JPS62104044A - パツシベ−シヨン方法 - Google Patents
パツシベ−シヨン方法Info
- Publication number
- JPS62104044A JPS62104044A JP24450885A JP24450885A JPS62104044A JP S62104044 A JPS62104044 A JP S62104044A JP 24450885 A JP24450885 A JP 24450885A JP 24450885 A JP24450885 A JP 24450885A JP S62104044 A JPS62104044 A JP S62104044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- framework
- resin
- insulating resin
- dispenser
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はICチップのパッシベーション方法に関し、
特にサーマルへ、ド、密着形イメージセンサ等のデバイ
ス基板上に実装した駆動用ICのパッシベーション方法
に関するものである。
特にサーマルへ、ド、密着形イメージセンサ等のデバイ
ス基板上に実装した駆動用ICのパッシベーション方法
に関するものである。
従来、この種のデバイス基板はデバイス基板全体を樹脂
モールド等によりパ、シベーシ、/できないため、第2
図に示すように、基板2に実装され九駆動ICIのみに
対して枠組みせず、シリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂
等の絶縁性樹脂4をディスペンサによシ所望量を滴下し
、パッシベーションしていた。
モールド等によりパ、シベーシ、/できないため、第2
図に示すように、基板2に実装され九駆動ICIのみに
対して枠組みせず、シリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂
等の絶縁性樹脂4をディスペンサによシ所望量を滴下し
、パッシベーションしていた。
上述した従来のパッシベーション方法は、シリコン樹脂
、エポキシ樹脂等絶縁性樹脂を枠組みせず、ディスペン
サ塗布しているため、所定の面積。
、エポキシ樹脂等絶縁性樹脂を枠組みせず、ディスペン
サ塗布しているため、所定の面積。
厚さに塗布することが困難であシ、湿度前の環境に対す
る信頼性がとぼしく、また絶縁性樹脂の厚さ制限がある
ユニ、ト構造に対しては他のユニ。
る信頼性がとぼしく、また絶縁性樹脂の厚さ制限がある
ユニ、ト構造に対しては他のユニ。
ト部品に接触する欠点があった。
したがって所定の面積、厚さに塗布するために塗布する
絶縁性樹脂に対して駆動用ICおよびデバイス基板との
藺れ性那の制約が生じ、かつ厳しい粘度管理が必要でめ
った。
絶縁性樹脂に対して駆動用ICおよびデバイス基板との
藺れ性那の制約が生じ、かつ厳しい粘度管理が必要でめ
った。
この発明は上述した従来の欠点をなくシ、駆動用ICに
対して容易に所望の面積、厚さに絶縁性樹脂を塗布し信
頼性の高いパッシベーション方法を提供することが目的
である。
対して容易に所望の面積、厚さに絶縁性樹脂を塗布し信
頼性の高いパッシベーション方法を提供することが目的
である。
この発明のICチップのパッシベーション方法は、絶縁
性樹脂をディスペンサ塗布するICチ。
性樹脂をディスペンサ塗布するICチ。
フノパ、シベーシ、ン方法においテ、ハ、シヘーション
すべき駆動用ICに対してその周囲に所望の面積、高さ
の枠組みを固定し、シリコン樹脂。
すべき駆動用ICに対してその周囲に所望の面積、高さ
の枠組みを固定し、シリコン樹脂。
エポキシ樹脂等絶縁性樹脂をディスペンサにより充填し
、加熱硬化後、前記の枠組みを除去することを%徴とす
る。
、加熱硬化後、前記の枠組みを除去することを%徴とす
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。駆動用IC
Iを一定間隔で実装しワイヤーボンディング接続した密
着形イメージセンブリ基板2に駆動用IC1に対して所
定の面積、厚さに穴があいたテフロン樹脂板の枠組3を
固定する(第1図(a))。
Iを一定間隔で実装しワイヤーボンディング接続した密
着形イメージセンブリ基板2に駆動用IC1に対して所
定の面積、厚さに穴があいたテフロン樹脂板の枠組3を
固定する(第1図(a))。
次にディスペンサにより所定量のシリコン樹脂4をテフ
ロン樹脂板の枠組3の穴に充填し、加熱硬化させる(第
1図(b) ) 、加熱硬化後テフロン樹脂板を除去す
る(第1図(C))。これにより、駆動用ICがシリコ
ン樹脂によシバ、シベートされる。
ロン樹脂板の枠組3の穴に充填し、加熱硬化させる(第
1図(b) ) 、加熱硬化後テフロン樹脂板を除去す
る(第1図(C))。これにより、駆動用ICがシリコ
ン樹脂によシバ、シベートされる。
以上説明したように本発明はテーマルへ、ド。
密着形イメージセンサ等デバイス基板に実装した駆動用
ICに対してその周囲に所望の面積、高さの枠組みを固
定し、シリコン樹脂、あるいはエポキシ樹脂等絶縁性樹
脂をその枠組み内に充填塗布し、加熱硬化抜上の枠組を
除去するパ、シペーシ1ノ方法であるので駆動用ICに
対して所望の面積、厚さに絶縁性樹脂を塗布できる。し
たがってパッシベーション材の絶縁性樹脂は粘度管理を
厳しくする必要がなく、デバイス基板との接着性。
ICに対してその周囲に所望の面積、高さの枠組みを固
定し、シリコン樹脂、あるいはエポキシ樹脂等絶縁性樹
脂をその枠組み内に充填塗布し、加熱硬化抜上の枠組を
除去するパ、シペーシ1ノ方法であるので駆動用ICに
対して所望の面積、厚さに絶縁性樹脂を塗布できる。し
たがってパッシベーション材の絶縁性樹脂は粘度管理を
厳しくする必要がなく、デバイス基板との接着性。
耐環境性のみを重視すれば良く幅広く選択できる効果が
ある。また枠組みの高さによりパッシベーション材の厚
さが一定にできるのでユニ、ト構成するデバイス基板に
対しては他のユニ、ト部品と接触することがない。この
ため耐環境性等に対する信頼性の高いパ、シペーション
の効果を有する。
ある。また枠組みの高さによりパッシベーション材の厚
さが一定にできるのでユニ、ト構成するデバイス基板に
対しては他のユニ、ト部品と接触することがない。この
ため耐環境性等に対する信頼性の高いパ、シペーション
の効果を有する。
第1図は本発明のパッシベーション方法を示す断面図で
あり、第2図は従来のパッシベーション方法を示す断面
図である。 l・・・・・・駆動用IC,2・・・・・・基板、3・
・・・・・枠組み、4・−・・・・絶縁性樹脂。 87可rc 第1図 第2 図
あり、第2図は従来のパッシベーション方法を示す断面
図である。 l・・・・・・駆動用IC,2・・・・・・基板、3・
・・・・・枠組み、4・−・・・・絶縁性樹脂。 87可rc 第1図 第2 図
Claims (1)
- 絶縁性樹脂をICチップにディスペンサ塗布するパッシ
ベーション方法において、ICチップの周囲に枠組みを
固定し、絶縁性樹脂をディスペンサにより充填し、加熱
硬化後前記枠組を除去することを特徴とするパッシベー
ション方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24450885A JPS62104044A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | パツシベ−シヨン方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24450885A JPS62104044A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | パツシベ−シヨン方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62104044A true JPS62104044A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17119717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24450885A Pending JPS62104044A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | パツシベ−シヨン方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62104044A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03145144A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Sony Corp | 回路部品の封止方法 |
US5068713A (en) * | 1988-08-18 | 1991-11-26 | Seiko Epson Corporation | Solid state image sensing device |
JP2005353922A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Stanley Electric Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
EP4270453A1 (en) * | 2022-04-28 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24450885A patent/JPS62104044A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068713A (en) * | 1988-08-18 | 1991-11-26 | Seiko Epson Corporation | Solid state image sensing device |
JPH03145144A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Sony Corp | 回路部品の封止方法 |
JP2005353922A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Stanley Electric Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
EP4270453A1 (en) * | 2022-04-28 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module |
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