JP2005203732A - 冷却器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 加工費低減が可能な冷却器を提供する。
【解決手段】 隣接するチューブ1間に電子部品6が保持された冷却器において、チューブ1は、プレス成形にて所定形状に加工されたプレート1a、1b1a、1bの縁部を接合して形成され、熱交換を促進するフィン5がチューブ1内に配置されている。チューブ1を押し出し加工で製造する場合に存在していた内壁をなくすことができるため、内壁の除去加工が不要になり、加工費を低減することができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 隣接するチューブ1間に電子部品6が保持された冷却器において、チューブ1は、プレス成形にて所定形状に加工されたプレート1a、1b1a、1bの縁部を接合して形成され、熱交換を促進するフィン5がチューブ1内に配置されている。チューブ1を押し出し加工で製造する場合に存在していた内壁をなくすことができるため、内壁の除去加工が不要になり、加工費を低減することができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、電子部品を冷却する冷却器に関するもので、特にハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型電子部品を冷却する冷却器として好適である。
従来、半導体モジュール(電子部品)を水冷式の冷却器に取り付けて冷却するものが知られている。また、両面冷却型半導体装置としては、特許文献1で提案されている。この特許文献1に示された装置は、冷却水の通路を有するチューブと両面冷却型半導体モジュールとを交互に積層し、これを挟圧部材でセットする構成となっている。隣接するチューブ同士は、隣接するチューブ間に配置されたベローズ(連結手段)で連結され、各チューブには、冷却水の通路とベローズの内部とを連通させる連通穴が形成されている。
特開2002−26215号公報
しかしながら、特許文献1の装置のように、チューブを押し出し加工で製造する場合、図16に示すように、熱交換を促進するためおよび強度確保のためにチューブ1内には内壁1xが形成され、その内壁1xは押し出し方向全域に存在する。そして、チューブ1とベローズを接合する部位、すなわち連通穴11形成部位においては、押し出し加工後にチューブ1の内壁1xの除去加工が必要であり、この加工費がコストアップにつながっている。さらに押出チューブ1においては、サイドキャップが必要であり、この点もコストアップになっている。
本発明は上記点に鑑みて、加工費低減が可能な冷却器を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、冷却流体が流れる流体通路(10)が内部に形成されるとともに、流体通路(10)内での冷却流体の流れ向き(X)に対して直交する方向に所定間隔を隔てて積層された複数のチューブ(1)と、隣接するチューブ(1)間に配置されて隣接するチューブ(1)同士を連結する連結手段(2)とを備え、チューブ(1)には、流体通路(10)と連結手段(2)の内部とを連通させる連通穴(11)が形成され、隣接するチューブ(1)間に電子部品(6)が保持される冷却器において、チューブ(1)は、プレス成形にて所定形状に加工されたプレート(1a、1b、1c)の縁部を接合して形成され、熱交換を促進するフィン(5)がチューブ(1)内に配置されていることを特徴とする。
これによると、チューブを押し出し加工で製造する場合に存在していた内壁をなくすことができるため、内壁の除去加工が不要になる。さらに、押出チューブで存在していたサイドキャップをなくしても、チューブの封止が可能となる。また、プレートの板厚を薄くすることができるため、連通穴の穴開け加工が容易になる。したがって、加工費を低減することができる。
さらに、チューブのみならずフィンもプレス成形で形成できるため、簡単な製造工程になり製造コストを低減することが出来る。
請求項2に記載の発明では、板ばねによって挟圧する場合に半導体モジュールにダメージ(回路破壊等)を与えることなくフィンが弾性変形もしくは座屈することができる。実験の結果、この場合のフィンの厚みは0.4mm以下であった。
請求項3に記載の発明では、フィン(5)はチューブ(1)に接合され、フィン(5)におけるチューブ(1)に接合される部位が円弧状であることを特徴とする。
これによると、フィンにおけるチューブに接合される部位が円弧状であることと、チューブおよびフィンを薄肉にできることとが相俟って、チューブ間に電子部品を保持したときにチューブが変形しやすく、したがって、チューブと電子部品との当たり面がなじみやすくなり、密着性が向上する。それにより、接触熱抵抗を低減することができる。
請求項4に記載の発明では、チューブ(1)の積層方向(Y)に見たときに、フィン(5)は連通穴(11)と重ならない位置に設置され、チューブ(1)の積層方向(Y)に見たときに、電子部品(6)はフィン(5)の設置範囲内にあることを特徴とする。
これによると、チューブ内全域にフィンが存在する場合と比較し、余分な部分にフィンがないために、その分、圧力損失を低減することができる。
請求項5に記載の発明では、フィン(5)は1つのチューブ(1)内に複数個配置されるとともに、流体通路(10)内での冷却流体の流れ向き(X)に沿ってすき間(δ)を設けて設置されていることを特徴とする。
これによると、フィンを1つのチューブ内に複数個配置しているため、電子部品の発熱量等に応じて、熱交換性能が異なるフィンを使い分けすることが出来る。
また、すき間を設けることで、その間で冷却流体の速度境界層がクリアにされ、冷却流体の温度境界層がなくなるため、すき間よりも下流側の電子部品を冷却する能力が向上する。因みに、請求項6に記載の発明のように、すき間(δ)は1mm以上が効果的である。
請求項7に記載の発明のように、連通穴(11)をプレス成形にて形成することにより、加工費を低減することができる。
請求項8に記載の発明のように、チューブ(1)は、2枚のプレート(1a、1b)を接合したものでもよい。また、請求項9に記載の発明のように、チューブ(1)は、1枚のプレート(1c)を折り曲げて接合したものでもよい。
請求項10に記載の発明では、連結手段(2)はベローズであることを特徴とする。これによると、ベローズの伸縮により、電子部品の厚みに応じて隣接するチューブ間の寸法を変化させることができる。
請求項11に記載の発明では、フィン(5)は、流体通路(10)を複数の細流路に分割する波板状のフィンであり、フィン(5)の高さ(hf)が、細流路におけるチューブ高さ方向中央部位置でのフィン流路幅(wf)よりも大きいことを特徴とする。
これによると、フィンの伝熱面積が大きくなり冷却性能が高くなる。因みに、請求項12に記載の発明のように、フィン流路幅(wf)を1.2mm以下とするのが望ましく、また、請求項13に記載の発明のように、フィン(5)の高さ(hf)を1〜10mmとするのが望ましい。
請求項14に記載の発明では、フィン(5)の板厚(tf)が、プレート(1a、1b、1c)の板厚(tp)よりも小さいことを特徴とする。
これによると、電子部品を加圧して電子部品をプレート表面(チューブ表面)により密着するようにした時に、プレートよりもフィンが変形し易いため、電子部品とプレート表面がなじみやすくなり、接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
因みに、請求項15に記載の発明のように、フィン(5)の板厚(tf)を0.03〜1.0mmにするのが望ましく、また、請求項16に記載の発明のように、プレート(1a、1b、1c)の板厚(tp)を0.1〜5.0mmとするのが望ましい。
請求項17に記載の発明では、チューブ(1)はプレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、プレート(1a、1b、1c)はベア材であることを特徴とする。
これによると、プレートがベア材であるため、ろう付けによってプレート表面(チューブ表面)が粗くなることがない。したがって、電子部品とプレート間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
請求項18に記載の発明では、チューブ(1)はプレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、プレート(1a、1b、1c)は芯材および犠牲陽極材を有するブレージングシートであり、チューブ(1)は、外側に芯材が位置することを特徴とする。
これによると、芯材よりも犠牲陽極材を優先的に腐食させ、プレートの芯材の腐食を防ぐことにより、チューブに孔が開くことを防ぐことができる。また、チューブは外側に芯材が位置するため、ろう付けによってプレート表面(チューブ表面)が粗くなることがなく、電子部品とプレート間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
請求項19に記載の発明では、チューブ(1)はプレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、プレート(1a、1b、1c)は芯材およびろう材を有するブレージングシートであり、チューブ(1)は、外側に芯材が位置することを特徴とする。
これによると、プレートにろう材が配されているため、ペーストろう材を付ける等の組付工数を低減することができる。また、チューブは外側に芯材が位置するため、ろう付けによってプレート表面(チューブ表面)が粗くなることがなく、電子部品とプレート間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
請求項20に記載の発明では、チューブ(1)はプレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、プレート(1a、1b、1c)は芯材とろう材との間に犠牲陽極材を配置したブレージングシートであり、チューブ(1)は、外側に芯材が位置することを特徴とする。
これによると、プレートにろう材が配されているため、ペーストろう材を付ける等の組付工数を低減することができる。また、芯材よりも犠牲陽極材を優先的に腐食させ、プレートの芯材の腐食を防ぐことにより、チューブに孔が開くことを防ぐことができる。さらに、チューブは外側に芯材が位置するため、ろう付けによってプレート表面(チューブ表面)が粗くなることがなく、電子部品とプレート間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
請求項21に記載の発明では、フィン(5)はプレート(1a、1b、1c)よりも電位的に卑となる材質であることを特徴とする。これによると、プレートよりもフィンの方が優先的に腐食するため、チューブに孔が開くことを防ぐことができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る冷却器について説明する。図1は第1実施形態に係る冷却器の正面図、図2は図1のA−A線に沿う要部の断面図、図3(a)は図1のチューブ単体の正面図、図3(b)は図3(a)の平面図、図4は図2のフィンの要部の拡大図である。
本発明の第1実施形態に係る冷却器について説明する。図1は第1実施形態に係る冷却器の正面図、図2は図1のA−A線に沿う要部の断面図、図3(a)は図1のチューブ単体の正面図、図3(b)は図3(a)の平面図、図4は図2のフィンの要部の拡大図である。
本発明の冷却器は、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に用いることができる。
図1および図2に示すように、冷却器は、冷却流体が流れる流体通路10が内部に形成されるとともに、流体通路10内での冷却流体の流れ向きX(以下、流れ向きXという)に対して直交する方向Y(以下、積層方向Yという)に所定間隔を隔てて積層された多数のチューブ1と、隣接するチューブ1間に配置されて隣接するチューブ1同士を連結するベローズ2と、積層方向Y端部に位置するチューブ1にろう付け接合されて、冷却流体が流入する入口パイプ3と、積層方向Y端部に位置するチューブ1にろう付け接合されて、冷却流体が流出する出口パイプ4と、流体通路10内に配置されて熱交換を促進するフィン5とを備えている。なお、ベローズ2は本発明の連結手段に相当する。また、冷却流体としては、本実施形態ではエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いている。
図2ないし図4に示すように、チューブ1は、アルミニウム製の薄板をプレス成形にて所定形状に加工した2枚のプレート1a、1bからなり、アルミニウム製の薄板をプレス成形にて波板状に加工したフィン5を2枚のプレート1a、1b間に挟み込んだ状態で、2枚のプレート1a、1bの縁部をろう付け接合して形成されている。因みに、プレート1a、1bおよびフィン5は、孔食防止の観点から、内側が犠牲陽極材付きのブレージングシート材を使用するのが望ましい。接合部は、ペーストろう材等でろう付けする。フィンは両面にろう材がクラッドされたブレージングシート材を使用するのが望ましい。
チューブ1において、流体通路10内での冷却流体の流れ方向の両端側で且つ積層方向Yの端面には、流体通路10とベローズ2の内部とを連通させる円形の連通穴11が形成されている。この連通穴11は、ろう付け接合する前に、プレス成形にて形成されている。
ベローズ2は、蛇腹状の管であり、積層方向Yに容易に伸縮可能になっている。また、ベローズ2は、アルミニウムよりなり、隣接するチューブ1の各連通穴11を囲うようにしてチューブ1にろう付け接合されている。
入口パイプ3および出口パイプ4は、アルミニウムよりなり、積層方向Y端部に位置するチューブ1の連通穴11に挿入されてチューブ1にろう付け接合されている。入口パイプ3および出口パイプ4は、冷却流体を循環させる図示しないポンプ、および冷却流体を冷却する図示しない熱交換器に接続されている。
フィン5は、チューブ1に部分的にろう付け接合されており、フィン5におけるチューブ1に接合される部位は円弧状に形成されている。また、フィン5は、積層方向Yに見たときに、連通穴11と重ならない範囲に設置されている。そして、フィン5は、チューブ1内の流体通路10を複数の細流路に分割している。
発熱体となる両面冷却型の半導体モジュール6は、IGBT素子とダイオードを内蔵したものであり、本発明の電子部品に相当する。図1に示すように、半導体モジュール6は、隣接するチューブ1間に配置され、チューブ1と半導体モジュール6は、直接または絶縁材(主にセラミック板)や熱伝導グリスを介して接触するようになっている。そして、図示しない板ばねによって、積層されたチューブ1を積層方向Y両端から挟圧することにより、チューブ1間に半導体モジュール6が保持される。
上記構成において、入口パイプ3から流入した冷却流体は、ベローズ2内を通って各チューブ1の流体通路10の一端側に流入し、流体通路10内を流れ向きXに沿って流れ、流体通路10の他端側からベローズ2内を通って出口パイプ4に至る。そして、流体通路10内を流れる冷却流体と半導体モジュール6との間で熱交換が行われ、半導体モジュール6が冷却される。
ここで、半導体モジュール6の保証温度以下とするために、プレート1a、1b、フィン5の仕様を最適化し、チューブ1における半導体モジュール6が接触する部位の温度Tw(以下、チューブ表面温度という)が所定温度(本例では110℃)以下になるように設計している。
このプレート1a、1b、フィン5の仕様検討結果について説明する。ここでは、フィン流路幅wf、フィン高さhf、フィン板厚tf、およびプレート板厚tpについて検討した。なお、フィン流路幅wfは、細流路におけるフィン高さ方向中央部位置での、流れ向きXおよび積層方向Yにともに直交する方向の寸法である。
まず、設計条件は、冷却器に流入する冷却流体の温度は65℃、半導体モジュール6の発熱量は400W/個、1つのチューブ1における冷却流体の流量は1L/min一定とした。また、プレート幅wpと半導体モジュール6の幅weの関係は、wp>weとした。なお、プレート幅wpは、チューブ1における半導体モジュール6と対向する平坦な面の、流れ向きXおよび積層方向Yにともに直交する方向の寸法である。半導体モジュール6の幅weは、半導体モジュール6の、流れ向きXおよび積層方向Yにともに直交する方向の寸法である。
図5に、フィン流路幅wfを変えた時のチューブ表面温度Twを示す。ここでは、フィン高さhfは4.0mm、フィン板厚tfは0.2mm、プレート板厚tpは0.4mmとした。
この結果から、フィン流路幅wfを1.2mm以下にすることにより、チューブ表面温度Twを110℃以下にすることができる。そして、異物の目詰まりや冷却性能を考慮すると、フィン流路幅wfは0.9mm程度が望ましい。
図6に、フィン高さhfを変えた時のチューブ表面温度Twを示す。ここでは、フィン流路幅wfは0.9mm、フィン板厚tfは0.2mm、プレート板厚tpは0.4mmとした。
この結果から、フィン高さhfを1〜10mmにすることにより、チューブ表面温度Twを110℃以下にすることができる。そして、冷却器における積層方向Yの寸法や冷却性能を考慮すると、フィン高さhfは4mm程度が望ましい。
図7に、フィン板厚tfを変えた時のチューブ表面温度Twを示す。ここでは、フィン流路幅wfは0.9mm、フィン高さhfは4.0mm、プレート板厚tpは0.4mmとした。
この結果から、フィン板厚tfを1mm以下にすることにより、チューブ表面温度Twを110℃以下にすることができる。そして、冷却性能からは、フィン板厚tfは0.2mmが最も望ましい。なお、現状での板厚限界は約0.03mmである。
図8に、プレート板厚tpを変えた時のチューブ表面温度Twを示す。ここでは、フィン流路幅wfは0.9mm、フィン高さhfは4.0mm、フィン板厚tfは0.2mmとした。
この結果から、プレート板厚tpを5mm以下にすることにより、チューブ表面温度Twを110℃以下にすることができる。そして、プレス加工時の成形性からはプレート板厚tpは0.1mm以上が望ましく、半導体モジュール6とプレート1a、1bの表面(チューブ表面)とのなじみ易さ、および成形性を考慮すると、プレート板厚tpは0.4mm程度が望ましい。
本実施形態では、プレス成形した2枚のプレート1a、1bの縁部を接合してチューブ1を形成しているため、チューブを押し出し加工で製造する場合に存在していた連結部の内壁をなくすことができ、内壁の除去加工が不要になる。また、プレート1a、1bの板厚を薄くすることができるため、連通穴11の穴開け加工が容易になる。したがって、加工費を低減することができる。
さらに、チューブ1のみならずフィン5もプレス成形で形成できるため、簡単な製造工程になり製造コストを低減することが出来る。
また、フィン5におけるチューブ1に接合される部位が円弧状であることと、チューブ1およびフィン5を薄肉にできることとが相俟って、チューブ1間に半導体モジュール6を保持したときにチューブ1が変形しやすく、したがって、チューブ1と半導体モジュール6との当たり面がなじみやすくなり、密着性が向上する。それにより、接触熱抵抗を低減することができる。
また、プレート1a、1bの板厚を薄くすることができるため、その分、流体通路10の流路断面積を拡大することができる。それにより、流路抵抗が減少し、冷却流体を循環させるポンプの動力を低減することができる。
また、チューブ1の積層方向Yに見たときに、フィン5は連通穴11と重ならない範囲に設置されるため、チューブ1内全域にフィン5が存在する場合と比較し、余分な部分にフィン5がないために、その分、圧力損失を低減することができる。
また、ベローズ2は積層方向Yに容易に伸縮可能であるため、積層されたチューブ1を板ばねにて積層方向Yに挟圧する際、半導体モジュール6の厚みに応じて隣接するチューブ1間の寸法を容易に変化させることができる。
また、フィン高さhfをフィン流路幅wfよりも大きくしているため、フィン5の伝熱面積が大きくなり冷却性能が高くなる。
また、フィン板厚tfをプレート板厚tpよりも小さくしているため、半導体モジュール6を加圧して半導体モジュール6をプレート1a、1bの表面(チューブ1の表面)により密着するようにした時に、プレート1a、1bよりもフィン5が変形し易いため、半導体モジュール6とプレート1a、1bの表面がなじみやすくなり、接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態に係る冷却器について説明する。図9(a)は第2実施形態に係る冷却器の正面図、図9(b)は図9(a)の平面図である。第1実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明の第2実施形態に係る冷却器について説明する。図9(a)は第2実施形態に係る冷却器の正面図、図9(b)は図9(a)の平面図である。第1実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図9(b)において、破線はフィン5の設置位置を示し、一点鎖線は半導体モジュール6の設置位置を示している。図9(b)に示すように、1つのチューブ1内に2つのフィン5が配置され、2つのフィン5は、流体通路10内での冷却流体の流れ向きXに沿ってすき間δを設けて設置されている。また、チューブ1の積層方向Yに見たときに、半導体モジュール6はフィン5の設置範囲内に配置されている。
本実施形態では、1つのチューブ1内に2つのフィン5を配置しているため、半導体モジュール6の発熱量等に応じて、熱交換性能が異なるフィン5を使い分けすることが出来る。
また、冷却流体は、上流側の半導体モジュール6の発熱を受けて温度上昇するため、下流側の半導体モジュール6はその分温度上昇することになるが、下流側のフィン5を高性能なもの(例えばオフセットフィン)に変更することにより、下流側の半導体モジュール6の冷却性能を上げることができる。あるいは、上流側の半導体モジュール6が高発熱量である場合は、上流側に高性能なフィン5を配置することで、冷却性能を向上させることが可能である。
また、すき間δを設けることで、その間で冷却流体の速度境界層がクリアにされ、冷却流体の温度境界層がなくなるため、すき間δよりも下流側の半導体モジュール6を冷却する能力が向上する。因みに、すき間δは1mm以上が効果的である。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態に係る冷却器について説明する。図10は第3実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第3実施形態に係る冷却器について説明する。図10は第3実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
図10に示すように、本実施形態のチューブ1は、薄板をプレス成形にて所定形状に加工した1枚のプレート1cを折り曲げ、その間にフィン5を挟み込んだ状態で、プレート1cの縁部をろう付け接合して形成されている。
本実施形態によると、第1実施形態のようにチューブ1を2枚のプレート1a、1bで形成する場合よりも、部品数削減、加工工程削減により、コストダウンを図ることができる。因みに、プレート1cは、孔食防止の観点から、内側が犠牲陽極材付き、接合するために外側がろう材付きのブレージングシート材を使用するのが望ましい。フィンは両面にろう材がクラッドされたブレージングシート材を使用するのが望ましい。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態に係る冷却器について説明する。図11(a)は第4実施形態に係る冷却器におけるチューブ1の自由状態の断面図、図11(b)はフィン5が座屈した状態の断面図である。なお、本実施形態は、フィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第4実施形態に係る冷却器について説明する。図11(a)は第4実施形態に係る冷却器におけるチューブ1の自由状態の断面図、図11(b)はフィン5が座屈した状態の断面図である。なお、本実施形態は、フィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
第1実施形態では、チューブ1に接合される部位が円弧状に形成された円弧状フィン5を用いたが、本実施形態では、図11(a)に示すように、チューブ1に接合される部位がフラットに形成された矩形形状のフィン5を用いている。
そして、図示しない電子部品の両側を本実施形態のチューブ1で挟み込み、積層方向Yに応力をかける実験を行ったところ、電子部品にダメージ(回路破壊等)を与えずにフィン5が座屈したのは、フィン5の厚みが0.4mm以下の場合であった。
また、0.4mmの厚みで同じピッチの矩形状フィン(本実施形態)と円弧状フィン(第1実施形態)とを比較したところ、円弧状フィンの方が低い応力でフィンが変形し、電子部品にかかる応力を緩和する形状として、より望ましいことが分かった。
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態に係る冷却器について説明する。図12(a)は第5実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図12(b)は図12(a)のB部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第5実施形態に係る冷却器について説明する。図12(a)は第5実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図12(b)は図12(a)のB部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本実施形態のプレート1a、1bはアルミニウム製のベア材からなり、フィン5はアルミニウム製の芯材50の両面にろう材51が被覆されたブレージングシートで、芯材50にZnを添加したものである。プレート1a、1bとフィン5はフィン5のろう材51で接合し、2枚のプレート1a、1bはペーストろう材や置きろう材等により接合する。因みに、ろう材51の融点は、フィン5の芯材50の融点およびプレート1a、1bの融点よりも低い。
本実施形態によると、プレート1a、1bがベア材であるため、ろう付けによってプレート1a、1bの表面(チューブ1の表面)が粗くなることがなく、半導体モジュール6とプレート1a、1b間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
また、フィン5の芯材50にはZnを添加しているため、プレート1a、1bよりフィン5が電位的に卑となる。したがって、プレート1a、1bよりもフィン5の方が優先的に腐食し、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態に係る冷却器について説明する。図13(a)は第6実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図13(b)は図13(a)のC部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第6実施形態に係る冷却器について説明する。図13(a)は第6実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図13(b)は図13(a)のC部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本実施形態のプレート1a、1bは、アルミニウム製の芯材100の片面に犠牲陽極材101が被覆されたブレージングシートからなり、外側に芯材100が位置し内側に犠牲陽極材101が位置するようにして接合されている。因みに、犠牲陽極材101は芯材100よりも電位的に卑である。なお、フィン5は第5実施形態のフィン5と同一である。
本実施形態によると、フィン5が腐食しきってしまった後でも、プレート1a、1bは芯材100よりも犠牲陽極材101が優先的に腐食するため、プレート1a、1bの芯材100の腐食を防ぎ、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
また、プレート1a、1bは外側に芯材100が位置するようにして接合されているため、ろう付けによってプレート1a、1bの表面(チューブ1の表面)が粗くなることがなく、半導体モジュール6とプレート1a、1b間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
また、フィン5の芯材50にはZnを添加しているため、プレート1a、1bよりフィン5が電位的に卑となる。したがって、プレート1a、1bよりもフィン5の方が優先的に腐食し、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
(第7実施形態)
本発明の第7実施形態に係る冷却器について説明する。図14(a)は第7実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図14(b)は図14(a)のD部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第7実施形態に係る冷却器について説明する。図14(a)は第7実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図14(b)は図14(a)のD部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本実施形態のプレート1a、1bは、アルミニウム製の芯材100の片面にろう材102が被覆されたブレージングシートからなり、外側に芯材100が位置し内側にろう材102が位置するようにして接合されている。なお、フィン5は第5実施形態のフィン5と同一である。
本実施形態によると、プレート1a、1bにろう材102が被覆されているため、ペーストろう材を付ける等の組付工数を低減することができる。
また、プレート1a、1bは外側に芯材100が位置するようにして接合されているため、ろう付けによってプレート1a、1bの表面(チューブ1の表面)が粗くなることがなく、半導体モジュール6とプレート1a、1b間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
また、フィン5の芯材50にはZnを添加しているため、プレート1a、1bよりフィン5が電位的に卑となる。したがって、プレート1a、1bよりもフィン5の方が優先的に腐食し、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
(第8実施形態)
本発明の第8実施形態に係る冷却器について説明する。図15(a)は第8実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図15(b)は図15(a)のE部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本発明の第8実施形態に係る冷却器について説明する。図15(a)は第8実施形態に係る冷却器におけるチューブ単体の断面図、図15(b)は図15(a)のE部の拡大断面図である。なお、本実施形態は、チューブ1およびフィン5の構成が第1実施形態と異なり、その他の点は第1実施形態と同一である。
本実施形態のプレート1a、1bは、アルミニウム製の芯材100とろう材102との間に犠牲陽極材101が配置されたブレージングシートからなり、外側に芯材100が位置し内側にろう材102が位置するようにして接合されている。なお、フィン5は第5実施形態のフィン5と同一である。
本実施形態によると、プレート1a、1bにろう材102が被覆されているため、ペーストろう材を付ける等の組付工数を低減することができる。
また、フィン5が腐食しきってしまった後でも、プレート1a、1bは芯材100よりも犠牲陽極材101が優先的に腐食するため、プレート1a、1bの芯材100の腐食を防ぎ、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
また、プレート1a、1bは外側に芯材100が位置するようにして接合されているため、ろう付けによってプレート1a、1bの表面(チューブ1の表面)が粗くなることがなく、半導体モジュール6とプレート1a、1b間の接触熱抵抗が低減されて冷却効率が向上する。
また、フィン5の芯材50にはZnを添加しているため、プレート1a、1bよりフィン5が電位的に卑となる。したがって、プレート1a、1bよりもフィン5の方が優先的に腐食し、チューブ1に孔が開くことを防ぐことができる。
(他の実施形態)
上記実施形態においては、チューブやフィンの材料にアルミニウムを用いたが、チューブやフィンの材料としては、銅などの金属材のほかに樹脂も使用可能であり、熱伝導率の高いものが望ましい。
上記実施形態においては、チューブやフィンの材料にアルミニウムを用いたが、チューブやフィンの材料としては、銅などの金属材のほかに樹脂も使用可能であり、熱伝導率の高いものが望ましい。
上記各実施形態では、冷却流体としてエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いたが、冷却流体としては、水やアンモニア等の自然冷媒や、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒などを用いることができる。
また、上記実施形態においては、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に本発明を適用したが、例えば産業機器のモータ駆動インバータや、ビル空調用のエアコンインバータなどの半導体モジュールの冷却に本発明を適用することもできる。
また、本発明の冷却器は、半導体モジュール6ではなく、パワートランジスタ、パワーFET、IGBTなどの電子部品を冷却することも可能である。
1…チューブ、1a、1b、1c…プレート1a、1b、2…ベローズ(連結手段)、5…フィン、6…半導体モジュール(電子部品)、10…流体通路、11…連通穴。
Claims (21)
- 冷却流体が流れる流体通路(10)が内部に形成されるとともに、前記流体通路(10)内での冷却流体の流れ向き(X)に対して直交する方向に所定間隔を隔てて積層された複数のチューブ(1)と、
隣接する前記チューブ(1)間に配置されて隣接する前記チューブ(1)同士を連結する連結手段(2)とを備え、
前記チューブ(1)には、前記流体通路(10)と前記連結手段(2)の内部とを連通させる連通穴(11)が形成され、
隣接する前記チューブ(1)間に電子部品(6)が保持される冷却器において、
前記チューブ(1)は、プレス成形にて所定形状に加工されたプレート(1a、1b、1c)の縁部を接合して形成され、
熱交換を促進するフィン(5)が前記チューブ(1)内に配置されていることを特徴とする冷却器。 - 前記フィン(5)の板厚は0.4mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の冷却器。
- 前記フィン(5)は前記チューブ(1)に接合され、前記フィン(5)における前記チューブ(1)に接合される部位が円弧状であることを特徴とする請求項1に記載の冷却器。
- 前記チューブ(1)の積層方向(Y)に見たときに、前記フィン(5)は前記連通穴(11)と重ならない位置に設置され、
前記チューブ(1)の積層方向(Y)に見たときに、前記電子部品(6)は前記フィン(5)の設置範囲内にあることを特徴とする請求項1または2に記載の冷却器。 - 前記フィン(5)は1つの前記チューブ(1)内に複数個配置されるとともに、前記流体通路(10)内での冷却流体の流れ向き(X)に沿ってすき間(δ)を設けて設置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記すき間(δ)が1mm以上であることを特徴とする請求項4に記載の冷却器。
- 前記連通穴(11)は、プレス成形にて形成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記チューブ(1)は、2枚のプレート(1a、1b)を接合したものであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記チューブ(1)は、1枚のプレート(1c)を折り曲げて接合したものであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記連結手段(2)はベローズであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記フィン(5)は、前記流体通路(10)を複数の細流路に分割する波板状のフィンであり、
前記フィン(5)の高さ(hf)が、前記細流路におけるチューブ高さ方向中央部位置でのフィン流路幅(wf)よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の冷却器。 - 前記フィン流路幅(wf)が1.2mm以下であることを特徴とする請求項11に記載の冷却器。
- 前記フィン(5)の高さ(hf)が1〜10mmであることを特徴とする請求項11に記載の冷却器。
- 前記フィン(5)の板厚(tf)が、前記プレート(1a、1b、1c)の板厚(tp)よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の冷却器。
- 前記フィン(5)の板厚(tf)が0.03〜1.0mmであることを特徴とする請求項14に記載の冷却器。
- 前記プレート(1a、1b、1c)の板厚(tp)が0.1〜5.0mmであることを特徴とする請求項14に記載の冷却器。
- 前記チューブ(1)は前記プレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、
前記プレート(1a、1b、1c)はベア材であることを特徴とする請求項1に記載の冷却器。 - 前記チューブ(1)は前記プレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、
前記プレート(1a、1b、1c)は芯材および犠牲陽極材を有するブレージングシートであり、
前記チューブ(1)は、外側に前記芯材が位置することを特徴とする請求項1に記載の冷却器。 - 前記チューブ(1)は前記プレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、
前記プレート(1a、1b、1c)は芯材およびろう材を有するブレージングシートであり、
前記チューブ(1)は、外側に前記芯材が位置することを特徴とする請求項1に記載の冷却器。 - 前記チューブ(1)は前記プレート(1a、1b、1c)をろう付けして形成されるものであって、
前記プレート(1a、1b、1c)は芯材とろう材との間に犠牲陽極材を配置したブレージングシートであり、
前記チューブ(1)は、外側に前記芯材が位置することを特徴とする請求項1に記載の冷却器。 - 前記フィン(5)は前記プレート(1a、1b、1c)よりも電位的に卑となる材質であることを特徴とする請求項1に記載の冷却器。
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