JP2007200718A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents

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Abstract

【課題】試料に微小な凹凸があっても明瞭に検出することができる電子顕微鏡を提供する。る
【解決手段】走査型電子顕微鏡装置によると、1対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれL、R、2次電子検出器からの輝度信号をSとするとき、それぞれL、R及びSの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算する。
【選択図】図1

Description

本発明は走査型電子顕微鏡に関し、特に、陰影を有する画像を表示する走査型電子顕微鏡に関する。
半導体の製造工程では、歩留まりを改善するために、欠陥を検査し、その発生の原因を究明する必要がある。欠陥の検査では、走査型電子顕微鏡、光学顕微鏡等の観察装置が用いられる。
走査型電子顕微鏡では、試料に1次電子線を照射することよって2次電子と反射電子を発生させ、2次電子像と反射電子像を得る。
2次電子像は、照明光を観察方向と同方向から照射して観察した場合に相当する。従って、鋭いパターンエッジや材質の変化等の表示するが、微小な凹凸を明確に表示することはできない。反射電子像は、照明光を観察方向に対し傾斜した方向から照射して観察した場合に相当する。従って、陰影のついた輪郭像を得ることができるため、微小な凹凸を明瞭に表示することができる。
半導体の欠陥には、様々な態様がある。代表的なものとして、薬品の残滓による異物や汚染、パターン欠け、研磨工程で発生する引っかき傷、前工程における凹凸等が挙げられる。
引っかき傷のような微小な凹凸は一般にS/Nが小さく、2次電子像よりも反射電子像によって撮像が可能である。しかしながら、極めて微小な引っかき傷では、反射電子像を用いてもS/Nが十分でなく、明確な像を得ることができない場合がある。
このように微小な凹凸を明瞭に撮像する方法が以下の特許文献に記載されている。これらの方法では、複数の検出器を用いる。
特開2002−116161号公報 米国特許4941980号 特開2000−173526号公報
上述の特許文献に記載された例では、複数の検出器を用いるが、試料の凹凸が微小である場合には、各検出器によって検出される信号のS/Nは低くなる。従って、複数の検出器を用いても、微小な凹凸を明瞭に検出することはできない。
本発明の目的は、試料に微小な凹凸があっても明瞭に検出することができる電子顕微鏡を提供することにある。
本発明の走査型電子顕微鏡装置によると、1対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれL、Rとするとき、それぞれL及びRの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算する。
本発明の走査型電子顕微鏡装置によると、2次電子検出器からの輝度信号をSとするとき、それぞれL、R及びSの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算する。
本発明によれば、試料に微小な凹凸があっても明瞭に検出することができる。
図1を参照して本発明による走査型電子顕微鏡の例を説明する。本例の走査型電子顕微鏡は、電子銃101、電子レンズ102、偏向器103、対物レンズ104、2次電子検出器122、1対の反射電子検出器123a、123b、及び、試料105を保持する試料台106を有する。これらの構成要素は真空のカラムに収容されているが、その図示は省略されている。反射電子検出器123a、123bは双対な陰影像を撮像するために光軸の両側に対称的な位置に配置されている。
本例の走査型電子顕微鏡は、更に、電子レンズ102を制御するレンズ制御回路110、偏向器103を制御する偏向制御回路111、対物レンズ104を制御する対物レンズ制御回路112、2次電子検出器122及び反射電子検出器123a、123bからのアナログ画像信号をデジタル画像信号に変換するアナログ/デジタル変換器113、走査信号に同期したアドレスを生成するアドレス制御回路114、アドレス制御回路114からのアドレスにしたがってデジタル画像信号を記憶する画像メモリ115、走査型電子顕微鏡全体を制御する制御手段116、画像を表示するディスプレイ117、画像処理手段119を備えたコンピュータ118、キーボード120、マウス121、制御手段116からの制御信号により試料台106を2次元的に移動させる移動ステージ124を有する。
電子銃101から放射された電子ビーム107は電子レンズ102によって収束され、偏向器103によって2次元的に走査され、対物レンズ104によって収束されて、試料105に照射される。
試料105に電子ビーム107が照射されると、試料105から二次電子108及び反射電子109が発生する。二次電子108は2次電子検出器122によって検出され、反射電子109は反射電子検出器123a、123bによって検出される。
2次電子検出器122及び反射電子検出器123a、123bからのアナログ画像信号は、アナログ/デジタル変換器113によってデジタル画像信号に変換される。デジタル画像信号は画像メモリ115に送られる。画像メモリ115は、アドレス制御回路114から与えられたアドレスに基づいてデジタル画像信号を記憶する。画像メモリ115は、画像データを随時、画像処理手段119に転送する。画像処理手段119は、画像データを演算し、試料の画像を調整する。ディスプレイ117には、調整された試料の画像がリアルタイムで表示される。画像処理手段119は複数の機能を備えていてもよいが、少なくとも画像データを加減算する機能と、画像データに一定値を乗算する機能を有する必要がある。
反射電子検出器123a、123bからの画像信号によって、陰影像であるL像およびR像が得られる。即ち、左側の反射電子検出器123aによって、試料表面より左方向に放射した電子が検出される。左側の反射電子検出器123aの検出信号から、L像が得られる。L像は、試料に対して斜め左側から照明光を照射することにより得られる光学像に相当する。右側の反射電子検出器123bによって、試料表面より右方向に放射した電子が検出される。右側の反射電子検出器123bの検出信号より、R像が得られる。R像は、試料に対して斜め右側から照明光を照射することにより得られる光学像に相当する。
試料からの反射電子は放射方向の指向性を有するから、試料の表面の凹凸像を得るのに適している。
2次電子検出器122からの画像信号によって、2次電子像であるS像が得られる。試料からの2次電子は放射方向の指向性を有さないから、試料の表面の凹凸像を得るのに適していない。S像によって試料表面の材質の変化等を調べることができる。
図2及び図3を参照して、本発明の画像処理手段119による試料の画像の調整方法を説明する。L像、R像、及び、S像の輝度信号を、以下では、単に、L、R、Sと表記する。
図2Aは、試料の概略を示す図である。試料201は平坦な表面に埋め込まれた材質が周囲と異なる帯状部分202と円形の凸部203を有する。図2Bは、試料201のL像、図2Cは、試料201のR像を示す。図2Dは、図2BのL像の線A−A´に沿った輝度プロファイルを示す。図2Eは、図2CのR像の線A−A´に沿った輝度プロファイルを示す。図2Dと図2Eを比較すると判るように、帯状部分202の像の輝度プロファイル204は同一であるが、凸部203の像の輝度プロファイル205、206は、鏡像の関係にある。即ち、マテリアルコントラストは同一であるが、凹凸コントラストは鏡像の関係にある。
図2Fに示すように、図2DのL像の輝度と図2EのR像の輝度を加算し、2で割ると、帯状部分202の像の輝度のみが残り、凸部の像の輝度は、キャンセルされてゼロとなる。図2Fは次の式を演算した場合である。
P=(L+R)/2 式1
図2Gに示すように、図2DのL像の輝度から図2EのR像の輝度を減算すると、帯状部分202の像の輝度が消去され、凸部203の像の輝度が増幅したL像が得られる。図2Gは次の式を演算した場合である。
=(L−R) 式2
図2Hに示すように、図2EのR像の輝度から図2DのL像の輝度を減算すると、帯状部分202の像の輝度が消去され、凸部203の像の輝度が増幅したR像が得られる。図2Hは次の式を演算した場合である。
=(R−L) 式3
図2Iに示すように、図2Fの帯状部分202の像の輝度と図2Gの凸部203の像の輝度が増幅したL像を加算すると、帯状部分202の像の輝度と凸部203の像の輝度が増幅したL像を合成した輝度プロファイルが得られる。図2Iは次の式を演算した場合である。
=P+L=(L+R)/2+(L−R)=1.5L−0.5R 式4
尚、式4において、L像の凸部203の像の輝度の増幅度を変化させる場合には、Lに係数αを乗算すればよい。但し、0≦α≦1である。
=P+αL=(L+R)/2+α(L−R)=(α+0.5)L+(−α+0.5)R 式5
図2Jに示すように、図2Fの帯状部分202の像の輝度と図2Hの凸部203の像の輝度が増幅したR像の輝度を加算すると、帯状部分202の像の輝度と凸部203の像の輝度が増幅したR像を合成した輝度プロファイルが得られる。図2Jは次の式を演算した場合である。
=P+R=(L+R)/2+(R−L)=1.5R−0.5L 式6
尚、式6において、R像の凸部203の像の輝度の増幅度を変化させる場合には、Rに係数αを乗算すればよい。
=P+αR=(L+R)/2+α(R−L)=(α+0.5)R+(−α+0.5)L 式7
こうして本例では、輝度信号Lの調整値L、L、L及び輝度信号Rの調整値R、R、Rは、それぞれ輝度信号L及びRの1次同次式によって表わされる。
図3Aは、試料の概略を示す図である。試料201は平坦な表面に埋め込まれた材質が周囲と異なる帯状部分202と円形の凸部203を有する。図3Bは、試料201のS像、図3Cは、試料201のL像、図3Dは、試料201のR像を示す。図3Eは、図3BのS像の線A−A´に沿った輝度プロファイルを示す。図3Fは、図3CのL像の線A−A´に沿った輝度プロファイルを示す。図3Gは、図3DのR像の線A−A´に沿った輝度プロファイルを示す。図3Eと図3F又は図3Gを比較すると判るように、S像では、L像又はR像と比較して、マテリアルコントラストが大きいが、凹凸コントラストが小さい。
図3Hに示すように、図3EのS像の輝度と図2Gの凸部203の像の輝度が増幅したL像を加算すると、帯状部分202の像の輝度及びL像の凸部203の像の輝度が増幅して得られる。図3Hは次の式を演算した場合である。
S1=S+L=S+(L−R) 式8
尚、式8において、S像の輝度とL像の凸部203の像の輝度の相対的な強度を変化させる場合には、Sに係数α、Lに係数(1−α)を乗算すればよい。
S2=αS+(1−α)L=αS+(1−α)(L−R) 式9
図3Iに示すように、図3EのS像の輝度と図2Hの凸部203の像の輝度が増幅したR像を加算すると、帯状部分202の像の輝度及びR像の凸部203の像の輝度が増幅して得られる。図3Iは次の式を演算した場合である。
S1=S+R=S+(R−L) 式10
尚、式10において、S像の輝度とL像の凸部203の像の輝度の相対的な強度を変化させる場合には、Sに係数α、Rに係数(1−α)を乗算すればよい。
S2=αS+(1−α)R=αS+(1−α)(R−L) 式11
図4を参照して、本発明の画像処理手段119による試料の画像の調整方法の他の例を説明する。但し、0≦α≦1である。先ず、図4Aの例について説明する。第1の加算器401は、係数器405を経由した検出器123aからの出力と検出器123bからの出力を加算し、R−Lを出力する。第2の加算器402は、係数器406を経由した第1の加算器401からの出力と検出器123bからの出力を加算する。従って、次の式によって表される画像信号が生成される。
=α(R−L)+R 式12
第3の加算器403は、係数器407を経由した検出器123bからの出力と検出器123aからの出力を加算し、L−Rを出力する。第4の加算器404は、係数器408を経由した第3の加算器403からの出力と検出器123aからの出力を加算する。従って、次の式によって表される画像信号が生成される。
=α(L−R)+L 式13
図4Bの例について説明する。第1の加算器401は、係数器405を経由した検出器123aからの出力と検出器123bからの出力を加算し、R−Lを出力する。第2の加算器402は、係数器406を経由した第1の加算器401からの出力と係数器409を経由した検出器122からの出力を加算する。従って、次の式によって表される画像信号が生成される。
=(1−α)S+α(R−L) 式14
第3の加算器403は、係数器407を経由した検出器123bからの出力と検出器123aからの出力を加算し、L−Rを出力する。第4の加算器404は、係数器408を経由した第3の加算器403からの出力と係数器410を経由した検出器122からの出力を加算する。従って、次の式によって表される画像信号が生成される。
=(1−α)S+α(L−R) 式15
こうして本例では、輝度信号Lの調整値LS1、LS2、L、L及び輝度信号Rの調整値RS1、RS2、R、Rは、それぞれ輝度信号S、L及びRの1次同次式によって表わされる。
図5を参照して本発明による画像処理方法を説明する。ステップS501にて、ユーザはL像、R像、及び、S像の混合割合を示す係数αの値を設定する。ステップS502にて、画像の撮像を開始する。ステップS503にて、反射電子検出器123a、123bからの画像信号を取得し、それを画像メモリ115に保存する。電子顕微鏡の画像は一般にS/Nが悪く、複数枚の画像を積算して1枚の画像として表示する場合が多い。ここでは、この段階でL像、R像、S像について各々複数枚画像を積算したものをメモリに保存する。しかしながら、この積算は、次のステップS505の演算の後に行ってもよい。ステップS504にて、係数αの値を読み込み、ステップS505にて、係数αを用いて画像データの演算を行う。即ち、画像処理手段119は、式5〜式15のいずれかの演算を行い、演算結果を画像メモリ115に保存する。ステップS506にて、画像メモリ115から画像を呼び出し、ディスプレイ117に出力する。画像表示をそのまま続ける場合はステップS501に戻り処理を続けるが、ユーザの意図により、あるいは装置の設定として表示を中断することができる。その場合ステップS507に進み、画像の出力を停止する。
図6を参照してディスプレイ117に表示する画面の例を説明する。画面600はL像601とR像602を同時に表示する。画面600は、開始釦603、停止釦604、及び、α設定部605を含む。開始釦603をクリックすると、ステップS502による撮像が開始される。停止釦604をクリックすると、ステップS507による画像の出力が停止される。
α設定部605は、スライドバー605aと数値欄605bを有する。αの値を設定するには、スライドバー605aを移動させてもよいが、数値欄605bの数字を入力又は選択してもよい。スライドバーと数値欄は連動している。スライドバー605aを移動させることにより、数値欄605bの数字も自動的に変わる。数値欄の数字を変化させることによりスライドバーの位置も自動的に変わる。
図6B、図6C及び図6Dは、α設定部605の他の例を示す。図6Bに示す例では、数値欄に予め数字0.25、0.5、0.75、1.0等が与えられている。ユーザは、数値欄において、これらの数字の1つの選択する。図6Cに示す例では、数値欄に予め文字None、Low、Normal、High等が与えられている。ユーザは、数値欄において、これらの文字の1つの選択する。図6Dに示す例では、数値欄に予め文字Shade 1、Shade 2、Shade 3等が与えられている。ユーザは、数値欄において、これらの文字の1つの選択する。
図7はディスプレイ117に表示する画面の他の例を説明する。図7Aの例では、画面704にL像701、及び、R像702を表示し、画面705にS像703を表示する。図7Bの例では、画面600に調整前のL像706と調整後のL像707を表示する。
尚、L像707は、α設定部605にて設定された係数αを用い、上述の式のL像の調整値を求める式を用いて演算を行った結果である。
尚、ここまでは、走査型電子顕微鏡を例に説明したが、本発明は荷電粒子線装置にも適用可能である。本発明による試料の画像の調整方法は、試料の法線に対して両側に対称的に配置された1対の斜方照明を備えた光学式の顕微鏡にも適用できる。観察方向に対し傾斜した方向から照明光を照射した場合に反射電子像に相当する像が得られる。観察方向と同方向から照明光を照射した場合に2次電子像に相当する像が得られる。従って、観察方向に対し傾斜した方向から照明光を照射して得た光学像の輝度信号をLOP、ROP、観察方向と同方向から照明光を照射して得た光学像の輝度信号をSOP、とするとき、上述の式をそのまま利用することができる。
以上本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に容易に理解されよう。
本発明による走査型電子顕微鏡の構成を示す図である。 本発明による画像データの合成方法を説明する説明図である。 本発明による画像データの合成方法を説明する説明図である。 本発明による画像データの合成方法を説明する説明図である。 本発明の画像データの合成方法の手順を説明する説明図である。 本発明の走査型電子顕微鏡のディスプレイの表示画面の例を示す図である。 本発明の走査型電子顕微鏡のディスプレイの表示画面の例を示す図である。
符号の説明
101…電子銃、102…電子レンズ、103…偏向器、104…対物レンズ、105…試料、106…試料台、107…電子ビーム、108…二次電子、109…反射電子、110…レンズ制御回路、111…偏向制御回路、112…対物レンズ制御回路、113…アナログ/デジタル変換器、114…アドレス制御回路、115…画像メモリ、116…制御手段、117…ディスプレイ、118…コンピュータ、119…画像処理手段、120…キーボード、121…マウス、122…2次電子検出器、123…反射電子検出器、124…移動ステージ

Claims (19)

  1. 試料に電子線を照射する電子線照射系と、上記試料からの反射電子を検出する1対の反射電子検出器と、該1対の反射電子検出器からの画像データを処理する画像処理手段と、を有し、上記画像処理手段は、上記1対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれL、Rとするとき、それぞれL及びRの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
  2. 請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記試料からの2次電子を検出する2次電子検出器を有し、上記画像処理手段は、上記2次電子検出器からの輝度信号をSとするとき、それぞれL、R及びSの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
  3. 請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Lc=(L−R)
    Rc=(R−L)
  4. 請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Lc=(L+R)/2+(L−R)
    Rc=(L+R)/2+(R−L)
  5. 請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、任意の係数α(0≦α≦1)を用いて次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Lc=(L+R)/2+α・(L−R)
    Rc=(L+R)/2+α・(R−L)
  6. 請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、任意の係数α(0≦α≦1)を用いて次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Rc=α(R−L)+R
    Lc=α(L−R)+L
  7. 請求項2記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Lc=S+(L−R)
    Rc=S+(R−L)
  8. 請求項2記載の走査型電子顕微鏡装置において、
    上記L及びRの1次同次式は、任意の係数α(0≦α≦1)を用いて次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
    Lc=α・S+(1−α)・(L−R)
    Rc=α・S+(1−α)・(R−L)
  9. 請求項1又は2記載の走査型電子顕微鏡装置において、上記画像データを入力して電子顕微鏡像を表示するディスプレイを有し、該ディスプレイは上記Lの調整値Lc及びRの調整値Rcによって生成された画像を1つの画面に同時に表示することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
  10. 請求項9記載の走査型電子顕微鏡装置において、上記ディスプレイは上記1次同次式の係数αを設定するためのGUIを備えた画面を表示することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
  11. 試料に電子線を照射することと、上記試料からの反射電子を1対の反射電子検出器によって検出することと、上記1対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれL、Rとするとき、それぞれL及びRの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することと、を有する走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
  12. 請求項11記載の走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法において、
    上記試料からの2次電子を2次電子検出器によって検出することと、上記2次電子検出器からの輝度信号をSとするとき、それぞれL、R及びSの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することと、を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
  13. 請求項11記載の走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法において、
    上記L及びRの1次同次式は、任意の係数α(0≦α≦1)を用いて次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
    Lc=(L+R)/2+α・(L−R)
    Rc=(L+R)/2+α・(R−L)
  14. 請求項12記載の走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法において、
    上記L及びRの1次同次式は、任意の係数α(0≦α≦1)を用いて次の式によって表されることを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
    Lc=α・S+(1−α)・(L−R)
    Rc=α・S+(1−α)・(R−L)
  15. 請求項11又は12記載の走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法において、上記Lの調整値Lc及びRの調整値Rcによって生成された画像を1つの画面に同時に表示することと、を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
  16. 請求項11又は12記載の走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法において、上記1次同次式の係数αを設定するためのGUIを備えた画面を表示することと、を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いた画像生成方法。
  17. 観察方向に対して傾斜した方向から試料に照明光を照射する1対の斜方照明装置と、試料の光学像を撮像する撮像装置と、該撮像装置からの画像データを処理する画像処理手段と、上記画像データを入力して光学像を表示するディスプレイと、を有し、上記画像処理手段は、上記1対の斜方照明装置によって照明された試料の像の輝度信号をそれぞれL、Rとするとき、それぞれL及びRの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することを特徴とする光学式顕微鏡装置。
  18. 請求項17記載の光学式顕微鏡装置において、観察方向と同一方向から試料に照明光を照射する垂直照明装置を設け、上記画像処理手段は、上記垂直照明装置によって照明された試料の像の輝度信号をSとするとき、それぞれL、R及びSの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することを特徴とする光学式顕微鏡装置。
  19. 試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射系と、上記試料からの情報信号を検出する1対の検出器と、該1対の検出器からの画像データを処理する画像処理手段と、を有し、上記画像処理手段は、上記1対の検出器からの輝度信号をそれぞれL、Rとするとき、それぞれL及びRの1次同次式を用いてLの調整値Lc及びRの調整値Rcを演算することを特徴とする荷電粒子線装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732765B2 (en) 2006-11-17 2010-06-08 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5530959B2 (ja) * 2011-02-28 2014-06-25 株式会社アドバンテスト パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法
US9372078B1 (en) * 2014-06-20 2016-06-21 Western Digital (Fremont), Llc Detecting thickness variation and quantitative depth utilizing scanning electron microscopy with a surface profiler

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62183354A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Fujitsu Ltd 印字ヘツド保護回路
JPH06236746A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡
JP2001110351A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2002110079A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 電子線装置
JP2005338043A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Hitachi High-Technologies Corp 不良検査装置及び荷電粒子線装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643885B2 (ja) * 1984-05-25 1994-06-08 株式会社日立製作所 荷電粒子マイクロプロ−ブ装置
AT382388B (de) * 1985-03-08 1987-02-25 Voest Alpine Ag Vorrichtung zur vergasung von brennstoffen
JPH07122574B2 (ja) * 1986-07-25 1995-12-25 株式会社日立製作所 断面形状測定方法
US4912313A (en) * 1987-11-27 1990-03-27 Hitachi Ltd. Method of measuring surface topography by using scanning electron microscope, and apparatus therefor
JP2786207B2 (ja) * 1988-08-26 1998-08-13 株式会社日立製作所 走査型顕微鏡における表面形状算出方法
US4941980A (en) 1989-02-17 1990-07-17 Opal, Inc. System for measuring a topographical feature on a specimen
US6201240B1 (en) * 1998-11-04 2001-03-13 Applied Materials, Inc. SEM image enhancement using narrow band detection and color assignment
US6627886B1 (en) * 1999-05-14 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Secondary electron spectroscopy method and system
JP2002116161A (ja) 2000-10-05 2002-04-19 Jeol Ltd 検出パターンの凹凸判別装置、凹凸判別方法、パターン欠陥判別装置、およびパターン欠陥判別方法
WO2002049080A2 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Kla Tencor Corporation Method and apparatus for inspecting a substrate
JP3743319B2 (ja) * 2001-07-18 2006-02-08 株式会社日立製作所 欠陥検出方法及びその装置
US6930308B1 (en) * 2002-07-11 2005-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets
JP4137050B2 (ja) * 2004-03-18 2008-08-20 キヤノン株式会社 画像表示装置およびテレビジョン装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62183354A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Fujitsu Ltd 印字ヘツド保護回路
JPH06236746A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡
JP2001110351A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2002110079A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 電子線装置
JP2005338043A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Hitachi High-Technologies Corp 不良検査装置及び荷電粒子線装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732765B2 (en) 2006-11-17 2010-06-08 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope
US8188428B2 (en) 2006-11-17 2012-05-29 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope

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