JP2005535787A5

JP2005535787A5 -

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Publication number: JP2005535787A5
Application number: JP2004529271A
Authority: JP
Filing date: 2003-08-08
Publication date: 2006-09-14

Claims

アルカンスルホン酸銅塩及び遊離アルカンスルホン酸を含有し、しかも遊離酸が０．０５〜２．５０Ｍの濃度を有する銅電気めっき液であって、ミクロン寸法のトレンチ又はバイア、貫通孔及びミクロバイアの金属化用の銅電気めっき液。
銅塩の陰イオン部分のアルカンスルホン酸及び遊離酸が、式：

［式中、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｙは４であり、そしてＲ、Ｒ’及びＲ”は同種又は異種であって、それぞれ独立して、水素、フェニル、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃、又は（ＣＨ₂）_n（ここで、ｎは１〜７である）の如き低級アルキル基（これは非置換であり、又は酸素、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃、−ＳＯ₂ＯＨによって置換される）であってよい］のアルキル又はアリールスルホン酸として導入される請求項１記載のめっき液。
アルカンスルホン酸が、アルキルモノスルホン酸、アルキルポリスルホン酸、又はアリールモノ若しくはポリスルホン酸から誘導される請求項１記載のめっき液。
アルキルスルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸及びプロパンスルホン酸であり、アルキルポリスルホン酸が、メタンジスルホン酸、モノクロルメタンジスルホン酸、ジクロルメタンジスルホン酸、１，１−エタンジスルホン酸、２−クロル−１，１−エタンジスルホン酸、１，２−ジクロル−１，１−エタンジスルホン酸、１，１−プロパンジスルホン酸、３−クロル−１，１−プロパンジスルホン酸、１，２−エチレンジスルホン酸、１，３−プロピレンジスルホン酸、トリフルオルメタンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペルフルオルブタンスルホン酸及びペンタンスルホン酸であり、そしてアリールスルホン酸がフェニルスルホン酸、フェノールスルホン酸及びトリルスルホン酸である請求項１記載のめっき液。
アルカンスルホン酸がメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸又はトリフルオルメタンスルホン酸である請求項１記載のめっき液。
酸がアルカンスルホン酸と他の酸との混合物である請求項１記載のめっき液。
０．０１〜２００ｍｇ／ｌのハロゲンイオンを含有する請求項１記載のめっき液。
遊離酸が全く使用されない請求項１記載のめっき液。
ｐＨが０．０５〜７．５である請求項１記載のめっき液。
銅塩が、アルカンスルホン酸銅と、周期律表の第１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８族の金属から選択される他の金属の塩との混合物として供給される請求項１記載のめっき液。
抑制剤が、酸素結合を有する高分子量ポリエーテルである請求項１記載のめっき液。
硫黄含有促進剤又は光沢剤が、電気めっき用組成物１リットル当たり０．０５〜１００ｍｇである請求項１記載のめっき液。
光沢剤がビスナトリウムスルホノプロピルジスルフィドである請求項１記載のめっき液。
窒素含有均展剤を含有する請求項１記載のめっき液。
ミクロン寸法のトレンチ又はバイア又は貫通孔の金属化法において、アルカンスルホン酸銅塩及び遊離アルカンスルホン酸を含有し、しかも遊離酸が０．０５〜３．５０Ｍの濃度を有することからなる電気めっき液を使用し、そして該めっき液に電流を通して基体に銅を電気めっきすることからなる金属化法。
銅塩の陰イオン部分のアルカンスルホン酸及び遊離酸が、式：

［式中、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｙは４であり、そしてＲ、Ｒ’及びＲ”は同種又は異種であって、それぞれ独立して、水素、フェニル、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃、又は（ＣＨ₂）_n（ここで、ｎは１〜７である）の如き低級アルキル基（これは非置換であり、又は酸素、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃、−ＳＯ₂ＯＨによって置換される）であってよい］のアルキル又はアリールスルホン酸として導入される請求項１５記載の方法。
基体が、ミクロン又はサブミクロン寸法のトレンチ、貫通孔又はバイアを含有する薄金属化表面を有する半導体装置又は印刷回路板であり、そしてめっき液が該トレンチ、貫通孔又はバイア中に銅をめっきする請求項１５記載の方法。
直流、パルス電流又は周期的逆電流が使用される請求項１５記載の方法。
可溶性又は不溶性又は不活性アノードが使用される請求項１５記載の方法。
銅電極の温度が２０℃〜７０℃である請求項１５記載の方法。
銅が、純銅、又は周期律表の第１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８族の金属との銅合金である請求項１５記載の方法。
基体が、１個又はそれ以上のバイア又はミクロバイア又は貫通孔を有する印刷回路板基体又は半導体である請求項１５記載の方法。
バイア又はミクロバイア又は貫通孔が、１．１のアスペクト比及び１〜５００ミクロンの直径を有する請求項１５記載の方法。
銅が、１個又はそれ以上のバイアを充填してくぼみ、過めっき、空隙又は包含物のない銅めっきを提供するように付着される請求項１５記載の方法。
開口壁上にアルカンスルホン酸銅塩、遊離アルカンスルホン酸、ハロゲンイオン、抑制剤、促進剤、随意成分としての均展剤及び随意成分としての界面活性剤を含有する請求項１の電気めっき液から得られた電解銅めっき層を有する１個又はそれ以上の貫通孔、バイア、ミクロバイア又はトレンチを有する電子装置基体からなる製品。
基体が、印刷板基体、マイクロチップモジュール基体又は半導体チップ基体である請求項２５記載の製品。
基体が、少なくとも１：１のアスペクト比及び少なくとも１〜５００ミクロンの直径を有する１個又はそれ以上のバイア、ミクロバイア又は貫通孔を含む請求項２５記載の製品。