JP5429287B2 - 抵抗スイッチング・メモリー素子 - Google Patents

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Description

この発明は、抵抗値が電圧を印加することにより変化し、それを記憶することができる、抵抗スイッチング・メモリー素子に関するもので、特に、酸化物半導体を備える抵抗スイッチング・メモリー素子に関するものである。
特定的な組成を有する酸化物半導体は、抵抗メモリー特性を与え得ることが知られている。すなわち、この酸化物半導体は、これに接触する1対の電極間において、初期状態でたとえば比較的高い抵抗を示すが、所定値以上の電圧を印加すると、低抵抗状態に変化し、電圧を除去しても、この低抵抗状態が保持(記憶)され、他方、低抵抗状態にあるとき、1対の電極間に所定値以上の電圧を逆方向に印加すると、高抵抗状態に戻り、この電圧を除去しても、高抵抗状態が保持(記憶)されるという特性を有している。
このような酸化物半導体は、1対の電極間にしきい値以上の電圧を正方向および逆方向の各々に印加することにより、低抵抗状態と高抵抗状態とにスイッチングできるものであり、スイッチングにより、抵抗変化させ、それを記憶することが可能である。この抵抗スイッチング特性を利用することにより、抵抗メモリー素子としてだけでなく、スイッチング素子としても用いることができる。
上述のような酸化物半導体は、たとえば、非特許文献1および2に記載されている。非特許文献1では、n型半導体とショットキー障壁を形成する電極とにより構成される素子において、電流−電圧特性において、整流性と大きなヒステリシスが発現することが記載されている。非特許文献2では、p型のPr0.7Ca0.3MnO3とAgまたはPt電極とをもって構成されるキャパシタ構造を有する素子において、抵抗スイッチング特性が得られることが記載されている。
上記非特許文献1および2以外にも、酸化物半導体を備える抵抗スイッチング・メモリー素子が数多く提案されているが、抵抗スイッチング・メモリー素子が有する上述したような特性発現が酸化物半導体と電極との界面に由来するもの(界面型またはショットキー型)と、酸化物半導体のバルクに由来するもの(バルク型またはフィラメント型)とに大きくは分類される。
酸化物半導体を用いて抵抗スイッチング・メモリー素子を構成する場合、典型的には図14に示すような構造とされる。
図14を参照して、抵抗スイッチング・メモリー素子1は、酸化物半導体2と、酸化物半導体2の少なくとも一部を介して対向する少なくとも1対の電極3および4とを備えている。この実施形態では、抵抗スイッチング・メモリー素子1は、絶縁基板5上に下部電極4が形成され、その上に薄膜状の酸化物半導体2が形成され、さらにその上に薄膜状の上部電極3が形成された、キャパシタ構造を有している。
この抵抗スイッチング・メモリー素子1は、たとえば上述した界面型またはショットキー型のものであり、電極3および4の少なくとも一方は、酸化物半導体2との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料からなる。ショットキー障壁は、整流特性だけでなく、その電流−電圧特性に大きなヒステリシスを有し、電極3および4間に印加される電圧の極性を異ならせることにより、高抵抗状態と低抵抗状態というように抵抗状態を変化させることができる。
より具体的に説明すると、たとえば電極3が、酸化物半導体2との界面領域でショットキー障壁を形成するものであるとすると、1対の端子6および7を介して第1方向の制御電圧を1対の電極3および4間に印加したとき、電極3と酸化物半導体2との界面領域が低抵抗化し、その後、この第1方向の制御電圧を除去しても、この低抵抗状態が保持され、他方、1対の電極3および4間に第1方向とは逆の第2方向の制御電圧を1対の端子6および7を介して印加したとき、電極3と酸化物半導体2との界面領域が高抵抗化し、その後、この第2方向の制御電圧を除去しても、この高抵抗状態が保持される。
この抵抗スイッチング・メモリー素子1の用途として、メモリー用途だけでなく、メモリー機能を有する抵抗スイッチまたはインピーダンススイッチとしての応用を考えた場合、抵抗状態を変化させるために上述した制御電圧の印加が不可欠である。特に、ショットキー障壁由来の抵抗スイッチング・メモリー素子1の場合には、現在一般的に用いられているp−n接合素子や、ダイオードなどに抵抗変化およびメモリー特性を付加した新しい素子が実現できるものと期待される。
一般的なダイオードやp−n接合素子では、電圧を印加した状態で、素子の抵抗値を大きく変化させることができ、電圧を除去すると、抵抗値は元に戻るため、一般的な抵抗体と同じように2端子を有していれば特に弊害はない。
これに対して、抵抗スイッチング・メモリー素子1の場合には、電圧を除去しても、その抵抗状態を保持することが可能となるため、任意の電圧(制御電圧)を印加することにより抵抗状態を変化させ、その後において、電流や信号を流すための電圧(駆動電圧)を印加する必要がある。この場合、図14に示すような端子6および7の2端子しかない構造の抵抗スイッチング・メモリー素子1では、抵抗状態を切り替えるための制御電圧と電流や信号を流すための駆動電圧との双方について、共通の端子6および7を通して印加する必要がある。
したがって、抵抗状態を変化させるための制御電圧を端子6および7間に加える際には、端子6および7を電流ラインまたは信号ラインから一時的にスイッチなどにより切断する必要があり、抵抗スイッチング・メモリー素子1の制御が煩雑になる。
また、抵抗スイッチング・メモリー素子1は、抵抗スイッチング特性を発現するが、その抵抗変化率または抵抗値には電圧依存性があり、印加する電圧によっては抵抗値が高すぎたり低すぎたりしたり、あるいは抵抗変化率が小さすぎたりするといった問題に遭遇することもある。
上述したような課題を解決するためには、抵抗状態を独立に制御できるようにすることが望まれる。
T. Fujii、外5名,「エピタキシャル酸化物のショットキー接合SrRuO3/SrTi0.99Nb0.01O3における電流−電圧ヒステリシス特性と抵抗スイッチング(Hysteretic current-voltage characteristics and resistance switching at an epitaxial oxide Schottky Junction SrRuO3/SrTi0.99Nb0.01O3)」,APPLIED PHYSICS LETTERS 86, 012107(2005) A. Odagawa、外5名,「室温でのPr0.7Ca0.3MnO3薄膜の大きな電気抵抗(Colossal electroresistance of a Pr0.7Ca0.3MnO3 thin film at room temperature)」,PHYSICAL REVIEW B 70, 224403 (2004)
そこで、この発明の目的は、上述したような要望を満たし得る抵抗スイッチング・メモリー素子を提供しようとすることである。
この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子は、酸化物半導体とこの酸化物半導体に接触するように設けられた電極とを備えるが、上述した技術的課題を解決するため、簡単に言えば、上記電極として、第1、第2および第3の電極というように少なくとも3個の電極を備えることを特徴としている。
上記第1の電極は、酸化物半導体との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料からなる。また、第3の電極は、第1および第2の電極と比較して、酸化物半導体に対してよりオーミックな接合が得られる材料からなる。
そして、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子は、第1の電極と第2の電極との間に接続される、上記界面領域の抵抗を制御するための制御用電源をさらに備えるとともに、第2の電極と酸化物半導体との界面に沿って形成される絶縁層をさらに備えることを特徴としている。
なお、上記「界面領域」との用語は、酸化物半導体と電極との界面だけに限らず、界面の近傍をも含む意味で用いている。
この発明において、上記第2の電極についても、酸化物半導体との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料からなることが好ましい。
上記酸化物半導体はn型の半導体であることが好ましい。この場合、酸化物半導体として、一般式:(Ba1−xSr)Ti1−y(Mは、Mn、FeおよびCoのうちの少なくとも1種。0≦x≦1.0かつ0.005≦y≦0.05)で示される組成を有するもの、あるいは、一般式:Ti1−x(Mは、Fe、Co、NiおよびCuのうちの少なくとも1種。0.005≦x≦0.05)で示される組成を有するものが特に有利に用いられる。
この発明によれば、第1、第2および第3の電極というように少なくとも3個の電極を備え、電流や信号を流すための駆動電圧は、第1および第3の電極に印加されるが、抵抗を制御するための制御電圧は、制御用電源から第1および第2の電極に印加されるというように、駆動電圧の印加とは独立して抵抗状態を制御することができる。したがって、抵抗状態を変化させるための制御電圧を印加する際に、電流ラインまたは信号ラインから一時的にスイッチなどにより切断するといった制御上の煩雑さを解消することができる。
また、第1および第2の電極間に印加される制御電圧は、抵抗スイッチング・メモリー素子の抵抗変化率や抵抗値を調整するためにも機能させることができる。そのため、抵抗スイッチング・メモリー素子において、所望の抵抗変化率を容易に実現したり、所望の抵抗値を容易に実現したりすることができる。
さらに、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子によれば、酸化物半導体と第1の電極との接合界面全体で抵抗変化現象が発現しているため、電極面積換算による抵抗値の設計が容易であり、また、均一性が高いため、安定した抵抗またはインピーダンス変化を実現することができる。
また、この発明によれば、第2の電極と酸化物半導体との界面に沿って絶縁層が形成されているので、次の問題を生じさせにくくすることができる。すなわち、第1および第2の電極間に制御電圧を印加した場合、第1および第2の電極間に過度な電流が流れてしまい、さらに回路によっては、第2および第3の電極間に電流が流れるといった、リーク電流の問題が生じ得るが、このような問題の発生をより確実に抑制することができる。その結果、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子において、その制御性を向上させ、また、誤動作抑制機能を高め、さらに、消費電力低減に寄与させることができる。
上述の利点は、第2の電極についても、酸化物半導体との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成されている場合にも奏される。
特に、第2の電極が酸化物半導体との界面領域においてショットキー障壁を形成し得る材料から構成されていると、絶縁層が形成される場合と比較して、第1の電極の界面領域に、より効率良く電圧を印加することができ、抵抗変化率を低下させることを回避できる。また、第1の電極と第2の電極とを共通のプロセスによって形成することができるので、抵抗スイッチング・メモリー素子の製造工程の簡略化を図ることができる。
この発明において、酸化物半導体として、n型の半導体である、一般式:(Ba1−xSr)Ti1−y(Mは、Mn、FeおよびCoのうちの少なくとも1種。0≦x≦1.0かつ0.005≦y≦0.05)で示される組成を有するもの、あるいは、一般式:Ti1−x(Mは、Fe、Co、NiおよびCuのうちの少なくとも1種。0.005≦x≦0.05)で示される組成を有するものが用いられると、特に、抵抗変化率が大きく、かつ優れた抵抗メモリー効果を有する、抵抗スイッチング・メモリー素子を実現することができる。
この発明の第1の参考例による抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。 図1に示した抵抗スイッチング・メモリー素子を模式的に回路図で示したものである。 図1に示した抵抗スイッチング・メモリー素子の電流−電圧特性を説明するための図である。 この発明の第2の参考例による抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。 この発明の第1の実施形態による抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。 この発明の第2の実施形態による抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。 図5または図6に示した抵抗スイッチング・メモリー素子を模式的に回路図で示したものである。 実験例において作製した抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。 実験例1において作製した、図8に示した抵抗スイッチング・メモリー素子の第1および第3の電極間の電流−電圧特性を示す図である。 実験例1において作製した、図8に示した抵抗スイッチング・メモリー素子の第1および第3の電極間の電流−電圧特性を示す図であって、第1および第2の電極間に電圧が印加されない場合と印加された場合とを対比して示している。 実験例1において作製した、図8に示した抵抗スイッチング・メモリー素子の第1および第3の電極間の電流−電圧特性を示す図であって、低抵抗状態の場合と高抵抗状態の場合とをそれぞれ示している。 実験例2において評価した抵抗スイッチング・メモリー素子の抵抗保持時間の求め方を説明するための図である。 実験例2において作製した試料48に係る抵抗記憶素子の抵抗保持特性を示す図である。 この発明にとって興味ある抵抗スイッチング・メモリー素子を図解的に示す断面図である。
図1を参照して、抵抗スイッチング・メモリー素子11は、酸化物半導体12と、酸化物半導体12に接触するように設けられた、第1、第2および第3の電極13、14および15を含む少なくとも3個の電極とを備えている。この実施形態では、抵抗スイッチング・メモリー素子11は、第3の電極15上に、薄膜状の酸化物半導体12が形成され、さらにその上に第1および第2の電極13および14が、酸化物半導体12を介して第3の電極15に対向するように形成された、キャパシタ構造を有している。
なお、第3の電極15は、それ自身が基板として機能するものであってもよいが、必要に応じて絶縁基板16(想像線で示す。)が用意され、その上に第3の電極15が形成されてもよい。また、酸化物半導体12は、薄膜状ではなく、バルク体によって与えられてもよい。
第1ないし第3の電極13〜15のうち、第3の電極15は、他の2個の電極13および14と比較して、酸化物半導体12に対してよりオーミックな接合が得られる材料からなる。
また、第1の電極13は、酸化物半導体12の仕事関数より大きな仕事関数を有し、酸化物半導体12との接合界面17において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成される。第2の電極14についても、好ましくは、酸化物半導体12との接合界面18において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成される。図2には、第2の電極14についても、酸化物半導体12との接合界面18においてショットキー障壁を形成する場合における抵抗スイッチング・メモリー素子11が模式的に回路図で示されている。図2において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、図1と図2との対応関係が理解しやすいようにされている。
第1の電極13と第2の電極14との間には、制御用電源19が接続される。この制御用電源19は、酸化物半導体12と第1の電極13との界面17の抵抗値を制御するための制御電圧を第1および第2の電極13および14間に印加するためのものである。制御電圧は、必要に応じて印加されるものであって、第1および第3の電極13および15間の抵抗値や抵抗変化率を所望の値に調整するためのものである。
第1および第3の電極13および15には、それぞれ、端子20および21が接続される。これらの端子20および21を通して、電流や電気信号を流すための駆動電圧が第1および第3の電極13および15間に印加され、電流や電気信号は第1および第3の電極13および15間を通して伝送される。
この抵抗スイッチング・メモリー素子11に備える各要素を構成する好ましい材料の具体例について以下に説明する。
酸化物半導体12は、n型の半導体であることが好ましい。酸化物半導体12としては、たとえば、TiO、SrTiO、BaTiO、CaTiO、(Ba,Sr,Ca)TiO、ZnO、Zn−In−O、Zn−In−Ga−O、In、SnOを主成分にしたものなどが挙げられる。
また、酸化物半導体12として、最近では、一般式:(Ba1−xSr)Ti1−y(Mは、Mn、FeおよびCoのうちの少なくとも1種。0≦x≦1.0かつ0.005≦y≦0.05)で示される組成を有するもの、あるいは、一般式:Ti1−x(Mは、Fe、Co、NiおよびCuのうちの少なくとも1種。0.005≦x≦0.05)で示される組成を有するものが特に好ましいことがわかっている。
上述したようなn型の酸化物半導体12に対して仕事関数が大きな金属伝導を示す物質であって、第1の電極13の材料として適したものとして、Pt、Au、Pd、AgもしくはRu、またはそれらの合金、RuO、SrRuOのような酸化物が挙げられる。上記のような金属や酸化物だけでなく、仕事関数が大きく、酸化物半導体12に対してショットキー障壁を形成できるのであれば、PEDOT:PSSなどの有機物の導電体でも構わない。
第3の電極15のように、オーミックな接合を得るためには、酸化物半導体12より仕事関数の小さな電極材料を選択すればよい。しかし、実際は仕事関数が大きくてもその差が小さければオーミックな特性を得ることができる。また、仕事関数が非常に大きくても、作製プロセスによってはオーミックに近い接触が得られることがあり、この場合は仕事関数によらず電極を選択してもよい。
第3の電極15の材料としては、Nb:SrTiOが有利に用いられるが、これ以外に、たとえば、Ti、Al、In、Zn、TiNおよび貴金属電極等を用いることもできる。
酸化物半導体12として、p型の半導体を用いることもできる。たとえば、一般式:(R,Ca)MnO(Rは、La、Nd、Pr、Sm、Gd、Dy、HoおよびYのいずれか)で示される組成を有するものなどを用いることができる。この場合、酸化物半導体12に対してショットキー障壁を形成できる第1の電極13を構成する金属としては、たとえば、Al、TiまたはInを用いることができる。
抵抗スイッチング・メモリー素子11において、酸化物半導体12と第1の電極13との界面17にはショットキー障壁が形成され、このショットキー障壁は、整流特性だけでなく、その電流−電圧特性に大きなヒステリシスを有し、第1および第2の電極13および14間に印加される制御電圧の極性を異ならせることにより、高抵抗状態と低抵抗状態というように抵抗状態を変化させることができる。なお、この実施形態では、酸化物半導体12と第2の電極14との界面18についても同様のことが言える。
より具体的に説明すると、初期状態において、酸化物半導体12に対する第1の電極13の界面17が高抵抗状態であるとする。この場合、第1および第3の電極13および15間、すなわち端子20および21間で、図3において実線で示したような電流−電圧特性が得られる。
次に、第1および第2の電極13および14間に制御用電源19から第1極性の制御電圧を印加したとき、上記界面17が低抵抗状態となり、制御電圧をオフした後も、この状態が維持される。このとき、第1および第3の電極13および15間、すなわち端子20および21間で、図3において点線で示したような電流−電圧特性が得られる。
次に、第1および第2の電極13および14間に制御用電源19から第1極性とは逆の第2極性の制御電圧を印加したとき、上記界面17が再び高抵抗状態となり、制御電圧をオフした後も、この状態が維持される。このとき、第1および第3の電極13および15間、すなわち端子20および21間で、図3において実線で示したような電流−電圧特性が得られる。
なお、上述のように制御電圧を印加したとき、酸化物半導体12に対する第2の電極14の界面18においても、抵抗状態が変化するが、この変化の態様は、第1の電極3の界面17とは逆になる。したがって、界面17および18において抵抗状態がそれぞれ変化しても、界面17および18の一方は必ず高抵抗状態となっている。そのため、制御用電源19からの制御電圧により、第1および第2の電極13および14間に過度な電流が流れてしまい、さらには、第2および第3の電極14および15間に電流が流れてしまうという、リーク電流の問題の発生をより確実に抑制することができる。
以上のように、抵抗スイッチング・メモリー素子11によれば、整流性を有するダイオード特性をベースとしながら、FETなどを必要とせずに、抵抗またはインピーダンスをスイッチングするための素子あるいはメモリー素子を実現することができる。すなわち、制御電圧により、効率良くかつ簡便に抵抗を大きく変化させることができ、かつ、制御電圧を除去しても、その抵抗状態を保持することができるといった機能を有する素子を実現することができる。
図1に示す抵抗スイッチング・メモリー素子11は、金属/酸化物半導体/金属というキャパシタ構造を有するものであったが、酸化物半導体の一方主面上に第1ないし第3の電極を並べて形成したプレーナ型の構造としてもよい。
図4には、プレーナ型の抵抗スイッチング・メモリー素子11aが示されている。図4において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図4に示したプレーナ型の抵抗スイッチング・メモリー素子11aでは、酸化物半導体12の一方主面上に、第1ないし第3の電極13〜15が並んで形成されている。
図4に示したプレーナ型の抵抗スイッチング・メモリー素子11aにおいて、絶縁基板16上に酸化物半導体12を薄膜状に形成する場合、比較的安価なMgOやLaAlO絶縁体単結晶基板を絶縁基板16として用いても、その上に高品質な酸化物半導体12を薄膜状に形成することが可能である。
また、第3の電極15が第1および第2の電極13および14と同じ面上に形成されるので、第3の電極15の形成工程を、第1および第2の電極13および14の形成工程と連続して実施することができる。
以上説明した抵抗スイッチング・メモリー素子11または11aでは、第2の電極14についても、酸化物半導体12との界面領域においてショットキー障壁を形成し得る材料から構成されたが、これに代えて、図5または図6に示した実施形態のように、第2の電極と酸化物半導体との界面に沿って絶縁層が形成されてもよい。図5および図6は、それぞれ、図1および図4に対応するものであるが、図5および図6において、それぞれ、図1および図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
なお、図1および図4に示した抵抗スイッチング・メモリー素子は、絶縁層を備えない点でこの発明の範囲外の参考例であり、図5および図6に示した抵抗スイッチング・メモリー素子がこの発明の範囲内の実施形態である。
図5に示した抵抗スイッチング・メモリー素子11bでは、第2の電極14が、絶縁層22を介して、酸化物半導体12上に形成されている。図6に示した抵抗スイッチング・メモリー素子11cにおいても同様に、第2の電極14が、絶縁層22を介して、酸化物半導体12上に形成されている。
図7は、図2に対応する図であって、図5または図6に示した抵抗スイッチング・メモリー素子11bまたは11cを模式的に回路図で示したものである。図2において、図5または図6に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、図5または図6と図7との対応関係が理解しやすいようにされている。
以上説明したような抵抗スイッチング・メモリー素子11、11a、11bおよび11cによれば、接合界面17全体で抵抗変化現象が発現しているため、電極13の面積換算による抵抗値の設計が容易であり、また、界面17での均一性が高いため、安定した抵抗またはインピーダンス変化を実現することが可能である。
これに対して、前述したバルク由来の抵抗スイッチング・メモリー素子では、電極/酸化物半導体/電極のサンドイッチ構造が必要であり、また、電極間の酸化物半導体中にフィラメント状の伝導パスを形成し、フィラメントの接続および切断により抵抗が変化する。そのため、フィラメントの状態(大きさおよび数等)により抵抗値がばらつくことになり、抵抗の制御が難しい。また、バルク由来の抵抗スイッチング・メモリー素子では、整流性を有しないため、一方向に電流を制限するためには、ダイオードやトランジスタなどを別に接続する必要がある。
以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
図8は、実験例において評価用の試料として作製した抵抗スイッチング・メモリー素子31を図解的に示す断面図である。抵抗スイッチング・メモリー素子31は、Nb:SrTiO(100)導電性基板からなる第3の電極32を備え、その上に、薄膜からなる酸化物半導体33が形成され、この酸化物半導体33上に、第1および第2の電極34および35が形成された構造を有している。
[実験例1]
このような構造を有する抵抗スイッチング・メモリー素子31を、実験例1では、以下の工程に従って作製した。
酸化物半導体33を得るためのセラミックターゲットを次のように作製した。まず、原料として、高純度のBaCO、TiOおよびCoの各粉末を用い、所定の組成になるように秤量した後、メノウ乳鉢でエタノールを加えて十分混ざるように混合した。次に、乾燥させた後、バインダを添加し、高圧プレス機と金型を用いて焼成した後、直径が約20mm、厚みが約5mmになるように成形した。この成形体を、脱脂した後、1300℃の温度で大気中において4時間焼成し、Co(0.5at%)-doped BaTiOからなるターゲットを得た。
他方、第3の電極32となる、Nb(0.5at%)-doped SrTiO(100)単結晶基板(フルウチ化学製)を用意した。
次に、上記ターゲットを用いて、上記第3の電極32となる基板上に、PLD(Pulse Laser Deposition)法で、酸化物半導体33となる膜厚が100nm程度のCo(0.5at%)-doped BaTiO薄膜を作製した。ここで、レーザとしては、ラムダフィジックス製「Compex110」ArFエキシマレーザを用い、発生させたレーザ光を集光してターゲットに入射させ、薄膜を作製した。成膜時のレーザの条件については、エネルギーを1J/cm、周波数を10Hz、温度を750℃、真空度を1×10-4Torr(O flowing)とした。
次に、上記薄膜上に、メタルマスクを使用して、直径300μmのPtからなる第1および第2の電極34および35をDCスパッタ法で形成した。
このようにして得られた試料に係る抵抗スイッチング・メモリー素子31について、図8に示すように、第3の電極32上にIn−Gaからなる引出電極36を形成し、この引出電極36にWプローブ37を接触させながら、引出電極36と第1の電極34との間に電流電圧発生器38を接続して、第1および第3の電極34および32間の電流−電圧特性等を評価した。電流電圧発生器38としては、アドバンテスト社製「R6246」電流電圧発生器を用いた。
図9に、第1および第3の電極34および32間の電流−電圧特性が示されている。
図9からわかるように、抵抗スイッチング・メモリー素子31によれば、第1の電極34と酸化物半導体33との界面に形成されるショットキー障壁に由来する整流特性を得ることができるとともに、大きな抵抗変化特性を得ることができる。したがって、第1および第2の電極34および35間に電圧パルスなどの制御電圧を加えることにより、第1および第3の電極34および32間の抵抗値を変化させることができる。
このように抵抗値を変化させるにあたって、仮に第2の電極35が存在しない場合、抵抗値を変化させるための制御電圧を加える際には、第1および第3の電極34および32間に制御電圧を印加しなければならないので、第1および第3の電極34および32間を一度、電流ラインや信号ラインから切断する必要があり、デバイスの制御が煩雑になる。
また、図9からわかるように、最も大きな抵抗変化率を得ることができるのは3〜4V程度であり、第1および第3の電極34および32間のバイアス電圧がたとえば1Vのときには、それより小さな抵抗差しか得ることができない。
試料となる抵抗スイッチング・メモリー素子31の場合には、新たに付け加えた第2の電極35を利用し、第1および第2の電極34および35間に制御用電源39を接続し、制御用電源39から制御バイアスを加えることにより、図10に示すように大きな抵抗変化率を保ったまま、電流−電圧特性を、矢印で示す方向にシフトさせることが可能となる。したがって、上記制御バイアスを任意に変更することにより、第1および第3の電極34および32間で所望の抵抗変化率または抵抗値を容易に得ることができる。
なお、図10において、制御バイアスを印加しなかった場合が○のない太線で示され、+2Vの制御バイアスが印加された場合が○を分布させた太線で示されている。
図10から見積もられる、制御電圧を利用しなかった場合と利用した場合の、第1および第3の電極34および32間の抵抗、すなわち入出力端子間の抵抗を表1に示す。
Figure 0005429287
表1から明らかであるように、制御電圧を利用しなくても(0V)、大きな抵抗差が実現できているが、入出力端子間の電圧が1Vのときと3Vのときとで大きく異なり、抵抗値も異なっている。これに対して、制御電圧を用いることにより(+2V)、入出力端子間の抵抗および抵抗変化率を制御することが可能となり、たとえば大きな抵抗差が望まれる場合には、それが得られるように制御電圧を用いて制御することができる。そして、たとえば図10に示されるような電流−電圧特性において、1Vと3Vで測定した抵抗変化率を、
抵抗変化率[%]=(高抵抗状態の抵抗値−低抵抗状態の抵抗値)/低抵抗状態の抵抗値×100
の式に基づいて算出した。その結果が表1の「抵抗変化率」の欄に示されている。
なお、表1の「抵抗状態」において、「LRS」は低抵抗状態、「HRS」は高抵抗状態を示している。この表示は、後述する図面等においても用いている。
図11は、第1および第3の電極34および32間に抵抗状態を制御する電圧パルスを印加せずに、第1および第2の電極34および35間に電圧パルスを印加し、第1の電極34と酸化物半導体33との界面抵抗を変化させたときの第1および第3電極34および32間の電流−電圧特性を示している。図11において、高抵抗状態での電流−電圧特性が○のない太線で示され、低抵抗状態での電流−電圧特性が○を分布させた太線で示されている。
図11からわかるように、第1および第3の電極34および32間に抵抗状態を制御する電圧パルスを印加しなくても、第2の電極35を利用すれば、第1および第3電極34および32間の抵抗を変化させることが可能となる。すなわち、第1および第2の電極34および35間に制御電圧を印加することにより、第1および第3の電極34および32間の抵抗値またはインピーダンス値を変化させることができる。
この実験例1において、酸化物半導体33としてCo(0.5at%)-doped BaTiO薄膜を用いたが、次に、この場合の抵抗保持特性(メモリー特性)について評価した。その結果、抵抗保持特性に難点があり、特に低抵抗状態を長時間保持することができないという課題を有していることがわかった。同様のことが、BaTiO薄膜に代えて、SrTiO薄膜を用いた場合にも言えることがわかった。
すなわち、室温において、高抵抗状態の抵抗は時間が経過してもほとんど変化しないのに対し、低抵抗状態の抵抗は時間とともに徐々に上昇する傾向がみられる。この現象は高温になればなるほど顕著となり、たとえば100℃においては、24時間経過後には、低抵抗状態の抵抗値は、高抵抗状態の抵抗値とほぼ同じになることがわかった。つまり、低抵抗状態を長時間保持することができないことがわかった。
なお、この問題は次のようにして一応解決することができる。すなわち、試料に係る抵抗スイッチング・メモリー素子31では、入出力用の第1および第3の電極34および32に加えて、制御電圧を印加するための第2の電極25を備えているので、容易に「リフレッシュ」(メモリーされた状態を再度書き込むこと)を行なうことができる。
しかしながら、このことは、制御性、消費電力低減の観点からも好ましくなく、根本的な解決とは言えない。
根本的解決のためには、抵抗保持特性の優れた酸化物半導体を用いる必要がある。以下に説明する実験例2および3は、抵抗保持特性の優れた酸化物半導体である、界面やバルク内に準位を形成できる遷移金属を添加した(Ba,Sr)TiO系酸化物半導体およびTiO系酸化物半導体をそれぞれ用いたものである。
[実験例2]
酸化物半導体33を形成するため、一般式:(Ba1−xSr)Ti1−y(Mは、Mn、CoおよびFeのいずれか)で示されるセラミックターゲット(直径:20mm、厚み5mm)を固相反応法で作製した。原料としては、高純度のSrCO、BaCO、TiO、Mn、CoおよびFeの各粉末を用い、表2〜6に示した所定の組成になるように秤量した後、メノウ乳鉢でエタノールを加えて十分混ざるように混合した。次に、乾燥させた後、バインダを添加し、高圧プレス機および金型を用いて焼成した後、直径が約20mm、厚みが約5mmになるように成形した。この成形体を、脱脂した後、1300℃の温度で大気中において4時間焼成し、ターゲットを得た。
他方、酸化物半導体33となる(Ba,Sr)TiO系薄膜とほぼオーミックな接合が得られる第3の電極32となるべきものとして、Nb(0.5at%)doped SrTiO(100)単結晶基板(フルウチ化学製)を用意した。
次に、上記ターゲットを用いて、第3の電極32となる上記基板上に、PLD法で酸化物半導体33となる膜厚が100nm程度の(Ba,Sr)TiO系薄膜を作製した。ここで、レーザとしては、ラムダフィジックス製「Compex110」ArFエキシマレーザを用い、発生させたレーザ光を集光してターゲットに入射させ、薄膜を作製した。成膜時のレーザの条件については、エネルギーを1J/cm、周波数を10Hz、温度を750℃、真空度を1×10-4Torr(O flowing)とした。
次に、酸化物半導体33となる上記薄膜上に、メタルマスクを使用して、直径300μmのPtからなる第1および第2の電極34および35をDCスパッタ法で形成した。
このようにして得られた試料に係る抵抗スイッチング・メモリー素子31について、図8に示すように、第3の電極32上にIn−Gaからなる引出電極36を形成し、この引出電極36にWプローブ37を接触させながら、引出電極36と第1の電極34との間に電流電圧発生器38を接続して、電流−電圧特性を評価するとともに、室温および100℃での抵抗保持特性を評価した。電流電圧発生器7としては、アドバンテスト社製「R6246A」電流電圧発生器を用いた。
電流−電圧特性評価では、−X(V)⇒0V⇒Y(V)⇒0V⇒−X(V)(XおよびYは任意の電圧値)というように、抵抗スイッチング・メモリー素子31の第1および第3の電極34および32間に印加される電圧をスイープさせながら、抵抗スイッチング・メモリー素子31の第1および第3の電極34および32間に流れる電流を測定した。そして、たとえば図9に示されるような電流−電圧特性において、低抵抗状態から高抵抗状態にスイッチングする極性で一番大きな変化が得られる電圧を「見積もり電圧」とし、この「見積もり電圧」での抵抗変化率を、
抵抗変化率[%]=(高抵抗状態の抵抗値−低抵抗状態の抵抗値)/低抵抗状態の抵抗値×100
の式に基づいて算出した。その結果が表2ないし表6の「抵抗変化率」の欄に示されている。
また、抵抗保持特性評価では、高抵抗状態および低抵抗状態の各々にスイッチさせた後に、1Vの電圧で10秒毎に抵抗を10時間測定し、抵抗の時間変化を100℃の温度で測定し、抵抗の安定性を評価した。より具体的には、図12に例示したように、抵抗値(電流値)および時間をそれぞれ対数プロット(Log vs. Log)したものから直線を引き低抵抗状態の抵抗値と高抵抗状態の抵抗値が一致する時間を抵抗保持時間と定義し、この抵抗保持時間を求めた。
表2ないし表6の「抵抗保持特性」に欄には、100℃で測定した抵抗値に基づく抵抗保持時間の評価結果が示されている。すなわち、抵抗保持時間が24時間を超えるものを良好であると判定し、「抵抗保持特性」の欄に「Over 24h」と表示し、他方、24時間以下のものを不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。
なお、上述のようにして求められる抵抗保持時間は、あくまでも抵抗メモリー効果の傾向を見るためのものであり、実際の抵抗メモリー効果時間を示すものではないが、相対比較をする上では十分な評価ファクタであると考えられる。
Figure 0005429287
上記表2に示した試料は、(Ba1−xSr)Ti1−yにおいて、x=0すなわちSr/Ba=0/1.0の条件を満たすものである。
Figure 0005429287
上記表3に示した試料は、(Ba1−xSr)Ti1−yにおいて、x=0.75すなわちSr/Ba=0.75/0.25の条件を満たすものである。
Figure 0005429287
上記表4に示した試料は、(Ba1−xSr)Ti1−yにおいて、x=0.5すなわちSr/Ba=0.5/0.5の条件を満たすものである。
Figure 0005429287
上記表5に示した試料は、(Ba1−xSr)Ti1−yにおいて、x=0.25すなわちSr/Ba=0.25/0.75の条件を満たすものである。
Figure 0005429287
上記表6に示した試料は、(Ba1−xSr)Ti1−yにおいて、x=1すなわちSr/Ba=1.0/0の条件を満たすものである。
表2ないし表6からわかるように、遷移金属を何も添加していない(Ba,Sr)TiO薄膜を有する試料1では、290000%というように、10000%以上の大きな抵抗変化率が得られたが、抵抗保持特性は劣っていた。
これに対して、遷移金属、すなわち添加元素Mとして、Mn、CoおよびFeのいずれかを添加し、かつy≦0.05の条件を満たす、(Ba1−xSr)Ti1−y薄膜を有する試料2〜46については、10000%以上の抵抗変化率を示すとともに、100℃における抵抗保持時間が24時間を超えるというように、優れた抵抗変化・保持特性を得ることができることがわかった。
[実験例3]
実験例3では、一般式:Ti1−x(Mは、Co、Fe、NiおよびCuのいずれか)で示され、表7に示した所定の組成を有するセラミックターゲットを作製し、これを用いて、酸化物半導体33を形成した。
ターゲットを得るための焼成温度を1100℃とし、このターゲットを用いて、Ti1−x薄膜を形成する際のレーザ条件について、温度を600℃、真空度を0.1Torr(O flowing)としたことを除いて、実験例2の場合と同じ条件で、試料に係る抵抗スイッチング・メモリー素子31を作製し、かつ電流−電圧特性を評価するとともに、室温および100℃での抵抗保持特性を評価した。その結果が表7に示されている。なお、抵抗保持特性について、表7では、100℃での抵抗保持特性のみが示されている。
Figure 0005429287
表7からわかるように、遷移金属としてのCo、Fe、NiおよびCuのいずれかを、0.005≦x≦0.05の条件を満たす範囲で添加したTiO薄膜を有する試料47〜58によれば、6800%以上の抵抗変化率が得られた。特に、遷移金属として、CoまたはFeを添加した試料47〜52については、10000%を超える極めて大きな抵抗変化率を実現できた。
また、抵抗保持時間についても、100℃における抵抗保持時間が24時間を超えるというように、優れた抵抗保持特性を実現した。たとえば試料48について図13に示すように、低抵抗状態の抵抗値が時間の経過とともに変化する傾向は見られるものの、100℃においても、極めて長い抵抗保持時間を実現することができた。
実験例1ないし3において作製した抵抗スイッチング・メモリー素子は、前述したように、大きな抵抗変化率が得られるので、たとえばインピーダンススイッチング素子として有利に適用することができる。この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子を、インピーダンススイッチング素子として用いる場合の実施態様について以下に説明する。
RF信号回路のスイッチング素子としては、一般的に、PINダイオード型のスイッチング素子、またはFETトランジスタ型のスイッチング素子が使用される。
PINダイオード型のスイッチング素子の場合には、順方向バイアス印加時の低抵抗状態をオン状態、逆方向バイアス印加時の高抵抗状態をオフ状態とすることによって、RF信号回路のオン/オフを実現している。他方、FETトランジスタ型のスイッチの場合には、ゲート電圧印加時の低抵抗状態をオン状態、ゲート電圧非印加時の高抵抗状態をオフ状態とすることによって、RF信号回路のオン/オフを実現している。
しかし、PINダイオード型のスイッチング素子では、オン状態にするため、PINダイオードの順方向に電圧が印加され、また、オン状態を維持するため、順方向に電圧を印加し続ける必要があるが、この状態では低抵抗状態となっているため、電流がかなり多く流れ、消費電力が非常に大きいという問題を抱えている。
他方、FETトランジスタ型のスイッチング素子の場合には、ゲート電圧印加状態でもゲートにはあまり大きな電流が流れないため消費電力は小さいが、オン状態を維持するためには、ゲート電圧を印加し続ける必要があるという問題を抱えている。また、PINダイオード型のスイッチング素子の場合と比較して、構造が複雑であるためコストが高いという問題もある。
これらに対して、この発明に係るショットキー接合デバイスとしての抵抗スイッチング・メモリー素子を利用した場合、抵抗変化に伴い、同時にインピーダンスを変化させることが可能であり、PINダイオードの場合と同じくインピーダンススイッチング素子として使用することができる。さらに、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子は、抵抗メモリー機能を有しているため、低抵抗状態へのスイッチングの後は電圧を印加し続ける必要はなく、そのため消費電力を小さくすることが可能である。したがって、PINダイオード型の欠点である消費電力の問題、ならびにPINダイオード型およびFETトランジスタ型双方の欠点であるオン状態維持のために電圧を印加し続けることが必要であるという問題を解決することができる。
以下、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子によって、優れたインピーダンススイッチング素子を実現することができることを確認するため、以下の実験を実施した。
[実験例4]
実験例4では、実験例2および3において作製した試料2〜58について、高抵抗状態と低抵抗状態におけるインピーダンスの周波数特性評価を行なった。
この評価試験では、実験例2および3の場合と同じ電流電圧発生器38を用い、試料に係る抵抗スイッチング・メモリー素子31の第1および第2の電極34および35間に電圧パルスを印加することにより、高抵抗状態および低抵抗状態それぞれに抵抗状態をスイッチングさせた後、1時間経過後に、LCRメーター(ヒューレットパッカード社製「HP4284」)を用いてインピーダンスの周波数特性の評価を、100Hz〜1MHzの周波数帯域で行なった。そして、求めた周波数特性から、1kHzにおける高抵抗状態のインピーダンスと低抵抗状態のインピーダンスとをそれぞれ求め、インピーダンス変化率を、
インピーダンス変化率[%]=(高抵抗状態のインピーダンス−低抵抗状態のインピーダンス)/低抵抗状態のインピーダンス×100
の式に基づいて算出した。その結果が表8に示されている。
Figure 0005429287
表8に示すように、試料2〜58によれば、3000%を超えるインピーダンス変化率を実現できた。
以上のことから、この発明に係る抵抗スイッチング・メモリー素子によれば、大きな抵抗変化率、優れた抵抗メモリー特性を実現できるだけでなく、大きなインピーダンス変化率も実現することが可能となり、抵抗変化を利用した抵抗メモリーデバイスとしてだけでなく、インピーダンススイッチング素子としても有利に用いることができる。
11,11a,11b,11c,31 抵抗スイッチング・メモリー素子
12,33 酸化物半導体
13,34 第1の電極
14,35 第2の電極
15,32 第3の電極
17,18 界面
19,39 制御用電源
22 絶縁層

Claims (5)

  1. 酸化物半導体と、前記酸化物半導体に接触するように設けられた、第1、第2および第3の電極とを備え、
    前記第1の電極は、前記酸化物半導体との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料からなり、
    前記第3の電極は、前記第1および第2の電極と比較して、前記酸化物半導体に対してよりオーミックな接合が得られる材料からなり、
    前記第1の電極と前記第2の電極との間に接続される、前記界面領域の抵抗を制御するための制御用電源をさらに備えるとともに
    前記第2の電極と前記酸化物半導体との界面に沿って形成される絶縁層をさらに備える、
    抵抗スイッチング・メモリー素子。
  2. 前記第2の電極は、前記酸化物半導体との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料からなる、請求項1に記載の抵抗スイッチング・メモリー素子。
  3. 前記酸化物半導体がn型の半導体である、請求項1または2に記載の抵抗スイッチング・メモリー素子。
  4. 前記酸化物半導体は、一般式:(Ba1−xSr)Ti1−y(Mは、Mn、FeおよびCoのうちの少なくとも1種。0≦x≦1.0かつ0.005≦y≦0.05)で示される組成を有する、請求項に記載の抵抗スイッチング・メモリー素子。
  5. 前記酸化物半導体は、一般式:Ti1−x(Mは、Fe、Co、NiおよびCuのうちの少なくとも1種。0.005≦x≦0.05)で示される組成を有する、請求項に記載の抵抗スイッチング・メモリー素子。
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