JP2006048425A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置において、熱により導電性パターンが断線したり導電性パターンに亀裂が生じたりする可能性を低減する。
【解決手段】 樹脂シート15上にアンテナ12が形成されるとともにICチップ11が搭載されてなるインレット10が封止用樹脂20により封止された非接触型ICタグ1であって、アンテナ12のうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている。
【選択図】図1
【解決手段】 樹脂シート15上にアンテナ12が形成されるとともにICチップ11が搭載されてなるインレット10が封止用樹脂20により封止された非接触型ICタグ1であって、アンテナ12のうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置に関し、特に、線幅が異なる導電性パターンを有する半導体装置に関する。
近年、情報管理や決済、あるいは商品等の管理に、非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能な非接触型ICタグや非接触型ICラベル、あるいは非接触型ICカード等のRF−IDメディアが利用されている。これらのRF−IDメディアは、非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能であるとともに、仕様によっては、複数のRF−IDメディアに対して情報の書き込み及び読み出しを同時に行うことができるため、急速な普及が進みつつある。
図3は、従来の非接触型ICタグの一例を示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
本従来例は図3に示すように、樹脂シート515上にアンテナ512が形成されるとともにICチップ511が搭載されてなるインレット510上に、粘着剤530を介して表面シート520が接着されて構成されている。アンテナ512は、樹脂シート515上にコイル状に形成され、その両端が接点513によってICチップ511に接続されている。また、ICチップ511は、アンテナ512を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。また、表面シート520は、樹脂フィルム等からなり、インレット510のICチップ511が搭載された面側に接着されることによりICチップ511を保護している。
上記のように構成された非接触型ICタグ501においては、外部に設けられた情報書込/読出装置(不図示)に近接させると、情報書込/読出装置からの電磁誘導によりアンテナ512に電流が流れ、この電流がアンテナ512から接点513を介してICチップ511に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込/読出装置からICチップ511に情報が書き込まれたり、ICチップ511に書き込まれた情報が情報書込/読出装置にて読み出されたりする。
ここで、上述した非接触型ICタグ501のように、ベース基材上にICチップが搭載されてなる半導体基板においては、ICチップが搭載された面に表面シート等の保護部材を接着しておくことにより、ICチップが保護されている。
また、ICチップが搭載された半導体基板のICチップが搭載されていない面を樹脂で被覆しておき、その後、半導体基板のICチップが搭載された面を樹脂で被覆し、それにより、ICチップを保護する技術が考えられている(例えば、特許文献1参照。)。この技術においては、まず、ICチップが搭載された半導体基板のICチップが搭載されていない面を樹脂で被覆し、その後、この半導体基板上に金型を設置し、この金型内に樹脂を注入して半導体基板のICチップが搭載された面を樹脂により被覆する。これにより、ICチップが搭載された半導体基板が樹脂によって封止されることになり、半導体基板上に表面シート等の保護部材が接着されたものと比べて、ICチップに対する保護強化を図ることができる。
また、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにICチップが搭載された基板を金型内に固定し、この金型内に樹脂を注入することにより、ベース基材にアンテナが巻かれるとともにICチップが搭載された基板が樹脂により封止されたRF−ID用タグを製造する技術が考えられている(例えば、特許文献2参照。)。この技術においても、半導体基板上に表面シート等の保護部材が接着されたものと比べて、ICチップに対する保護強化を図ることができる。
図4は、従来の非接触型ICタグの他の例を示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
本従来例は図4に示すように、樹脂シート615上にアンテナ612が形成されるとともにICチップ611が搭載されてなるインレット610が、封止用樹脂620によって封止されて構成されている。アンテナ612は、樹脂シート615上にコイル状に形成され、その両端が接点613によってICチップ611に接続されている。また、ICチップ611は、アンテナ612を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。
上記のように構成された非接触型ICタグ601においては、インレット610を封止する封止用樹脂620によって、樹脂シート615上に搭載されたICチップ611の保護強化を図ることができる。
特開2003−68775号公報
特開2002−298116号公報
上述したように、インレット等の半導体基板が樹脂によって封止されて構成されたものにおいては、半導体基板を樹脂によって封止する際や、半導体基板が樹脂によって封止された後に熱が加えられた際に、樹脂の膨張による圧力が半導体基板に加わることになる。ここで、図4に示したように、樹脂シート上に導電性パターンが形成された半導体基板を樹脂によって封止する場合、一般的に樹脂の線膨張率が導電性パターンの線膨張率の10倍程度であるため、樹脂シート及び封止用樹脂が導電性パターンを押し潰すように膨張することになるが、図4に示した2つのZ点のように、導電性パターンの線幅が急激に変化する領域が存在すると、その領域における線幅が細い領域に樹脂シートと封止用樹脂の膨張による圧力が集中して加わることになり、導電性パターンの機械的強度によっては、導電性パターンが断線したり、導電性パターンに亀裂が生じたりしてしまう虞れがある。特に、図4に示した2つのZ点のように、導電性パターンが占有する面積が、その周囲にて樹脂が占有する面積と比べて相対的にかなり狭い領域においては、導電性パターンが断線したり、導電性パターンに亀裂が生じたりしてしまう可能性が高くなる。
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置において、熱により導電性パターンが断線したり導電性パターンに亀裂が生じたりする可能性を低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、
ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている。
ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている。
また、ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が複数段階を経て太くなっていく。
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が複数段階を経て太くなっていく。
上記のように構成された本発明においては、ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板を樹脂で封止するために半導体基板の周囲に熱を有する樹脂を供給すると、供給された樹脂の圧力及びベース基材の膨張による圧力が、ベース基材上に形成された導電性パターンに加わることになるが、導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階にあるいは複数段階を経て徐々に太くなっているので、線幅が急激に変化する領域が存在せず、それにより、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち、供給された樹脂の圧力及びベース基材の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはない。
以上説明したように本発明においては、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている構成としたため、この半導体基板を樹脂で封止するために半導体基板の周囲に熱を有する樹脂を供給した場合であっても、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち、供給された樹脂の圧力及びベース基材の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはなく、それにより、熱により導電性パターンが断線したり導電性パターンに亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。また、その後にこの半導体装置に熱が加えられて樹脂が膨張した場合においても、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち、加えられた熱による樹脂の膨張の圧力が集中して加わる領域が生じることはなく、同様に、加えられた熱により導電性パターンが断線したり導電性パターンに亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。特に、上述した導電性パターンを、ワイヤコイル等の部品ではなく、ペースト状の導電部材をベース基材上に塗布することで形成して樹脂封入する場合においては、亀裂が生じる可能性を大幅に低減することができ、それにより、製造工程が簡易で信頼性の高い製品を作製することができるという効果を奏する。
また、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が複数段階を経て太くなっていく構成としたものにおいても、上記同様に、熱が加えられた場合に、ベース基材上に形成された導電性パターンのうち、加えられた熱による樹脂の膨張の圧力が集中して加わる領域が生じることはなく、同様に、加えられた熱により導電性パターンが断線したり導電性パターンに亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、半導体装置として非接触型ICタグを例に挙げて説明するが、本発明は、ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であれば、非接触型ICタグに限らず適用することができる。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の半導体装置の第1の実施の形態の非接触型ICタグを示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
図1は、本発明の半導体装置の第1の実施の形態の非接触型ICタグを示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
本形態は図1に示すように、ベース基材である樹脂シート15上に導電性パターンであるアンテナ12が形成されるとともにICチップ11が搭載されてなる半導体基板であるインレット10が、封止用樹脂20によって封止されて構成されている。アンテナ12は、樹脂シート15上にコイル状に形成され、その両端が接点13によってICチップ11に接続されており、さらに、その線幅が異なって連続した領域(図1中X点)は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に徐々に太くなっている。また、ICチップ11は、アンテナ12を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。
上記のように構成された非接触型ICタグ1においては、外部に設けられた情報書込/読出装置(不図示)に近接させると、情報書込/読出装置からの電磁誘導によりアンテナ12に電流が流れ、この電流がアンテナ12から接点13を介してICチップ11に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込/読出装置からICチップ11に情報が書き込まれたり、ICチップ11に書き込まれた情報が情報書込/読出装置にて読み出されたりする。
上述した非接触型ICタグ1を製造する場合は、まず、樹脂シート15上に、例えば、導電ペーストを塗布することによってコイル状のアンテナ12を形成し、また、接点13にてこのアンテナ12と接続されるようにICチップ11を搭載し、インレット10を作製する。なお、アンテナ12の形成方法については、樹脂シート15上に導電ペーストを塗布することに限らず、その他に、例えば、樹脂シート15上にワイヤコイル等の部品を配置することによって行うことも考えられる。
次に、作製されたインレット10を金型に入れ、その金型内に樹脂を射出あるいは注入によって供給し、インレット10を封止用樹脂20によって封止する。なお、封止用樹脂20を成型するために金型内に供給する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロール、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂が用いられる。すなわち、金型内に供給される樹脂は熱を有する状態で金型内に供給されるため、この熱による樹脂の膨張圧力がインレット10に加わり、また、この熱によって樹脂シート15が膨張する。この際、例えば、樹脂シート15及び封止用樹脂20としてポリエチレンを用い、また、アンテナ12を銅を用いて形成した場合、ポリエチレンの線膨張率が100〜200×10-6/Kであるのに対して、銅の線膨張率が16.7×10-6/Kであることから、供給された樹脂及び樹脂シート15が、樹脂シート15上に形成されたアンテナ12を押し潰すように膨張することになるが、アンテナ12のうち線幅が異なって連続した領域(図1中X点)が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に徐々に太くなっているため、線幅が急激に変化する領域が存在せず、供給された樹脂及び樹脂シート15の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはない。それにより、インレット10を封止用樹脂20によって封止する際に、封止用樹脂20の熱によりアンテナ12が断線したりアンテナ12に亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。
その後、金型を取り外し、図1に示した非接触型ICタグ1を完成させる。
このように作製された非接触型ICタグ1においては、上述したように、アンテナ12のうち線幅が異なって連続した領域(図1中X点)が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に徐々に太くなっているため、その後、熱が加えられ、樹脂シート15や封止用樹脂20が膨張した場合であっても、樹脂シート15や封止用樹脂20の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはなく、それにより、アンテナ12が断線したりアンテナ12に亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。特に、本形態のように、樹脂シート15上に導電ペーストが塗布されることによってアンテナ12が形成されたものにおいては、アンテナ12が断線したりアンテナ12に亀裂が生じたりする可能性を大幅に低減することができ、それにより、製造工程が簡易で信頼性の高い製品を作製することができる。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の半導体装置の第2の実施の形態の非接触型ICタグを示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
図2は、本発明の半導体装置の第2の実施の形態の非接触型ICタグを示す図であり、(a)は内部構造を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図である。
本形態は図2に示すように、ベース基材である樹脂シート115上に導電性パターンであるアンテナ112が形成されるとともにICチップ111が搭載されてなる半導体基板であるインレット110が、封止用樹脂120によって封止されて構成されている。アンテナ112は、樹脂シート115上にコイル状に形成され、その両端が接点113によってICチップ111に接続されており、さらに、その線幅が異なって連続した領域(図2中Y点)は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が4段階に徐々に太くなっている。また、ICチップ111は、アンテナ112を介して非接触状態にて情報の書き込み及び読み出しが可能なものである。なお、アンテナ112の線幅が異なる領域においては、4段階に限定せず、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かって複数段階を経てその幅が徐々に太くなるように構成されていればよい。
上記のように構成された非接触型ICタグ101においては、外部に設けられた情報書込/読出装置(不図示)に近接させると、情報書込/読出装置からの電磁誘導によりアンテナ112に電流が流れ、この電流がアンテナ112から接点113を介してICチップ111に供給され、それにより、非接触状態において、情報書込/読出装置からICチップ111に情報が書き込まれたり、ICチップ111に書き込まれた情報が情報書込/読出装置にて読み出されたりする。
上述した非接触型ICタグ101を製造する場合は、まず、樹脂シート115上に、例えば、導電ペーストを塗布することによってコイル状のアンテナ112を形成し、また、接点113にてこのアンテナ112と接続されるようにICチップ111を搭載し、インレット110を作製する。なお、アンテナ112の形成方法については、樹脂シート115上に導電ペーストを塗布することに限らず、その他に、例えば、樹脂シート115上にワイヤコイル等の部品を配置することによって行うことも考えられる。
次に、作製されたインレット110を金型に入れ、その金型内に樹脂を射出あるいは注入によって供給し、インレット110を封止用樹脂120によって封止する。なお、封止用樹脂120を成型するために金型内に供給する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロール、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂が用いられる。すなわち、金型内に供給される樹脂は熱を有する状態で金型内に供給されるため、この熱による樹脂の膨張圧力がインレット110に加わり、また、この熱によって樹脂シート115が膨張する。この際、例えば、樹脂シート115及び封止用樹脂120としてポリエチレンを用い、また、アンテナ112を銅を用いて形成した場合、ポリエチレンの線膨張率が100〜200×10-6/Kであるのに対して、銅の線膨張率が16.7×10-6/Kであることから、供給された樹脂及び樹脂シート115が、樹脂シート115上に形成されたアンテナ112を押し潰すように膨張することになるが、アンテナ112のうち線幅が異なって連続した領域(図2中Y点)が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が4段階に徐々に太くなっているため、線幅が急激に変化する領域が存在せず、供給された樹脂及び樹脂シート115の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはない。それにより、インレット110を封止用樹脂120によって封止する際に、封止用樹脂120の熱によりアンテナ112が断線したりアンテナ112に亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。
その後、金型を取り外し、図2に示した非接触型ICタグ101を完成させる。
このように作製された非接触型ICタグ101においては、上述したように、アンテナ112のうち線幅が異なって連続した領域(図2中Y点)が、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が4段階に徐々に太くなっているため、その後、熱が加えられ、樹脂シート115や封止用樹脂120が膨張した場合であっても、樹脂シート115や封止用樹脂120の膨張による圧力が集中して加わる領域が生じることはなく、それにより、アンテナ112が断線したりアンテナ112に亀裂が生じたりする可能性を低減することができる。特に、本形態のように、樹脂シート115上に導電ペーストが塗布されることによってアンテナ112が形成されたものにおいては、アンテナ112が断線したりアンテナ112に亀裂が生じたりする可能性を大幅に低減することができ、それにより、製造工程が簡易で信頼性の高い製品を作製することができる。
なお、上述した2つの実施の形態においては、樹脂シート15,115上にアンテナ12,112が形成されるとともにICチップ11,111が搭載されてなるインレット10,110の全面が封止用樹脂20,120によって封止された非接触型ICタグ1,101を例に挙げて説明したが、本発明による非接触型ICタグはこれに限らず、インレット10,110の端部が封止されていないものや、インレット10,110のアンテナ12,112が形成された面のみが封止用樹脂20,120によって封止されたものであってもよい。
1,101 非接触型ICタグ
10,110 インレット
11,111 ICチップ
12,112 アンテナ
13,113 接点
15,115 樹脂シート
20,120 封止用樹脂
10,110 インレット
11,111 ICチップ
12,112 アンテナ
13,113 接点
15,115 樹脂シート
20,120 封止用樹脂
Claims (2)
- ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が無段階に太くなっている半導体装置。 - ベース基材上に導電性パターンが形成された半導体基板が樹脂により封止された半導体装置であって、
前記導電性パターンのうち線幅が異なって連続した領域は、線幅の細い領域から線幅の太い領域に向かってその幅が複数段階を経て太くなっていく半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004229488A JP2006048425A (ja) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004229488A JP2006048425A (ja) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006048425A true JP2006048425A (ja) | 2006-02-16 |
Family
ID=36026900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004229488A Pending JP2006048425A (ja) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11345299A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Toppan Printing Co Ltd | 非接触型icカード及びその製造方法 |
JP2001143037A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触データキャリアとその製造方法 |
JP2001266099A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Fujitsu Ltd | 非接触icカード |
-
2004
- 2004-08-05 JP JP2004229488A patent/JP2006048425A/ja active Pending
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