JP3966061B2 - 半導体素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子とその製造方法およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
昨今の半導体業界では、ますます半導体装置の高集積化が進められており、半導体素子の薄型化もその大テーマであり、種々提案されている。
【0003】
例えば、特開平6−291305号公報の記載にあるように、半導体基板の一方の面(以後、表面という)にアノード電極およびカソード電極を配置し、前記半導体基板の他方の面(以後、裏面という)に研削加工を行って所定の厚さに加工した半導体素子、更にその裏面にCVD絶縁膜を堆積させて半導体装置としたものがある。
【0004】
また、例えば、特開平5−29506号公報に、半導体基板の表面にのみ電極類を配置し、前記半導体基板の裏面に金属層を形成し、且つ前記金属層をパターニングしてなる半導体素子の製造方法が開示されている。すなわち、これは、放熱特性をよくするために設けられた厚い裏面金属層を島状に分割して隙間を設け、これにより半導体素子のそり量を軽減しようとしたものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような、従来の半導体素子や半導体装置においては、いずれも高集積化のために半導体基板の厚みを薄くすると、通常半導体基板の内部抵抗が大きくなり、順電圧(VF)特性が高くなるという半導体素子としての不都合が生じ、また半導体装置として耐衝撃性に劣るという問題があった。
【0007】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、半導体素子の厚さを薄くしてもVFの上昇を防ぎ、且つVFを下げる効果も持たせることができる半導体素子を提案することにある。
【0009】
またさらには、耐衝撃性を向上させた半導体装置を提案することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明は、高濃度第一導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面上に形成された低濃度第一導電型の半導体層と、該半導体層中に選択的に形成された高濃度第一導電型のカソード領域と、低濃度第一導電型の半導体層の上部に高濃度第一導電型のカソード領域と接続させて形成されたカソード電極と、低濃度第一導電型の半導体層の上部にカソード電極と所定の間隔を隔てて形成されたアノード電極とを備え、高濃度第一導電型のカソード領域は、低濃度第一導電型の半導体層の表面から高濃度第一導電型の半導体基板に達する深さを有し、カソード電極は、高濃度第一導電型のカソード領域よりも大きな面積を有し、アノード電極に隣接した端部において高濃度第一導電型のカソード領域と接続され、アノード電極は、低濃度第一導電型の半導体層上に接合されたショットキーバリアメタルと接続され、高濃度第一導電型の半導体基板の厚さは100μmよりも薄く、高濃度第一導電型の半導体基板の第二主面で該第二主面の周縁を除く部分にオーミック接触した非電極の金属層が形成され、高濃度第一導電型の半導体基板の一主面と略平行に流れる動作電流に対する抵抗成分を低減させる半導体素子である。
【0011】
このような構成の半導体素子とすることにより、半導体基板の裏面に半導体基板とオーミック接触した非電極の金属層が、半導体素子の厚さを薄くした場合に引き起こされる内部抵抗の増加を緩和することで、VFの上昇を防ぎ、むしろVFを下げる効果も得ることができる。
【0014】
さらにまた、本発明は、前記半導体基板の裏面に半導体基板とオーミック接触した非電極の金属層を絶縁層で覆った半導体素子である。
【0015】
このような構成の半導体素子とすることにより、絶縁層が金属層の導電性を保護する作用や半導体素子の耐衝撃性を向上させる作用で、実装時の衝撃による半導体素子の割れや欠けを防ぐ効果を得ることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1から図3を用いて詳しく説明する。
【0017】
(実施の形態1)
図1は、ショットキーバリアダイオードの断面図である。
【0018】
図1において、1は半導体基板、2は半導体基板1の表面、3はアノード電極、4はカソード電極、5は半導体基板1の裏面、6は金属層、7は半導体素子、8はショットキーバリアメタル、9は深いN+層、10は酸化膜であって、ショットキーバリアダイオードの半導体基板1の表面2にアノード電極3およびカソード電極4が配置され、半導体基板1の裏面5にオーミック接触させた非電極の金属層6が形成され、アノード電極3の下にショットキーバリアメタル8が、深いN+層9が、酸化膜10が形成されている。
【0019】
ここで、非電極の金属層6は、半導体基板1を薄くすることによって増加する内部抵抗を軽減する作用を果たす為に、パターニングがしやすく、オーミック接触のとれる金属で構成されている。
【0020】
その理由は、半導体基板1を薄くすることで内部抵抗が増加するため、オーミック接触させた金属層6を形成することで電流が金属層6を流れやすくなり、その結果、内部抵抗増加によるVFの上昇を防ぐことができる。
【0021】
また、半導体基板1を薄くすることで電流が金属層6に早く到達するため、さらに一層VFを下げる作用が働く。
【0022】
(実施の形態2)
図2は、実施の形態1で示したショットキーバリアダイオードの製造工程図である。
【0023】
図2において、半導体素子の特性を決める拡散工程、拡散済みのウェーハに裏面に研削加工を行い所定の厚さに加工する工程、裏面にパターニングしやすく、オーミック接触のとれる金属層を堆積する工程、前記金属層をパターニングする工程、前記金属層パターニング済みのウェーハをダイシングする工程から構成されている。
【0024】
ここで、前記金属層のパターニングは、ダイシングカットレーンを外して裏面一面に形成することが重要である。
【0025】
このような構成の製造方法にすることにより、ダイシングする部分の金属層が取り除かれていて、半導体基板と金属層を同時にダイシングすることがないため、金属層の剥離や金属汚染などの問題を解消することができる。
【0026】
(実施の形態3)
図3は、実施の形態1で示したショットキーバリアダイオードの半導体基板1の金属層6の上に、樹脂による絶縁層11が形成されてなる半導体装置12の断面図である。ただし、絶縁層11は、CVD絶縁膜や絶縁性ポリマーなどでもよい。
【0027】
このような構成の半導体装置12とすることにより、絶縁層が金属層の導電性を保護する作用や半導体装置の耐衝撃性を向上させる作用が発揮され、実装時の衝撃によって半導体装置の割れや欠けを防ぐ効果を得ることができる。
【0028】
また、図4は具体的に半導体基板1を50μmから150μmの厚さで製造した本発明の実施の形態3における半導体装置のVFを、裏面5にオーミック接触させた非電極の金属層6がない場合と比較測定したもので、縦軸にVF、横軸に導体基板の厚み(μm)を示している。
【0029】
この結果からも明確なように、裏面5にオーミック接触させた非電極の金属層6がない場合では、半導体基板1が100μm以下になるとVFが上昇するのに対し、金属層6がある場合では半導体基板1を薄くすることによるVFの上昇は見られない。裏面5にオーミック接触させた非電極の金属層6が半導体基板1を薄くすることで起こる内部抵抗の増加を防ぐ効果が達成された。また、半導体基板1が薄くなるほどVFを下げる効果も達成された。
【0030】
なお、以上の実施の形態では、すべてショットキーダイオードで構成した半導体素子、その製造方法およびそれを用いた半導体装置を示したが、その他のダイオードについても同様に実施可能である。
【0031】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明は、半導体基板の表面のみにアノード電極およびカソード電極が配置され、前記半導体基板の裏面に半導体基板とオーミック接触した非電極の金属層が形成されてなる半導体素子とすることにより、高集積化のために半導体素子の厚さを薄くした場合でもVFの上昇を防ぎ、むしろVFを下げる効果も得ることができる。
【0032】
また、本発明は、半導体基板の表面にのみアノード電極およびカソード電極を配置し、前記半導体基板の裏面に半導体基板とオーミック接触した非電極の金属層が形成し、且つ金属層をパターニングする半導体素子の製造方法とすることにより、ダイシングする部分の金属層を取り除くことができ、半導体基板と金属層を同時にダイシングすることがないため、金属層の剥離や金属汚染などの問題をなくすことができる。
【0033】
さらにまた、本発明は、半導体素子の表面にのみにアノード電極およびカソード電極が配置され、前記半導体素子の裏面に半導体基板とオーミック接触した非電極の金属層が形成されてなる半導体素子の前記金属層の上に、絶縁層が形成されてなる半導体装置とすることにより、絶縁層が金属層の導電性を保護し、半導体装置の耐衝撃性を向上させるため、実装時の衝撃によって半導体装置の割れや欠けを防ぐ効果を得ることができる。
【0034】
すなわち、本発明によれば、表面にアノード電極およびカソード電極を配置した半導体装置において、裏面にオーミック接触させた非電極の金属層による内部抵抗の軽減が可能となり、半導体素子の厚さを薄くした半導体装置が得られるので、高集積化が一段と進められるという極めて有益な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における半導体素子の断面図
【図2】本発明の第2の実施形態における半導体素子の製造方法の工程図
【図3】本発明の第3の実施形態における半導体装置の断面図
【図4】本発明の第3の実施形態における順電圧(VF)特性図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 半導体素子の一方の面(表面)
3 アノード電極
4 カソード電極
5 半導体素子の他方の面(裏面)
6 金属層
7 半導体素子
8 ショットキーバリアメタル
9 N+層
10 酸化膜
11 絶縁層
12 半導体装置
Claims (2)
- 高濃度第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一主面上に形成された低濃度第一導電型の半導体層と、前記半導体層中に選択的に形成された高濃度第一導電型のカソード領域と、前記半導体層の上部に前記カソード領域と接続させて形成されたカソード電極と、前記半導体層の上部に前記カソード電極と所定の間隔を隔てて形成されたアノード電極とを備え、前記カソード領域は、前記半導体層の表面から前記半導体基板に達する深さを有し、前記カソード電極は、前記カソード領域よりも大きな面積を有し、前記アノード電極に隣接した端部において前記カソード領域と接続され、前記アノード電極は、前記低濃度第一導電型の半導体層上に接合されたショットキーバリアメタルと接続され、前記高濃度第一導電型の半導体基板の厚さは100μmよりも薄く、該半導体基板の前記第二主面で該第二主面の周縁を除く部分にオーミック接触した非電極の金属層が形成され、前記半導体基板の一主面と略平行に流れる動作電流に対する抵抗成分を低減させる事を特徴とする半導体素子。
- 前記非電極の金属層を絶縁層で覆った事を特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
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