JPH01283843A - 電子機器装置 - Google Patents
電子機器装置Info
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- JPH01283843A JPH01283843A JP11428688A JP11428688A JPH01283843A JP H01283843 A JPH01283843 A JP H01283843A JP 11428688 A JP11428688 A JP 11428688A JP 11428688 A JP11428688 A JP 11428688A JP H01283843 A JPH01283843 A JP H01283843A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器装置に関し、特に半導体素子を回路基
板にフリップチップ実装してなる電子機器装置に関する
。
板にフリップチップ実装してなる電子機器装置に関する
。
はんだバンプを用いたフリップチップ実装技術では、以
前から熱応力により破壊しやすいことが問題となってい
た。これを改善した代表的な従来技術として中野他、昭
和６２年、電子情報通信学会全国大会、資料番号４５７
に示されるように、フリップチップ実装したチップと基
板の間に樹脂を充填する技術がある。
前から熱応力により破壊しやすいことが問題となってい
た。これを改善した代表的な従来技術として中野他、昭
和６２年、電子情報通信学会全国大会、資料番号４５７
に示されるように、フリップチップ実装したチップと基
板の間に樹脂を充填する技術がある。
上述した従来のはんだバンプを用いたフリップチップ実
装技術は以下の問題点を有している。
装技術は以下の問題点を有している。
（１）チップ修理が不可能である。
チップと基板の間にエポキシ系の樹脂を充填しているた
めチップ修理が不可能である。
めチップ修理が不可能である。
（２）製造が困難である。
チップと基板の間に樹脂を注入する際に気泡等が入り易
く、製造が困難である。
く、製造が困難である。
本発明の目的は、耐熱応力性があり、チップ修理が可能
で、か・つ容易に製造することのできるフリップチップ
実装方式の電子機器装置を提供することにある。
で、か・つ容易に製造することのできるフリップチップ
実装方式の電子機器装置を提供することにある。
本発明は、はんだバンブを有するＬＳＩチップが回路基
板にフリップチップ方式で接続されて成る電子機器装置
において、前記はんだバンブ以外の前記ＬＩＳチップ表
面に形成された熱可塑性の樹脂によっても前記ＬＳＩチ
ップが前記回路基板に接続されることにより構成されて
いる。
板にフリップチップ方式で接続されて成る電子機器装置
において、前記はんだバンブ以外の前記ＬＩＳチップ表
面に形成された熱可塑性の樹脂によっても前記ＬＳＩチ
ップが前記回路基板に接続されることにより構成されて
いる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した断面図である。
説明するための工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコンウェーハ１
にＬＳＩ素子を形成し、そのＬＳＩ素子のアルミニウム
パッド２の上にＣＶＤ酸化膜３を形成し、その上に例え
ばＣｒ、Ｃｕ、Ａｕを連続スパッタしてバリア金属層４
を形成する。次に、ホトレジスト膜５のパターンを形成
し、ホトレジスト膜５をマスクにして電気めっき法を用
いてＰｂ−３ｎから成るはんだバンブ６を形成する。
にＬＳＩ素子を形成し、そのＬＳＩ素子のアルミニウム
パッド２の上にＣＶＤ酸化膜３を形成し、その上に例え
ばＣｒ、Ｃｕ、Ａｕを連続スパッタしてバリア金属層４
を形成する。次に、ホトレジスト膜５のパターンを形成
し、ホトレジスト膜５をマスクにして電気めっき法を用
いてＰｂ−３ｎから成るはんだバンブ６を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ホトレジスト膜５を
剥離した後、はんだバンブ６をマスクにしてバリア金属
層４をエツチング除去する。次に、ポリフェニルサルフ
ァイド、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、メチ
ルベンラン樹脂等のガラス移転温度２００〜３００℃の
熱可塑性樹脂７の膜厚５〜３０μｍのパターンを形成す
る２この熱可塑性樹脂のパターン形成方法には、ビスア
ジド等の光架橋材を加える方法、その上層にホトレジス
トのパターン形成を行なってエツチングする方法等があ
り、いずれの方法を使用することもできる。次にシリコ
ンウェーハをダイシングして ＬＳＩチップ８に加工す
る。
剥離した後、はんだバンブ６をマスクにしてバリア金属
層４をエツチング除去する。次に、ポリフェニルサルフ
ァイド、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、メチ
ルベンラン樹脂等のガラス移転温度２００〜３００℃の
熱可塑性樹脂７の膜厚５〜３０μｍのパターンを形成す
る２この熱可塑性樹脂のパターン形成方法には、ビスア
ジド等の光架橋材を加える方法、その上層にホトレジス
トのパターン形成を行なってエツチングする方法等があ
り、いずれの方法を使用することもできる。次にシリコ
ンウェーハをダイシングして ＬＳＩチップ８に加工す
る。
次に、第１図（ｃ）に示すように、プリント基板１Ｍ層
セラミック基板等に配線形成した回路基板９上に形成し
た電極１０とＬＳＩチップ８上のはんだバンブ６の位置
合せをし、フラックス等を用いて仮止めし、３００〜４
００℃のりフロー炉の中で接続を行なう。この時にはん
だバンブ６のみならず熱可塑性樹脂７もリフロー炉の中
で溶融し、冷却後下の回路基板９と接着する。
セラミック基板等に配線形成した回路基板９上に形成し
た電極１０とＬＳＩチップ８上のはんだバンブ６の位置
合せをし、フラックス等を用いて仮止めし、３００〜４
００℃のりフロー炉の中で接続を行なう。この時にはん
だバンブ６のみならず熱可塑性樹脂７もリフロー炉の中
で溶融し、冷却後下の回路基板９と接着する。
本発明は以下に述べる効果を有している。
（１）はんだバンブの応力が緩和される。
本発明では熱サイクル等によりはんだバンブに加わる応
力は熱可塑性樹脂に加わる応力により分散され、緩和さ
れる。
力は熱可塑性樹脂に加わる応力により分散され、緩和さ
れる。
（２）製造が容易である。
従来発明の樹脂を注入する方法ではチップと基板の間に
気泡が残りやすく形成が容易でながったが、本発明は容
易に形成される。
気泡が残りやすく形成が容易でながったが、本発明は容
易に形成される。
（２）チップ修理が容易である。
従来技術の樹脂充填法ではチップ修理は不可能であった
が、本発明では３００〜４００℃の熱を加えることによ
りはんだ熱可塑性の樹脂が溶融するために容易にチップ
修理が可能となる。
が、本発明では３００〜４００℃の熱を加えることによ
りはんだ熱可塑性の樹脂が溶融するために容易にチップ
修理が可能となる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した断面図である。 １・・・シリコンウェーハ、２・・・アルミニウムパッ
ド、３・・・ＣＶＤ酸化膜、４・・・バリア金属層、５
・・・ホトレジスト膜、６・・・はんだバンブ、７・・
・熱可塑性樹脂、８・・・ＬＳＩチップ、９・・・回路
基板、１０・・・電極。
説明するための工程順に示した断面図である。 １・・・シリコンウェーハ、２・・・アルミニウムパッ
ド、３・・・ＣＶＤ酸化膜、４・・・バリア金属層、５
・・・ホトレジスト膜、６・・・はんだバンブ、７・・
・熱可塑性樹脂、８・・・ＬＳＩチップ、９・・・回路
基板、１０・・・電極。
Claims (1)
- はんだバンプを有するＬＳＩチップが回路基板にフリ
ップチップ方式で接続されて成る電子機器装置において
、前記はんだバンプ以外の前記ＬＩＳチップ表面に形成
された熱可塑性の樹脂によっても前記ＬＳＩチップが前
記回路基板に接続されていることを特徴とする電子機器
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114286A JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114286A JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283843A true JPH01283843A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0691128B2 JPH0691128B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14634043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114286A Expired - Fee Related JPH0691128B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 電子機器装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691128B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084301A (en) * | 1995-02-13 | 2000-07-04 | Industrial Technology Industrial Research | Composite bump structures |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6498483B2 (ja) | 2015-03-20 | 2019-04-10 | 株式会社西部技研 | ガス回収濃縮装置 |
| JP6510702B1 (ja) | 2018-03-28 | 2019-05-08 | 株式会社西部技研 | ガス回収濃縮装置 |
| JP6632005B1 (ja) | 2018-08-29 | 2020-01-15 | 株式会社西部技研 | ガス吸着体とその製法及び二酸化炭素ガス濃縮装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202643A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | Ｌｓｉ接続方法 |
| JPS61179545A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置用配線基板の製造方法 |
| JPS6345892A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | 飯村 恵次 | 面実装型電子素子の実装方法および面実装型電子素子を実装した電子装置 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63114286A patent/JPH0691128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202643A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | Ｌｓｉ接続方法 |
| JPS61179545A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置用配線基板の製造方法 |
| JPS6345892A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | 飯村 恵次 | 面実装型電子素子の実装方法および面実装型電子素子を実装した電子装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084301A (en) * | 1995-02-13 | 2000-07-04 | Industrial Technology Industrial Research | Composite bump structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691128B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |