JP2005515640A - pn接合を備えた半導体構造物及び半導体構造物の製造方法 - Google Patents
pn接合を備えた半導体構造物及び半導体構造物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005515640A JP2005515640A JP2003561003A JP2003561003A JP2005515640A JP 2005515640 A JP2005515640 A JP 2005515640A JP 2003561003 A JP2003561003 A JP 2003561003A JP 2003561003 A JP2003561003 A JP 2003561003A JP 2005515640 A JP2005515640 A JP 2005515640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor structure
- chip
- doping
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66098—Breakdown diodes
- H01L29/66106—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体構造物及び関連の独立請求項の上位概念に記載された方法に関する。
これに対して、本発明の半導体構造物、及び関連の独立請求項に記載された特徴を備えた本発明の方法は、以下の利点を有する。即ち、チップ縁での電界強度を減少させるための半導体構造物であること並びに半導体構造物の製造がはるかに簡易であるという利点を有する。
本発明の実施例は図面に示されており、以下の記述において詳細が説明される。図1は、公知のダイオードの断面を図示したものであり、図2は、本発明の半導体構造物の断面を図示したものであり、図3は、本発明の半導体構造物を製造するための製造ステップを図示したものである。
図1においては、公知のダイオード100の断面が示されている。電圧制限用の半導体ダイオード100は、通常は、pnダイオードとして以下のように設計されている。即ち、pドーピング層2は、第1層としても呼ばれて、均一nドーピング領域1に入力拡散している。バルク抵抗の減少のためとn半導体を金属被膜に良好な抵抗で接触させるため、均一nドーピング領域1は、全ての図で図の下部にあると考えられるべきウェハー背面の方から強くnドーピングされる。これによって、符号3で示されている第3の層3が発生する。所定の層又は領域のためのnドーピングやpドーピングに関しては、図1及び他の全ての図においても単に例示として理解される。従って、ドーピング用に使用される電荷担体タイプは、本発明では取り替えることも可能である。層1、2、3は、共に、チップ10と呼ばれる半導体本体を構成する。半導体物質としては、特に硅素が問題となる。ただし、別の半導体物質を利用することも可能である。このことは、同様に以下の全ての図に関係する。
Claims (8)
- pn接合特にダイオードを備えた半導体構造物(200)であって、前記半導体構造物は縁領域を有するチップ(10)として構成されており、第1導通性タイプの第1層(2)及び前記第1導通性タイプとは反対の第2導通性タイプの第2層(1)とを有し、前記第1層(2)は縁領域(2a)と中央領域(2b)とを有し、pn接合が第1層(2)と第2層(1)との間に設けられている半導体構造物において、
前記第1層(2)は縁領域(2a)では中央領域(2b)よりも弱くドーピングされており、縁領域(2a)でのpn接合の境界面(12)が主チップ平面(13)に対して非平行に設けられていることに特徴を有する半導体構造物。 - 縁領域(2a)でのpn接合の前記境界面(12)は正のベベリング角を有して設けられている、請求項1記載の半導体構造物(200)。
- 縁領域(2a)でのpn接合の前記境界面(12)は湾曲して設けられている、請求項1又は2記載の半導体構造物(200)。
- 縁領域(2a)でのチップ(10)の厚さは中央領域(2b)よりも薄くなっている、請求項1ないし3のいずれか1項記載の半導体構造物(200)。
- 構造化されたドーピングによって前記第1層(2)が製造される、請求項1ないし4のいずれか1項記載の半導体構造物(200)を製造する方法。
- チップ(10)にドーピング添加剤を前もって堆積し、引き続きチップ(10)の部分領域(7)で前記堆積を除去し、その後にチップ(10)にドーピング添加剤を注入することにより構造化されてドーピングが設けられている、請求項5記載の製造方法。
- 前記堆積の除去はソーイングでなされ、当該ソーイングは特にダイアモンドソーイング又は水支援のレーザーカッティングによってなされる、請求項5又は6記載の製造方法。
- ドーピンググラスのAPCVD分析、ドーピング膜、気相堆積、イオン注入若しくはドーピングペーストの塗布によって、ドーピング添加剤でチップ(10)の前堆積をする、請求項5乃至7記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10201162 | 2002-01-15 | ||
DE10237409A DE10237409A1 (de) | 2002-01-15 | 2002-08-16 | Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
PCT/DE2002/004255 WO2003061015A1 (de) | 2002-01-15 | 2002-11-19 | Halbleiteranordnung mit einem pn-übergang und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005515640A true JP2005515640A (ja) | 2005-05-26 |
Family
ID=26010924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003561003A Pending JP2005515640A (ja) | 2002-01-15 | 2002-11-19 | pn接合を備えた半導体構造物及び半導体構造物の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7199031B2 (ja) |
EP (1) | EP1468454A1 (ja) |
JP (1) | JP2005515640A (ja) |
AU (1) | AU2002351686B2 (ja) |
WO (1) | WO2003061015A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004063180B4 (de) * | 2004-12-29 | 2020-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips aus einem Siliziumwafer und damit hergestellte Halbleiterbauelemente |
JP3141688U (ja) * | 2008-02-29 | 2008-05-22 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US8288839B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-10-16 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Transient voltage suppressor having symmetrical breakdown voltages |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50118661A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-17 | ||
JPS51108581A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-09-25 | Nippon Electric Co | Handotaisochi |
JPS6034075A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6091669A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | ラテラル形半導体装置の製造方法 |
JPS62219578A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JPS63301569A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH02142184A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH02294026A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-12-05 | Siemens Ag | 高絶縁耐力プレーナpn接合の製作方法 |
JPH07193018A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
WO2001075966A1 (de) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Synova S.A. | Verfahren zum schneiden eines gegenstands und zur weiterverarbeitung des schnittguts sowie träger zum halten des gegenstands bzw. des schnittguts |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3341380A (en) * | 1964-12-28 | 1967-09-12 | Gen Electric | Method of producing semiconductor devices |
US3972113A (en) * | 1973-05-14 | 1976-08-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process of producing semiconductor devices |
US4047196A (en) * | 1976-08-24 | 1977-09-06 | Rca Corporation | High voltage semiconductor device having a novel edge contour |
JPS564285A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-17 | Toshiba Corp | Manufacture of planar type semiconductor device |
EP0262356B1 (de) * | 1986-09-30 | 1993-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs hoher Spannungsfestigkeit |
DE4133820A1 (de) | 1991-10-12 | 1993-04-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen |
US5150176A (en) * | 1992-02-13 | 1992-09-22 | Motorola, Inc. | PN junction surge suppressor structure with moat |
DE4320780B4 (de) | 1993-06-23 | 2007-07-12 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung |
JP4167313B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2008-10-15 | 株式会社東芝 | 高耐圧電力用半導体装置 |
US5930660A (en) * | 1997-10-17 | 1999-07-27 | General Semiconductor, Inc. | Method for fabricating diode with improved reverse energy characteristics |
DE19804580C2 (de) * | 1998-02-05 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Leistungsdiode in Halbleitermaterial |
DE19930781B4 (de) * | 1999-07-03 | 2006-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Diode mit Metall-Halbleiterkontakt und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
2002
- 2002-11-19 US US10/501,287 patent/US7199031B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-19 WO PCT/DE2002/004255 patent/WO2003061015A1/de active Application Filing
- 2002-11-19 EP EP02787381A patent/EP1468454A1/de not_active Withdrawn
- 2002-11-19 AU AU2002351686A patent/AU2002351686B2/en not_active Ceased
- 2002-11-19 JP JP2003561003A patent/JP2005515640A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50118661A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-17 | ||
JPS51108581A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-09-25 | Nippon Electric Co | Handotaisochi |
JPS6034075A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6091669A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | ラテラル形半導体装置の製造方法 |
JPS62219578A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JPS63301569A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH02142184A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH02294026A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-12-05 | Siemens Ag | 高絶縁耐力プレーナpn接合の製作方法 |
JPH07193018A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Takaoka Electric Mfg Co Ltd | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
WO2001075966A1 (de) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Synova S.A. | Verfahren zum schneiden eines gegenstands und zur weiterverarbeitung des schnittguts sowie träger zum halten des gegenstands bzw. des schnittguts |
US20040026382A1 (en) * | 2000-04-04 | 2004-02-12 | Bernold Richerzhagen | Method for cutting an object and or futher processing the cut material an carrier for holding the object and the cut material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002351686B2 (en) | 2008-04-10 |
US7199031B2 (en) | 2007-04-03 |
EP1468454A1 (de) | 2004-10-20 |
AU2002351686A1 (en) | 2003-07-30 |
WO2003061015A1 (de) | 2003-07-24 |
US20050121690A1 (en) | 2005-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101196647B1 (ko) | 적은 누설전류를 가지는 고속 스위칭 다이오드 | |
JP3902674B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10535783B2 (en) | Unguarded schottky barrier diodes | |
US7820473B2 (en) | Schottky diode and method of manufacture | |
EP0069606B1 (fr) | Transistor à effet de champ vertical à jonction et procédé de fabrication | |
US6727525B1 (en) | Diode comprising a metal semiconductor contact and a method for the production thereof | |
US6583485B2 (en) | Schottky diode | |
CN106328696B (zh) | 半导体元件及半导体元件的制造方法 | |
JP2005515640A (ja) | pn接合を備えた半導体構造物及び半導体構造物の製造方法 | |
JP4636685B2 (ja) | ダイオードの製造方法 | |
CN107251230B (zh) | 用于制造宽带隙结势垒肖特基二极管的方法 | |
KR930003555B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2007235064A (ja) | ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法 | |
KR100422607B1 (ko) | 반도체장치및그의제조방법 | |
JP6013817B2 (ja) | ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造方法 | |
FR2541513A1 (fr) | Thyristor auto-protege et son procede de fabrication | |
JP4739670B2 (ja) | 1つのpn接合を備えた半導体装置および半導体基体の製造方法 | |
EP0015835B1 (fr) | Dispositif semiconducteur de commutation à fréquence élevée et procédé pour sa fabrication | |
US7521774B2 (en) | Semiconductor diode and method for the production thereof | |
JP3791854B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003507890A (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
JP3966061B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2006344839A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
FR3131658A1 (fr) | Procédé de formation d'une cavité | |
FR2695253A1 (fr) | Dispositif à transistor de puissance ayant une région à concentration accrue ultra-profonde. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091030 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100330 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110301 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110401 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120418 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120426 |