JP2005307191A - 電界プログラマブルフィルムをベースにしたメモリデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気活性部分に結合したポリマーを含む電界プログラマブルフィルムを本明細書において開示する。ポリマーおよびそのポリマーに結合している電気活性部分を含む組成物を基板上へ堆積する工程を含む電界プログラマブルフィルムの製造方法も本明細書において開示する。命令を実行するためのプロセッサ;および電界プログラマブルフィルムを含むメモリデバイスを含むデータ処理機であって、前記電界プログラマブルフィルムが電気活性部分に結合したポリマーを含み、さらに、前記メモリデバイスがその前記プロセッサと電気および/または光通信しているデータ処理機も本明細書において開示する。
【選択図】なし
Description
この実施例は、電子供与体として用いられる金ナノ粒子の合成を説明するものである。金ナノ粒子は、M.J.Hostetlerら、Langmuir、14(1998)17によって詳細に説明されている二相成長抑止法を用いて室温で合成した。典型的な合成では、50ミリリットル(mL)の水中の0.794グラム(g)(2ミリモル(mmol))のテトラクロロ金酸(HAuCl4・3H2O)を含有する水溶液を、3.0g(5.5mmol)の臭化テトラオクチルアンモニウムを含有するトルエン溶液80mLに添加した。その混合物を1時間激しく撹拌した。分離したトルエン溶液に、0.81g(4mmol)のドデカンチオール(DSH)を添加した。得られた混合物を室温で10分間撹拌した。その後、激しく撹拌しながら四水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)(20mmol)の水溶液50mLをその混合物に10秒かけて添加し、得られた混合物を1時間、室温で、さらに撹拌した。暗色のトルエン相を回収し、分液漏斗を用いて水で洗浄して、真空下でその容積を約90%減少させた。トルエン溶液を減少させたら、20から40ミリリットルのエタノールと混合することにより金ナノ粒子を沈殿させ、遠心分離を用いて分離した。その後、生成物をエタノールで、そして次にアセトンで交互に数回洗浄し、真空下で乾燥させた。この手順によって、小角X線散乱により測定して、ヘキサン溶媒中約1.37ナノメートル(nm)の回転半径を有する金ナノ粒子を生じた。
NaBH4溶液の添加およびその後の撹拌の間、低下させる温度を変えることによって、サイズが異なるナノ粒子を得た。NaBH4溶液の添加時間またはDSH対HAuCl4・3H2Oのモル比を変えることによっても、サイズが異なるナノ粒子を得た。結果を下の表2に要約する。
この実施例は、9−アントラセンメチルメタクリレートの合成を説明するものである。2リットルの三つ口丸底フラスコに、凝集器、滴下添加漏斗、メカニカルスターラーおよびガス挿入管を装備した。そのフラスコに、9−アントラセンメタノール(48.9グラム、0.235mol)を装填し、10分間、窒素でパージした。無水テトラヒドロフラン(300mL)、ピリジン(33mL)、およびトリエチルアミン(50mL)をそのフラスコに添加し、得られた溶液を0℃に冷却した。シリンジを用いて塩化メタクリロイル(工業グレード、37.5mL、40.1グラム、0.345mol)を添加漏斗に添加し、激しく撹拌されている溶液に1時間かけてゆっくりと一滴ずつ添加した。茶色がかった沈殿が生成し、凝集してグミ状の塊になり、それが、定期的に撹拌を妨げた。反応を0℃の温度で2時間保持し、その後、一晩かけて徐々に室温に温めた。水(400mL)で反応を停止させた。エチルエーテル(300mL)をフラスコに添加し、2リットルの分液漏斗の中で相を分離させた。有機相を、20%の塩酸(HCl)水溶液(400mL)、重炭酸ナトリウム(NaHCO3)飽和水溶液(800mL)、および塩化ナトリウム(NaCl)飽和水溶液(400mL)で順次洗浄した。有機相を硫酸ナトリウム(Na2SO4)で乾燥させて、濾過し、真空下で溶媒を除去した。得られた粗製生成物を、メタノール(MeOH)(400mL)を用いて二回分式で再結晶させた。
この実施例は、キノリン−8−イルメタクリレートの合成を説明するものである。典型的な合成は、9−アントラセンメタノールの代わりに8−ヒドロキシキノリン(34.1グラム、0.235mol)を用いたこと以外、実施例19と同様の方式で行った。
この実施例は、9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマーの合成を説明するものである。500mLの三つ口丸底フラスコに凝集器およびガス挿入管を装着し、15分間、窒素でパージした。その後、そのフラスコに120mLの脱気したテトラヒドロフラン(THF)、9−アントラセンメチルメタクリレート(ANTMA)(10.0グラム、36.2mmol)、および2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)(9.3mL、10.0グラム、76.8mmol)を装填した。この混合物に、1,1’−アゾビス−(シクロヘキサンカルボニトリル)(VAZO 88としてDu Pontから市販されているもの)(0.57グラム、2.33mmol、2.85重量%)を添加し、溶液を加熱して還流させた。24時間後、追加分のVAZO 88開始剤(0.89グラム、3.64mmol、4.45重量%)を添加し、混合物をもう24時間還流させた。その後、反応を室温に冷却し、THF溶液を、エチルエーテル中20容量パーセントのヘキサンを含有するヘキサン/エチルエーテル溶液500mLに注いで、ポリマーを沈殿させた。固体ポリマーを吸引濾過によって回収し、真空下で乾燥させて、19.5g(98%)を飛散性白色固体として生じた。
この実施例は、キノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマーの合成を説明するものである。この合成は、9−アントラセンメチルメタクリレートの代わりにキノリン−8−イルメタクリレート(7.71グラム、36.2mmol)を添加すること以外、実施例21と同様の方式で行う。
この実施例は、9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーの合成を説明するものである。この合成では、500mLの丸底枝付きフラスコ(「反応体レザバー」)にプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)(117.5グラム)、9−アントラセンメチルメタクリレート(46.0グラム、166mmol)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(6.82グラム、52.4mmol)、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(22.2グラム、89.4mmol)、およびt−アミルペルオキシピバレート(7.5グラム、39.8mmol)を装填した。フラスコにゴム製セプタムキャップをした。電子制御ポンプに接続した排出管を、セプタムキャップを通して挿入した。底にバルブが付いた1リットルの三つ口フラスコ(「反応容器」)に加熱マントル、加減抵抗器(スライダック)、フリードリッヒ・凝集器、メカニカルスターラー、クライゼンヘッド、サーマルプローブ(出力制御装置に接続した熱電対)、および窒素挿入口を装備した。そのフラスコにPGMEA(275グラム)を装填し、その後、温度を85℃に上昇させて、平衡させた。約120分の全反応体供給時間が達成されるようにPGMEAで予め流量を較正した電子制御ポンプ(SciLog製)を用いて、上記モノマー−開始剤溶液を約1.69mL/分の反応体供給速度で反応体レザバーから反応容器に供給した。供給が完了したら、反応を85℃の温度で30分間撹拌し、この時、脱気したt−アミルペルオキシピバレート(7.5グラム、27.5mmol)、およびPGMEA(25グラム)を約1.14mL/分の速度で反応に供給した。脱気したt−アミルペルオキシピバレートおよびPGMEAは、チェースとして供給したものであり、30分にわたって反応器に供給する。脱気したt−アミルペルオキシピバレートおよびPGMEAの供給が完了した後、反応を85℃の温度でもう1時間撹拌し、その後、室温に冷却して、好適な容器に移した。
この実施例は、キノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーを合成するために行われた。典型的な合成は、9−アントラセンメチルメタクリレートの代わりにキノリン−8−イルメタクリレート(35.4グラム、166mmol)を用いたこと、および全添加時間が120分になるように、反応体供給速度が約1.60mL/分であったこと以外は、実施例23と同様の方式で行った。
この実施例の配合物は、実施例21から得た9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマー(0.3グラム)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量50/50のブレンド(14.63グラム)と反応させることによって調製した。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。100ミリメートルの直径を有するシリコンウェハ上に配合物をスピンコーティングすることによって、試験メモリセルを製造した。シリコンウェハは、約0.0001〜約0.1Ω−cmの固有抵抗を有するp型ウェハであった。その後、そのシリコンウェハを110℃のホットプレートで60秒間ベークして、約20から約100nmの厚さを有するフィルムを得た。平均厚は、約50nmであった。その後、直径約0.5mm、厚さ約45nmのアルミニウムドットを、約10−6から5×10−5トールの圧力でシャドーマスクを通してそのフィルムの上面に熱で蒸着させた。アース端子として構成されたシリコンウェハおよび作業電極として構成されたアルミニウム電極を備えたKeithley 6517A電位計を用いて、電流電圧特性を測定した。全測定は、0.0Vから約7.0V、7.0Vから0.0V、および0.0から−7.0Vをスイープするように初期プログラムされたLab View ソフトウエア(Digital Instruments Corp.)を用いて制御した。その後、正および負電圧をスイープする間のセルのオーバードライブを回避するように、電圧範囲を調節した。オフ状態での電流は、一般に、約10ナノアンペア(nA)以下であり、一方、オン状態での典型的な電流は、約1マイクロアンペア(μA)以上であった。
この実施例の配合物は、実施例21からの9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマー(0.3グラム)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.101グラム)、1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)テトラヒドロイミダゾ[4,5−d]イミダゾール−2,5−ジオン(0.101グラム)、p−トルエンスルホン酸溶液(メトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量50/50のブレンド中、1重量%のp−トルエンスルホン酸の溶液、0.201g)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量50/50のブレンド(16.1グラム)を併せることによって調製する。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、ポリマーベースのフィルムを200℃のホットプレートで60秒間、2回ベークすること以外、実施例25におけるように製造し、試験する。
この実施例の配合物は、実施例22からのキノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマー(0.3グラム)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンのブレンド(14.63グラム)と併せることによって調製する。メトキシベンゼンと2−ヘプタノンは、1:1の比率で混合する。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、実施例25のものと同様の方式で製造し、試験する。
この実施例の配合物は、実施例22からのキノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレートコポリマー(0.3グラム)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.101グラム)、1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)テトラヒドロイミダゾ[4,5−d]イミダゾール−2,5−ジオン(0.101グラム)、p−ニトロベンジルトシレート溶液(0.201グラム)(メトキシベンゼンと2−ヘプタノンの1:1混合物中1重量%のp−ニトロベンジルトシレートを含むp−ニトロベンジルトシレート溶液)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの1:1混合物(16.1グラム)を併せることによって調製する。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、ポリマーベースのフィルムを200℃のホットプレートで60秒間、2回ベークすること以外、実施例25に記載したものと同様の方式で製造し、試験する。
この実施例の配合物は、PGMEAを含有する溶液中の実施例23からの9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマー(2.0gの溶液)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量1:1のブレンド(12.93グラム)と併せることによって調製した。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、ポリマーベースのフィルムを200℃のホットプレートで60秒間、2回ベークしたこと以外、実施例25におけるように製造し、試験した。
これらの各実施例の配合物は、表3に示されているような計量サイズのナノ粒子をほぼ同数生じるように、実施例23からの9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーの溶液2.0グラムを、金ナノ粒子(実施例2〜18から)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量1:1の混合物と併せることによって調製した。9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーの溶液は、PGMEA中、15重量%の9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーを構成していた。
PGMEAの溶液中の実施例24のキノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマー2.0グラムを、実施例1からの金ナノ粒子(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量1:1の混合物(12.93グラム)と併せた。キノリン−8−イルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーは、PGMEA中の溶液の15重量%を構成していた。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、ポリマーベースのフィルムを200℃のホットプレートで60秒間、2回ベークしたこと以外、実施例25におけるように製造し、試験した。
PGMEA中に15重量%の実施例23の9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーを含む溶液2.0グラムを、フェロセン(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量1:1の混合物(12.93グラム)と併せた。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、ポリマーベースのフィルムを200℃のホットプレートで60秒間、2回ベークしたこと以外、実施例25におけるものと同様の方式で製造し、試験した。この配合物の「オン」電流(ION)の電流は約10μA以上であった。
PGMEA中に15重量%の実施例23の9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーを含む溶液2.0グラムを、4,4’,5,5’−ビス(ペンタメチレン)テトラチアフルバレン(0.137グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの1:1混合物(12.44グラム)と併せた。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。試験メモリセルは、100ミリメートルの直径を有するシリコンウェハ上に配合物をスピンコーティングすることによって製造した。シリコンウェハは、約0.0001〜約0.1Ω−cmの固有抵抗を有するp型ウェハであった。その後、そのシリコンウェハを110℃のホットプレートで60秒間ベークして、約20から約100nmの厚さを有するフィルムを得た。平均厚は、約50nmであった。その後、直径約0.5mm、厚さ約45nmのアルミニウムドットを、約10−6から5×10−5トールの圧力でシャドーマスクを通してそのフィルムの上面に熱で蒸着させた。接地されたシリコンウェハおよび作業電極として構成されたアルミニウム電極を備えたKeithley 6517A電位計を用いて、電流電圧特性を測定した。全測定は、Digital Instruments Corporationから市販されているLab View ソフトウエアによって制御し、0.0Vから約7.0V、7.0Vから0.0V、および0.0から−7.0Vをスイープするように初期プログラムした。その後、正および負電圧をスイープする間のセルのオーバードライブを回避するように、電圧範囲を調節した。
この実施例の配合物は、実施例23からの9−アントラセンメチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートターポリマーを実施例1からの金ナノ粒子(0.075グラム)と併せることによって調製した。実施例3からのターポリマーを先ずPGMEAと混合して、15重量%のターポリマーを含む第一溶液を生成した。第一溶液の2.0グラムを、メトキシベンゼンと2−ヘプタノンの1:1混合物(12.93グラム)から成る溶媒中の実施例1からの金ナノ粒子と混合して、第二溶液を生成した。第二溶液を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。試験メモリセルは、100mmの直径を有するシリコンウェハ上に第二溶液をスピンコーティングすることによって製造した。シリコンウェハは、約0.0001〜約0.1Ω−cmの固有抵抗を有するp型ウェハであった。その後、ウェハを120℃のホットプレートで60秒間ベークして、約20から約100nmの厚さを有するフィルムを得た。平均フィルム厚は、約50nmであった。その後、直径約0.5mm、厚さ約45nmのアルミニウムドットを、約10−6から5×10−5トールの圧力でシャドーマスクを通してそのフィルムの上面に熱で蒸着させた。アースとして構成されたシリコンウェハおよび作業電極として構成されたアルミニウム電極を備えたKeithley 6517A電位計を用いて、電流電圧特性を測定した。全測定は、Lab View(National Instruments corporationから市販されている)ソフトウエアによって制御し、0.0Vから約7.0V、7.0Vから0.0V、および0.0から−7.0Vをスイープするように初期プログラムした。その後、正および負電圧をスイープする間のセルのオーバードライブを回避するように、電圧範囲を調節した。「オフ」状態での電流は、約10nA未満であり、一方、「オン」状態での電流は、約1μAより高かった。セルに約6Vで100ミリ秒間パルス入力し、その後、「オン」電流を測定しながら、4Vおよび10ミリ秒のパルス幅で繰り返しパルス入力した。各々の4Vパルスの後、100ミリ秒間、電圧を切った。約7000パルスの後、「オン」電流の有意な下落は、観察されなかった。
この実施例の配合物は、実施例50のものと同様の方式で調製した。配合物を実施例50のものと同様の方式で試験した。そのセルに約6Vで100ミリ秒間パルス入力し、その後、約5Hzの0から3V正弦波を用いてそのセルに「オン」状態で繰り返しストレスを加えた。「オン」電流は、ほぼ1000サイクルごとに測定する。約5×107サイクル後、「オン」電流の有意な下落は、観察されない。
試験セルは、30μ秒の立上がり時間、30μ秒の4V定電圧、30μ秒の立下がり時間、および約90μ秒のオフタイム(約5.556kHz)を有する0から4Vの台形波を用いて、そのセルに「オン」状態で繰り返しストレスを加えること以外、実施例51におけるように製造し、試験する。「オン」電流は、ほぼ1000サイクルごとに測定する。フィールドプログラマブルデバイスは、電圧の急激な変化による損傷を受けうる。電圧のそうした急激な上昇は、その項が基本周波数の倍数増加を伴う振幅の減少であるフーリエ級数として説明することができる。たとえば、方形波についてのフーリエ級数のほうが、電圧ランプを有する台形波についてのフーリエ級数よりゆっくりと集束する。所定の振幅については、方形波の高周波数成分のほうが、台形波のものより大きな振幅を有する。フィールドプログラマブルデバイスの容量性リアクタンスは、周波数に逆比例する。従って、高周波数フーリエ成分は、その振幅にほぼ比例する定量でそのデバイスに電流を通す傾向があることとなる。従って、台形波に見られるような、より長い立上がり時間信号を有するフィールドプログラマブルデバイスのプログラミングまたは読み出しでは、デバイスに通される電流が減少し、デバイスの疲労が低下するであろう。
この実施例の配合物は、実施例35の配合物を実施例44の配合物と1:1の重量比でブレンドすることによって調製する。ブレンドした配合物を実験室用ローラーで20分間かきまぜ、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。試験メモリセルは、100ミリメートル(mm)のシリコンウェハ上に本実施例の配合物をスピンコーティングして、110℃のホットプレートで60秒間ベークし、200℃のホットプレートで60秒間、二回目のベークを行って、約20から約100nmのフィルム厚を得ることにより製造する。平均フィルム厚は、約50nmである。その後、直径約0.5mm、厚さ約45nmのアルミニウムドットを、約10−6から5×10−5トールの圧力でシャドーマスクを通してそのフィルムの上面に熱で蒸着させる。アースとして構成されたシリコンウェハおよび作業電極として構成されたアルミニウム電極を備えたKeithley 6517A電位計を用いて、電流電圧特性を測定する。全測定は、0.0Vから約7.0V、7.0Vから0.0V、および0.0から−7.0Vをスイープするように初期プログラムされたLab View ソフトウエアにより制御した。その後、正および負電圧をスイープする間のセルのオーバードライブを回避するように、電圧範囲を調節した。
この実施例の配合物は、実施例29の配合物と実施例47の配合物を1:1の重量比でブレンドすることによって調製する。ブレンドした配合物を実験室用ローラーで20分間かきまぜ、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、実施例53におけるように製造し、試験する。
これらの実施例は、受容体部分を有するポリエステルバインダーの合成を説明するために行われた。すべての場合、試薬は、添加順序はほとんど考えずに最初に反応器に装填した。反応のセットアップは、メカニカルスターラー、温度制御器、温度プローブ、加熱マントル、凝集器、ディーン・シュタルクトラップおよび窒素パージ入口(スイープ)を装着した100ミリリットルもしくは250ミリリットルの三つ口丸底フラスコから構成された。各反応は、下の表3に示されている時間および温度まで加熱した。ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)がすべてのポリマーサンプルおよび溶液について行われ、下の表3に示されいているとおりの重量平均分子量および数平均分子量を決定した。すべての固体ポリマーをブーブナー漏斗内での濾過により回収して、空気乾燥させ、その後、真空下、約40から70℃の温度で乾燥させた。ワンポット調製のため、その後、溶融ポリマーを溶媒に溶解した。溶液のパーセントは、理論収量を基準にしたものである。個々の実施例各々に関する合成を下で詳細に論じる。
2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチル(24.33グラム、99.63mmol)、テレフタル酸ジメチル(19.44グラム、100.1mmol)、エチレングリコール(7.63グラム、123mmol)、グリセロール(7.29グラム、79.2mmol)、およびp−トルエンスルホン酸(PTSA)(0.46グラム、2.4mmol)を反応フラスコに装填した。反応条件を、下の表4に示す。得られたポリマーを、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル(HBM)、2−メトキシイソ酪酸メチル(MBM)、およびアニソールの混合物に10重量%の量で溶解させた。ここで重量パーセントは、ポリマーの全重量ならびにHBM、MBMおよびアニソールの重量を基準にしている。
2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチル(30.5グラム、125mmol)、テレフタル酸ジメチル(14.5グラム、74.7mmol)、エチレングリコール(7.20グラム、116mmol)、グリセロール(7.30グラム、79.3mmol)、およびPTSA(0.47グラム、2.5mmol)を反応フラスコに装填した。反応条件を、下の表4に示す。得られたポリマーを、テトラヒドロフルフリルアルコールとアニソールの混合物に10重量%の量で溶解させた。ここで重量パーセントは、ポリマーの全重量ならびにテトラヒドロフルフリルアルコールおよびアニソールの重量を基準にしている。
2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチル(47.70グラム、195.3mmol)、テレフタル酸ジメチル(25.90グラム、133.4mmol)、グリセロール(32.90グラム、357.2mmol)、PTSA(0.84グラム、4.4mmol)、およびアニソール(36グラム)を反応フラスコに装填した。反応条件を、下の表4に示す。得られたポリマーを、HBMとアニソールの混合物に10重量%の量で溶解した。ここで重量パーセントは、ポリマーの全重量ならびにHBMおよびアニソールの重量を基準にしている。
2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチル(25.61グラム、104.8mmol)、テレフタル酸ジメチル(13.58グラム、69.93mmol)、グリセロール(16.72グラム、181.5mmol)、PTSA(0.45グラム、2.4mmol)、およびアニソール(18.8グラム)を反応フラスコに装填した。反応条件を、下の表4に示す。得られたポリマーを、テトラヒドロフラン(THF)に溶解し、イソプロパノール(IPA)中で沈殿させて、36.9gのポリマーを収率83%で得た。得られたポリマーをHBMとアニソールの混合物に10重量%の量で溶解した。ここで重量パーセントは、ポリマーの全重量ならびにHBMおよびアニソールの重量を基準にしている。
実施例55〜58の各ポリマー溶液(0.3グラムのポリマーを含有する溶液3.0グラム)を、実施例1からの金ナノ粒子(0.093グラム)、グリコールウリル、1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)(0.070グラム)、p−トルエンスルホン酸(PTSA)溶液(ポリエチレングリコールメチルエーテル/シクロヘキサノン/2−ヒドロキシ酪酸メチルエステルの重量30/40/30のブレンド中、1%のPTSA溶液0.233g)、およびポリエチレングリコールメチルエーテル/シクロヘキサノン/2−ヒドロキシ酪酸メチルエステルの重量30/40/30のブレンド(12.11グラム)と併せる。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過する。試験メモリセルは、直径100mmのシリコンウェハ(p型、0.0001〜0.1Ω−cm)上に本実施例の配合物をスピンコーティングし、120℃のホットプレートで60秒間ベークして、約20〜100nm、典型的には約50nmのフィルム厚を得ることにより製造する。その後、直径約0.5mm、厚さ約45nmのアルミニウムドットを、約10−6から5×10−5トールの圧力でシャドーマスクを通してそのフィルムの上面に熱で蒸着させる。接地されたシリコンウェハおよび作業電極として構成されたアルミニウム電極を備えたKeithley 6517A電位計を用いて、電流電圧特性を測定する。全測定は、0.0Vから約7.0V、7.0Vから0.0V、および0.0から−7.0Vをスイープするように初期プログラムされたLab View ソフトウエア(National Instruments Corp.)を用いて制御する。その後、正および負電圧をスイープする間のセルのオーバードライブを回避するように、電圧範囲を調節する。
この実施例は、Co4(η5−C5H5)4(μ3−Te)4−シクロペンタジエニルコバルトテルル金属クラスタの合成を説明するために行われた。Co(η5−C5H5)(CO)2(2.0グラム、11.1mmol)を、マグネチック撹拌子およびコック付側枝を装備した500mLのフラスコに計り入れた。これに、250mLのトルエンおよび200メッシュのテルル粉末(5.0グラム、39.2mmol)を添加した。混合物を急速撹拌しながらアルゴン下で48時間還流させた。反応の経過とともに、この溶液の明るい赤橙色が、徐々に濃い赤褐色に変化した。管状ガラスレセプタクルをエポキシ接着剤で末端に固定した20ゲージの鋼管を有するフィルタ転送デバイスを用い、この熱反応混合物をワットマン No.2濾紙(この濾紙を前記デバイスに針金で留めた)に通して即座に濾過した。濾液が無色になるまで、残った固体を10mL分の熱トルエンで繰り返し洗浄し、続いて濾過した。このトルエン洗液を元の濾液と併せた。この粗製生成物溶液に、50mLのペンタンを添加した。得られた溶液を数時間、−15℃の温度に冷却した。冷却生成物溶液から、Co4(η5−C5H5)4(μ3−Te)4を黒色の結晶質固体として沈殿させ、今後、[CpCoTe]4と示す。この金属クラスタ系は、少なくとも4段階の酸化を受けて、0、+1、+2、+3および+4の電荷をそれぞれ有する安定な種を生じることができる電子供与体である。
この実施例は、Co4(η5−C5(CH3)5)4(μ3−Te)4−ペンタメチルシクロペンタジエニルコバルトテルル金属クラスタの合成を説明するために行われた。Co(η5−C5(CH3)5)(CO)2(3.0グラム、12.0mmol)をテルル粉末(200メッシュ、5.0グラム、39.2mmol)と反応させ、その粗製生成物溶液のトルエン溶媒を真空下でストリップしたこと以外は、実施例64の合成法を用いる。得られた固体Co4(η5−C5(CH3)5)4(μ3−Te)4は、そのまま用いるか、または最少量の熱トルエンに再び溶解し、−15℃の温度の冷凍器に入れて、Co4(η5−C5(CH3)5)4(μ3−Te)4の黒色結晶を生じた(今後、[PMCpCoTe]4と示す)。この金属クラスタ系は、少なくとも3段階の酸化を受けて、0、+1、+2および+3の電荷をそれぞれ有する安定な種を生じることができる電子供与体である。
この実施例では、実施例23のポリマー(PGMEA中の15重量%溶液、2.0グラム溶液)を、[CpCoTe]4(0.075グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量50/50のブレンド(12.93グラム)と併せた。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、実施例25におけるように製造した。
実施例23のポリマー(PGMEA中の15重量%溶液、2.0g溶液)を、[PMCpCoTe]4(0.10グラム)、およびメトキシベンゼンと2−ヘプタノンの重量50/50のブレンド(11.23グラム)と併せた。配合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この実施例の配合物を用いる試験メモリセルは、実施例25におけるように製造する。
100nmのシリカを伴う直径100ミリメートルのシリコンウェハをアルミニウムでコーティングした(シリコン約1重量%、厚さ45nm、圧力:約10−6から5×10−5トール)。ウェハを200℃のホットプレートで60秒間ベークし、その後、Shipley 1813 フォトレジストを塗布した。ウェハを100℃で60秒間、再びベークした。コーティング厚は、1.3マイクロメートルであった。そのレジストを1:1プロジェクションプリンタ内で露光し、その後、現像して、3マイクロメートルの最小構造寸法を有する公称ラインアンドスペースを得た。80重量%のH3PO4、5重量%のCH3COOH、5重量%のHNO3および10重量%のH2Oを含む溶液を用いるウエットエッチングによって、下にあるアルミニウムにパターン形成した。そのエッチングは、40℃で30から60秒間行った。その後、残留レジストをストリップして除去した。実施例29からの配合物をスピンコーティングして、110℃のホットプレートで60秒間ベークし、200℃のホットプレートで60秒間、二回目のベークを行って、約50nmの厚さを有するポリマー性フィルムを得た。約45nmの厚さのアルミニウム層をポリマー性フィルムの上面にコーティングした。Shipley 1813 フォトレジストを塗布し、100℃のホットプレートで60秒間ベークして、1.3マイクロメートルのコーティングを得た。そのレジストを1:1プロジェクションプリンタ内で露光し、現像して、上で詳述したものに対して実質的に直角な、3マイクロメートルの最小構造寸法を有するラインアンドスペースを得、120℃のホットプレートで60秒間ベークして、80重量%のH3PO4、5重量%のCH3COOH、5重量%のHNO3および10重量%のH2Oを有する配合物を用いるウエットエッチングによって、下にあるアルミニウムにパターン形成した。そのエッチングは、40℃で30から60秒間行った。フラッド暴露および現像により、残留レジストをストリップした。クロスポイント型アレイのテストパターンをこの方法で首尾よく製造した。
この実施例は、電極の少なくとも一つがフィルムに対して固定された位置にないフィールドプログラマブルフィルムのプログラミングを説明するものである。実施例25からの配合物を、約0.01Ω−cmの固定抵抗を有するp型シリコンウェハ上にスピンコーティングして、100℃で60秒間ベークし、200℃で60秒間、二回目のベークを行った。約0.5×0.5cm2のクーポンをそのコーティングされたウェハから切り出し、磁気基板上にポリマー側を上にして、少量の銀ペーストを用いてマウントして、チタンコートされたチップ、そのチップにDCバイアス電圧を印加することができる電圧源、およびその電圧を印加した時、そのチップを通る電流を測定するピコアンメーターを装備したDigital Instruments Multimode 3A 走査型プローブ顕微鏡内に配置した。そのフィールドプログラマブルフィルムに幅約3μm、長さ約10μmの長方形のパターンを作るように、10Vバイアスと接触モードでそのフィールドプログラマブルフィルムを横断してそのチップをラスターした。4Vのバイアス電圧を印加し、電流をモニターしながら元の長方形パターンに対して垂直方向に幅約3μm、長さ10μmの長方形ラスターパターンをスイープすることによって、そのフィールドプログラマブルフィルムを読み出しした。以前に電界に付された領域は、以前に電界に付されていない領域のものに比べて10倍を超える高い電流を典型的に示す。あるいは、フィールドプログラマブルフィルムは、そのフィルムの表面に10Vバイアス電圧または0Vバイアス電圧を有するチップをタップし、その後、そのチップをそのフィルムに対して動かすことによって、ポイント毎にプログラムした。そのポイント毎のプログラマブルフィルムの読み出しは、バイアス電圧が印加されていることもあり、またはされていないこともある場所で電流を測定することにより遂行した。いずれの場合も、予め書き込まれたフィルムに約−5から約−10Vの負のバイアス電圧を印加して、そのプログラミングを消去した。
試験メモリセルを、次のように調製する:ほぼ同じ重量部のグルタル酸ジメチル、コハク酸ジメチルおよびアジピン酸ジメチルを有する溶媒(以後、DBEと呼ぶ)92g中の、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシランおよびジメチルジエトキシシランの供給流を基準にして約41、56および3モル%の組成のフェニル、メチルおよびジメチルシロキサン基でランダムに置換されたシルセスキオキサンバインダーポリマー(Technoglass corporationから商品名GR150Fで販売されているもの)の10%溶液を、DBE溶媒中の粒径約29nmのCuOナノ粒子(Nanophase CorporationによりU1102DBEとして販売されているもの)の43重量%懸濁液4.0g、およびDBE溶媒中の粒径約30nmのアンチモン錫酸化物ナノ粒子(Sb/Snのモル比は、約1.9である)(Nanophase CorporationによりS1222DBEとして販売されているもの)の50.7%懸濁液4.0gをブレンドする。得られたブレンドを、実験室用ローラーを用いてビンの中で一晩回転させ、約200nmの孔径を有するポリエチレンフィルタ膜に通して濾過する。得られた混合物を、約0.001〜1.0Ω−cmの固有抵抗を有する100mmシリコンウェハ上に、500〜5000rpmのスピン速度でスピンコーティングして、約100nmの厚さを得る。コーティングされたウェハをまず120℃のホットプレートで60秒間ベークし、その後、第二のホットプレートに移して200℃で60秒間ベークする。直径0.2mmのアルミニウムパッドをそのコーティングされたウェハ上に蒸着し、その材料をプローブステーションに固定して、上に記載したように試験する。
バインダーポリマーが、近似的実験式HSiO1.5を有するヒドリドシルセスキオキサンであること以外は、実施例69の試験メモリセルを製造する。
配合物の成分が、重量%量で下に与えるとおりであることを以外は、実施例69の試験メモリセルを製造する:
アンチモン錫酸化物ナノ粒子の懸濁液の代わりに、DBE中のインジウム錫酸化物の同様の懸濁液を用いること以外、実施例71〜81の試験メモリセルを製造し、試験する。
酸化銅ナノ粒子の懸濁液の代わりに、DBE中の非化学量論的硫化銅の同様の懸濁液を用いること以外、実施例71〜81の試験メモリセルを製造し、試験する。
この例では、ポリメチルメタクリレートを金粒子と混合した。254,000グラム/モルの重量平均分子量および約1.1以下の多分散性指数を有するポリメチルメタクリレート0.3グラムを、実施例1からの金ナノ粒子(0.1グラム)、8−ヒドロキシキノリン(0.1グラム)、およびo−ジクロロベンゼン(16.17グラム)と併せた。金粒子は、ポリメチルメタクリレートに共有結合させなかった。8−ヒドロキシキノリンも、ポリメチルメタクリレートに共有結合させなかった。その混合物を実験室用ローラーで一晩かきまぜて成分を溶解し、約10分間、超音波浴内で超音波処理して、0.2マイクロメートルの膜フィルタに通して濾過した。この例の配合物を用いる試験メモリセルは、そのポリマーフィルムを80℃のホットプレートで30分間ベークすること以外、実施例25におけるように製造し、試験した。作業セルは、実施例25のものと同様のパラメータで得られる。
比較例104の配合物を用いて、実施例25におけるように試験メモリセルを製造した。作業セルは得られなかった。これはおそらくほとんどの8−ヒドロキシキノリンがベーク段階中にフィルムから蒸発したためである。
100nmのシリカを伴う直径100mmのシリコンウェハをアルミニウムでコーティングした(シリコン約1重量%、厚さ45nm、および約10−6から5×10−5トールの圧力)。ウェハを200℃のホットプレートで60秒間ベークして、Shipley 1813フォトレジストを塗布し、100℃で60秒間ベークして、1.3マイクロメートルのコーティングを得た。レジストを1:1プロジェクションプリンタ内で露光し、現像して、3マイクロメートルの最小構造寸法を有する公称ラインアンドスペースを得、標準的なエッチング化学を用いるウエットエッチングによって、下にあるアルミニウムにパターン形成した。残留レジストをストリップした。先ず、実施例56からの配合物をスピンコーティングし、その後、80℃のホットプレートで30秒間ベークして、約50nmの厚さのポリマーベースのフィルムを得た。約45nmの厚さを有するアルミニウムをポリマーベースのフィルムの上面にコーティングした。Shipley 1813 フォトレジストを塗布し、100℃のホットプレートで60秒間ベークして、1.3マイクロメートルのコーティングを得た。レジストを1:1プロジェクションプリンタ内で露光し、現像して、上で詳述したものに対して実質的に直角な、3マイクロメートルの最小寸法を有するラインアンドスペースを得、その後、120℃のホットプレートで60秒間ベークした。最後のベーク段階の後、アルミニウムラインの下で有意な泡立ちが観察された。この泡立ちは、上のポリマーベースのフィルムのガス放出によって生ずるようであり、また試験可能な作業セルの製造の成功が難しいように見えるほどの欠陥を生じる。
3 第一電極
4 第二電極
5 可変プログラム/読み出し電圧源
6 対照またはアース
7 ワード線8とビット線9の交点(連続電界プログラマブルフィルム)
8 ワード線のアレイ
9 ビット線のアレイ
10 電界プログラマブルフィルム素子
11 ピクセル化電界プログラマブルフィルム素子
12 ワード線
13 ビット線
14 電気連結素子
16 電界プログラマブルフィルム
17、24 ビット線
18、25 ワード線
19、20 連結部
21、30 検出電子部品
22、29 ポーリング電子部品
23 電界プログラマブルフィルム素子
27 分離ダイオード
31 基板31
32、35、38、41 導電性もしくは半導電性電極
33、36、39、42 絶縁材
34、40 電界プログラマブルフィルム
37 誘電体絶縁層
43 基板
44、48、51、55 導電性もしくは半導電性ライン
45、52 導電性または半導電性材料
46、53 電界プログラマブルフィルム
47、49、54、56 絶縁体
50 分離フィルム
57 基板
58、62、66、70 導電性もしくは半導電性ライン
59、65、67 導電性または半導電性材料
60、64、68、 電界プログラマブルフィルム
61、63、69、71 絶縁体
72 p型半導体72
73 垂直n+ビット線
74 p+ゾーン
75 パターン化マトリックス
76 電界プログラマブルフィルム素子
77 導電性または半導電性ワード線
Claims (16)
- 電気活性部分に結合したポリマーを含む電界プログラマブルフィルム。
- 電気活性部分が、電子供与体および/または電子受容体および/または供与体−受容体錯体である、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 電気活性部分が、ピレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、ペンタセン、トリフェニレン、トリプチセン、フルオレノン、フタロシアニン、テトラベンゾポルフィン、2−アミノ−1H−イミダゾール−4,5−ジカルボニトリル、カルバゾール、フェロセン、ジベンゾカルコフェン、フェノチアジン、テトラチアフルバレン、ビスアリールアゾ基、クマリン、アクリジン、フェナジン、キノリン、イソキノリン、ペンタフルオロアニリン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、テトラシアノキノジメタン、または前記電気活性部分の少なくとも一つを含む組合せである、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 電気活性部分が、官能基、分子、ナノ粒子または粒子である、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 電気活性部分が、金属、金属酸化物、メタロイド原子、半導体原子、または前記の少なくとも一つを含む組合せを含むナノ粒子である、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- ポリマーが、2〜1000の誘電率を有する、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- ポリマーが、ポリアセタール、ポリ(メタ)アクリルもしくはポリアクリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリアリーレート、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリベンゾシクロブテン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリベンゾオキサゾール、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジノフェノチアジン、ポリベンゾチアゾール、ポリピラジノキノキサリン、ポリピロメリットイミド、ポリキノキサリン、ポリベンズイミダゾール、ポリオキシインドール、ポリオキソイソインドリン、ポリジオキソイソインドリン、ポリトリアジン、ポリピリダジン、ポリピペラジン、ポリピリジン、ポリピペリジン、ポリトリアゾール、ポリピラゾール、ポリカルボラン、ポリオキサビシクロノナン、ポリジベンゾフラン、ポリフタリド、ポリアセタール、ポリ無水物、ポリビニルエーテル、ポリビニルチオエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルケトン、ポリビニルハライド、ポリビニルニトリル、ポリビニルエステル、ポリスルホネート、ポリスルフィド、ポリチオエステル、ポリスルホン、ポリスルホンアミド、ポリウレア、ポリホスファゼン、ポリシラザン、ポリシロキサン、または前記ポリマーの少なくとも一つを含む組合せである、請求項1または2に記載の電界プログラマブルフィルム。
- ポリマーが、架橋されている、請求項1に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 電極が電界プログラマブルフィルムと電気的に接触しており、かつ電極位置が電界プログラマブルフィルムに対して固定されているか、または電極が電界プログラマブルフィルムに対してその位置を変えることができる、請求項1から8のいずれか一項に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の電界プログラマブルフィルムを含むメモリデバイス。
- 請求項10に記載のメモリデバイスを含む機械。
- ポリマーおよびそのポリマーに結合している電気活性部分を含む組成物を基板上に堆積させることを含む、電界プログラマブルフィルムの製造方法。
- ポリマーを架橋させることをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 命令を実行するプロセッサ、および
電界プログラマブルフィルムを含むメモリデバイス
を含むデータ処理機であって、前記電界プログラマブルフィルムが、電気活性部分に結合したポリマーを含み、さらに、前記メモリデバイスが、前記プロセッサと電気的におよび/または光学的に通信しているデータ処理機。 - 接合ダイオード、接触ダイオード、MOSトランジスタのソース、MOSトランジスタのドレーン、MOSトランジスタのゲート、バイポーラトランジスタのベース、バイポーラトランジスタのエミッタ、またはバイポーラトランジスタのコレクタである分離素子を介して、電極が電界プログラマブルフィルムと電気的に接触している、請求項9に記載の電界プログラマブルフィルム。
- 書き込みパルスに対するパルスのバイアスが順方向バイアスまたは逆方向バイアスから選択されることを特徴とする、充分な大きさと持続時間のパルスによって、電界プログラマブルフィルムが「オフ」に切り替えられる、請求項9に記載の電界プログラマブルフィルム。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008041728A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sony Corp | 電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ |
JP2008118022A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
JP2008182193A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子及びその作製方法、半導体装置 |
WO2009069252A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
CN109690802A (zh) * | 2016-06-28 | 2019-04-26 | 陶氏杜邦专业电子材料美国公司 | 用来制备有机电荷传输膜的方法 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1434232B1 (en) * | 2001-08-13 | 2007-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory cell |
US20040031167A1 (en) * | 2002-06-13 | 2004-02-19 | Stein Nathan D. | Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife |
US20060249370A1 (en) * | 2003-09-15 | 2006-11-09 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device |
US20050212022A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Greer Edward C | Memory cell having an electric field programmable storage element, and method of operating same |
DE102004037150B4 (de) * | 2004-07-30 | 2006-08-24 | Infineon Technologies Ag | Resistiv arbeitende Speicherzelle für Low-Voltage-Anwendungen und Verfahren zu deren Herstellung |
US7344913B1 (en) * | 2005-04-06 | 2008-03-18 | Spansion Llc | Spin on memory cell active layer doped with metal ions |
US20070007585A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Spansion Llc | Memory device with improved data retention |
US20070009821A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Charlotte Cutler | Devices containing multi-bit data |
US7935957B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and a semiconductor device |
JP2007073969A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法 |
KR100654361B1 (ko) * | 2005-09-15 | 2006-12-08 | 한양대학교 산학협력단 | 고분자 박막 내에 형성된 나노 결정체를 사용한 비휘발성고분자 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법 |
EP1788436B1 (en) * | 2005-11-16 | 2013-01-09 | Shin-Etsu Chemical Company, Ltd. | Rework process for photoresist film |
KR101167737B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2012-07-23 | 삼성전자주식회사 | 저항변화형 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
US8454810B2 (en) | 2006-07-14 | 2013-06-04 | 4D-S Pty Ltd. | Dual hexagonal shaped plasma source |
US20080032049A1 (en) * | 2006-07-29 | 2008-02-07 | Lex Kosowsky | Voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles |
JP2008077817A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-04-03 | Rohm & Haas Co | 情報の書き込みおよび読み取り方法ならびにそれに基づく装置 |
DE602007014165D1 (de) * | 2006-11-03 | 2011-06-09 | Danfoss As | Dielektrischer Verbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Verbundwerkstoffs |
KR100842730B1 (ko) * | 2007-01-16 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 멀티 비트 전기 기계적 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
KR100818239B1 (ko) * | 2007-04-09 | 2008-04-02 | 한국과학기술원 | 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그동작방법 |
US8084765B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-27 | Xerox Corporation | Electronic device having a dielectric layer |
TWI339895B (en) * | 2007-05-09 | 2011-04-01 | Ind Tech Res Inst | Organic non-volatile memory material and memory device utilizing the same |
CN101330128B (zh) * | 2007-06-18 | 2010-08-25 | 财团法人工业技术研究院 | 有机非易失性存储材料及存储器件 |
US7884342B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-02-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory bridge cell |
GB0721527D0 (en) * | 2007-11-02 | 2007-12-12 | P2I Ltd | Filtration Membranes |
US7692959B2 (en) | 2008-04-22 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Multilayer storage class memory using externally heated phase change material |
IT1392754B1 (it) * | 2008-12-18 | 2012-03-16 | St Microelectronics Srl | Nanoarray ad incrocio con strato organico attivo anisotropico |
US8064247B2 (en) * | 2009-01-14 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Rewritable memory device based on segregation/re-absorption |
US8213224B2 (en) | 2009-11-23 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | High density low power nanowire phase change material memory device |
CN102074648B (zh) * | 2009-11-24 | 2015-04-15 | 清华大学 | 压电元件及其制备方法 |
KR101361658B1 (ko) | 2009-12-04 | 2014-02-21 | 한국전자통신연구원 | 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
TWI407607B (zh) * | 2010-01-22 | 2013-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 壓電元件及其製備方法 |
WO2013177539A1 (en) | 2012-05-24 | 2013-11-28 | University Of Utah Research Foundation | Compounds, sensors, methods, and systems for detecting gamma radiation |
JP2014027185A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置 |
WO2014117161A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Electromechanical device |
SG11201509373YA (en) | 2013-06-06 | 2015-12-30 | King Abdullah University Of Science And Technlology | Triptycene-based dianhydrides, polyimides, methods of making each, and methods of use |
GB2517755A (en) | 2013-08-30 | 2015-03-04 | Ibm | State-changeable device |
JP2015111054A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子及びその製造方法 |
KR101482723B1 (ko) * | 2014-03-07 | 2015-01-15 | 한양대학교 산학협력단 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US9858111B2 (en) * | 2014-06-18 | 2018-01-02 | Empire Technologies Development Llc | Heterogeneous magnetic memory architecture |
EP3165511B1 (en) * | 2015-11-03 | 2018-08-08 | The State Scientific Institution "Institute of Chemistry of New Materials of National Academy of Sciences of Belarus" | Method for producing a polymer film with a high concentration of silver nanoparticles |
GB2545264B (en) * | 2015-12-11 | 2020-01-15 | Advanced Risc Mach Ltd | A storage array |
CN108780842A (zh) * | 2016-03-23 | 2018-11-09 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于制造存储器的方法、存储器以及该存储器的应用 |
DE112017003257T5 (de) * | 2016-06-30 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonverter mit einem polysiloxanmaterial, herstellungsverfahren und ihn enthaltende festkörperbeleuchtungsvorrichtung |
US10418084B2 (en) * | 2017-02-07 | 2019-09-17 | Micron Technology, Inc. | Pre-writing memory cells of an array |
KR102355285B1 (ko) | 2017-07-14 | 2022-01-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접촉 감응 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
SG11202003664TA (en) | 2017-11-30 | 2020-05-28 | Arrakis Therapeutics Inc | Nucleic acid-binding photoprobes and uses thereof |
CN108417709B (zh) * | 2018-02-05 | 2020-03-20 | 复旦大学 | 一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法 |
US11538523B2 (en) * | 2018-08-17 | 2022-12-27 | Tetramem Inc. | Crossbar array with reduced disturbance |
CN112704491B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-01-28 | 华南理工大学 | 基于姿态传感器和动捕模板数据的下肢步态预测方法 |
US20220254799A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device and operation method thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60203608A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 電導性重合体の製造法 |
DE69232758T2 (de) * | 1991-03-26 | 2003-02-06 | Fujitsu Ltd | Organische, funktionnelle, dünne Schicht, Herstellung und Verwendung |
US5238607A (en) * | 1992-02-28 | 1993-08-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoconductive polymer compositions and their use |
US6208553B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | High density non-volatile memory device incorporating thiol-derivatized porphyrins |
EP1434232B1 (en) * | 2001-08-13 | 2007-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory cell |
US6812309B2 (en) * | 2002-01-08 | 2004-11-02 | Rohm And Haas Company | Digitally encoded polymers |
JP2004047791A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置 |
US7274035B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-09-25 | The Regents Of The University Of California | Memory devices based on electric field programmable films |
-
2005
- 2005-03-16 CA CA002500938A patent/CA2500938A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-19 EP EP05251695A patent/EP1580825B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2005-03-24 KR KR1020050024434A patent/KR100687187B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008041728A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sony Corp | 電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ |
JP2008118022A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
US7755093B2 (en) | 2006-11-07 | 2010-07-13 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
JP4577695B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2010-11-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
JP2008182193A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子及びその作製方法、半導体装置 |
US8841642B2 (en) | 2006-11-17 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and method for manufacturing the same, and semiconductor device |
WO2009069252A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JPWO2009069252A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2011-04-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
US8384061B2 (en) | 2007-11-29 | 2013-02-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device and manufacturing method |
CN109690802A (zh) * | 2016-06-28 | 2019-04-26 | 陶氏杜邦专业电子材料美国公司 | 用来制备有机电荷传输膜的方法 |
JP2019520455A (ja) * | 2016-06-28 | 2019-07-18 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 有機電荷輸送フィルムを作製するためのプロセス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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