JP2006012024A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造時あるいは製造後に、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させる。
【解決手段】 インレット１０のＩＣチップ１１が搭載された面を被覆するための樹脂成型部材２０ａを成型した後に、この樹脂成型部材２０ａ上にインレット１０を搭載してＩＣチップ１１が搭載された面を被覆し、その後、このインレット１０上に樹脂を供給することにより、インレット１０のＩＣチップ１１が搭載されていない面を被覆するための樹脂成型部材２０ｂを成型する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年、情報管理や決済、あるいは商品等の管理に、非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能な非接触型ＩＣタグや非接触型ＩＣラベル、あるいは非接触型ＩＣカード等のＲＦ−ＩＤメディアが利用されている。これらのＲＦ−ＩＤメディアは、非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能であるとともに、仕様によっては、複数のＲＦ−ＩＤメディアに対して情報の書き込み及び読み出しを同時に行うことができるため、急速な普及が進みつつある。

図７は、従来の非接触型ＩＣタグの一例を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

本従来例は図７に示すように、樹脂シート５１５上にアンテナ５１２が形成されるとともにＩＣチップ５１１が搭載されてなるインレット５１０上に、粘着剤５３０を介して表面シート５２０が接着されて構成されている。アンテナ５１２は、樹脂シート５１５上にコイル状に形成され、その両端が接点５１３によってＩＣチップ５１１に接続されている。また、ＩＣチップ５１１は、アンテナ５１２を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。また、表面シート５２０は、樹脂フィルム等からなり、インレット５１０のＩＣチップ５１１が搭載された面側に接着されることによりＩＣチップ５１１を保護している。

上記のように構成された非接触型ＩＣタグ５０１においては、外部に設けられた情報書込／読出装置（不図示）に近接させると、情報書込／読出装置からの電磁誘導によりアンテナ５１２に電流が流れ、この電流がアンテナ５１２から接点５１３を介してＩＣチップ５１１に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込／読出装置からＩＣチップ５１１に情報が書き込まれたり、ＩＣチップ５１１に書き込まれた情報が情報書込／読出装置にて読み出されたりする。

ここで、上述した非接触型ＩＣタグ５０１のように、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板においては、ＩＣチップが搭載された面に表面シート等の保護部材を接着しておくことにより、ＩＣチップが保護されている。

また、ＩＣチップが搭載された半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面を樹脂で被覆しておき、その後、半導体基板のＩＣチップが搭載された面を樹脂で被覆し、それにより、ＩＣチップを保護する技術が考えられている（例えば、特許文献１参照。）。この技術においては、まず、ＩＣチップが搭載された半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面を樹脂で被覆し、その後、この半導体基板上に金型を設置し、この金型内に樹脂を注入して半導体基板のＩＣチップが搭載された面を樹脂により被覆する。これにより、ＩＣチップが搭載された半導体基板が樹脂によって封止されることになり、半導体基板上に表面シート等の保護部材が接着されたものと比べて、ＩＣチップに対する保護強化を図ることができる。

また、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにＩＣチップが搭載された基板を金型内に固定し、この金型内に樹脂を注入することにより、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにＩＣチップが搭載された基板が樹脂により封止されたＲＦ−ＩＤ用タグを製造する技術が考えられている（例えば、特許文献２参照。）。この技術においても、半導体基板上に表面シート等の保護部材が接着されたものと比べて、ＩＣチップに対する保護強化を図ることができる。
特開２００３−６８７７５号公報 特開２００２−２９８１１６号公報

しかしながら、上述したように、ベース基材にＩＣチップが搭載された半導体基板上に樹脂を供給し、その樹脂によって半導体基板を封止することによりＩＣチップを保護するものにおいては、半導体基板上に樹脂が供給された際に、樹脂の供給による圧力や熱によってＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする虞れがある。

また、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置においては、製造後、周囲の環境の変化、特に、周囲温度の上昇によって樹脂が膨張し、膨張した樹脂によってＩＣチップに圧力が加わり、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする虞れがある。

本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造時あるいは製造後に、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、
ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造方法であって、
前記ＩＣチップが入り込むために十分な大きさの凹部を具備し、前記半導体基板のうち前記ＩＣチップが搭載された面を被覆するための第１の樹脂成型部材を成型する工程と、
前記ＩＣチップが前記凹部に入り込むように前記半導体基板を前記第１の樹脂成型部材上に搭載する工程と、
前記第１の樹脂成型部材上に搭載された前記半導体基板上に樹脂を供給し、該樹脂により第２の樹脂成型部材を成型し、該第２の樹脂成型部材によって前記半導体基板のうち前記ＩＣチップが搭載されていない面を被覆する工程とを有する。

また、前記ベース基材上に導電性パターンが形成されている場合に、少なくとも前記導電性パターンが形成されている領域をラミネート被覆する工程を有し、
前記第１の樹脂成型部材上に、前記ラミネート被覆された前記半導体基板を搭載することを特徴とする。

また、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記ＩＣチップの周囲に空間を有する。

また、前記空間に圧力吸収部材が配設されていることを特徴とする。

また、前記ベース基材の前記ＩＣチップが搭載されていない面の、前記ＩＣチップに対向する領域に補強部材が配設されていることを特徴とする。

上記のように構成された本発明においては、半導体装置のベース基材上に搭載されたＩＣチップが入り込むために十分な大きさの凹部を具備する第１の樹脂成型部材を成型しておき、この第１の樹脂成型部材上に、ＩＣチップが凹部に入り込むように半導体基板を搭載し、その状態で半導体基板上に樹脂を供給して第２の樹脂成型部材を成型する。これにより、半導体基板のＩＣチップが搭載された面が第１の樹脂成型部材で被覆され、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面が第２の樹脂成型部で被覆され、これら第１の樹脂成型部材と第２の樹脂成型部材とによって半導体基板が封止されることになる。

このように、半導体基板のＩＣチップが搭載された面を被覆するための第１の樹脂成型部材を成型した後に、この第１の樹脂成型部材上に半導体基板を搭載してＩＣチップが搭載された面を被覆し、その後、この半導体基板上に樹脂を供給することにより、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面を被覆するための第２の樹脂成型部材を成型するので、半導体基板のＩＣチップが搭載された面にはこの半導体装置を封止するための樹脂が供給されないことになり、それにより、樹脂の供給の圧力がＩＣチップに直接加わることがなくなる。

また、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置において、ＩＣチップの周囲に空間を設けておけば、半導体装置の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂が膨張した場合であっても、ＩＣチップの周囲においては、樹脂が空間に膨張することになり、それにより、膨張した樹脂によってＩＣチップに加わる圧力が低減する。

以上説明したように本発明においては、半導体基板のＩＣチップが搭載された面を被覆するための第１の樹脂成型部材が成型した後に、この第１の樹脂成型部材上に半導体基板を搭載してＩＣチップが搭載された面を被覆し、その後、この半導体基板上に樹脂を供給することにより、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面を被覆するための第２の樹脂成型部材を成型する構成としたため、半導体基板上に樹脂を供給する際に、樹脂の供給による圧力がＩＣチップに直接加わることがなくなり、それにより、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

また、ベース基材上に導電性パターンが形成されている場合に、少なくとも導電性パターンが形成されている領域をラミネート被覆するものにおいては、半導体基板と樹脂との間に水分が浸透して導電性パターンが錆びてしまうことを防止することができる。

また、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置において、ＩＣチップの周囲に空間が形成されているものにおいては、半導体装置の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂が膨張した場合であっても、ＩＣチップの周囲においては、樹脂が空間に膨張することになり、膨張した樹脂によってＩＣチップに加わる圧力の大きさが小さくなり、それにより、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。また、半導体装置の製造時においても、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面側から樹脂を供給した際、その供給による圧力や熱によって半導体基板が変形しても、その変形量が空間の大きさよりも小さければ、変形の圧力によってＩＣチップが樹脂に押し付けられることがなくなり、それにより、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

また、その空間に圧力吸収部材が配設されているものにおいては、半導体装置の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂が膨張した場合であっても、ＩＣチップの周囲においては、膨張した樹脂による圧力が圧力吸収部材に吸収され、膨張した樹脂によってＩＣチップに加わる圧力の大きさが小さくなり、それにより、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。また、半導体装置の製造時においては、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面側から樹脂を供給した際、その供給による圧力や熱によって半導体基板が変形する方向に外力が加わっても、半導体基板の変形が圧力吸収部材によって抑制され、それにより、ＩＣチップが樹脂に押し付けられることがなくなり、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

また、ベース基材のＩＣチップが搭載されていない面の、ＩＣチップに対向する領域に補強部材が配設されているものにおいては、半導体装置の製造時に、半導体基板のＩＣチップが搭載されていない面側から樹脂を供給した際、その供給による圧力や熱からベース基材が保護され、ベース基材が変形することを防止することができ、それにより、ＩＣチップが樹脂に押し付けられることがなくなり、ＩＣチップが破損してしまったり、ベース基材上に形成された配線とＩＣチップとの接続が断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、半導体装置として非接触型ＩＣタグを例に挙げて説明するが、本発明は、ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であれば適用することができる。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の半導体装置の第１の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

本形態は図１に示すように、ベース基材である樹脂シート１５上にアンテナ１２が形成されるとともにＩＣチップ１１が搭載されてなる半導体基板であるインレット１０が、２つの樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止されて構成されている。アンテナ１２は、樹脂シート１５上にコイル状に形成され、その両端が接点１３によってＩＣチップ１１に接続されている。また、ＩＣチップ１１は、アンテナ１２を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。また、樹脂成型部材２０ａは、ＩＣチップ１１が入り込むために十分な大きさの凹部２１を有し、インレット１０のうち、ＩＣチップ１１が搭載された面を、この凹部２１にＩＣチップ１１を入り込ませて被覆している。なお、凹部２１においては、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されているが、その詳細については後述する。また、樹脂成型部材２０ｂは、インレット１０のうち、ＩＣチップ１１が搭載されていない面及び端部を被覆している。これにより、インレット１０が樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止された構造となっている。

上記のように構成された非接触型ＩＣタグ１においては、外部に設けられた情報書込／読出装置（不図示）に近接させると、情報書込／読出装置からの電磁誘導によりアンテナ１２に電流が流れ、この電流がアンテナ１２から接点１３を介してＩＣチップ１１に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込／読出装置からＩＣチップ１１に情報が書き込まれたり、ＩＣチップ１１に書き込まれた情報が情報書込／読出装置にて読み出されたりする。

以下に、上述した非接触型ＩＣタグ１の製造方法について説明する。

図２は、図１に示した非接触型ＩＣタグ１の製造方法を説明するための図である。

まず、樹脂成型部材２０ａを成型するために、凹部３１ａを有する金型３０ａと、凸部３２ｂを有する金型３０ｂとを、凹部３１ａと凸部３２ｂとが対向するように型閉じすると、金型３０ａと金型３０ｂとによって空間４０ａが形成される（図２（ａ））。なお、金型３０ａに設けられた凹部３１ａは、樹脂成型部材２０ａの大きさ及び厚さと同一の大きさ及び深さを有しており、また、金型３０ｂに設けられた凸部３２ｂは、樹脂成型部材２０ａに形成される凹部２１の大きさ及び深さと同一の大きさ及び高さを有している。

この状態において、金型３０ｂに設けられた供給口３１ｂから樹脂を供給し、金型３０ａと金型３０ｂとによって形成された空間４０ａに樹脂を充填し、第１の樹脂成型部材２０ａを成型する（図２（ｂ））。なお、樹脂成型部材２０ａを成型するために金型３０ｂの供給口３１ｂから供給する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロール、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂が用いられる。また、供給口３１ｂからの樹脂の供給は、射出によるものでも注入によるものでも構わないが、射出によるものの方が生産性を向上させることができるため、本形態においては、射出によって供給口３１ｂから樹脂を供給するものとする。

次に、金型３０ａ上から金型３０ｂを取り外し、金型３０ａの凹部３１ａ内に成型された樹脂成型部材２０ａ上に、この樹脂成型部材２０ａに金型３０ｂの凸部３２ｂによって形成された凹部２１にＩＣチップ１１が入り込むようにインレット１０を搭載する（図２（ｃ））。この際、樹脂成型部材２０ａに形成された凹部２１においては、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されている。すなわち、金型３０ｂに設けられた凸部３２ｂは、ＩＣチップ１１の大きさよりも大きく、また、ＩＣチップ１１の樹脂シート１５の搭載面からの高さよりも高い形状を有している。この空間２２は、樹脂成型部材２０ａが熱によって膨張した場合に膨張した樹脂成型部材２０ａによってＩＣチップ１１に加わる圧力を低減するためのものであって、金型３０ｂに設けられた凸部３２ｂの大きさ及び高さが、ＩＣチップ１１の大きさ及び樹脂シート１５の搭載面からの高さ、並びに樹脂成型部材２０ａの熱膨張率に基づいて設定されている。具体的には、樹脂成型部材２０ａの熱膨張率をαとし、金型３０ａ上から金型３０ｂを取り外した際の周囲温度と非接触型ＩＣタグ１の使用温度の上限との温度差をｔ［Ｋ］、ＩＣチップ１１の一辺の長さをＬとした場合、ＩＣチップ１１の一辺の長さＬに対して凸部３２ｂの一辺の長さをαＬｔ以上長くし、また、ＩＣチップ１１の樹脂シート１５の搭載面からの高さをｈとした場合、ＩＣチップ１１の樹脂シート１５の搭載面からの高さｈに対して凸部３２ｂの高さをαｈｔ以上高くすれば、非接触型ＩＣタグ１の製造後、上限温度の環境下で使用され、樹脂成型部材２０ａが膨張した場合であっても、膨張した樹脂成型部材２０ａによってＩＣチップ１１に圧力が加わることがなくなる。

次に、樹脂成型部材２０ａ上に搭載されたインレット１０のＩＣチップ１１が搭載されていない面に樹脂成型部材２０ｂを成型するために、凹部３２ｃを有する金型３０ｃと金型３０ａとを、樹脂成型部材２０ａ上に搭載されたインレット１０が凹部３２ｃ内に入り込むように型閉じする（図２（ｄ））。

この状態においては、インレット１０と金型３０ｃとによって空間４０ｂが形成されており、金型３０ｃに設けられた供給口３１ｃから、樹脂成型部材２０ａを形成した樹脂と同一の樹脂を供給し、インレット１０と金型３０ｃとによって形成された空間４０ｂに樹脂を充填し、第２の樹脂成型部材２０ｂを成型する（図２（ｅ））。ここで、供給口３１ｃからの樹脂の供給においても、射出によるものでも注入によるものでも構わないが、射出によるものの方が生産性を向上させることができるため、本形態においては、射出によって供給口３１ｃから樹脂を供給するものとする。この際、本形態においては、ＩＣチップ１１が樹脂成型部材２０ａに形成された凹部２１に入り込むようにインレット１０が樹脂成型部材２０ａ上に搭載された状態で、インレット１０のうちＩＣチップ１１が搭載されていない面側から樹脂が供給されるため、ＩＣチップ１１に直接加わる樹脂の射出供給による圧力が低減し、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

その後、金型３０ａ，３０ｃを取り外し、図１に示した非接触型ＩＣタグ１を完成させる（図２（ｆ））。

上記のように製造された非接触型ＩＣタグ１においては、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されているため、上述したように、非接触型ＩＣタグ１の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂成型部材２０ａが膨張した場合であっても、ＩＣチップ１１の周囲においては、樹脂成型部材２０ａが空間２２に膨張することになり、膨張した樹脂成型部材２０ａによってＩＣチップ１１に加わる圧力が低減し、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。また、非接触型ＩＣタグ１の製造時においても、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂を供給した際、その供給による圧力や熱によって樹脂シート１５が変形しても、その変形量がＩＣチップ１１の周囲の空間２２よりも小さければ、変形の圧力によってＩＣチップ１１が樹脂成型部材２０ｂに押し付けられることがなくなり、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。なお、樹脂シート１５としてポリイミドからなるものを用いた場合、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂をインレット１０上に供給した際、その供給による熱によって樹脂シート１５が変形してしまうことがなくなる。

また、本形態においては、インレット１０が２つの樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止される構成となっているが、インレット１０が１つの樹脂成型部材によって封止される構成とした場合であっても、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されるように樹脂成型部材を成型すれば、上述したように、非接触型ＩＣタグ１の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂成型部材が膨張した場合であっても、ＩＣチップ１１の周囲においては、樹脂成型部材が空間２２に膨張することになり、膨張した樹脂成型部材によってＩＣチップ１１に加わる圧力を低減することができる。

また、本形態においては、樹脂シート１５の端部が樹脂成型部材２０ｂによって被覆されているが、樹脂シート１５の端部が被覆されていない構造とすることも考えられる。

また、本形態においては、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されるように非接触型ＩＣタグ１が製造されているが、ＩＣチップ１１の周囲に空間２２が形成されない場合においても、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂を供給した際、樹脂の供給による圧力がＩＣチップ１１に直接加わることがなくなり、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。

（第２の実施の形態）
図３は、本発明の半導体装置の第２の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

本形態は図３に示すように、第１の実施の形態にて示したインレット１０をラミネート材１６によって被覆したインレット１１０が、第１の実施の形態に示したものと同様に２つの樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止されて構成されている。

以下に、上記のように構成された非接触型ＩＣタグ１０１の製造方法について説明する。

図４は、図３に示した非接触型ＩＣタグ１０１の製造方法を説明するための図である。

まず、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ａを成型する（図４（ａ），（ｂ））。

次に、樹脂シート１５上にアンテナ１２が形成されるとともにＩＣチップ１１が搭載されてなるものにラミネート材１６を被覆し、ラミネート被覆されたインレット１１０を作製する（図４（ｃ））。なお、このラミネート材１６としては、一般的に用いられているラミネート材を使用すればよく、例えば、ホットメルト糊と樹脂フィルムとからなるラミネート材を使用する。

その後、ラミネート被覆されたインレット１１０を樹脂成型部材２０ａ上に搭載し（図４（ｄ））、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ｂを成型する（図４（ｅ）〜（ｇ））。

上記のように製造された非接触型ＩＣタグ１０１においては、インレット１１０がラミネート材１６によってラミネート被覆された構成となっているため、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２及び樹脂シート１５上に搭載されたＩＣチップ１１がラミネート材１６によって被覆されている。

ここで、インレット１１０と樹脂成型部材２０ａとの間には、アンテナ１２の厚さ等により若干の隙間が発生する。特に、本形態のように、樹脂成型部材２０ａが成型された後に、この樹脂成型部材２０ａ上にインレット１１０を搭載する場合は、硬化した樹脂成型部材２０ａとインレット１１０との間に隙間が発生する可能性が高い。そのため、その隙間に外部からの水分等が浸透する虞れがあり、その場合、アンテナ１２が錆びてしまう。ところが、本形態のようにアンテナ１２がラミネート材１６によって被覆されていれば、アンテナ１２は、インレット１１０と樹脂成型部材２０ａとの間に発生した隙間に接しておらず、そのため、アンテナ１２が錆びてしまうことがなくなる。

なお、本形態においては、インレット１１０全体がラミネート材１６によってラミネート被覆された構成としているが、アンテナ１２の錆を防止するためには、樹脂シート１５のアンテナ１２が形成された領域のみ、あるいは、アンテナ１２以外にも樹脂シート１５に形成された導電性パターンの錆を防止するためには、樹脂シート１５の導電性パターンが形成された領域のみにラミネート材１６を被覆しておけばよい。

また、ラミネート材１６として、ホットメルト糊とポリイミドフィルムからなるものを用いた場合、樹脂成型部材２０ｂを形成するためにインレット１１０上に樹脂を供給した際に、樹脂の熱によって樹脂シート１５が変形してしまうことを防止することができる。

（第３の実施の形態）
図５は、本発明の半導体装置の第３の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

本形態は図５に示すように、第１の実施の形態にて示したものに対して、樹脂成型部材２０ａの凹部２１内に形成された空間２２に圧力吸収部材であるシリコン２３が埋め込まれている点のみが異なるものである。

上記のように構成された非接触型ＩＣタグ２０１を製造する場合は、まず、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ａを成型し、次に、樹脂成型部材２０ａに設けられた凹部２１内にシリコン２３を所定の厚さだけ埋め込む。なお、シリコン２３の埋め込み量については、その後、樹脂成型部材２０ａ上にインレット１０が搭載された際にシリコン２３がＩＣチップ１１に接しない程度とすることが好ましい。

その後、インレット１０を樹脂成型部材２０ａ上に搭載し、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ｂを成型する。

上記のように製造された非接触型ＩＣタグ２０１においては、樹脂成型部材２０ａの凹部２１内にシリコン２３が埋め込まれているため、非接触型ＩＣタグ２０１の製造後、周囲の環境の変化によって樹脂成型部材２０ａが膨張した場合、ＩＣチップ１１の周囲においては、膨張した樹脂成型部材２０ａによる圧力がシリコン２３にて吸収され、膨張した樹脂成型部材２０ａによってＩＣチップ１１に加わる圧力の大きさが小さくなり、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。また、非接触型ＩＣタグ２０１の製造時においても、樹脂成型部材２０ｂを形成する樹脂を供給した際、その供給による圧力や熱によって樹脂シート１５が変形する方向に外力が加わっても、樹脂シート１５の変形がシリコン２３によって抑制され、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。また、本形態においても、樹脂シート１５としてポリイミドからなるものを用いた場合、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂をインレット１０上に供給した際、その供給による熱によって樹脂シート１５が変形してしまうことがなくなる。

また、本形態においても、インレット２１０が２つの樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止される構成となっているが、インレット２１０が１つの樹脂成型部材によって封止される構成とした場合であっても、ＩＣチップ１１の周囲に形成された空間２２にシリコン２３を付与しておけば、上記同様の効果を奏することができる。

また、本形態においては、圧力吸収部材としてシリコン２３を例に挙げて説明したが、樹脂成型部材２０ａの膨張による圧力や樹脂シート１５が変形する方向に加わる外力を吸収することができるものであれば、その他にゴム等の様々なものが考えられる。

（第４の実施の形態）
図６は、本発明の半導体装置の第４の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

本形態は図６に示すように、第１の実施の形態にて示したものに対して、樹脂シート１５のＩＣチップ１１が搭載されていない面のＩＣチップ１１に対向する領域にラミネート材１７が被覆されている点のみが異なるものである。

上記のように構成された非接触型ＩＣタグ３０１を製造する場合は、まず、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ａを成型しておき、また、アンテナ１２が形成されるとともにＩＣチップ１１が搭載された樹脂シート１５のＩＣチップ１１が搭載されていない面のＩＣチップ１０に対向する領域に補強部材であるラミネート材１７を被覆してインレット３１０を作製しておく。

その後、インレット３１０を樹脂成型部材２０ａ上に搭載し、第１の実施の形態にて説明したものと同様にして樹脂成型部材２０ｂを成型する。

上記のように製造された非接触型ＩＣタグ３０１においては、樹脂シート１５のＩＣチップ１１が搭載されていない面のＩＣチップ１０に対向する領域に補強部材であるラミネート材１７が被覆されているため、非接触型ＩＣタグ３０１の製造時に、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂をインレット３１０上に供給した際、その供給による圧力によって樹脂シート１５が変形する方向に外力が加わっても、樹脂シート１５の変形がラミネート材１７によって抑制され、それにより、ＩＣチップ１１が破損してしまったり、樹脂シート１５上に形成されたアンテナ１２とＩＣチップ１１が接点１３にて断線してしまったりする可能性を低減させることができる。このため、樹脂シート１５に被覆するラミネート材１７においては、樹脂成型部材２０ｂを成型するための樹脂をインレット３１０上に供給した際、その供給による圧力によって変形しない程度の強度を有するものである必要がある。また、ラミネート材１７として、ポリイミドを含むものを用いれば、樹脂成型部材２０ｂを成型するためにインレット２１０上に樹脂を供給した際に、樹脂の熱によって樹脂シート１５が変形してしまうことを防止することができる。また、ラミネート材１７の大きさは、樹脂シート１５の変形を抑制することができる程度の大きさであれば、空間２２の幅よりも小さくても構わないが、空間２２よりも大きければ、より樹脂シート１５の変形を抑制することができる。

なお、本形態においても、インレット３１０が２つの樹脂成型部材２０ａ，２０ｂによって封止される構成となっているが、インレット３１０が１つの樹脂成型部材によって封止される構成とした場合であっても、樹脂シート１５のＩＣチップ１１が搭載されていない面のＩＣチップ１０に対向する領域に補強部材であるラミネート材１７が被覆されていれば、上記同様の効果を奏することができる。

また、上述した第３及び第４の実施の形態を組み合わせて構成することにより、ＩＣチップ１１のさらなる保護を図ることも考えられる。

また、上述した４つの実施の形態においては、アンテナとして電磁誘導方式によるコイル状のものを例に挙げて説明したが、その形状はコイル状に限定されず、電波方式によるポール状のアンテナやループ状のアンテナ等、その他の形状のアンテナであっても構わない。

本発明の半導体装置の第１の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。 図１に示した非接触型ＩＣタグの製造方法を説明するための図である。 本発明の半導体装置の第２の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。 図３に示した非接触型ＩＣタグの製造方法を説明するための図である。 本発明の半導体装置の第３の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。 本発明の半導体装置の第４の実施の形態の非接触型ＩＣタグを示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。 従来の非接触型ＩＣタグの一例を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。

符号の説明

１，１０１，２０１，３０１ 非接触型ＩＣタグ
１０，１１０，３１０ インレット
１１ ＩＣチップ
１２ アンテナ
１３ 接点
１５ 樹脂シート
１６，１７ ラミネート材
２０ａ，２０ｂ 樹脂成型部材
２１，３１ａ，３２ｃ 凹部
２２，４０ａ，４０ｂ 空間
２３シリコン
３０ａ〜３０ｃ 金型
３１ｂ 供給口
３２ｂ 凸部

Claims (5)

1. ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置の製造方法であって、
   前記ＩＣチップが入り込むために十分な大きさの凹部を具備し、前記半導体基板のうち前記ＩＣチップが搭載された面を被覆するための第１の樹脂成型部材を成型する工程と、
   前記ＩＣチップが前記凹部に入り込むように前記半導体基板を前記第１の樹脂成型部材上に搭載する工程と、
   前記第１の樹脂成型部材上に搭載された前記半導体基板上に樹脂を供給し、該樹脂により第２の樹脂成型部材を成型し、該第２の樹脂成型部材によって前記半導体基板のうち前記ＩＣチップが搭載されていない面を被覆する工程とを有する半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記ベース基材上に導電性パターンが形成されている場合に、少なくとも前記導電性パターンが形成されている領域をラミネート被覆する工程を有し、
   前記第１の樹脂成型部材上に、前記ラミネート被覆された前記半導体基板を搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. ベース基材上にＩＣチップが搭載されてなる半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
   前記ＩＣチップの周囲に空間を有する半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記空間に圧力吸収部材が配設されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の半導体装置において、
   前記ベース基材の前記ＩＣチップが搭載されていない面の、前記ＩＣチップに対向する領域に補強部材が配設されていることを特徴とする半導体装置。

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