JP2006031032A - 半導体表示装置およびその駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 周辺駆動回路において、レベルシフタ回路によって電圧レベルが上げられたクロック信号を、シフトレジスタ回路に入力する。そしてシフトレジスタ回路からのタイミング信号をレベルシフタ回路に入力し、2段階で電圧レベルを上げてやる。これによって、駆動回路の消費電力を小さくし、電磁ノイズを抑え、不要輻射を小さくすることを実現した。
【選択図】 図1
Description
図19(A)に、従来のソース信号線側駆動回路1801の一例をブロック図で示す。
図19(B)に、従来のソース信号線側駆動回路1801の別の例をブロック図で示す。
図19(C)に従来のソース信号線側駆動回路1801の別の例をブロック図で示す。
図24(A)に従来のゲート信号線側駆動回路の従来例をブロック図で示す。
図24(B)に、従来のゲート信号線側駆動回路の別の例をブロック図で示す。
図24(C)に従来のゲート信号線側駆動回路の別の例をブロック図で示す。
第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有するソース信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、入力された前記入力信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、さらに高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線側駆動回路に接続されたソース信号線へ供給することを特徴とするソース信号線側駆動回路が提供される。このことによって上記目的が達成される。
第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有するソース信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、前記サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線側駆動回路に接続されたソース信号線へ供給することを特徴とするソース信号線側駆動回路が提供される。このことによって、上記目的が達成される。
第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有するゲート信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記入力信号をもとに、選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電圧振幅レベルを、ゲート信号線に接続されている全ての画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ高電圧化された前記選択信号を直接またはバッファ回路を介して供給することを特徴とするゲート信号線側駆動回路が提供される。このことによって上記目的が達成される。
第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有するゲート信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、ゲート信号線を介してゲート信号線側駆動回路に接続されている画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記選択信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ前記第2のレベルシフタ回路によって高電圧化された前記選択信号を供給することを特徴とするゲート信号線側駆動回路が提供される。このことによって上記目的が達成される。
複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ソース信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、前記サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線へ供給することを特徴とする半導体表示装置が提供される。このことによって上記目的が達成される。
複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ゲート信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ゲート信号線を介して前記ゲート信号線側駆動回路に接続されている前記画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ前記第2のレベルシフタ回路によって高電圧化された選択信号を供給することを特徴とする半導体表示装置が提供される。このことによって上記目的が達成される。
複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ソース信号線側駆動回路は第1レベルシフタ回路と、第2レベルシフタ回路と、第1シフトレジスタ回路と、第1サンプリング回路とを有しており、
前記第1レベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1レベルシフタ回路に入力された、前記第1レベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記第1シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記第1シフトレジスタ回路に入力し、
前記第1シフトレジスタ回路は、前記第1シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成したタイミング信号を前記第2レベルシフタ回路に入力し、
前記第2レベルシフタ回路は、前記第2レベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記第1サンプリング回路に入力し、
前記第1サンプリング回路は、前記第1サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線へ供給し、
前記ゲート信号線側駆動回路は第3レベルシフタ回路と、第4レベルシフタ回路と、第2シフトレジスタ回路とを有しており、
前記第3レベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第3レベルシフタ回路に入力された、前記第3レベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記第2シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記第2シフトレジスタ回路に入力し、
前記第2シフトレジスタ回路は、前記第2シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ゲート信号線を介して前記ゲート信号線側駆動回路に接続されている前記画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第4レベルシフタ回路に入力し、
前記第4のレベルシフタ回路は、前記第4レベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、
前記ゲート信号線へ前記第4レベルシフタ回路によって高電圧化された選択信号を供給することを特徴とする半導体表示装置が提供される。このことによって上記目的が達成される。
第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、第3のレベルシフタ回路と、第1のラッチ回路と、第2のラッチ回路と、シフトレジスタ回路と、D/A変換回路とを有するデジタル駆動の半導体表示装置の駆動回路において、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、入力された前記入力信号をもとに、前記駆動回路の外部から供給されるデジタル信号を前記第1のラッチ回路に書き込むタイミングを決定するタイミング信号を生成して前記第1のラッチ回路に入力し、
前記デジタル信号は前記第3のレベルシフタ回路に入力され、前記第3のレベルシフタ回路から出力されたデジタル信号は、タイミング信号によって決定されたタイミングで前記第1のラッチ回路に入力され、
前記第1のラッチ回路に入力されたデジタル信号は、論理演質の後、前記第2のラッチ回路にて演質を行い出力され、
前記出力されたデジタル信号は、前記第2のレベルシフタ回路を介してD/A変換回路に入力され、アナログ変換されることを特徴とした半導体表示装置の駆動回路が提供される。このことによって上記目的が達成される。
202 シフトレジスタ回路
203 第2のレベルシフタ回路
204 サンプリング回路
205 アナログスイッチ
206 画像信号線
Claims (17)
- 第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有するソース信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、入力された前記入力信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、さらに高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線側駆動回路に接続されたソース信号線へ供給することを特徴とするソース信号線側駆動回路。 - 第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有するソース信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、前記サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線側駆動回路に接続されたソース信号線へ供給することを特徴とするソース信号線側駆動回路。 - 第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有するゲート信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記入力信号をもとに、選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電圧振幅レベルを、ゲート信号線に接続されている全ての画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ高電圧化された前記選択信号を直接またはバッファ回路を介して供給することを特徴とするゲート信号線側駆動回路。 - 第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有するゲート信号線側駆動回路で、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、ゲート信号線を介してゲート信号線側駆動回路に接続されている画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記選択信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ前記第2のレベルシフタ回路によって高電圧化された前記選択信号を供給することを特徴とするゲート信号線側駆動回路。 - 複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ソース信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、前記サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線へ供給することを特徴とする半導体表示装置。 - 請求項5において、前記ソース信号線側駆動回路は前記アクティブマトリクス回路と同一基板上に形成されることを特徴とする半導体表示装置。
- 複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ゲート信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された、前記第1のレベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ゲート信号線を介して前記ゲート信号線側駆動回路に接続されている前記画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、前記第2のレベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ前記第2のレベルシフタ回路によって高電圧化された選択信号を供給することを特徴とする半導体表示装置。 - 請求項7において、前記ゲート信号線側駆動回路は前記アクティブマトリクス回路と同一基板上に形成されることを特徴とする半導体表示装置。
- 複数の画素TFTがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのソース電極に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素TFTのそれぞれのゲート電極に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に接続されたゲート信号線側駆動回路と有する半導体表示装置で、
前記ソース信号線側駆動回路は第1レベルシフタ回路と、第2レベルシフタ回路と、第1シフトレジスタ回路と、第1サンプリング回路とを有しており、
前記第1レベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1レベルシフタ回路に入力された、前記第1レベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記第1シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記第1シフトレジスタ回路に入力し、
前記第1シフトレジスタ回路は、前記第1シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成したタイミング信号を前記第2レベルシフタ回路に入力し、
前記第2レベルシフタ回路は、前記第2レベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、液晶の飽和電圧にある一定のマージン電圧を設けた電圧振幅レベルまで高電圧化して前記第1サンプリング回路に入力し、
前記第1サンプリング回路は、前記第1サンプリング回路に入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線へ供給し、
前記ゲート信号線側駆動回路は第3レベルシフタ回路と、第4レベルシフタ回路と、第2シフトレジスタ回路とを有しており、
前記第3レベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から前記第3レベルシフタ回路に入力された、前記第3レベルシフタ回路が動作可能な電圧振幅レベルのクロック信号を、前記第2シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記第2シフトレジスタ回路に入力し、
前記第2シフトレジスタ回路は、前記第2シフトレジスタ回路に入力された前記クロック信号をもとに、前記ゲート信号線を介して前記ゲート信号線側駆動回路に接続されている前記画素TFTを動作させる選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第4レベルシフタ回路に入力し、
前記第4のレベルシフタ回路は、前記第4レベルシフタ回路に入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、前記ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、
前記ゲート信号線へ前記第4レベルシフタ回路によって高電圧化された選択信号を供給することを特徴とする半導体表示装置。 - 請求項9において、前記ソース信号線側駆動回路および前記ゲート信号線側駆動回路は前記アクティブマトリクス回路と同一基板上に形成されることを特徴とする半導体表示装置。
- 第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、第3のレベルシフタ回路と、第1のラッチ回路と、第2のラッチ回路と、シフトレジスタ回路と、D/A変換回路とを有するデジタル駆動の半導体表示装置の駆動回路において、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、入力された前記入力信号をもとに、前記駆動回路の外部から供給されるデジタル信号を前記第1のラッチ回路に書き込むタイミングを決定するタイミング信号を生成して前記第1のラッチ回路に入力し、
前記デジタル信号は前記第3のレベルシフタ回路に入力され、前記第3のレベルシフタ回路から出力されたデジタル信号は、タイミング信号によって決定されたタイミングで前記第1のラッチ回路に入力され、
前記第1のラッチ回路に入力されたデジタル信号は、論理演質の後、前記第2のラッチ回路にて演質を行い出力され、
前記出力されたデジタル信号は、前記第2のレベルシフタ回路を介してD/A変換回路に入力され、アナログ変換されることを特徴とした半導体表示装置の駆動回路。 - 基板上に画素マトリクス部と駆動回路があり、
前記駆動回路は、ソース信号線側駆動回路とゲート信号線側駆動回路とを有しており、
前記ソース信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路と、サンプリング回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ソース信号線側駆動回路の外部から前記第1のレベルシフタ回路に入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、入力された前記入力信号をもとに、前記ソース信号線側駆動回路の外部から供給される画像信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成して、生成した前記タイミング信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記タイミング信号の電圧振幅レベルを、さらに高電圧化して前記サンプリング回路に入力し、
前記サンプリング回路は、入力された前記タイミング信号により前記画像信号をサンプリングし、前記ソース信号線側駆動回路に接続されたソース信号線へ供給しており、
前記画素マトリクス部には、少なくとも電流制御用の第一の薄膜トランジスタとスイッチング用の第二の薄膜トランジスタがあり、
前記第一の薄膜トランジスタには、
前記基板上に島状半導体があり、
前記島状半導体にはチャネル形成領域があり、
前記チャネル形成領域に接して少なくとも第一の不純物領域があり、
前記第二の不純物領域に接して少なくとも第二の不純物領域があり、
前記第二の不純物領域に接して少なくとも第三の不純物領域があり、
前記チャネル形成領域、前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域上にはゲイト絶縁膜があり、
前記チャネル形成領域上には、前記ゲイト絶縁膜を挟んで、ゲイト電極があり、
前記第一の不純物領域上には少なくとも一つの導電性のサイドウォールがあり、
前記第一の薄膜トランジスタの第三の不純物領域に電気的に接続した画素電極があり、
前記画素電極上には発光層があり、
発光層上に電極があることを特徴とする半導体表示装置。 - 基板上に画素マトリクス部と駆動回路があり、
前記駆動回路は、ソース信号線側駆動回路とゲート信号線側駆動回路とを有しており、
前記ゲート信号線側駆動回路は、第1のレベルシフタ回路と、第2のレベルシフタ回路と、シフトレジスタ回路とを有しており、
前記第1のレベルシフタ回路は、前記ゲート信号線側駆動回路の外部から入力された入力信号を、前記シフトレジスタ回路が動作可能な電圧振幅レベルまで高電圧化して、前記シフトレジスタ回路に入力し、
前記シフトレジスタ回路は、前記シフトレジスタ回路に入力された前記入力信号をもとに、選択信号を生成して、生成した前記選択信号を前記第2のレベルシフタ回路に入力し、
前記第2のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電圧振幅レベルを、ゲート信号線に接続されている全ての前記画素TFTを確実に動作させることが可能な電圧振幅レベルまで高電圧化し、前記ゲート信号線へ高電圧化された前記選択信号を直接またはバッファ回路を介して供給しており、
前記画素マトリクス部には、少なくとも電流制御用の第一の薄膜トランジスタとスイッチング用の第二の薄膜トランジスタがあり、
前記第一の薄膜トランジスタには、
前記基板上に島状半導体があり、
前記島状半導体にはチャネル形成領域があり、
前記チャネル形成領域に接して少なくとも第一の不純物領域があり、
前記第二の不純物領域に接して少なくとも第二の不純物領域があり、
前記第二の不純物領域に接して少なくとも第三の不純物領域があり、
前記チャネル形成領域、前記第一の不純物領域、前記第二の不純物領域上にはゲイト絶縁膜があり、
前記チャネル形成領域上には、前記ゲイト絶縁膜を挟んで、ゲイト電極があり、
前記第一の不純物領域上には少なくとも一つの導電性のサイドウォールがあり、
前記第一の薄膜トランジスタの第三の不純物領域に電気的に接続した画素電極があり、
前記画素電極上には発光層があり、
発光層上に電極があることを特徴とする半導体表示装置。 - 請求項12または請求項13において、前記発光層はEL層であることを特徴とする半導体表示装置。
- 請求項12乃至請求項14のいずれか1項において、前記第二の薄膜トランジスタのドレイン領域は、前記第一の薄膜トランジスタのゲイト電極に接続している半導体表示装置。
- 請求項12乃至請求項15のいずれか1項において、前記第二の薄膜トランジスタはマルチゲート構造である半導体表示装置。
- 請求項12乃至請求項16のいずれか1項において、前記画素電極及び前記電極の少なくとも一つは透明である半導体表示装置。
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