
この記憶素子30は、図8Aに示すように、下側の電極21と上側の電極22との間に、導体膜23と絶縁体膜24が設けられ、さらに、上側の電極22が図中左右2箇所に分かれて形成されている。
また、左右それぞれの電極22に端子Xと端子Yが接続され、図8Aの破線の左側が第1の可変抵抗素子11となり、破線の右側が第2の可変抵抗素子12となっている。
即ち、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12において、下側の電極21・導体膜23・絶縁体膜24が共通に形成されており、上側の電極22だけが別々に形成されている。
この記憶素子30は、図8Aに示すように、下側の電極21と上側の電極22との間に、導体膜23と絶縁体膜24が設けられ、さらに、上側の電極22が図中左右2箇所に分かれて形成されている。
また、左右それぞれの電極22に端子Xと端子Yが接続され、図8Aの破線の左側が第1の可変抵抗素子11となり、破線の右側が第2の可変抵抗素子12となっている。
即ち、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12において、下側の電極21・導体膜23・絶縁体膜24が共通に形成されており、上側の電極22だけが別々に形成されている。
この記憶素子30の回路構成図を図8Bに示す。図8Bに示すように、図1Bに示した先の実施の形態の記憶素子10と全く同じ回路構成になっている。
この構成の記憶素子30においても、抵抗値は電極21,22間の最も電流が流れやすい経路によって決定されるので、データの書き換え及び消去の動作は先の各実施の形態の記憶素子10,20と全く同じになる。
この記憶素子30においては、電流経路が絶縁体膜24内で短絡することがないように、必要な間隔を開けて、左右の電極22を形成する。
この構成の記憶素子30においても、抵抗値は電極21,22間の最も電流が流れやすい経路によって決定されるので、データの書き換え及び消去の動作は先の各実施の形態の記憶素子10,20と全く同じになる。
この記憶素子30においては、電流経路が絶縁体膜24内で短絡することがないように、必要な間隔を開けて、左右の電極22を形成する。
本実施の形態の記憶素子30によれば、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12において、下側の電極21・導体膜23・絶縁体膜24が共通に形成されており、上側の電極22だけが別々に形成されていることにより、別々に形成されている上側の電極22によって、第1の可変抵抗素子11と第2の可変抵抗素子12とでそれぞれ別々に電流の経路が形成される。
従って、記憶素子30の等価回路図は、図8Bに示すように、第1の可変抵抗素子11と第2の可変抵抗素子12がコンプリメンタリ(相補的)に配置されることから、先の各実施の形態の記憶素子10,20と同様に、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態として、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12の抵抗状態の組み合わせにより、メモリセルに「S=1状態」と「S=0状態」の各情報を記憶することができる。
そして、情報を安定して保持して不揮発で情報の記憶を行うことができると共に、記憶素子30の消費電力を小さくすることができ、また読み出し時に情報の内容を容易に判別することや次段の回路を容易に駆動することができる。
従って、記憶素子30の等価回路図は、図8Bに示すように、第1の可変抵抗素子11と第2の可変抵抗素子12がコンプリメンタリ(相補的)に配置されることから、先の各実施の形態の記憶素子10,20と同様に、一方の可変抵抗素子を高抵抗状態、他方の可変抵抗素子を低抵抗状態として、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12の抵抗状態の組み合わせにより、メモリセルに「S=1状態」と「S=0状態」の各情報を記憶することができる。
そして、情報を安定して保持して不揮発で情報の記憶を行うことができると共に、記憶素子30の消費電力を小さくすることができ、また読み出し時に情報の内容を容易に判別することや次段の回路を容易に駆動することができる。
また、本実施の形態の記憶素子30によれば、下側の電極21・導体膜23・絶縁体膜24が、第1の可変抵抗素子11及び第2の可変抵抗素子12で共通に形成されているため、記憶素子30を製造する際に、これら各層21,23,24のパターニングの加工が容易になる。
この他、例えば、絶縁体膜を下層にして、その上に導体膜を形成し、絶縁体膜を2つの可変抵抗素子に共通とする一方で、導体膜のパターンを2つの可変抵抗素子で分離した構成としてもよい。この構成の場合、絶縁体膜が共通に形成されているため、図8Aに示した構成と同様に、記憶素子を製造する際に、絶縁体膜のパターニングの加工が容易になる利点を有する。また、この構成は、導体膜が分離されているので、等価回路図は図2Bと同じになる。
なお、可変抵抗素子11,12の書き込み閾値Vwr及び消去閾値Verは、図1A・図2A・図8Aにそれぞれ示した膜構成の場合、導体膜3又は絶縁体膜4の材料・膜組成や膜厚等を選定することによって、閾値の大きさを制御することが可能である。
ところで、可変抵抗素子11,12の書き込み閾値Vwrと消去閾値Verのうち、少なくとも一方の閾値電圧が0Vもしくは0Vに近い電圧、即ち絶対値が小さい電圧である場合には、読み出し時にデータが破壊されないように、読み出し時のX端子の電位VxとY端子の電位Vyとを制御する必要がある。
一方、上述の電圧の閾値Vwr,Werを有する場合には、電圧の閾値Vwr,Verよりも小さい電圧を印加すれば、印加した電圧の極性に関わらず、非破壊でデータを読み出すことができる。
上述の各実施の形態では、記憶素子10,20,30を構成する可変抵抗素子11,12が、2つの電極間に導体膜及び絶縁体膜を設けた構成となっていたが、その他の構成としてもよい。
例えば、導体膜の代わりに半導体膜を用いたり、絶縁体膜の代わりに半導体膜や導体膜を用いたりしてもよく、積層順序が逆であったり、単層であってもよい。いずれの構成でも、可変抵抗素子が、電圧を印加することにより高抵抗状態と低抵抗状態との間で変化する特性であり、さらに抵抗状態が変化する電圧の閾値を有していればよい。
例えば、導体膜の代わりに半導体膜を用いたり、絶縁体膜の代わりに半導体膜や導体膜を用いたりしてもよく、積層順序が逆であったり、単層であってもよい。いずれの構成でも、可変抵抗素子が、電圧を印加することにより高抵抗状態と低抵抗状態との間で変化する特性であり、さらに抵抗状態が変化する電圧の閾値を有していればよい。
なお、可変抵抗素子の抵抗値や端子に印加する電圧の大きさ等は、上述の実施の形態に示した構成に限定されるものではなく、その他幅広い構成とすることができる。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1,2,21,22 電極、3,23 導体膜、4,24 絶縁体膜、10,20,30 記憶素子、11 第1の可変抵抗素子、12 第2の可変抵抗素子、Tr1,Tr2 MOSトランジスタ
Claims (5)
- 一方の電極と他方の電極との間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、
2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記一方の電極を接続して共通端子とし、
2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計3端子としてメモリセルを構成した
ことを特徴とする記憶素子。 - 前記可変抵抗素子は、前記高抵抗状態と前記低抵抗状態との間で可逆的に変化するときに、それぞれ電圧の閾値を有することを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。
- 前記可変抵抗素子は、前記一方の電極と前記他方の電極との間に、導体膜と絶縁体膜が形成され、前記導体膜から前記絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に変化し、前記絶縁体膜から前記導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に変化する特性を有し、前記導体膜側の電極を接続して前記共通端子としていることを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。
- 前記可変抵抗素子は、前記一方の電極と前記他方の電極との間に、導体膜と絶縁体膜が形成され、前記導体膜から前記絶縁体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に変化し、前記絶縁体膜から前記導体膜に向かって電流が流れるように電圧を印加すると前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に変化する特性を有し、前記絶縁体膜側の電極を接続して前記共通端子としていることを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。
- 一方の電極と他方の電極との間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、
2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記一方の電極を接続して共通端子とし、
2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計3端子としてメモリセルを構成した記憶素子を駆動する方法であって、
前記可変抵抗素子は、前記高抵抗状態と前記低抵抗状態との間で可逆的に変化するときに、それぞれ電圧の閾値を有し、
前記記憶素子の両端の端子に、前記電圧の閾値よりも大きい電圧を印加することにより、情報の記録・消去を行い、
前記記憶素子の両端の端子に、前記電圧の閾値よりも小さい電圧を印加することにより、記憶素子に記録された情報を読み出す
ことを特徴とする記憶素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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JP2006032867A true JP2006032867A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898811
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004213594A Pending JP2006032867A (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 記憶素子及びその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006032867A (ja) |
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