JP2006005281A - リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂封止型半導体装置において、ベースの表面積を有効利用した簡素な構造を実現しつつ、ベースと封止樹脂の接合強度、密着性、パッケージの密閉性を向上する。
【解決手段】ベース２に貫通孔６を打ち抜き加工した後、ダイボンディング領域９と貫通孔６を隔てる長溝１０を含む直線溝７Ｔを貫通孔６に近接した位置でプレス加工するとともに、貫通孔６の縁に開口を狭める抜け止め部を加工することとした。少なくとも抜け止め部を封止樹脂で被覆し、好ましくは貫通孔内に樹脂をフル充填して封止樹脂とベース２の機械的接合強度を向上させた。直線溝７Ｔはダイボンド材停止用に利用し、貫通孔６はボルト挿通用に利用して簡素化するとともに、最小２回のプレス加工により生産性を向上させた。
【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置に関する。

リードフレームを用いて製造される樹脂封止型半導体装置の中に、特許文献１〜４に開示されるような半導体ダイがダイボンディングされるベース（ダイパッド、タブとも呼ばれる）を封止樹脂から外部に露出させた構造のいわゆる非絶縁型の樹脂封止型半導体装置がある。
非絶縁型ではベースを封止樹脂から外部に露出させるためベースを放熱板として働かせ放熱性を高めることができるが、ベースが封止樹脂で包まれるフルモールド型に比較してベースと封止樹脂の接合強度、密着性の低下が深刻になりやすい。

従来、このような問題に対処するため、ベースの表面に窪みや溝を形成するものがあった（例えば、特許文献１，２，３）。
特許文献３に記載の半導体装置にあっては、半導体素子固定領域を囲むように設けられた溝（同文献符号２０）によりダイボンド材の成分の染みだしを抑止するとともに（同文献段落００４８，００４９）、ベースと封止樹脂との接着性を向上せんとしている（同文献段落００５０）。
特許文献５に記載のリードフレームの製造方法にあっては、ベースの表面に設けた窪みの開口がその窪みの内部より狭くなるように機械加工し、樹脂との密着性を向上せんとした。

一方、特許文献４の非絶縁型の樹脂封止型半導体装置は、ベース部及びモールド部に設けた透孔（貫通孔）を介して放熱体にネジにより取り付けられて使用される。
フルモールド型においても、樹脂部及びベースを貫通する貫通孔が設けられ、ボルト挿通孔として用いられたものがあった（特許文献６，７）。
特開２００３−２７３３０７号公報 特開平１０−４１７０号公報 特開２００２−２６１１８７号公報 実開平６−５５２６１号公報 特開平７−１６１８９６−号公報 特開２００１−６８６１２号公報 特開平５−２８３５７４号公報

ところで、リードフレームの製造にあたり、エッチング加工を利用する場合には、マスクの作製など多数の工程を要するため、生産性の良いプレス加工を利用したしたい。
窪みをプレス加工する場合には、素材を圧縮変形させるから、大きく、かつ、深い窪みを形成することに限界があり、１つの窪みへの樹脂の充填量は少量となるから、接合強度を高めるために多数の窪みを形成しなければならない。むやみに多数の窪みを設けても、樹脂封止工程前にダイボンド材などが窪みに充填されると樹脂との接合については全く効果が無い。
特許文献５記載のリードフレーム製造方法のように、初期ディンプルをプレス加工して形成する場合には、初期ディンプルの周縁が圧縮により加工硬化しており、第二ディンプルの機械加工が難しくなる場合がある。また、２回のプレス工程を要するから、生産性の高い設計が望まれる。
以上のことより、ベース及び封止樹脂の強度、ベースと封止樹脂との接合強度が十分に得られないおそれがあり、ベースの表面積の利用効率が低下するおそれがある。また、リードフレームの生産性が低下するおそれがある。

特許文献４記載の樹脂封止型半導体装置においては、ベースと封止樹脂の接合面が取付ネジ挿入用の貫通孔において露出するが、この露出した接合面からの侵食、剥離が問題となり、この露出した接合面から半導体ダイへ経路が比較的短く、半導体ダイへの湿気の浸入経路となりやすい。

本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、樹脂封止型半導体装置において、ベースの表面積を有効利用した簡素な構造を実現しつつ、ベースと封止樹脂の接合強度、密着性、パッケージの密閉性を向上することを課題とする。

以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、
表面にダイボンディング領域が設けられ、前記表面上の前記ダイボンディング領域外において貫通孔が打ち抜き加工され、
前記表面上で前記ダイボンディング領域と前記貫通孔とを隔てる長溝がプレス加工され、
前記長溝と前記貫通孔との間の部分が前記貫通孔側に変形することにより前記貫通孔の開口が狭められてなるベースを含むリードフレームである。

したがって請求項１記載の発明によれば、打ち抜き加工された貫通孔の開口が狭くなっているため、封止樹脂を貫通孔内で硬化させれば、封止樹脂は貫通孔から抜け出すことが難しくなる、すなわち、長溝と貫通孔との間の変形した部分が抜け止めとしてアンカー効果を発揮する。貫通孔内でも封止樹脂とベースが接合するから、封止樹脂とベースの接合強度、密着性が向上する。
長溝と貫通孔との間の変形した部分を封止樹脂で被覆するることにより、ベース裏面を露出させた非絶縁型パッケージに適用してもベースと封止樹脂との接合面に沿った外部から半導体ダイまでの経路が長く取れ、これと上述の接合強度、密着性の向上とが相俟ってパッケージの密閉性が向上する。接合強度、密閉性の観点より貫通孔内面の全面を封止樹脂で被覆することが好ましい。さらには、貫通孔内に空隙を残さず充填することが好ましい。
ベースの貫通孔は、打ち抜き加工により簡単に任意の大きさに形成することができ、貫通孔の縁も加工硬化が少なく２次加工しやすい。貫通孔形成後に長溝をプレス加工する場合、貫通孔に近接する位置に長溝をプレス加工することにより、長溝と貫通孔との間の肉を貫通孔側へ変形させ、貫通孔の開口を狭めることもできる。これにより長溝の加工と、長溝と貫通孔との間の部分の加工を同時に行うことができるから、リードフレームの生産性が向上する。
貫通孔は１つでも２つ以上でもよいが、１つでも大きくすることにより高い接合強度が得られる。
長溝は、ダイボンディング工程においては半田、樹脂ペーストなどのダイボンド材の流れを止めることができ、ダイボンディング領域と貫通孔とを隔てているから、ダイボンド材の貫通孔内への流入を防ぐ。貫通孔には底がないため、仮に、ダイボンド材が貫通孔内への流入しても溜まりにくい。長溝がダイボンド材などで埋まらない限り、樹脂封止工程において長溝に封止樹脂が充填されるため、樹脂封止後、長溝は封止樹脂とベースの接合強度、密着性の向上を助ける。
ベースの貫通孔は、取付用のボルト挿通孔としても利用することでき、そのようにすれば、簡素な構造で機能・性能のよいパッケージを生産性良好に作製することができる。なお、ボルト挿通孔とは、ボルトの軸部を挿し通すことができる貫通孔をいう。

請求項２記載の発明は、前記表面を垂直視した場合に、前記貫通孔が前記長溝の長手方向に長い長孔であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームである。

したがって請求項２記載の発明によれば、貫通孔が長溝の長手方向に長い長孔であるので、長溝と貫通孔との間の部分の抜け止めを幅広に形成することができ、その結果、封止樹脂とベースの接合強度、密着性を向上することができる。

請求項３記載の発明は、前記ベースに、前記ダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝が形成され、前記ダイボンド材停止溝の一部が前記長溝により構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリードフレームである。

したがって請求項３記載の発明によれば、前記長溝とダイボンド材停止溝とを別々に設ける必要が無いから構造が簡素となり、工程も共通化して生産性が向上する。
ダイボンド材停止溝は、ダイボンディング領域を包囲する閉じた環状であることが好ましい。ダイボンド材の停止性が良いからである。一部途切れていても中心から遠い角部などであれば、十分な停止性が得られる。

請求項４記載の発明は、ベースとなる部分に貫通孔を打ち抜き加工する第１プレス工程と、
前記第１プレス工程の後、前記ベースとなる部分の表面に、前記貫通孔とこれに隣接するダイボンディング領域とを隔てる長溝をプレス加工するとともに、前記長溝を加工する加工圧力によって、前記長溝と前記貫通孔との間の前記ベースとなる部分の構成部材を前記貫通孔側に変形させて前記貫通孔の開口を狭める第２プレス工程とを備えるリードフレームの製造方法である。

したがって請求項４記載の発明によれば、半導体ダイをダイボンディングするベースに貫通孔を有し、この貫通孔の縁に封止樹脂抜け止め用の変形部を有し、かつ、貫通孔とダイボンディング領域とを隔てる長溝を有したリードフレームを、２回のプレス工程によりを生産することができる。他の部分のプレス成型は、第１プレス工程又は第２プレス工程と同時に行うと良い。

請求項５記載の発明は、ベースとなる部分に貫通孔を打ち抜き加工する第１プレス工程と、
前記第１プレス工程の後、前記ベースとなる部分の表面に、前記貫通孔に隣接するダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝の全部又は一部をプレス加工するとともに、前記ダイボンド材停止溝を加工する加工圧力によって、前記貫通孔に近接する側の前記ダイボンド材停止溝の一部と前記貫通孔との間の前記ベースとなる部分の構成部材を前記貫通孔側に変形させて前記貫通孔の開口を狭める第２プレス工程とを備えるリードフレームの製造方法である。

したがって請求項５記載の発明によれば、半導体ダイをダイボンディングするベースに貫通孔を有し、この貫通孔の縁に封止樹脂抜け止め用の変形部を有し、かつ、ダイボンド材停止溝を有したリードフレームを、２回のプレス工程によりを生産することができる。他の部分のプレス成型は、第１プレス工程又は第２プレス工程と同時に行うと良い。

請求項６記載の発明は、半導体ダイが表面にダイボンディングされたベースと、
前記ベースに付着して前記半導体ダイを封止する封止樹脂とを備え、
前記ベースの裏面が前記封止樹脂から露出し、
前記ベースの前記表面から前記裏面まで打ち抜かれた貫通孔が前記半導体ダイのダイボンディング領域外に形成され、
前記表面上に前記ダイボンディング領域と前記貫通孔とを隔てる長溝が形成され、
前記ベースの前記長溝と前記貫通孔との間の部分が前記貫通孔側に変形することにより前記貫通孔の開口が狭められ、
前記封止樹脂が前記間の部分を被覆してなる樹脂封止型半導体装置である。

したがって請求項６記載の発明によれば、長溝と貫通孔との間の部分が貫通孔側に変形することにより貫通孔の開口が狭められ、封止樹脂が前記間の部分を被覆しているので、封止樹脂は貫通孔から抜け出すことが難しくなる、すなわち、長溝と貫通孔との間の変形した部分が抜け止めとしてアンカー効果を発揮する。貫通孔内でも封止樹脂とベースが接合するから、封止樹脂とベースの接合強度、密着性が向上する。
長溝と貫通孔との間の変形した部分を封止樹脂が被覆しているので、ベースと封止樹脂との接合面に沿った外部から半導体ダイまでの経路が長く取れ、これと上述の接合強度、密着性の向上とが相俟ってパッケージの密閉性が向上する。接合強度、密閉性の観点より貫通孔内面の全面を封止樹脂で被覆することが好ましい。さらには、貫通孔内に空隙を残さず充填することが好ましい。
ベースの裏面が封止樹脂から露出しているので、ベースが放熱板として機能し放熱性が向上する。
ベースの貫通孔は、打ち抜き加工により簡単に任意の大きさに形成することができ、貫通孔の縁も加工硬化が少なく２次加工しやすい。貫通孔形成後に長溝をプレス加工する場合、貫通孔に近接する位置に長溝をプレス加工することにより、長溝と貫通孔との間の肉を貫通孔側へ変形させ、貫通孔の開口を狭めることもできる。これにより長溝の加工と、長溝と貫通孔との間の部分の加工を同時に行うことができるから、リードフレームの生産性が向上する。
貫通孔は1つでも2つ以上でもよいが、1つでも大きくすることにより十分な接合強度が得られる。
長溝は、ダイボンディング工程においては半田、樹脂ペーストなどのダイボンド材の流れを止めることができ、ダイボンディング領域と貫通孔とを隔てているから、ダイボンド材の貫通孔内への流入を防ぐ。貫通孔には底がないため、仮に、ダイボンド材が貫通孔内への流入しても溜まりにくい。長溝がダイボンド材などで埋まらない限り、樹脂封止工程において長溝に封止樹脂が充填されるため、樹脂封止後、長溝は封止樹脂とベースの接合強度、密着性の向上を助ける。

請求項７記載の発明は、前記表面を垂直視した場合に、前記貫通孔が前記長溝の長手方向に長い長孔であることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置である。

したがって請求項７記載の発明によれば、貫通孔が長溝の長手方向に長い長孔であるので、長溝と貫通孔との間の部分の抜け止めを幅広に形成することができ、その結果、封止樹脂とベースの接合強度、密着性を向上することができる。

請求項８記載の発明は、前記ベースに、前記ダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝が形成され、前記ダイボンド材停止溝の一部が前記長溝により構成されていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の樹脂封止型半導体装置である。

したがって請求項８記載の発明によれば、長溝とダイボンド材停止溝とを別々に設ける必要が無いから構造が簡素となり、工程も共通化して生産性が向上する。
ダイボンド材停止溝は、ダイボンディング領域を包囲する閉じた環状であることが好ましい。ダイボンド材の停止性が良いからである。一部途切れていても中心から遠い角部などであれば、十分な停止性が得られる。

請求項９記載の発明は、前記貫通孔内が前記封止樹脂により満たされてなることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置である。

したがって請求項９記載の発明によれば、貫通孔内が封止樹脂により満たされているので、ボルト挿通孔などの空隙をベースの貫通孔内に残す場合に比較して封止樹脂がベースから抜けづらくなり、小さな貫通孔でも封止樹脂とベースの接合強度、密着性が良い。

請求項１０記載の発明は、前記貫通孔と前記封止樹脂に形成された貫通孔とにより、貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置である。

したがって請求項１０記載の発明によれば、ベースに設けられた貫通孔と、封止樹脂に設けられた貫通孔とにより少なくとも１つの貫通孔が形成され、これをボルト挿通用などに利用することができ、簡素な構造で機能・性能のよいパッケージを生産性良好に作製することができる。

上述したように本発明によれば、樹脂封止型半導体装置において、ベースの表面積を有効利用した簡素な構造を実現しつつ、ベースと封止樹脂の接合強度、密着性、パッケージの密閉性を向上することができるという効果がある。

以下に本発明の一実施の形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。

〔リードフレーム〕
まず、図１及び図２を参照して本実施形態のリードフレームにつき説明する。図１は、本実施形態のリードフレームの平面図（ｃ）、最小単位の平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。図２は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１（ｃ）に示すように、本実施形態のリードフレーム１は、多数のベース２，２，・・・を連結部５でレール３に連結した構成を有する。レール３には、パイロットホール４が穿設されている。ベース２，２，・・・は、各２本の連結部５を介してレール３に連結保持され、レール３に沿って一直線状に並んでいる。

図１（ａ）（ｂ）は、リードフレーム１の最小単位を抜き出して描いた図である。
図１（ａ）に示すように、ベース２の表面には、ダイボンディング領域９が設けられ、その周囲にダイボンド材停止溝７（７Ｔ，７Ｌ，７Ｒ，７Ｂ）が形成されている。ダイボンド材停止溝７は４本の直線溝７Ｔ，７Ｌ，７Ｒ，７Ｂから構成される。
なお、ダイボンド材の流出を防ぐためには、ダイボンド材停止溝はダイボンディング領域９を囲む閉じた環状にすることが好ましい。本実施形態のように４本の直線溝７Ｔ，７Ｌ，７Ｒ，７Ｂで構成する場合は、斜めの線や曲線部が無いため、プレス成型用の金型を作製しやすい等の利点がある。

ダイボンディング領域９に隣接して貫通孔６が穿設されている。図２に示すように、貫通孔６はダイボンディング領域９が設けられた表面１２とその裏面１３とを連通するように設けられている。貫通孔６とダイボンディング領域９との間にダイボンド材停止溝７を構成する直線溝７Ｔが介在する。直線溝７Ｔの中央の一部がダイボンディング領域９と貫通孔６とを隔てる長溝１０である。図２に示すように、長溝１０と貫通孔６との間の抜け止め部１１は貫通孔６の表面１２側の開口を狭めるように貫通孔６側に変形しており、封止樹脂のアンカー効果を発揮する。
貫通孔６は、打ち抜き加工されたものであり、後加工された抜け止め部１１を除き、表面１２及び裏面１３に垂直で、表面１２から裏面１３まで一定断面で連続する孔である。

貫通孔６は、長溝１０の長手方向に長く形成されている。例えば、貫通孔６を楕円とし、その長軸方向と長溝１０の長手方向とを合せた構造や、貫通孔６を長方形とし、その長辺を長溝１０と平行にした構造などにより、貫通孔６を長溝１０の長手方向に長く形成する。後者の場合、その長方形の角に丸みをつけても良い。また、貫通孔６の長手方向の両端は半円形でもよい。貫通孔６の長溝１０に近接する側の縁は、直線か又は直線に近いＲの大きい形状とする。

長溝１０は、貫通孔６の長手方向の端から端まで貫通孔６に沿って設けることが好ましい。長溝１０と貫通孔６の間の抜け止め部１１をできるだけ長く形成するためである。仮に、貫通孔６の幅に対してダイボンディング領域９の幅が小さく、従って、ダイボンド材停止溝７を構成するために直線溝７Ｔが貫通孔６より短くてよくても、長溝１０は貫通孔６に沿って貫通孔６の長手方向の端から端まで延設する。
長溝１０は必ずしも直線状である必要な無く、貫通孔６との間隔を一定とした結果、曲線や曲線と直線の継ぎ合わせとなっても良い。抜け止め部１１を加工しやすい厚みにするため、長溝１０と貫通孔６との間隔はある程度狭く設定する。
なお、貫通孔６の両側には複数本の条溝８が設けられている。

以上の本実施形態のリードフレーム１に拘わらず、他のリード部材が連結されたもの、レールが２本以上のもの、ベースにアウターリードが連結されたものなど各種形態が有り得る。

〔リードフレームの製造方法〕
次に、リードフレーム１の製造方法につき説明する。リードフレーム１は、銅又は銅合金等の金属シートをプレス加工し、その表面にニッケルメッキ等を施して作製する。
本実施形態においては、第１プレス工程と第２プレス工程の２回のプレスにより作製する。第１プレス工程においては、プレス金型によって素材の金属シートをプレスし主に不要部分を打ち抜き除去する。第１プレス工程においては、図１（ａ）（ｃ）に示した貫通孔６は必ず穿設する。また、その他の外形や孔部を形成する。貫通孔６以外の外形や孔部は次の第２プレス工程において加工しても良い。

第２プレス工程においては、第１プレス工程によって加工されたものを他のプレス金型によってプレスし主に表面に溝を付ける。図１（ａ）に示した長溝１０及び図２に示した抜け止め部１１は必ず第２プレス工程で加工する。直線溝７Ｌ，７Ｒ，７Ｂや、条溝８は第１プレス工程で加工しても良い。長溝１０が直線溝７Ｌの一部となっているため、全体の直線溝７Ｌを第２プレス工程で加工する方がよい。同様に、ダイボンド材停止溝が閉じた環状に形成されるならば、ダイボンド材停止溝全体を第２プレス工程で加工する方がよい。

第２プレス工程においては、長溝１０の形成位置を貫通孔６にある程度近接して配置し、長溝１０の形成と同時に抜け止め部１１をプレス加工する。本実施形態では直線溝７ＴをＶ字谷状としている。これに対応したプレス金型の断面逆三角状の膨らみを貫通孔６に近接した位置に押し込むことにより、薄肉な抜け止め部１１を貫通孔６側に倒れるように曲げ変形させる。これにより、貫通孔６の表面１２側の開口を狭める。
断面逆三角状に限らず、所望の抜け止め部１１の形状が得られるように、その形状に対応したプレス型を適用すればよい。例えば、直線溝７Ｔのうち長溝１０に対応する部分が、その他の部分に対応する部分より貫通穴側に余計に膨らんだプレス金型を適用してもよい。

〔樹脂封止型半導体装置〕
次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置につき図３、図４を参照して説明する。図３は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。図４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の回路図である。
本実施形態の半樹脂封止型導体装置２０は、それぞれ単体ダイオードが構成された２つの半導体ダイ２１，２２を上述したリードフレーム１を用いて組み立て樹脂封止したものである。図４の回路図に示すように、２つの半導体ダイ２１，２２のカソードＫを接続した回路を構成している。

半導体ダイ２１，２２のカソードＫが配置された裏面がベース２のダイボンディング領域９にダイボンディングされている。これにより半導体ダイ２１，２２のカソードＫはベース２を介して電気的に接続されている。
リード２３，２４はそれぞれ、半導体ダイ２１，２２の表面のアノード端子Ａ１，Ａ２に接続している。
半導体ダイ２１，２２及びこれに接続するリード２３，２４の内端部が封止樹脂２５により樹脂封止されている。封止樹脂２５はベース２の表面１２、側面及び貫通孔６の内面に付着し接合している。
ベース２の裏面１３は封止樹脂２５から露出している。実装時にベース２裏面をヒートシンクなどに密着させるためである。
また、ベースの上端も露出している。これは図１に示した連結部５を樹脂封止後に切り離すためである。

図３（ｂ）に示すように、封止樹脂２５の裏面側、リード２３，２４の外端部が構成する外部端子部の裏面側はベース２の裏面１３と面一にされている。これは、回路基板に平面実装するためである。実装時、封止樹脂２５から突出したリード２３，２４の端部である外部端子は、回路基板上の電極に接続され、ベース２は放熱板として機能するため、放熱性の良い部分に裏面１３が密着するようにして固定される。

図５、図６は、図３（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図であり、互いに異なる形態を示している。

図５に示す形態は、貫通孔６内が封止樹脂２５で満たされた構造である。この構造によれば、貫通孔６内の封止樹脂は抜け止め部１１の存在により、容易に抜け出すことができない。したがって、図中に示す垂直方向Ｖに関するベース２と封止樹脂２５の機械的な接合強度が向上する。
また、貫通孔６内に封止樹脂２５が嵌合していることにより、図中に示す水平方向Ｈに関するベース２と封止樹脂２５の機械的な接合強度が向上している。
以上のような機械的接合に加え、封止樹脂２５はベース２に接着しているので、これによっても接合されている。貫通孔６を設けたことにより接着面積が大きくなる場合は、それにより接合強度が向上する場合がある。

図６に示す形態は、貫通孔６の内面の全面に封止樹脂２５が被着し、貫通孔６を通るように封止樹脂２５に貫通孔２６を設けた構造である。この構造によれば、貫通孔６内の封止樹脂は抜け止め部１１の存在により、容易に抜け出すことができない。したがって、図中に示す垂直方向Ｖに関するベース２と封止樹脂２５の機械的な接合強度が向上する。
また、貫通孔６内に封止樹脂２５が嵌合していることにより、図中に示す水平方向Ｈに関するベース２と封止樹脂２５の機械的な接合強度が向上している。
以上のような機械的接合に加え、封止樹脂２５はベース２に接着しているので、これによっても接合されている。貫通孔６を設けたことにより接着面積が大きくなる場合は、それにより接合強度が向上する場合がある。

図５に示す構造にあっては、ベース２を貫通するボルト挿通孔を設けるためには、貫通孔６とは別にもう一つの貫通孔をベース２に設けなければならないが、図６に示す構造にあっては、貫通孔２６をボルト挿通孔として利用することができる。
図６に示す構造にあっては、貫通孔６内に貫通孔２６による空洞があるため、機械的接合強度が低下するが、これに比較して図５に示す構造にあっては、強い機械的接合強度を発揮する。
図６に示す構造にあっては、貫通孔６内に貫通孔２６が通るので、機械的接合強度を得るために貫通孔６を大きくする必要が生じるが、図５に示す構造にあっては、同等の機械的接合強度を得るために貫通孔６は小さくて済む。

抜け止め部１１による機械的接合効果（アンカー効果）を得るためには、少なくとも図６中破線で示す抜け止め部１１周りのＮ部に樹脂を形成する必要がある。
対岸のＦ部にも樹脂を形成することにより、貫通孔６に樹脂が嵌合するから、さらに機械的接合強度が向上する。
さらに好ましくは、貫通孔６の内面に沿って一周連続して樹脂を形成することで嵌合度合いが良くなる。
さらに好ましくは、貫通孔６の内面の全面に樹脂を被着させることで接合強度が高まる（図５、図６の構造）。
また、貫通孔６内の樹脂を中空構造でなく中実構造とすることで樹脂部の機械的強度、ひいては接合強度が高まる（図５の構造）。
さらに好ましくは、貫通孔６内を樹脂で満たすことで接合強度が高まる（図５の構造）。

したがって、他の目的のために接合強度をある程度犠牲にして、貫通孔６内に空隙を設けること、貫通孔６の内面の一部を露出させてもよい。
また、抜け止め部１１以外に、さらに追加して抜け止め構造を採用してもよい。本発明は以上の実施形態に限定されるものではない。
本発明のリードフレームをフルモールド型に適用しても熱応力を軽減することができるという効果ある。
貫通孔６及び長溝１０をプレス加工した後に、抜け止め部１１を曲げ加工しても同様のものが得られる。但し、加工精度が厳しくなる。長溝１０と抜け止め部１１を同時にプレス加工しない場合は、貫通孔６と長溝１０を同時にプレス加工することでプレスの回数を抑えられる。

本発明一実施形態のリードフレームの平面図（ｃ）、最小単位の平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。 図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。 本発明一実施形態の樹脂封止型半導体装置の平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。 本発明一実施形態の樹脂封止型半導体装置の回路図である。 図３（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図の一形態である。 図３（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図の他の一形態である。

符号の説明

１…リードフレーム ２…ベース ６…貫通孔 ７（７Ｔ，７Ｌ，７Ｒ，７Ｂ）…ダイボンド材停止溝 ９…ダイボンディング領域 １０…長溝 １１…抜け止め部 ２１、２２…半導体ダイ ２５ …封止樹脂

Claims (10)

1. 表面にダイボンディング領域が設けられ、前記表面上の前記ダイボンディング領域外において貫通孔が打ち抜き加工され、
   前記表面上で前記ダイボンディング領域と前記貫通孔とを隔てる長溝がプレス加工され、
   前記長溝と前記貫通孔との間の部分が前記貫通孔側に変形することにより前記貫通孔の開口が狭められてなるベースを含むリードフレーム。
2. 前記表面を垂直視した場合に、前記貫通孔が前記長溝の長手方向に長い長孔であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記ベースに、前記ダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝が形成され、前記ダイボンド材停止溝の一部が前記長溝により構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリードフレーム。
4. ベースとなる部分に貫通孔を打ち抜き加工する第１プレス工程と、
   前記第１プレス工程の後、前記ベースとなる部分の表面に、前記貫通孔とこれに隣接するダイボンディング領域とを隔てる長溝をプレス加工するとともに、前記長溝を加工する加工圧力によって、前記長溝と前記貫通孔との間の前記ベースとなる部分の構成部材を前記貫通孔側に変形させて前記貫通孔の開口を狭める第２プレス工程とを備えるリードフレームの製造方法。
5. ベースとなる部分に貫通孔を打ち抜き加工する第１プレス工程と、
   前記第１プレス工程の後、前記ベースとなる部分の表面に、前記貫通孔に隣接するダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝の全部又は一部をプレス加工するとともに、前記ダイボンド材停止溝を加工する加工圧力によって、前記貫通孔に近接する側の前記ダイボンド材停止溝の一部と前記貫通孔との間の前記ベースとなる部分の構成部材を前記貫通孔側に変形させて前記貫通孔の開口を狭める第２プレス工程とを備えるリードフレームの製造方法。
6. 半導体ダイが表面にダイボンディングされたベースと、
   前記ベースに付着して前記半導体ダイを封止する封止樹脂とを備え、
   前記ベースの裏面が前記封止樹脂から露出し、
   前記ベースの前記表面から前記裏面まで打ち抜かれた貫通孔が前記半導体ダイのダイボンディング領域外に形成され、
   前記表面上に前記ダイボンディング領域と前記貫通孔とを隔てる長溝が形成され、
   前記ベースの前記長溝と前記貫通孔との間の部分が前記貫通孔側に変形することにより前記貫通孔の開口が狭められ、
   前記封止樹脂が前記間の部分を被覆してなる樹脂封止型半導体装置。
7. 前記表面を垂直視した場合に、前記貫通孔が前記長溝の長手方向に長い長孔であることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
8. 前記ベースに、前記ダイボンディング領域からのダイボンド材の流出を止めるダイボンド材停止溝が形成され、前記ダイボンド材停止溝の一部が前記長溝により構成されていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の樹脂封止型半導体装置。
9. 前記貫通孔内が前記封止樹脂により満たされてなることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
10. 前記貫通孔と前記封止樹脂に形成された貫通孔とにより、貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。

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