JP2005310807A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁膜16に埋め込まれた銅配線26bと、銅配線26bの近傍の絶縁膜16に埋め込まれたCMP用のダミーパターン26cとを有する半導体装置において、ダミーパターン26cを構成する単位パターンを、単位面積あたり10〜25%の密度で形成する。これにより、ボトムアップ成長様式の電解めっきを用いる場合にも、オーバープレートによる銅膜表面の段差を低減するとともに、配線溝の埋め込みに必要とされる総めっき膜厚を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
M. Georgiadou, et al., "Simulation of Shaped Evolution during Electrodeposition of Copper in the Presence of Additive", J. Electrochem. Soc., Vol. 148, pp. C54-C58, 2001 S. Soukane, et al., "Feature Superfilling in Copper Electrochemical Deposition", J. Electrochem. Soc., Vol. 149, pp. C74-C81, 2002
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記配線溝及び前記複数の溝が形成された前記絶縁膜上に、電解めっきにより銅膜を形成する工程と、
CMPにより前記絶縁膜上の前記銅膜を除去し、前記配線溝に埋め込まれた銅配線と、前記複数の溝に埋め込まれたダミーパターンとを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記複数の溝を、単位面積あたり10〜25%の密度で形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記銅膜の形成に使用する電解めっき液においてオーバープレート量が最大となる幅に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する前記複数の溝を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記銅配線と同時に形成する最小配線幅の他の銅配線に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する前記複数の溝を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記銅膜を形成する工程では、前記配線溝の深さの2.5倍以下の膜厚の前記銅膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記銅膜を形成した直後における前記銅膜表面の段差は、前記配線溝の深さよりも低い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記複数の溝は、前記銅配線から20μmの範囲内に敷設する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記銅配線は、1μm以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記銅膜の形成に使用する電解めっき液は、光沢剤と、抑止剤とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ダミーパターンを構成する単位パターンは、単位面積あたり10〜25%の密度で形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記銅配線及び前記ダミーパターンは、電解めっきにより形成されたものであり、
前記単位パターンは、前記銅配線及び前記ダミーパターンの形成に使用する電解めっき液においてオーバープレート量が最大となる幅に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記ダミーパターンを構成する前記単位パターンは、前記絶縁膜に埋め込まれた最小配線幅の他の銅配線に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記ダミーパターンは、前記配線から20μmの範囲内に敷設されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記銅配線は、1μm以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置。
12,16…層間絶縁膜
14a,26a…細幅配線
14b,26b…太幅配線
18a,18b…配線溝
18c…溝
20…バリアメタル
22…シード層
24…Cu膜
26c…ダミーパターン
30…層間絶縁膜
32,34,36…配線溝
38…Cu膜
40…銅原子
100…絶縁膜
102…溝
104…バリアメタル
106…シード層
108…銅膜
Claims (10)
- 絶縁膜に、配線を埋め込むための配線溝と、前記配線溝の近傍に配置されたCMP用のダミーパターンを埋め込むための複数の溝とを形成する工程と、
前記配線溝及び前記複数の溝が形成された前記絶縁膜上に、電解めっきにより銅膜を形成する工程と、
CMPにより前記絶縁膜上の前記銅膜を除去し、前記配線溝に埋め込まれた銅配線と、前記複数の溝に埋め込まれたダミーパターンとを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記複数の溝を、単位面積あたり10〜25%の密度で形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記銅膜の形成に使用する電解めっき液においてオーバープレート量が最大となる幅に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する前記複数の溝を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線溝及び前記複数の溝を形成する工程では、前記銅配線と同時に形成する最小配線幅の他の銅配線に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する前記複数の溝を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記銅膜を形成する工程では、前記配線溝の深さの2.5倍以下の膜厚の前記銅膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記銅膜を形成した直後における前記銅膜表面の段差は、前記配線溝の深さよりも低い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の溝は、前記銅配線から20μmの範囲内に敷設する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、前記銅配線の近傍の前記絶縁膜に埋め込まれたCMP用のダミーパターンとを有する半導体装置であって、
前記ダミーパターンを構成する単位パターンは、単位面積あたり10〜25%の密度で形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記銅配線及び前記ダミーパターンは、電解めっきにより形成されたものであり、
前記単位パターンは、前記銅配線及び前記ダミーパターンの形成に使用する電解めっき液においてオーバープレート量が最大となる幅に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンを構成する前記単位パターンは、前記絶縁膜に埋め込まれた最小配線幅の他の銅配線に対して、80%以下又は170%以上の幅を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記配線から20μmの範囲内に敷設されている
ことを特徴とする半導体装置。
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