JP2005338043A - 不良検査装置及び荷電粒子線装置 - Google Patents
不良検査装置及び荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005338043A JP2005338043A JP2004161276A JP2004161276A JP2005338043A JP 2005338043 A JP2005338043 A JP 2005338043A JP 2004161276 A JP2004161276 A JP 2004161276A JP 2004161276 A JP2004161276 A JP 2004161276A JP 2005338043 A JP2005338043 A JP 2005338043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- image
- image shift
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 193
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 52
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 23
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 21
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 15
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 230000005449 particle theory Effects 0.000 description 2
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
- H01J2237/2487—Electric or electronic means using digital signal processors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Abstract
【解決手段】荷電粒子線画像の画像処理を行なう画像処理手段と回路配線パターンの情報を格納した記憶手段との通信に、イメージシフト移動量を試料ステージの移動量に変換した座標を使用する手段を、CADナビゲーション機能に導入する。これにより装置ユーザの使い勝手が飛躍的に向上する。
【選択図】図1
Description
また、イメージシフトにより一次電子線は対物レンズに対して斜めに入射するため、対物レンズの軸外収差によってSEM像の分解能が劣化するが、例えば特許文献1のように、イメージシフト量の関数として軸外収差を除去するような例が開示されている。特に半導体などのパターン試料の観察では、試料の帯電を防ぐために、一般的には5kV以下の低い加速電圧を用いてサブナノメートル、ナノメートルオーダーの観察を行なう。このような目的でイメージシフトを使用する条件では、軸外色収差とイメージシフト偏向に伴う色収差を低減する必要がある。
画像を表示する表示手段と、画像の任意箇所を指定するための入力手段と、回路配線パターンの情報を格納した記憶手段と、取得画像を表示手段に表示するための画像処理を行なう画像処理手段と、記憶手段と画像処理手段とを接続する通信手段により、表示手段に回路配線パターンと取得画像とを表示し、回路配線パターンと取得画像の同一箇所の指定を、装置ユーザに対して要求する情報を表示手段に表示し、指定された位置の座標情報を記憶手段と画像処理手段の間で通信し、座標情報にイメージシフト手段による荷電粒子線の試料上の位置情報を含ませることにより、前記課題を実現する。
図5(c)は図5(b)のクロスカーソル、矢印ボタン、コンボボックス、カウンタ機能をイメージシフト操作座標のみに限定し、試料変換座標は参考値として表示するだけとした場合の例である。ユーザの操作は、座標入力を除けば常にイメージシフト操作座標上で行なわれ、また試料ステージ変換座標は、CAD用WS117との通信する際に意味があり、処理は制御コンピュータ114内で行なわれるためである。
SEM制御用のPC119のGUI操作、あるいはコントロールパネル120のつまみやジョイスティックによるイメージシフト操作を行なう(ステップ701)と、操作量を制御コンピュータ114に送信し、イメージシフトXYのDAC変化量を計算する。また座標入力量からはイメージシフトXYのDAC量を計算する(ステップ702)。DAC変化量の場合は現在のDAC量にDAC変化量を加算/減算する。DAC量が決まれば、電子光学系制御手段116を介して、実際にイメージシフトを行なう(ステップ703)。また、実際に設定したイメージシフトDAC値からイメージシフトDAC軸での座標を制御コンピュータ上で計算する(ステップ704)。
逆にCAD用WS117とSEM制御用PC119がリンクしており、CADのレイアウト画像がSEM画像にオーバーレイされている場合は(ステップ809)、CAD用の座標に変換して移動量をCAD用WS117に送信してから(ステップ810)、新しいCAD画像をCAD用WS117から制御コンピュータ114に受信し(ステップ811)、SEM制御用PC119のGUI上にCAD画像をオーバーレイし(ステップ812)、処理を終了する(ステップ813)。
(1)試料ステージ座標 (xDUT, yDUT)
(2)試料ステージ軸換算したイメージシフト座標 (xIS-DUT, yIS-DUT)
(3)イメージシフト軸補正座標 (XIS、YIS)
(4)イメージシフト理想座標 (xIS、yIS)
(5)イメージシフトDAC座標 (xIS-DAC、yIS-DAC)
(6)イメージシフト操作座標 (xIS-OP、yIS-OP)
実際の試料ステージ座標と試料ステージ軸換算したイメージシフト座標は、試料ステージの直進性・直交ずれや、SEMの二次電子検出器の配置によっては原点ずれがあり、一致しないことがある。この場合は以下の関係で補正できる。
行列Bは、二段のアライメントコイルあるいはイメージシフトコイルで対物レンズの物点位置が動かないような補正を加えた場合は、単位行列と置くことができる。以下行列Bについて図11を用いて説明する。
先に述べたように、二段の独立したアライメントコイルを設けるか、イメージシフトコイルの上下段にアライメント信号を重畳させることによって、イメージシフト量に依存した補正をアライメント信号に加えて色消し軸を実現すると同時に、対物レンズの物点位置がシフトしないように制御することで、試料上の一次電子線の照射位置をシフトさせず、かつ色収差を実効上消去することが可能となる。
(1)試料ステージ座標 (xDUT, yDUT)
(2)大ステージ座標 (xBASE、yBASE)
(3)試料ステージ軸換算したイメージシフト座標 (xIS-DUT, yIS-DUT)
(4)CADナビゲーション座標 (xCAD、yCAD)
Claims (16)
- 半導体ウェハ上に形成された微細な回路配線パターンを備えた試料の電気特性を測定する不良検査装置において、
前記回路配線パターンに接続された複数のパッド、あるいはプラグへ接触させて前記回路 配線パターンの電気特性測定を行なう複数のプローブと、
前記試料に対して荷電粒子線を照射する手段と、前記荷電粒子線の照射点を前記試料上で移動させるイメージシフト手段と、前記試料に照射された荷電粒子線に起因して発生する二次的な荷電粒子線を検出して前記試料の画像を取得する手段と、
前記画像を表示する表示手段と、前記画像の任意箇所を指定するための入力手段と、回路配線パターンの情報を格納した記憶手段と、前記取得画像を前記表示手段に表示するための画像処理を行なう画像処理手段と、前記記憶手段と前記画像処理手段とを接続する通信手段を有し、
前記表示手段に前記回路配線パターンと前記取得画像とを表示し、前記回路配線パターンと前記取得画像の同一箇所の指定を、装置ユーザに対して要求する情報を前記表示手段に表示し、指定された位置の座標情報を前記記憶手段と前記画像処理手段の間で通信し、前記座標情報が、前記イメージシフト手段による前記荷電粒子線の前記試料上の位置情報を含むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記イメージシフト手段によって、前記荷電粒子線の照射点が前記試料上を150μm以上、あるいは±75μm以上移動することができることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記取得画像と前記回路配線パターンの双方を表示することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記取得画像と前記回路配線パターンを重ねて表示することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、イメージシフト移動量を試料ステージに換算した試料ステージ座標と、前記イメージシフト移動量を観察している画像回転方向に換算したイメージシフト操作座標を選択する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、あらかじめプリセットされたイメージシフト移動量と移動方向選択し、前記選択された変換座標に、前記荷電粒子線をイメージシフトする手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記選択された変換座標を表示、入力する手段を備え、座標を直接入力することによって、前記選択された変換座標の任意の位置に、前記荷電粒子線をイメージシフトする手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記試料ステージ座標と、前記イメージシフト操作座標を同時に表示する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、あらかじめプリセットされたイメージシフト移動量と移動方向選択し、前記イメージシフト操作座標に、前記荷電粒子線をイメージシフトする手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記イメージシフト操作座標を入力する手段を備え、座標を直接入力することによって、前記イメージシフト操作座標の任意の位置に、前記荷電粒子線をイメージシフトする手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記表示手段に、前記回路配線パターンのピッチ間隔を入力する手段を備え、前記イメージシフト移動量と前期ピッチ間隔の比の整数を表示するカウンタ手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線装置において、
前記カウンタ手段にカウント数を入力する手段を備え、前記イメージシフト移動量と前期ピッチ間隔の比の整数が入力したカウント数に達した場合に、前記表示手段にメッセージを表示する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
荷電粒子線を放出させる荷電粒子供給源と、前記荷電粒子線を収束する収束レンズと、前記収束された荷電粒子線を試料表面に収束する対物レンズと、前記荷電粒子線を試料上で走査する偏向器を備え、
2段のイメージシフト偏向器と、1段の光軸制御用偏向器を配置し、前記2段のイメージシフト偏向器に与える偏向信号を独立に調整、あるいはそれぞれの偏向信号の比を調整し、前記荷電粒子線の前記試料上の照射点を移動させ、さらに、前記1段の光軸制御用偏向器に与える偏向信号を調整し、荷電粒子線の中心軸、すなわち光軸を偏向して、前記イメージシフト偏向器によって荷電粒子線が対物レンズに斜め入射する場合に発生する色収差と、前記イメージシフト偏向によって発生する色収差を実効的に消去できる対物レンズの軸を実現する手段を備えたこと特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項13記載の荷電粒子線装置において、
前記1段の光軸制御用偏向器に与える偏向信号を、前記2段のイメージシフト偏向器の上段、あるいは下段の偏向信号に重畳する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項13記載の荷電粒子線装置において、
前記光軸制御用偏向器は2段であり、前記2段の光軸制御用偏向器に与える偏向信号を独立に調整、あるいはそれぞれの偏向信号の比を調整し、前記対物レンズの物点位置を固定する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項15記載の荷電粒子線装置において、
前記2段の光軸制御用偏向器に与える偏向信号を、前記2段のイメージシフト偏向器に重畳する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161276A JP4993849B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 |
US11/139,609 US7112792B2 (en) | 2004-05-31 | 2005-05-31 | Defect inspection and charged particle beam apparatus |
US11/498,125 US7348559B2 (en) | 2004-05-31 | 2006-08-03 | Defect inspection and charged particle beam apparatus |
US12/068,789 US7705303B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-02-12 | Defect inspection and charged particle beam apparatus |
US12/725,857 US8304723B2 (en) | 2004-05-31 | 2010-03-17 | Defect inspection and charged particle beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161276A JP4993849B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338043A true JP2005338043A (ja) | 2005-12-08 |
JP4993849B2 JP4993849B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=35424162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004161276A Active JP4993849B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7112792B2 (ja) |
JP (1) | JP4993849B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200718A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2009176572A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡の制御装置及び制御方法 |
JP2019145511A (ja) * | 2010-12-13 | 2019-08-29 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム装置 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4351108B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2009-10-28 | 日本電子株式会社 | Semの収差自動補正方法及び収差自動補正装置 |
JP4993849B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 |
JP2006105960A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Jeol Ltd | 試料検査方法及び試料検査装置 |
US7394070B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-07-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting patterns |
JP4474405B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2010-06-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料検査装置及び試料検査方法 |
EP1956630A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Achromatic mass separator |
JP4974737B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-07-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子システム |
JP5164754B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型荷電粒子顕微鏡装置及び走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 |
WO2011016182A1 (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡 |
EP2378537B1 (en) * | 2010-04-19 | 2014-02-12 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of operating a charged particle beam device |
JP5788719B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-10-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ステージ装置およびステージ装置の制御方法 |
WO2013137466A1 (ja) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料観察システムおよび操作プログラム |
US9754761B2 (en) | 2015-05-26 | 2017-09-05 | Kla-Tencor Corporation | High-speed hotspot or defect imaging with a charged particle beam system |
US10692204B2 (en) | 2016-08-01 | 2020-06-23 | The Boeing Company | System and method for high speed surface and subsurface FOD and defect detection |
CN108279247B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-07-26 | 北京金竟科技有限责任公司 | 一种电子束激发荧光大范围直接探测成像装置及其方法 |
CN108267430B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-07-19 | 北京大学 | 一种大范围电子束激发荧光成像和光谱测量装置及其方法 |
KR101850895B1 (ko) | 2017-01-03 | 2018-04-20 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 발생 장치 |
WO2019215861A1 (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 撮像装置 |
CN108872358B (zh) * | 2018-05-28 | 2020-03-24 | 中国科学院广州地球化学研究所 | 一种用于提高二次离子质谱仪选样效率的装置 |
US11417499B2 (en) * | 2018-12-18 | 2022-08-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Imaging device capturing images of a sample including a plurality of sections |
CN115241110B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-12-08 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 | 晶圆的运动控制方法及晶圆的运动控制系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0233843A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH1050779A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びその使用方法 |
JP2001319609A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5600734A (en) * | 1991-10-04 | 1997-02-04 | Fujitsu Limited | Electron beam tester |
JP3400285B2 (ja) | 1997-03-03 | 2003-04-28 | 日本電子株式会社 | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
US6198299B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-06 | The Micromanipulator Company, Inc. | High Resolution analytical probe station |
US6614026B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam column |
US6452175B1 (en) | 1999-04-15 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Column for charged particle beam device |
EP1235251B1 (en) | 1999-10-29 | 2011-02-16 | Hitachi, Ltd. | Electron beam apparatus |
JP4006946B2 (ja) | 2000-01-25 | 2007-11-14 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JP2001273861A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置およびパターン傾斜観察方法 |
JP2002052378A (ja) | 2000-08-09 | 2002-02-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 廃水の処理方法 |
JP2002107285A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Jeol Ltd | 磁気力顕微鏡 |
JP3729156B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2005-12-21 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検出方法およびその装置 |
US6847907B1 (en) * | 2002-12-31 | 2005-01-25 | Active Optical Networks, Inc. | Defect detection and repair of micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices |
JP4993849B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 |
JP2006164861A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査干渉電子顕微鏡 |
JP4571053B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2010-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004161276A patent/JP4993849B2/ja active Active
-
2005
- 2005-05-31 US US11/139,609 patent/US7112792B2/en active Active
-
2006
- 2006-08-03 US US11/498,125 patent/US7348559B2/en active Active
-
2008
- 2008-02-12 US US12/068,789 patent/US7705303B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-17 US US12/725,857 patent/US8304723B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0233843A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH1050779A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びその使用方法 |
JP2001319609A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200718A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2009176572A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡の制御装置及び制御方法 |
JP2019145511A (ja) * | 2010-12-13 | 2019-08-29 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7112792B2 (en) | 2006-09-26 |
US20060284087A1 (en) | 2006-12-21 |
JP4993849B2 (ja) | 2012-08-08 |
US7705303B2 (en) | 2010-04-27 |
US20050263702A1 (en) | 2005-12-01 |
US8304723B2 (en) | 2012-11-06 |
US20100187416A1 (en) | 2010-07-29 |
US20080142712A1 (en) | 2008-06-19 |
US7348559B2 (en) | 2008-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4993849B2 (ja) | 不良検査装置及び荷電粒子線装置 | |
US8035082B2 (en) | Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus | |
JP4895569B2 (ja) | 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置 | |
JP4733959B2 (ja) | プローブ接触方法及び荷電粒子線装置 | |
US7385196B2 (en) | Method and scanning electron microscope for measuring width of material on sample | |
US7902505B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
JP6155137B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡を用いた処理装置及び処理方法 | |
US7129727B2 (en) | Defect inspecting apparatus | |
JP2007265931A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP2021119565A (ja) | ディスプレイ製造用基板上での自動限界寸法測定方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査装置及びその操作方法 | |
US20060249692A1 (en) | Composite charged particle beam apparatus and an irradiation alignment method in it | |
JP2016189335A (ja) | 試料観察方法及び試料観察装置 | |
JP4298938B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US6717144B2 (en) | Scanning electron microscope system | |
JP3836735B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
US20240021404A1 (en) | Charged-particle beam apparatus with beam-tilt and methods thereof | |
CN115335952A (zh) | 堆叠对准技术 | |
JP2005129546A (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
JPH04252976A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120502 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120508 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4993849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |