JP2005353922A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005353922A
JP2005353922A JP2004174774A JP2004174774A JP2005353922A JP 2005353922 A JP2005353922 A JP 2005353922A JP 2004174774 A JP2004174774 A JP 2004174774A JP 2004174774 A JP2004174774 A JP 2004174774A JP 2005353922 A JP2005353922 A JP 2005353922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mounting substrate
frame
electronic component
resin
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004174774A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Ueno
一彦 上野
Kaori Namioka
かおり 波岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2004174774A priority Critical patent/JP2005353922A/ja
Publication of JP2005353922A publication Critical patent/JP2005353922A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 本発明は、金型を使用せずに、樹脂封止を行なうことができるようにした電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 実装基板11の表面の各素子領域の周囲にレジスト12により樹脂モールドに対応する高さのフレーム12aを形成する第一の段階と、次に上記実装基板上の上記フレームの内側に露出する各素子領域に関して、素子チップ14を実装する第二の段階と、続いて上記実装基板上の上記フレームの内側に、上記素子チップを包囲するように封止樹脂15を注入し、硬化させる第三の段階と、最後に、上記実装基板上から上記フレームを除去する第四の段階と、を含むように、電子部品の製造方法を構成する。
【選択図】 図6

Description

本発明は、例えばLEDチップ等の素子チップが基板上に実装され、さらに樹脂モールドにより封止された電子部品の製造方法に関するものである。
従来、電子部品、例えばLED素子を製造する場合、比較的大きな実装基板上に複数個のLEDチップを並べて実装した後、LEDチップ及びボンディングワイヤ等を包囲するように、樹脂モールドにより封止し、最後に各素子毎に実装基板をダイシング等により分離して、個々の素子を製造するようにしている。
その際、上述した樹脂封止は、図8に示すように、実装基板1の表面に備えられた実装ランド1aにLEDチップ2が搭載され、ダイボンディングにより固定され且つ電気的に接続されると共に、ボンディングワイヤ3により上記LEDチップ2の上面の電極部2aと実装基板1上の接続パターン1bとを電気的に接続しておく。
そして、この状態から、実装基板1を金型4内にセットし、金型4のキャビティ4aの形状に基づいて、実装基板1に対して樹脂モールド5を一体的に成形し、その後図9に示すように、型抜きする。
その後、個々の素子毎に分離することにより、LED素子6を製造するようにしている。
ここで、上記実装基板1は、LEDチップ2の実装ランド1a及び上記接続パターン1bから側面を通って下面まで延びる電極部1c,1dを備えており、これにより、LED素子6は表面実装型として構成されるようになっている。
ところで、上述した製造方法においては、樹脂モールド5を実装基板1に対して一体成形するために、金型4が使用されている。
これにより、樹脂モールド5が金型4によって成形されることによって、高精度の樹脂モールド5が得られるようになっている。
しかしながら、金型4の使用は、初期投資としての金型コストが比較的高く、而も金型4の作製のために比較的長い時間が必要である。このため、LED素子製造の立上り時期が遅れがちとなって、製品出荷の機会の損失や製品切り替え時の終了損失が発生してしまうことになる。
さらに、LED素子に限らず、同様に素子チップが実装された実装基板を樹脂封止するようにした他の種類の電子部品も同様である。
本発明は、以上の点から、金型を使用せずに、樹脂封止を行なうことができるようにした電子部品の製造方法を提供することを目的としている。尚、このような課題を解決するために、金型を使用せずに封止する方法が、特願2003ー370817において、提案されている。上述の方法は、実装基板上に、樹脂モールドに対応した開口を有する樹脂シートからなるフレームを形成し、前記開口に封止樹脂を注入、硬化後、樹脂シートを取り除く。
しかし、樹脂シートからなるフレームを用いた場合においても、所定の開口を有する樹脂シートを成形するために金型が必要であり、また樹脂シートからなるフレームを実装基板へ取り付ける作業が必要となっていた。そのため、より簡便かつ低コストな封止方法が求められている。
上記目的は、本発明によれば、実装基板の表面の各素子領域の周囲にレジストにより樹脂モールドに対応する高さのフレームを形成する第一の段階と、次に、上記実装基板上の上記フレームの内側に露出する各素子領域に関して、素子チップを実装する第二の段階と、続いて、上記実装基板上の上記フレームの内側に、上記素子チップを包囲するように封止樹脂を注入し、硬化させる第三の段階と、最後に、上記実装基板上から上記フレームを除去する第四の段階と、を含んでいることを特徴とする、電子部品の製造方法により、達成される。
本発明による電子部品の製造方法は、好ましくは、上記第一の段階にて、まず、実装基板の表面全体にドライフィルムレジストを貼り付けて、その後フォトマスクによりドライフィルムレジスト必要部分を選択的に露光し、ドライフィルムレジストの未露光部分を現像により除去する工程を有する。
上記構成によれば、第二の段階での素子チップ実装前に、第一の段階にて実装基板の各素子領域の周囲に形成されたレジストによるフレーム内に、素子チップ実装後に、第三の段階にて、封止樹脂を注入・硬化させることにより、従来のような金型を使用することなく、所定高さの樹脂モールドを形成し、素子チップを樹脂封止することができる。
従って、金型を使用する必要がないことから、金型コストを含む初期投資が大幅に低減され得ると共に、製品立上りまでの期間が著しく短縮され得るので、製品立上りの機会損失や製品切り替え時の終了損失が発生するようなことはない。
上記第一段階におけるフレームの形成方法は、レジストを用いてフォトリソ工程により形成するが、レジストとして、フィルムあるいはシート状に成形されたドライフィルムレジストを用いることで、均一かつ所望の膜厚のフレームを容易に形成することができる。
また、フォトリソ工程により、フレームを形成する場合に必要となるフォトマスクの製造コストはトランスファ成形用金型コストの約百分の一、樹脂シート成形用金型の約十五分の一であり、フォトマスクの製造に要する時間はトランスファ成形用金型と比較して約四分の一であるため、コストの大幅な低減および、製品の迅速な立ち上げに資する。
フォトリソ工程によりフレーム形成を行う場合には、まず、実装基板の表面全体にレジストを成膜し、フォトマスクによりレジスト膜の必要部分を選択的に露光し、レジスト膜の未露光部分を現像により除去する。このようにフレーム形成において、フォトリソ工程を用いる方法は、予め形成した開口部を有する樹脂フィルムを載置する方法より、実装基板とフレームとのアライメントが不要となる点、および、パターニングの精度が高い点で優位な方法である。これまで、素子チップサイズが小さくなるほど、アライメント作業は、煩雑であったのに対し、本発明の方法を用いることにより、小さな素子チップに対しても、容易に封止することができる。また、樹脂フィルムとしてゴム製シートを用いた場合の精度は、±50μmであるのに対し、フォトリソ工程によるレジストパターンの精度はサブミクロンレベルである。
上記第二の段階にて、各素子領域にて実装基板上に素子チップをダイボンディング及びワイヤボンディングにより実装する場合には、チップタイプの各種素子等の電子部品を実装基板上に実装することができる。従って、各種電子部品に対して本発明を適用することができる。
このようにして、本発明によれば、実装基板の各素子領域にレジストによるフレームを形成しておき、素子チップの実装後に、フレーム内に封止樹脂を注入・硬化させることにより、金型を使用することなく、樹脂モールドを形成し、素子チップを樹脂封止することができる。
従って、金型コストを含む初期投資が大幅に低減され得ると共に、製品立上りまでの期間が著しく短縮され得るので、製品立上りの機会損失や製品切り替え時の終了損失が発生するようなことはない。
以下、この発明の好適な実施形態を図1乃至図7を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
図1乃至図7は、本発明を適用した電子部品の製造方法の一実施形態の工程を順次に示している。
即ち、まず図1において、平坦な実装基板11を用意する。この場合、実装基板11は、その材質,形状を問わず、また図1に示すスルーホール基板であってもよい。
そして、図2に示すように、第一の工程にて、上記実装基板11の表面全体に亘って、ドライフィルムレジスト12を貼付ける。
続いて、第二の工程にて、図3に示すように、ドライフィルムレジスト12上にフォトマスク13を載置して、上方から露光を行ない、第三の工程にて、図4に示すように、上記ドライフィルムレジスト12の未露光部分を現像処理によって除去して、実装基板11の各素子領域の周囲に、フレーム12aを形成する。 ここで、上記フォトマスク13は、ドライフィルムレジスト12の必要部分、即ち上記フレーム12aに対応する領域に露光窓13aを有するように形成されている。
そして、上記フレーム12aは、樹脂モールドの高さに対応する高さに形成されている。
以上で、第一の段階におけるフレーム12aの形成が行なわれる。
次に、図5に示すように、第四の工程にて、上記実装基板11のそれぞれフレーム12aにより囲まれた素子領域に関して、素子チップ14をダイボンディングにより固定し、さらに素子チップ14の上面の電極部とフレーム12a内に露出する実装基板11上の接続パターン(図示せず)とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続する。これにより、第二の段階にて、素子チップ14が実装基板11の各素子領域に実装されることになる。
その後、図6に示すように、第五の工程にて、上記人層基板11の各フレーム12a内に、封止樹脂15が注入され、硬化される。これにより、第三の段階にて、封止樹脂15により素子チップ14の樹脂封止が行なわれ、樹脂モールド15aが形成されることになる。
この場合、封止樹脂15がフレーム12aの上縁まで充填されることにより、適正量の封止樹脂15が注入され、所定寸法の樹脂モールド15aが形成されることになる。
最後に、図7に示すように、第六の工程にて、実装基板11上からフレーム12aが除去されることにより、各素子領域にて、素子チップ14から成る電子部品が完成する。
そして、実装基板11が各素子領域毎に例えばダイシング工程にて分離されることにより、各電子部品が完成することになる。
このようにして、本発明によ電子部品の製造方法によれば、実装基板11の各素子領域の周囲に、素子チップ14の実装前に、フレーム12aを形成しておき、素子チップ14の実装後に、各素子領域にてフレーム12a内に封止樹脂を注入・硬化させることにより、各素子領域における素子チップ14が樹脂封止され得る。
従って、従来のような金型を使用することなく、樹脂モールド15aが形成され得、素子チップ14が樹脂封止され得るので、金型コストを含む初期投資が大幅に低減され得ると共に、製品立上りまでの期間が著しく短縮され得る。これにより、製品立上りの機会損失や製品切り替え時の終了損失が発生するようなことなく、迅速な製品立上り及び製品切り替えが可能となる。
上述した実施形態においては、フレーム12aは、ドライフィルムレジスト12の露光部分が除去されずに残ることにより、形成されるようになっているが、これに限らず、ドライフィルムレジスト12の未露光部分が残留されることにより、形成されるようにしてもよいことは明らかである。
また、上述した実施形態においては、素子チップ14は、ダイボンディング及びワイヤボンディングにより各素子領域に実装されるようになっているが、これに限らず、他の方式、例えば素子チップ14の上面の複数個の電極部がそれぞれ素子領域内の対応する接続パターンにワイヤボンディングにより接続されて、実装されるようにしてもよい。
さらに、上述した実施形態においては、素子チップ14は、実装基板11の各素子領域に一つづつ実装されているが、これに限らず、各素子領域に複数個の素子チップ14が実装されるようにしてもよい。
本発明による電子部品の製造方法の一実施形態における実装基板を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第一の工程を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第二の工程を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第三の工程を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第四の工程を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第五の工程を示す概略断面図である。 図1の電子部品の製造方法における第六の工程を示す概略断面図である。 従来の電子部品の製造方法の一例における樹脂モールド工程前を示す概略断面図である。 図8の電子部品の製造方法における樹脂モールド工程後を示す概略断面図である。
符号の説明
11 実装基板
12 ドライフィルムレジスト
12a フレーム
13 フォトマスク
13a 露光窓
14 素子チップ
15 封止樹脂
15a 樹脂モールド

Claims (2)

  1. 実装基板の表面の各素子領域の周囲にレジストにより樹脂モールドに対応する高さのフレームを形成する第一の段階と、
    次に、上記実装基板上の上記フレームの内側に露出する各素子領域に関して、素子チップを実装する第二の段階と、
    続いて、上記実装基板上の上記フレームの内側に、上記素子チップを包囲するように封止樹脂を注入し、硬化させる第三の段階と、
    最後に、上記実装基板上から上記フレームを除去する第四の段階と、
    を含んでいることを特徴とする、電子部品の製造方法。
  2. 上記第一の段階にて、まず、実装基板の表面全体にドライフィルムレジストを貼り付けて、その後フォトマスクによりドライフィルムレジスト必要部分を選択的に露光し、ドライフィルムレジストの未露光部分を現像により除去することを特徴とする、請求項1に記載の電子部品の製造方法。
JP2004174774A 2004-06-11 2004-06-11 電子部品の製造方法 Pending JP2005353922A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174774A JP2005353922A (ja) 2004-06-11 2004-06-11 電子部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174774A JP2005353922A (ja) 2004-06-11 2004-06-11 電子部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005353922A true JP2005353922A (ja) 2005-12-22

Family

ID=35588113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004174774A Pending JP2005353922A (ja) 2004-06-11 2004-06-11 電子部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005353922A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147455A (ja) * 2008-01-03 2010-07-01 E I Du Pont De Nemours & Co 基板の封止方法および発光ダイオードデバイスの作製方法
KR101191869B1 (ko) 2011-06-08 2012-10-16 주식회사 프로텍 Led 소자 제조 방법
JP2019016682A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 E&E Japan株式会社 チップled

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104044A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Nec Corp パツシベ−シヨン方法
JPS6352427A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Olympus Optical Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPH0590313A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Toppan Printing Co Ltd プリント配線基板における流れ止めダムの形成方法
JPH05299535A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104044A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Nec Corp パツシベ−シヨン方法
JPS6352427A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Olympus Optical Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPH0590313A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Toppan Printing Co Ltd プリント配線基板における流れ止めダムの形成方法
JPH05299535A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147455A (ja) * 2008-01-03 2010-07-01 E I Du Pont De Nemours & Co 基板の封止方法および発光ダイオードデバイスの作製方法
KR101191869B1 (ko) 2011-06-08 2012-10-16 주식회사 프로텍 Led 소자 제조 방법
JP2019016682A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 E&E Japan株式会社 チップled

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0813236B1 (en) Method for encapsulating an integrated semi-conductor circuit
KR101079922B1 (ko) 반도체 장치용 기판의 제조방법, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치용 기판 및 반도체 장치
JP2008263154A (ja) 発光ダイオードの蛍光粉塗布工程
JP2010062232A (ja) 素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法
KR20140060390A (ko) 반도체 패키지의 랜드 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US11655143B2 (en) Semiconductor component and method for producing same
JP2005353922A (ja) 電子部品の製造方法
KR100494025B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법 및 그 이미지 센서를 패캐지하는 방법
JP2008072075A (ja) チップパッケージ構造物およびチップパッケージ構造物の製造方法
JP2006216881A (ja) 面付けリードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置
JPH10270618A (ja) リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置
JP2007325249A (ja) カメラの埋込みレンズモジュールおよびその製造方法
KR960019549A (ko) 반도체 장치의 제조방법
JP2704128B2 (ja) 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法
TW499750B (en) Substrate strip and its manufacturing method
JP2812328B1 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07242085A (ja) Icカードの製造方法及びicカード
JP2005038960A (ja) 配線基板の製造方法及び配線基板
KR100973289B1 (ko) 반도체 패키지의 제조방법
JP2500646B2 (ja) 樹脂タイバ―リ―ドフレ―ムの製造方法
JP2005335086A (ja) 回路基板、樹脂成形体、電子部品、及び、樹脂成形体又は電子部品の製造方法
JP2004335943A (ja) 半導体装置
US7491568B2 (en) Wafer level package and method for making the same
JPH11204712A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP2002314020A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070508

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100615