JP2006024941A - リソグラフィ投影装置及びそのリソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レンズ熱作用モデル10にもとずき、時間経過による投影システムの収差の変化を予測するステップと、IQEAモデル11にもとずきいくつかの測定した収差値に対するその予測した投影システムの収差の変化による、いくつかのイメージのパラメータへの使い方に固有の影響を決定するステップと、時間経過による投影システムの収差のその予測した投影システムの収差変化、及びいくつかのイメージのパラメータへのその使い方固有の影響によって、要求されたパターニングされたビームに固有の制御信号を生成するステップと、制御信号に基づき転写用調節を実行し、イメージへの収差の予測した変化の使い方固有の影響を補償するステップとを組み込む。
【選択図】図2
Description
この特別の場合、放射線システムが放射線源SOも含む、放射線(たとえば、UV又はEUV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明システムILと、
アイテムPLに対してパターニング・デバイスMAを正確に位置決めするために、パターニング・デバイスMA(たとえば、マスク)を支持し、第1の位置決め器(図示せず)に接続された第1の支持構造MT(たとえば、マスク・テーブル)と、
アイテムPLに対して基板Wを正確に位置決めするために、基板W(たとえば、レジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持し、第2の位置決め器PWに接続された第2の支持構造WT(たとえば、ウェハ・テーブル)と、
パターニング・デバイスMAによって投影ビームPBに与えられたパターンを、基板Wの対象部分C(たとえば、1つ又は複数のダイを含む)上に転写するための投影システムPL(たとえば、反射投影レンズ)とを含む。
F(t)=A1(1‐e‐1/t1)+A2(1‐e‐1/t2)
A1=μ1・Tr・S・I・Wrefl
A2=μ2・Tr・S・I・Wrefl
ここで、Iは、露光光強度(W/m2)であり、Sは、照射野サイズ又はウェハ・レベルにおけるマスキング面積(m2)であり、Trは、マスク透過率であり、Wreflは、ウェハ反射率(純比率又はパーセンテージ)であり、μ1、2は、現象学的であり、レンズ熱作用に影響するが具体的には含めない他のすべてのパラメータに依存する、いわゆるスケーリング・ファクタである。
焦点ドリフト:基板テーブルの高さを調節する。
フィールド湾曲:光軸に沿って1つ又は複数の可動レンズ要素をシフトする。
倍率ドリフト:光軸に沿って1つ又は複数の可動レンズ要素をシフトし、光軸に沿ってマスクの軸方向位置を調節する。
3次歪:光軸に沿ってマスクの軸方向位置を調節し、光軸に沿って1つ又は複数の可動レンズ要素をシフトする。
球面収差:光軸に沿って1つ又は複数の可動レンズ要素をシフトする。
コマ収差:露光放射線の中心波長をシフトし、光軸に対して1つ又は複数の可動レンズ要素の偏心度を調節する。
は、次数nでlによる多項式である。
ρは、瞳面中の半径である(単位NA)。
θは、瞳面中の角度である(rad)。
nは、ρの累乗である(0≦n≦N)。
Nは、瞳展開式の次数である。
lは、θの次数である(n+l=偶数及び‐n≦l≦n)。
An,l=ai・Zi (2)
ここで、
aiは、スケーリング・ファクタである。
iは、n2+n+l+1である。
Zi(X)=Zi_0+Zi_1・X+Zi_2・X2+Zi_3・X3+Zi_res(X) (3)
ここで、Zi(X)は、定数項(係数Zi_0を有した)、線形項(係数Zi_1を有した)、及び残された項又は残渣(Zi_res)の和として記述される。
Z2_1、Z2_3、Z4_2、Z7_1、Z9_0、Z14_1、Z16_0
Z2_1=A*E1+B*E2+C*E3
Z7_1=D*E1+F*E2+G*E3 (4)
Z9_0=H*E1+K*E2+N*E3
Z14_1=P*E1+Q*E2+R*E3
又は行列表示で
dx(X)=(Z2_1・S2+Z7_1・S7+Z14_1・S14)・X+残渣
=(A・E1+B・E2+C・E3)・S2+(D・E1+F・E2+G・E3)・S7+(P・E1+Q・E2+R・E3)・S14+残渣 (11)
dF(X)=Z9_0・S9+残渣
=(H*E1+K*E2+N*E3)・S9+残渣 (12)
ここで、Ziは、i次のゼルニケ係数であり、Siは、所与のゼルニケ係数Ziについての感度係数であり、x歪及びy歪は、それぞれゼルニケ係数の級数によって記述される。ゼルニケ係数は、x、y座標に依存する。感度Siは、基本的にパターン及び照明モードに依存する。
M1、M2 マスク位置合わせマーク
SO 放射線源、
IL 照明システム
IN インテグレータ
CO コンデンサ
MT マスク・テーブル、第1の位置決め器、対物テーブル
PB ビーム、投影ビーム、投影放射線ビーム
PL アイテム、投影システム、レンズ、投影レンズ・システム
AD 駆動装置、アクチュエータ装置
MS 基板位置合わせシステム
W 基板
WT 対物テーブル、第2の支持構造、基板テーブル、テーブル
MB 測定用ビーム
PW 第2の位置決め器
P1、P2 基板位置合わせマーク
AM 調節可能な光学的要素
IF 干渉計
C 対象部分
Claims (23)
- リソグラフィ投影装置であって、
選択されたパターンを放射線ビームに付与するためのパターニング・デバイスを支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板の対象部分上に投影し、イメージを形成するための投影システムと、
測定した収差値に対して時間経過による投影システムの収差の変化を予測するための予測システムと、
前記選択されたパターン用の少なくとも1つの前記イメージのパラメータへの、前記予測した投影システムの収差の変化による使い方に固有の影響を決定するためのモデル化システムと、
前記予測した投影システムの収差変化、及び少なくとも1つの前記イメージのパラメータへのその使い方に固有の影響に従って、前記選択されたパターンに固有の制御信号を生成するための制御システムと、
前記制御信号に応答し、前記予測した投影システムの収差変化の前記イメージへの前記使い方固有の影響を補償するためのイメージ調節システムとを含む、リソグラフィ投影装置。 - 前記制御信号が、前記イメージの面上の2つの方向の投影システムの収差に対する前記選択されたパターンの既知の感度によって、前記2つの方向の1つで前記イメージのフィーチャーの予測した変化を優先的に補償する、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御システムが、前記イメージ面に垂直な方向の投影システムの収差に対する前記選択されたパターンの既知の感度によって、前記方向で前記イメージのフィーチャーの予測した変化を優先的に補償する、制御信号を生成するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御信号が、前記イメージの少なくとも1つのパラメータへの投影システムの収差の前記影響に与える相対的重みを決定する、定義された設計クライテリアにさらに依存する、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記予測した変化が、レンズの加熱又は冷却の結果生じた時間経過による少なくとも1つの収差値の変化を予測する、レンズ熱作用モデルに基づき予測される、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記モデル化システムが、前記選択されたパターン及び前記投影システムの照明モードの設定を表すデータに基づき、前記投影システムの収差変化の前記使い方固有の影響を決定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記制御信号が、前記調節システムの転写用調節の変化と前記収差変化の間の既知の対応関係に依存する、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前の層用のオーバーレイ測定目標に対して測定された現在の層用のオーバーレイ測定目標のシフトを、修正するように構築され構成され、
前記シフトが、前記予測した投影システムの収差変化及び前記イメージ調節システムから生じており、
前記イメージが最も敏感な前記収差の前記変化を、定義された設計クライテリアによって補償するために設けられた最適化プロシージャに基づく、オーバーレイ測定フィードバック・システムをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記対象部分に適用する、イメージの連続する層の各層の前記位置合わせ用に設けられた個々のウェハの位置合わせマークのシフトの影響を補償するように、前記イメージが最も敏感な前記収差の前記変化を、定義された設計クライテリアによって補償するための最適化プロシージャに基づき、構築され構成された位置合わせシステムをさらに含み、
前記シフトが、前記予測した投影システムの収差変化及び前記イメージ調節システムから生じる、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記対象部分に適用する、イメージの連続する層の各層の前記位置合わせ用に設けられた個々のマスク位置合わせマークのシフトの影響を修正するように、前記イメージが最も敏感な前記収差の前記変化を定義された設計クライテリアによって補償するための最適化プロシージャに基づき、構築され構成された位置合わせシステムを含み、
前記シフトが、前記予測した投影システムの収差変化及び前記イメージ調節システムから生じる、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 時間経過による前記少なくとも1つのイメージ・パラメータへの前記モデル化された影響が、対応する閾値より大きいとき、前記制御システムが、少なくとも1つの収差値を再測定するように構築され構成された測定システムを含む、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記イメージ調節システムが、スキャン位置に応じて前記イメージを最適化するために、前記基板の広さにわたり前記スキャンされるイメージの変動を可能にするように、前記基板をスキャンしながらの露光中、連続するスキャン位置についてさらに転写用調節を実行するように構成された、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- リソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法であって、
要求されたパターニングの用途によって、パターニング・デバイスを選択するステップと、
放射線ビームを用いてパターニング・デバイスを照射して、パターニングされたビームを生成するステップと、
前記対象部分上に前記パターニングされたビームを投影して、その上にイメージを形成するステップと、
測定した収差値に対して時間経過による投影の収差の変化を予測するステップと、
少なくとも1つの前記イメージのパラメータへの前記予測した投影の収差変化の使い方に固有の影響を決定するステップと、
前記予測した投影システムの収差変化及びその使い方固有の影響によって、前記要求されたパターニング用途に固有の制御信号を生成するステップと、
前記制御信号に基づき前記転写するステップを調節するステップとを含む方法。 - 前記生成するステップが、前記イメージの面上で2つの方向の投影システムの収差に対する前記選択されたパターニング・デバイスの既知の感度によって、前記2つの方向のうちの1つで前記イメージのフィーチャーの予測した変化を優先的に補償するステップをさらに含む、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記生成するステップが、前記イメージの面に垂直な方向の投影システムの収差に対する前記選択されたパターニング・デバイスの既知の感度によって、前記方向で前記イメージのフィーチャーの変化を優先的に補償するステップをさらに含む、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記制御信号が、様々な前記イメージのパラメータへの投影システムの収差の選択された影響に与える相対的重みを決定する、定義された設計クライテリアをさらに考慮に入れる、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記予測するステップが、レンズ加熱又は冷却の結果生じる時間経過による少なくとも1つの収差値の変化を予測する、レンズ熱作用モデルに基づき実施される、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記使い方固有の影響が、前記選択されたパターニング・デバイス及び前記照射するステップ中で使用される照明モードを表すデータに基づき決定される、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記生成するステップが、前記調節システムの転写用調節の変化とその転写用調節によって補償される収差変化の間の既知の対応関係に基づき実施される、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記イメージが最も敏感な収差の変化を定義された設計クライテリアによって補償するために設けられた最適化プロシージャに基づき、前記予測した変化及び前記調節の結果生じた、前の層用のオーバーレイ測定目標に対して測定された現在の層用のオーバーレイ測定目標のシフトを修正するために、オーバーレイ測定情報をフィードバックするステップをさらに含む、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記少なくとも1つのパラメータへの前記予測した影響が、対応する閾値より大きいとき、少なくとも1つの収差値を再測定するステップをさらに含む、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 前記調節するステップが、スキャン位置に応じて前記イメージを最適化するために、前記基板の広さにわたり前記スキャンされるイメージの変動を可能にするように、前記基板をスキャンしながらの露光中、連続するスキャン位置について実行される、請求項13に記載のデバイス製造方法。
- 方法を実施するための機械実行可能な命令によって符号化された機械読み出し可能な媒体であって、該方法が、
リソグラフィ投影装置について要求されたパターニングの用途のために測定した収差値に対して時間経過による投影の収差の変化を予測するステップと、
少なくとも1つのイメージのパラメータへの前記予測した投影の収差変化の使い方に固有の影響を決定するステップと、
前記予測した投影システムの収差変化及びその使い方固有の影響によって、前記要求されたパターン生成の用途に固有の制御信号を生成するステップと、
前記制御信号に基づき前記転写するステップを調節するステップとを含む媒体。
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