JPH0691128B2 - 電子機器装置 - Google Patents
電子機器装置Info
- Publication number
- JPH0691128B2 JPH0691128B2 JP63114286A JP11428688A JPH0691128B2 JP H0691128 B2 JPH0691128 B2 JP H0691128B2 JP 63114286 A JP63114286 A JP 63114286A JP 11428688 A JP11428688 A JP 11428688A JP H0691128 B2 JPH0691128 B2 JP H0691128B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- circuit board
- solder bumps
- present
- lsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子機器装置に関し、特に半導体素子を回路基
板にフリップチップ実装してなる電子機器装置に関す
る。
板にフリップチップ実装してなる電子機器装置に関す
る。
はんだバンプを用いたフリップチップ実装技術では、以
前から熱応力により破壊しやすいことが問題となってい
た。これを改善した代表的な従来技術として中野他、昭
和62年、電子情報通信学会全国大会、資料番号457に示
されるように、フリップチップ実装したチップと基板の
間に樹脂を充填する技術がある。
前から熱応力により破壊しやすいことが問題となってい
た。これを改善した代表的な従来技術として中野他、昭
和62年、電子情報通信学会全国大会、資料番号457に示
されるように、フリップチップ実装したチップと基板の
間に樹脂を充填する技術がある。
上述した従来のはんだバンプを用いたフリップチップ実
装技術は以下の問題点を有している。
装技術は以下の問題点を有している。
（１）チップ修理が不可能である。
チップと基板の間にエポキシ系の樹脂を充填しているた
めチップ修理が不可能である。
めチップ修理が不可能である。
（２）製造が困難である。
チップと基板の間に樹脂を注入する際に気泡等が入り易
く、製造が困難である。
く、製造が困難である。
本発明の目的は、耐熱応力性があり、チップ修理が可能
で、かつ容易に製造することのできるフリップチップ実
装方式の電子機器装置を提供することにある。
で、かつ容易に製造することのできるフリップチップ実
装方式の電子機器装置を提供することにある。
本発明は、はんだバンプを有するLSIチップが回路基板
にフリップチップ方式で接続されて成る電子機器装置に
おいて、前記はんだバンプ以外の前記LSIチップ表面に
形成された熱可塑性の樹脂によっても前記LSIチップが
前記回路基板に接続されることにより構成されている。
にフリップチップ方式で接続されて成る電子機器装置に
おいて、前記はんだバンプ以外の前記LSIチップ表面に
形成された熱可塑性の樹脂によっても前記LSIチップが
前記回路基板に接続されることにより構成されている。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した断面図である。まず、第
１図（ａ）に示すように、シリコンウェーハ１にLSI素
子を形成し、そのLSI素子のアルミニウムパッド２の上
にCVD酸化膜３を形成し、その上に例えばCr,Cu,Auを連
続スパッタしてバリア金属層４を形成する。次に、ホト
レジスト膜５のパターンを形成し、ホトレジスト膜５を
マスクにして電気めっき法を用いてPb−Snから成るはん
だバンプ６を形成する。
説明するための工程順に示した断面図である。まず、第
１図（ａ）に示すように、シリコンウェーハ１にLSI素
子を形成し、そのLSI素子のアルミニウムパッド２の上
にCVD酸化膜３を形成し、その上に例えばCr,Cu,Auを連
続スパッタしてバリア金属層４を形成する。次に、ホト
レジスト膜５のパターンを形成し、ホトレジスト膜５を
マスクにして電気めっき法を用いてPb−Snから成るはん
だバンプ６を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ホトレジスト膜５を
剥離した後、はんだバンプ６をマスクにしてバリア金属
層４をエッチング除去する。次に、ポリフェニルサルフ
ァイド，ポリメチルメタクリレート（PMMA），メチルペ
ンラン樹脂等のガラス移転温度200〜300℃の熱可塑性樹
脂７の膜厚５〜30μｍのパターンを形成する。この熱可
塑性樹脂のパターン形成方法には、ビスアジド等の光架
橋材を加える方法、その上層にホトレジストのパターン
形成を行なってエッチングする方法等があり、いすれの
方法を使用することもできる。次にシリコンウェーハを
ダイシングしてLSIチップ８に加工する。
剥離した後、はんだバンプ６をマスクにしてバリア金属
層４をエッチング除去する。次に、ポリフェニルサルフ
ァイド，ポリメチルメタクリレート（PMMA），メチルペ
ンラン樹脂等のガラス移転温度200〜300℃の熱可塑性樹
脂７の膜厚５〜30μｍのパターンを形成する。この熱可
塑性樹脂のパターン形成方法には、ビスアジド等の光架
橋材を加える方法、その上層にホトレジストのパターン
形成を行なってエッチングする方法等があり、いすれの
方法を使用することもできる。次にシリコンウェーハを
ダイシングしてLSIチップ８に加工する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、プリント基板、積層
セラミック基板等に配線形成した回路基板９上に形成し
た電極10とLSIチップ８上のはんだバンプ６の位置合せ
をし、フラックス等を用いて仮止めし、300〜400℃のリ
フロー炉の中で接続を行なう。この時にはんだバンプ６
のみならず熱可塑性樹脂７もリフロー炉の中で溶融し、
冷却後下の回路基板９と接着する。
セラミック基板等に配線形成した回路基板９上に形成し
た電極10とLSIチップ８上のはんだバンプ６の位置合せ
をし、フラックス等を用いて仮止めし、300〜400℃のリ
フロー炉の中で接続を行なう。この時にはんだバンプ６
のみならず熱可塑性樹脂７もリフロー炉の中で溶融し、
冷却後下の回路基板９と接着する。
本発明は以下に述べる効果を有している。
（１）はんだバンプの応力が緩和される。
本発明では熱サイクル等によりはんだバンプに加わる応
力は熱可塑性樹脂に加わる応力により分散され、緩和さ
れる。
力は熱可塑性樹脂に加わる応力により分散され、緩和さ
れる。
（２）製造が容易である。
従来発明の樹脂を注入する方法ではチップと基板の間に
気泡が残りやすく形成が容易でなかったが、本発明は容
易に形成される。
気泡が残りやすく形成が容易でなかったが、本発明は容
易に形成される。
（２）チップ修理が容易である。
従来技術の樹脂充填法ではチップ修理は不可能であった
が、本発明では300〜400℃の熱を加えることによりはん
だ熱可塑性の樹脂が溶融するために容易にチップ修理が
可能となる。
が、本発明では300〜400℃の熱を加えることによりはん
だ熱可塑性の樹脂が溶融するために容易にチップ修理が
可能となる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した断面図である。 １……シリコンウェーハ、２……アルミニウムパッド、
３……CVD酸化膜、４……バリア金属層、５……ホトレ
ジスト膜、６……はんだバンプ、７……熱可塑性樹脂、
８……LSIチップ、９……回路基板、10……電極。
説明するための工程順に示した断面図である。 １……シリコンウェーハ、２……アルミニウムパッド、
３……CVD酸化膜、４……バリア金属層、５……ホトレ
ジスト膜、６……はんだバンプ、７……熱可塑性樹脂、
８……LSIチップ、９……回路基板、10……電極。
Claims (1)
- 【請求項１】はんだバンプを有するLSIチップが回路基
板にフリップチップ方式で接続されて成る電子機器装置
において、前記はんだバンプ以外の前記LISチップ表面
に形成された熱可塑性の樹脂によっても前記LSIチップ
が前記回路基板に接続されていることを特徴とする電子
機器装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114286A JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114286A JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283843A JPH01283843A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0691128B2 true JPH0691128B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14634043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114286A Expired - Fee Related JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691128B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9855524B2 (en) | 2015-03-20 | 2018-01-02 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas recovery concentration apparatus |
| US11358097B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-06-14 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas recovery and concentration device |
| US11794144B2 (en) | 2018-08-29 | 2023-10-24 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas adsorbent body, method for producing thereof, and carbon dioxide gas concentration device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707902A (en) * | 1995-02-13 | 1998-01-13 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202643A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | Ｌｓｉ接続方法 |
| JPS61179545A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置用配線基板の製造方法 |
| JP2573829B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1997-01-22 | 恵次 飯村 | 面実装型電子素子の実装方法および面実装型電子素子を実装した電子装置 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63114286A patent/JPH0691128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9855524B2 (en) | 2015-03-20 | 2018-01-02 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas recovery concentration apparatus |
| US11358097B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-06-14 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas recovery and concentration device |
| US11794144B2 (en) | 2018-08-29 | 2023-10-24 | Seibu Giken Co., Ltd. | Gas adsorbent body, method for producing thereof, and carbon dioxide gas concentration device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01283843A (ja) | 1989-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |