JP2005187791A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070128068A1 (en) 2005-11-15 2007-06-07 Hitachi Metals, Ltd. Solder alloy, solder ball, and solder joint using the same
JP2007149791A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Univ Meijo 半導体発光素子および半導体発光素子の作成方法
CN100389504C (zh) * 2005-12-19 2008-05-21 中山大学 一种yag晶片式白光发光二极管及其封装方法
JP2007180377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
DE112007001235B4 (de) * 2006-05-23 2018-05-09 Meijo University Licht emittierende Halbleitervorrichtung
JP2007320790A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板
KR100770441B1 (ko) * 2006-08-21 2007-10-26 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP5060823B2 (ja) * 2007-04-24 2012-10-31 エルシード株式会社 半導体発光素子
JP5085974B2 (ja) * 2007-04-26 2012-11-28 エルシード株式会社 蛍光基板及び半導体発光装置
JP5031651B2 (ja) * 2008-04-21 2012-09-19 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
JP2010021202A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Ushio Inc 発光装置
JP2010027645A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Ushio Inc 発光装置及び発光装置の製造方法
JP5301904B2 (ja) * 2008-07-09 2013-09-25 ウシオ電機株式会社 発光装置
JP5306779B2 (ja) * 2008-11-04 2013-10-02 学校法人 名城大学 発光素子及びその製造方法
JP5330880B2 (ja) 2009-03-27 2013-10-30 学校法人 名城大学 発光ダイオード素子及びその製造方法
JP5212343B2 (ja) * 2009-12-08 2013-06-19 新日鐵住金株式会社 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ
JP5537326B2 (ja) * 2010-08-06 2014-07-02 学校法人 名城大学 発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法
JP5932664B2 (ja) 2010-12-08 2016-06-08 エルシード株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイス及びその製造方法
JP5219230B1 (ja) * 2012-09-04 2013-06-26 エルシード株式会社 ＳｉＣ蛍光材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2013021350A (ja) * 2012-09-06 2013-01-31 El-Seed Corp 蛍光基板及び半導体発光装置
JP6219044B2 (ja) * 2013-03-22 2017-10-25 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP5521242B1 (ja) * 2013-06-08 2014-06-11 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の製造方法及びＳｉＣ材料積層体
JP5331263B1 (ja) * 2013-06-17 2013-10-30 株式会社アドマップ 炭化珪素材料、炭化珪素材料の製造方法
JPWO2014203974A1 (ja) 2013-06-20 2017-02-23 エルシード株式会社 発光装置
JP6226681B2 (ja) * 2013-10-09 2017-11-08 エルシード株式会社 Ｌｅｄ素子
US9577045B2 (en) 2014-08-04 2017-02-21 Fairchild Semiconductor Corporation Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping
WO2016098853A1 (ja) * 2014-12-19 2016-06-23 エルシード株式会社 発光素子
JP2018022919A (ja) * 2017-10-06 2018-02-08 エルシード株式会社 Ｌｅｄ素子

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