JP2008072075A - チップパッケージ構造物およびチップパッケージ構造物の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】従来のチップパッケージ構造の光透過率が低いという課題を解決することができるパッケージ用保護部材を提供する。
【解決手段】接着層330を備えるチップパッケージ構造物300は、チップ310、パッケージ用保護部材320、接着層330を備える。チップ310は動作面312を有する。画像検出装置314は、動作面312上に配置され、複数のコンタクトパッド316は、画像検出装置314の周囲に配置される。パッケージ用保護部材320は、動作面312上に配置される。パッケージ用保護部材320は基板322を有し、基板322上に支持部324を有する。それにより、支持部324は、基板322上の空洞Sを区切る。支持部324は、動作面312上の画像検出装置314が空洞Sの内部に位置するように、動作面312と接触させてもよい。接着層330は、支持部324と動作面312との間に配置されている。
【選択図】図2
【解決手段】接着層330を備えるチップパッケージ構造物300は、チップ310、パッケージ用保護部材320、接着層330を備える。チップ310は動作面312を有する。画像検出装置314は、動作面312上に配置され、複数のコンタクトパッド316は、画像検出装置314の周囲に配置される。パッケージ用保護部材320は、動作面312上に配置される。パッケージ用保護部材320は基板322を有し、基板322上に支持部324を有する。それにより、支持部324は、基板322上の空洞Sを区切る。支持部324は、動作面312上の画像検出装置314が空洞Sの内部に位置するように、動作面312と接触させてもよい。接着層330は、支持部324と動作面312との間に配置されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、チップパッケージ構造物およびその製造方法に関する。本発明は特に、パッケージ用保護部材を有するチップパッケージ構造物とその製造方法に関する。
半導体の製造において、集積回路(IC)の生産は、大きく3つの大きな段階に分けられる。ウェハ製造段階、集積回路(IC)製造段階、集積回路パッケージ段階である。一般的に、未処理のダイまたはチップの製造工程では、ウェハの製造、回路設計、マスク作製、ウェハ切断を行う。さらに、未処理のダイをウェハから切り離した後に、未処理のダイのそれぞれのコンタクトは、対応する外部信号点に電気的に接続されなければならず、また、成型材料でカプセル化することにより覆わなければならない。ダイまたはチップを覆う目的は、湿気、熱、ノイズにより、ダイの特性および稼動に影響を与えてしまうことを防ぐことにある。また、パッケージでは、ダイを外部の電気デバイスに電気的に接続する媒体も備えている。
従来のICパッケージプロセスでは、ウェハを切断して多くの未処理のダイを形成した後に、ワイヤ結合プロセスまたはフリップチッププロセスを実行して、外部の信号点を有する未処理のダイのコンタクトの間を電気的に接続させている。ダイは、適切なワイヤ接続がなされた後にのみ、成型材料を用いてカプセル化される。したがって、未処理のダイがカプセル化される前には、外部の微粒子が未処理のダイに簡単に落ちることがあり、従来のチップパッケージ構造物の歩留まりを下げることになってしまう。さらに、前述のパッケージ構造物では、高い製造コストを伴うことになってしまう。
上述の問題を解決するために、従来のチップパッケージ構造物として別のものが開発されている。図1は、従来のチップパッケージ構造物の概略的な断面図である。図1に示すように、チップパッケージ構造物200は、チップ210、パッケージ用保護部材220、スペーサ230aを備える。チップ210には、動作面212が配置され、その上に画像検出装置214を有する。また、画像検出装置214の回りに多くのコンタクトパッド216が配置される。さらに、スペーサ230aが、接着層230bに取り囲まれている。したがって、パッケージ用保護部材220は、実際はスペーサ230aによって支持され、接着層230bによって動作面212に接着されている。
このように覆う方法では、製造コストを下げ、パッケージプロセスの歩留まりを上げることができるが、チップ210とパッケージ用保護部材220との間の接続が、スペーサ230aと接着層230bによる支持と接着を介して実現される。しかしながら、スペーサ230aと接着層230bの光の透過率は低く、チップパッケージ構造物200の光透過率は全体として低くなる。
さらに、スペーサ230aの高さ制限により、チップパッケージ構造物200のパッケージ用保護部材220と画像検出装置214を分ける距離は大変小さくなる。したがって、外部の微粒子がパッケージ用保護部材220の外面に落ちて触れた場合に、この微粒子が撮影の対象となることにより、画像検出装置214による光学品質の低下につながる場合がある。
したがって、従来のチップパッケージ構造物の欠点としては、低い処理の歩留まり、高い製造コスト、低い光透過率、劣った光デバイスの性能品質といったものを含む。したがって、より良いチップパッケージ構造物を開発することは早急に必要とされてきている。
したがって、本発明の目的は、従来のチップパッケージ構造物の光透過率が低いという課題を解決することができるパッケージ用保護部材を提供することにある。
また本発明の他の目的は、従来のチップパッケージ構造物における、低い処理の歩留まり、高い製造コスト、低い光透過率、劣った光デバイスの性能品質という課題を解決することができるチップパッケージ構造物を提供することにある。
また本発明の他の目的は、従来のチップパッケージ構造物における、低い処理の歩留まりおよび高い製造コストという課題を解決することができるチップパッケージ構造物の製造方法を提供することにある。
上述のおよび他の利点を達成すべく、この発明の目的にしたがって、ここで具現化され説明されているように、本発明では、ウェハを覆うパッケージ用保護部材を提供する。ウェハは複数のデバイス領域を備える。パッケージ用保護部材は、基板と支持部を含む。支持部は基板上に配置される。支持部により基板上の複数の空洞を区切るので、各空洞はウェハ上のデバイス領域に対応付けられる。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部の高さは、たとえば15μmから50μmの間である。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部の端は、たとえば溝を有する。さらに、パッケージ用保護部材は、溝の上に接着層を有する。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材はさらに、基板の上に位置合わせマークを有する。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材はさらに、たとえばガラスやポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を用いて製造される。
本発明はまた、チップ、パッケージ用保護部材、接着層を備えるチップパッケージ構造物を備える。チップは動作面を有する。画像検出装置は、動作面上に配置され、複数のコンタクトパッドは、画像検出装置の周囲に配置される。パッケージ用保護部材は基板を有し、基板上に支持部を有する。支持部は、基板上の空洞を区切る。支持部は、動作面上の画像検出装置が空洞の内部に配置されるように、動作面と接触する位置に配置されている。さらに、接着層は、支持部と動作面との間に配置されている。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部は、たとえば画像検出装置よりも高い。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部の高さは、たとえば15μmから50μmの間である。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部の端は、たとえば溝を有する。さらに、パッケージ用保護部材は、溝の上に接着層を有する。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材はさらに、たとえばガラスやポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を用いて製造される。
本発明はまた、後述のステップを有するチップパッケージ構造物の製造方法を備える。まず、ウェハには動作面が与えられる。動作面は、画像検出装置を上に有し、複数のコンタクトパッドを、画像検出装置の周囲に配置する。次に、パッケージ用保護部材を与える。パッケージ用保護部材は基板を有し、基板上に支持部を有する。支持部は、基板上に複数の空洞を区切る。接着層は、パッケージ用保護部材がウェハの動作面と接触するように、支持部とウェハの動作面との間に形成される。ウェハ上にある各画像検出装置は、対応する空洞の中に配置される。最後に、パッケージ用保護部材およびウェハは、分解されて複数のチップパッケージ構造物を形成する。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材は、フォトリソグラフィーおよびエッチングプロセスを実行することにより形成されるか、または射出形成プロセスを実行することにより形成される。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部は、たとえばウェハにある画像検出装置よりも高い。
本発明の好ましい実施の形態によると、支持部の高さは、たとえば15μmから50μmの間である。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材を形成するプロセスはたとえば、支持部の端に溝を形成するステップと、溝を接着層で埋めるステップを含む。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材を形成するプロセスはたとえば、パッケージ用保護部材上に位置合わせマークを形成するステップを含む。さらに、パッケージ用保護部材をウェハの動作面に接続するステップはたとえば、位置合わせマークを用いて位置合わせを実行するステップを含む。
本発明の好ましい実施の形態によると、パッケージ用保護部材はさらに、たとえばガラスやポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を用いて製造される。
本発明のチップパッケージ構造物は、ウェハを切断して個々のチップパッケージを形成する前に、ウェハをパッケージ用保護部材で直接覆うことにより形成されるので、外部の微粒子がチップの表面に落下して付着するリスクは最小化される。したがって、本発明にかかるチップパッケージ構造物と製造方法により、歩留まりを上げることができる。さらに、チップパッケージ構造物により、従来の方法に比べて処理ステップが簡略化され、製造コストが下がる。
本発明のパッケージ用保護部材の支持部およびチップパッケージ内の基板は、透明な材料を用いて製造されるので、チップパッケージ構造物の光の透過率は、従来のチップパッケージ構造物に比べて上がる。
さらに、支持部の高さは、チップとパッケージ用保護部材との間の要求分離距離にしたがって設計することができる。支持部の高さがある程度の高さに収まる場合、パッケージ用保護部材の外面に付着する微粒子は、焦点から外れて、もはや画像を形成することができない。すなわち、外部の微粒子が画像検出装置の光学特性に与える影響は最小化される。
なお、前述の一般的な説明および後述の詳細な説明は例示的なものに過ぎず、請求の範囲に示す発明については別途説明が加えられることは理解されたい。
ここで、本発明の実施の形態をさらに詳細に説明する。実施例は添付の図面を用いて説明する。同一または同等の部分を参照するにあたっては、可能な限り、図面および詳細な説明において同一の参照番号を用いる。
図2は、本発明の一形態にかかるチップパッケージ構造物の概略的な断面図である。図3は、図2に示したチップパッケージ構造物の上面図である。チップパッケージ構造物300は、図2および図3に示したように、チップ310、パッケージ用保護部材320、接着層330を備える。チップ310は、動作面312を有する。画像検出装置314は、動作面312上に配置され、複数のコンタクトパッド316は、画像検出装置314の周囲に配置される。一形態では、画像検出装置314はたとえば、外部の光信号を受信するコンタクトイメージセンサまたは相補型酸化金属半導体(CMOS)イメージセンサを含んでいる。チップ310を通して、光信号がその後の処理のために電気信号に変換される。画像検出装置314は、たとえば金属の相互接続配線を介して、取り囲むコンタクトパッド316に電気的に接続される。
パッケージ用保護部材320は、動作面312の上に配置される。さらに、パッケージ用保護部材320は、基板322と基板322の上に配置される支持部324とを備える。図2に示したように、支持部324は、基板322の上に空洞Sを区切り、支持部324は、動作面312の上の画像検出装置314が空洞Sの上になるように、動作面312と接触する。接着層330は、支持部324と動作面312との間に配置される。したがって、チップ310上の画像検出装置314は、パッケージ用保護部材320によって覆われ、外界から遮断される。
特に図2に示すように、本発明のパッケージ用保護部材320の支持部324は、高さがH1で、画像検出装置314の高さH2よりも高い。好ましくは支持部324の高さは、15μmから50μmの間とする。さらに他の好ましい形態では、支持部324の端は、たとえば溝324aを有し、溝324aを接着層330でふさぐ。さらに、パッケージ用保護部材320は、たとえばガラスやポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を用いて製造される。接着層330はたとえば、紫外線接着材料を用いて製造される。
なお、チップ310上のパッケージ用保護部材320は、パッケージ用保護部材320の支持部324を介して支持されている。したがって、パッケージ用保護部材320をチップ310から隔てる距離には特に制限はない。パッケージ用保護部材320をチップ310から隔てる距離が所定の距離を超えた場合、パッケージ用保護部材320の外面に付着した微粒子は、焦点がずれるので画像を形成しない。したがって、チップ310上の画像検出装置314の光学特性は、微粒子にまったく影響されることはない。
その後、チップオンボード(COB)方法またはチップオンフレックス(COF)方法が適用され、チップパッケージ構造物300上のコンタクトパッド316を、電子装置(図2には示さない)の次のステージに電気的に接続する。
次に、チップパッケージ構造物300の製造方法を説明する。図4−6は、図2に示したチップパッケージ構造物を形成するステップを示す概略的な断面図である。まず図3に示したように、動作面312を有するウェハWを与える。動作面312は、その上に形成される複数の画像検出装置314をもつ。画像検出装置314は、ウェハW内の複数のデバイス領域Zの中にある。さらに、複数のコンタクトパッドが、様々な画像検出装置314の周囲に配置される。
ここで、パッケージ用保護部材Pを与える。パッケージ用保護部材Pは、基板322と基板322に配置された支持部324とを備える。支持部324は、基板322上に複数の空洞Sを区切っている。より詳細には、支持部324によって区切られた基板322上の空洞Sの位置および数は、ウェハW上のデバイス領域Zの位置および数に左右される。したがって、ウェハWおよびパッケージ用保護部材Pが後の処理で組み合わされた場合に、パッケージ用保護部材P上の空洞Sは、ウェハW上の画像検出装置314すべてを完全に覆うことになる。
パッケージ用保護部材Pがガラスを用いて製造される場合、フォトリソグラフィーおよびエッチングプロセスを用いてパッケージ用保護部材Pを形成することができる。言いかえると、パッケージ用保護部材Pを形成するステップは、フォトレジスト層で大きなガラスの表面を全体的に覆うステップを含む。そして、露光および現像処理を実行してパターン化されたフォトレジスト層を形成する。その後、パターン化されたフォトレジスト層をエッチングマスクとして使用することにより、ガラスパネルをエッチングして、パッケージ用保護部材Pを形成する。しかしながら、ポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を用いてパッケージ用保護部材Pを製造する場合には、フォトリソグラフィーおよびエッチングプロセス、または成型プロセスのいずれかを使用することができる。成型プロセスでは、成型ツールを用いて大型PMMAパネルを圧縮することにより、図4に示すパッケージ用保護部材を生産することができる。
図4に示すように、前述のプロセスを用いて形成されたパッケージ用保護部材Pの支持部324は、高さH1が、たとえばウェハW上の画像検出装置314の高さH1よりも高い。好ましくは、支持部324の高さは、15μmから50μmの間とする。一形態では、前述のパッケージ用保護部材Pの製造プロセスは、パッケージ用保護部材Pの位置合わせマークMを形成することを少なくとも含めることができる。なお、コンタクトパッド316上の対応する位置の基板322の厚さを若干整えることにより、後続の切断処理(後述の説明参照)を進めやすくすることができる。
図4および図5に示すように、支持部324とウェハWの動作面312との間に接着層330を形成する。それにより、パッケージ用保護部材PとウェハWの動作面312を組み合わせる。さらに、ウェハW上の各画像検出装置314を、空洞Sのうちの1つの中においている。この実施の形態では(図4に示す)、溝324aの中を接着層330でふさいでいる。しかしながら、接着層330は、溝324aに対応する位置にある動作面312であらかじめ形成しておくことができる。さらに上述の、パッケージ用保護部材PをウェハWの動作面312に合わせるステップでは、位置合わせマークMを用いて位置合わせすることにより、画像検出装置314を各空洞Sの中に正確に配置することができる。
最後に図5および図6に示すように、パッケージ用保護部材PとウェハWは、別々に切断され、複数の独立したチップパッケージ構造物300を形成する。この実施の形態では、図5の矢印Aで示される位置および方向に向かって切断される。さらに、パッケージ用保護部材Pは、レーザーまたはダイヤモンドツールのカッターを用いた方法で切断される。一方、ウェハWは、ダイヤモンドツールのカッターを用いて、通常通り切断する。さらに、切断操作のタイミングについても幅広く対応することができる。ウェハWまたは、パッケージ用保護部材PとウェハWの両方を、同時に切断することができるようになる前または後に、パッケージ用保護部材Pを切断することができる。さらに、パッケージ用保護部材Pの切断処理中に、コンタクトパッド316の上にある基板の一部を除去してコンタクトパッド316を露出させる。
概略的に説明すると、このチップパッケージ構造物の主要な利点は次のものを含む。
1.パッケージ用保護部材は、ウェハを切断する前に、チップを直接覆うのに用いられる。したがって、外部の微粒子がチップにあまり付着しないので、チップパッケージ構造物の歩留まりを上げることができる。さらに、チップパッケージ構造物の製造コストが下がる。
2.パッケージ用保護部材の支持部および基板の両方が、透明な材料を用いて製造されるので、パッケージ用保護部材を用いるチップパッケージ構造物は、光の透過率が従来のチップパッケージ構造物に比べて上がる。
3.チップとパッケージ用保護部材との間を分ける距離を、支持部の高さを調整することにより実際の条件にあわせて定めることができる。さらに、支持部の高さが所定の高さを超える場合、パッケージ用保護部材の外面に付着する微粒子は、焦点から大きく外れるので、もはや画像を形成することができない。したがって、画像検出装置の光学特性は、外部の微粒子によっては影響を受けない。
1.パッケージ用保護部材は、ウェハを切断する前に、チップを直接覆うのに用いられる。したがって、外部の微粒子がチップにあまり付着しないので、チップパッケージ構造物の歩留まりを上げることができる。さらに、チップパッケージ構造物の製造コストが下がる。
2.パッケージ用保護部材の支持部および基板の両方が、透明な材料を用いて製造されるので、パッケージ用保護部材を用いるチップパッケージ構造物は、光の透過率が従来のチップパッケージ構造物に比べて上がる。
3.チップとパッケージ用保護部材との間を分ける距離を、支持部の高さを調整することにより実際の条件にあわせて定めることができる。さらに、支持部の高さが所定の高さを超える場合、パッケージ用保護部材の外面に付着する微粒子は、焦点から大きく外れるので、もはや画像を形成することができない。したがって、画像検出装置の光学特性は、外部の微粒子によっては影響を受けない。
この技術に関する通常の知識を有するものであれば、本発明の範囲および趣旨から逸脱しない範囲で本発明の構成を修正することができるものとしてもよい。前述の観点において、本発明では請求の範囲および均等の範囲内となる本発明の様々な修正および変形を意図している。
300 チップパッケージ構造物
310 チップ
312 動作面
314 画像検出装置
316 コンタクトパッド
320 パッケージ用保護部材
322 基板
324 支持部
324a 溝
330 接着層
S 空洞
310 チップ
312 動作面
314 画像検出装置
316 コンタクトパッド
320 パッケージ用保護部材
322 基板
324 支持部
324a 溝
330 接着層
S 空洞
Claims (20)
- 複数のデバイス領域を備えるウェハを覆うパッケージ用保護部材であって、前記パッケージ用保護部材は、基板と、基板上に配置される支持部とを備え、
前記支持部により前記基板上の複数の空洞を区切ることにより、各空洞をウェハ上のデバイス領域と対応付けることを特徴とするパッケージ用保護部材。 - 前記支持部の高さは、15μmから50μmの間であることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ用保護部材。
- 前記支持部の端に、溝を有することを特徴とする請求項1に記載のパッケージ用保護部材。
- 前記溝に接着層を有することを特徴とする請求項3に記載のパッケージ用保護部材。
- 前記基板の上に位置合わせマークを有することを特徴とする請求項3に記載のパッケージ用保護部材。
- 前記パッケージ用保護部材を構成する材料として、ガラスまたはポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を含むことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ用保護部材。
- 画像検出装置を上に有する動作面を備え、該画像検出装置の周囲には複数のコンタクトパッドが配置され、
前記動作面の上に配置されたパッケージ用保護部材を備え、該パッケージ用保護部材は、基板と、該基板上に支持部を有することにより、前記支持部は、基板上の空洞を区切り、前記動作面上の画像検出装置が前記空洞の内部に配置されるように、動作面と接触する位置に配置され、
支持部と動作面との間に配置される接着層を備えることを特徴とする請求項1に記載の
チップパッケージ構造物。 - 前記支持部は、前記ウェハ上の前記画像検出装置の高さよりも高いことを特徴とする請求項7に記載のチップパッケージ構造物。
- 前記支持部の高さは、15μmから50μmの間であることを特徴とする請求項7に記載のチップパッケージ構造物。
- 前記支持部の端に溝を有し、前記溝に接着層を有することを特徴とする請求項7に記載のチップパッケージ構造物。
- 前記パッケージ用保護部材を構成する材料として、ガラスまたはポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を含むことを特徴とする請求項7に記載のチップパッケージ構造物。
- 複数の画像検出装置を上に有する動作面を用意するステップを含み、該画像検出装置のそれぞれの周囲には複数のコンタクトパッドが配置され、
基板と、該基板上に支持部を有するパッケージ用保護部材を用意するステップを含み、前記支持部は、基板上の複数の空洞を区切り
前記支持部と前記ウェハの動作面との間に接着層を形成して、前記パッケージ用保護部材と前記ウェハの動作面を合わせるステップと、
前記パッケージ用保護部材および前記ウェハを別々に分解して複数のチップパッケージ構造物を形成するステップと、
を含むことを特徴とするチップパッケージ構造物の製造方法。 - 前記パッケージ用保護部材を形成するステップは、フォトリソグラフィーおよびエッチングプロセスを実行するか、または射出形成プロセスを実行することを含むことを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記支持部は、前記ウェハ上の前記画像検出装置の高さよりも高いことを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記支持部の高さは、15μmから50μmの間であることを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記パッケージ用保護部材を形成するステップは、前記支持部の端に溝を形成することを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記接着層は、前記溝をふさぐことを特徴とする請求項16に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記パッケージ用保護部材を形成するステップは、前記基板の上に位置合わせマークを形成することを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記パッケージ用保護部材と前記ウェハの動作面を合わせるステップは、前記位置合わせマークを使用して位置合わせを実行することを特徴とする請求項18に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
- 前記パッケージ用保護部材を構成する材料として、ガラスまたはポリメチル・メタクリル樹脂(PMMA)を含むことを特徴とする請求項12に記載のチップパッケージ構造物の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/531,688 US20080061425A1 (en) | 2006-09-13 | 2006-09-13 | Chip package structure and fabricating method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008072075A true JP2008072075A (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=39168726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006330635A Abandoned JP2008072075A (ja) | 2006-09-13 | 2006-12-07 | チップパッケージ構造物およびチップパッケージ構造物の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080061425A1 (ja) |
JP (1) | JP2008072075A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8351219B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-01-08 | Visera Technologies Company Limited | Electronic assembly for an image sensing device |
CN105405777B (zh) * | 2015-12-24 | 2018-07-13 | 南京慧感电子科技有限公司 | 一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法 |
US20220223641A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor package having a cavity structure for a light-transmitting member |
CN115831776A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-03-21 | 湖南越摩先进半导体有限公司 | 芯片封装方法及封装结构 |
CN116206986B (zh) * | 2022-12-15 | 2024-01-30 | 湖南越摩先进半导体有限公司 | 芯片封装方法及封装结构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6890834B2 (en) * | 2001-06-11 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device and method for manufacturing the same |
US6933537B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Sealing for OLED devices |
-
2006
- 2006-09-13 US US11/531,688 patent/US20080061425A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-07 JP JP2006330635A patent/JP2008072075A/ja not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080061425A1 (en) | 2008-03-13 |
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|
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