JP2005516380A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 減衰位相シフト反射マスクを用いて、半導体ウェハ上に第１のフォトレジスト層をパターン化するための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上にバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）上に修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記修正可能層（５０）上に第２のフォトレジスト層（６０）を成膜する工程と、
前記第２のフォトレジスト層（６０）をパターン化して、パターン化フォトレジスト層（６０）を形成する工程と、
前記パターン化フォトレジスト層（６０）を第１のマスクとして使用し、前記修正可能層（５０）をエッチングして、パターン化された修正可能層（５５）を形成する工程と、
前記パターン化フォトレジスト層（６０）を除去する工程と、
前記パターン化された修正可能層（５５）を検査し、修正して、パターン化された修正済層（５５，７０）を形成する工程と、
前記パターン化された修正済層（５５，７０）を第２のマスクとして使用し、前記バッファ層（４０）をエッチングして、パターン化されたバッファ層（４５）を形成する工程と、
前記パターン化された修正済層（５５，７０）を除去する工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）を第３のマスクとして使用して、前記減衰位相シフト層（３０）をエッチングする工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）を除去して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
半導体ウェハ（１４０）に第１のフォトレジスト（１７０，１８０）を塗布する工程と、
前記半導体ウェハ（１４０）上の前記第１のフォトレジスト（１７０，１８０）に、前記減衰位相シフト反射マスク（１００）から放射線を反射させて、前記フォトレジスト上に露光パターンを形成する工程とを含む方法。 - 前記バッファ層（４０）をエッチングした後で、前記パターン化されたバッファ層（４５）を検査する工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）が欠陥を有している場合に、前記パターン化されたバッファ層（４５）を修正する工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。 - 半導体ウェハ上に露光されたフォトレジストの所望のパターンを得るための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上に修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記修正可能層（５０）上に第１のフォトレジスト層（６０）を成膜する工程と、
前記所望のパターンに従って前記第１のフォトレジスト層（６０）をパターン化する工程と、
前記所望のパターンを、前記第１のフォトレジスト層（６０）から前記修正可能層（５０）に転写する工程と、
前記所望のパターンを有しているかを判定するために、前記修正可能層（５５）を検査する工程と、
前記検査により前記修正可能層（５５）が前記所望のパターンを有していないことが示された場合には、前記修正可能層（５５）を前記所望のパターンに修正する工程と、
前記所望のパターンを前記修正可能層（５５）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１４０）に第２のフォトレジスト層（１７０，１８０）を塗布する工程と、
前記減衰位相シフト反射マスク（１００）から放射線を反射させて、前記所望のパターンで前記第２のフォトレジスト（１７０，１８０）を露光する工程とを含む方法。 - 前記修正可能層（５０）を成膜する前に、前記減衰位相シフト層（３０）上にバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）を使用して、前記所望のパターンを、前記修正可能層（５０）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写する工程とをさらに含む、請求項３に記載の方法。 - 半導体ウェハ上に所望のパターンを形成するための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に、前記反射層（２０）に対して選択的にエッチングすることができる減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上に、シリコンおよび酸素を含むバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）上に、前記バッファ層（４０）に対して選択的にエッチングすることができる修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記所望のパターンに従って前記修正可能層（５０）をパターン化する工程と、
前記修正可能層（５０）をパターン化した後で、前記修正可能層（５５）を検査する工程と、
検査により前記修正可能層（５５）が前記所望のパターンを有していないことが示された場合には、前記修正可能層（５５）を前記所望のパターンに修正する工程と、
前記所望のパターンを前記修正可能層（５５）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
前記減衰位相シフト反射マスク（１００）を使用して、前記半導体ウェハ（１４０）上に前記所望のパターンを形成する工程とを含む方法。
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