JP2006016684A - 配線形成方法及び配線形成装置 - Google Patents

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007203442A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Univ Kanagawa 金属被覆砥粒，金属被覆砥粒の製造方法，およびその金属被覆砥粒を使用した砥石
JP2007318141A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料間の付着性を向上させた相互接続構造およびその製造方法（金属／誘電体界面のための付着性向上）
JP2010505239A (ja) * 2005-12-30 2010-02-18 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 無電解フェーズと電流供給フェーズとを含むウェット化学堆積によりパターニングされた絶縁体上の金属層
JP2013055317A (ja) * 2011-08-05 2013-03-21 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
WO2013140939A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 東京エレクトロン株式会社 めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
WO2013145979A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
JP2014135465A (ja) * 2012-12-12 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd Ｃｕ配線の形成方法
WO2015145815A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2019014922A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 大日本印刷株式会社 成膜基板、基板、およびそれらの製造方法
WO2023163070A1 (ja) * 2022-02-28 2023-08-31 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010505239A (ja) * 2005-12-30 2010-02-18 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 無電解フェーズと電流供給フェーズとを含むウェット化学堆積によりパターニングされた絶縁体上の金属層
JP2007203442A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Univ Kanagawa 金属被覆砥粒，金属被覆砥粒の製造方法，およびその金属被覆砥粒を使用した砥石
JP2007318141A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料間の付着性を向上させた相互接続構造およびその製造方法（金属／誘電体界面のための付着性向上）
JP2013055317A (ja) * 2011-08-05 2013-03-21 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
KR20140138161A (ko) * 2012-03-22 2014-12-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도금 처리 방법, 도금 처리 시스템 및 기억 매체
WO2013140939A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 東京エレクトロン株式会社 めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
JP2013194306A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Tokyo Electron Ltd めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
KR101939161B1 (ko) * 2012-03-22 2019-01-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도금 처리 방법, 도금 처리 시스템 및 기억 매체
US10030308B2 (en) 2012-03-22 2018-07-24 Tokyo Electron Limited Plating method, plating system and storage medium
KR101826302B1 (ko) * 2012-03-27 2018-02-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도금 처리 방법, 도금 처리 시스템 및 기억 매체
US9837308B2 (en) 2012-03-27 2017-12-05 Tokyo Electron Limited Plating method, plating system and storage medium
JP2013204071A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
WO2013145979A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
JP2014135465A (ja) * 2012-12-12 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd Ｃｕ配線の形成方法
WO2015145815A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
CN106133887A (zh) * 2014-03-27 2016-11-16 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法
JPWO2015145815A1 (ja) * 2014-03-27 2017-04-13 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
EP3125278A4 (en) * 2014-03-27 2017-11-22 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9887131B2 (en) 2014-03-27 2018-02-06 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device having a Pd-containing adhesion layer
US10304730B2 (en) 2014-03-27 2019-05-28 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device having a Pd-containing adhesion layer
JP2019014922A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 大日本印刷株式会社 成膜基板、基板、およびそれらの製造方法
WO2023163070A1 (ja) * 2022-02-28 2023-08-31 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法、及び半導体装置

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