JP2005285289A - 半導体装置のテスト方法及びテスト装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板に形成された溝内に絶縁膜が埋設された溝型素子分離絶縁膜を備える半導体装置において、溝型素子分離絶縁膜上に形成されるコントロールゲートCGとウェルWELLとの間に高電圧を印加するために正電圧源10,負電圧源20,第1選択回路30,第2選択回路40,制御回路50を備える。不良部分は短時間の高電圧印加によって絶縁膜破壊が生じるため、その後の半導体装置の通常動作によって生じる動作不良を検査することで半導体装置の不良が判り、テスト時間を短縮することができる。
【選択図】 図2
Description
20 負電圧チャージポンプ
30 第1選択回路
31 第1出力端子
40 第2選択回路
41 第2出力端子
50 制御回路
101 半導体基板
102 トンネル酸化膜
103 フローティングゲート膜
106 溝
107 容量絶縁膜
108 コントロールゲート膜
111 絶縁膜
M メモリセル
MA メモリセルアレイ
CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
WELL ウェル
VOUT1 第1出力電圧
VOUT2 第2出力電圧
Claims (14)
- 半導体基板に形成された溝内に絶縁膜が埋設された溝型素子分離絶縁膜を備える半導体装置をテストする方法であって、前記溝型素子分離絶縁膜上に形成される電極と前記半導体基板との間に前記溝内において前記電極と前記半導体基板との間に介在される絶縁膜を破壊することが可能な高電圧を印加することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
- 前記高電圧は半導体装置の通常の動作時に前記溝型素子分離絶縁膜に印加される電圧以上の電圧であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のテスト方法。
- 前記半導体装置は、前記溝型素子分離絶縁膜上に薄い容量絶縁膜を介して形成されるコントロールゲートを備える不揮発性メモリ装置であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置のテスト方法。
- 前記コントロールゲートと前記半導体基板との間に、前記不揮発性メモリ装置にデータを書き込むときと同じ極性で高電圧を印加することを特徴とする請求項2または3のいずれかに記載の半導体装置のテスト方法。
- 前記正電圧と負電圧は、前記不揮発性メモリにデータを書き込み、あるいはデータを消去する際に印加する正電圧と負電圧を利用することを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置のテスト方法。
- 前記高電圧を印加した後に、前記不揮発性メモリに対するデータの読み出し又は消去を行い、その読み出し不良又は消去不良を検出して前記半導体装置の良、不良を検査することを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の半導体装置のテスト方法。
- 半導体基板に形成された溝内に絶縁膜が埋設された溝型素子分離絶縁膜を備える半導体装置において、前記溝型素子分離絶縁膜上に形成される電極と前記半導体基板との間に高電圧を印加する高電圧印加手段とを備えることを特徴とする半導体装置のテスト装置。
- 前記半導体装置は不揮発性メモリであり、前記高電圧印加手段は前記不揮発性メモリのデータ書き込み、消去等を行うための正電圧源と負電圧源とを備えて構成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置のテスト装置。
- 前記正電圧源と負電圧源の各出力電圧を選択して前記電極と前記半導体基板との間に印加する選択手段を備えることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体装置のテスト装置。
- 少なくとも半導体装置に入力されるテストモード信号に基づいて前記選択手段での選択動作を制御するための制御回路を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置のテスト装置。
- 前記電極は不揮発性メモリのコントロールゲートであり、前記選択手段はテストモード時に前記コントロールゲートに正電圧を印加し、前記半導体基板に負電圧を印加するように選択動作する構成であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置のテスト装置。
- 前記制御回路は、テストモード時に前記選択手段を制御して前記不揮発性メモリのデータ消去時に選択される前記正電圧と負電圧を切り替える構成であることを特徴とする請求項7ないし11のいずれかに記載の半導体装置のテスト装置。
- 前記正電圧源と前記負電圧源の少なくとも一方に、前記書き込み時又は消去時よりも高い高電圧を生成する手段を備えていることを特徴とする請求項7ないし12のいずれかに記載の半導体装置のテスト装置。
- 前記コントロールゲートに印加する電圧を全てのメモリセルに対して一括して供給する手段を備えることを特徴とする請求項11ないし13のいずれかに記載の半導体装置のテスト装置。
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