JP2003309074A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003309074A5 JP2003309074A5 JP2002115902A JP2002115902A JP2003309074A5 JP 2003309074 A5 JP2003309074 A5 JP 2003309074A5 JP 2002115902 A JP2002115902 A JP 2002115902A JP 2002115902 A JP2002115902 A JP 2002115902A JP 2003309074 A5 JP2003309074 A5 JP 2003309074A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- producing
- emitting device
- aluminum gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002115902A JP4609917B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 窒化アルミニウムガリウム層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002115902A JP4609917B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 窒化アルミニウムガリウム層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008156500A Division JP4829273B2 (ja) | 2008-06-16 | 2008-06-16 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003309074A JP2003309074A (ja) | 2003-10-31 |
JP2003309074A5 true JP2003309074A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2005-05-19 |
JP4609917B2 JP4609917B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=29396977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002115902A Expired - Lifetime JP4609917B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 窒化アルミニウムガリウム層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4609917B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303258A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | p型窒化物半導体の成長方法 |
JP2007288052A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008311579A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
WO2010029720A1 (ja) | 2008-09-09 | 2010-03-18 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5200829B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-06-05 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP5361925B2 (ja) | 2011-03-08 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-18 JP JP2002115902A patent/JP4609917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109216519B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
CN104319330B (zh) | 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 | |
CN109119515B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
CN109378373B (zh) | 基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法 | |
CN103811601B (zh) | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 | |
CN104022197B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
CN109616561B (zh) | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 | |
CN101728472A (zh) | 一种多层led芯片结构及其制备方法 | |
CN109411579B (zh) | 具有石墨烯结构的半导体器件及其制备方法 | |
CN109411576A (zh) | 基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管 | |
CN106229389B (zh) | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法 | |
JP2005159341A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
CN101217175A (zh) | 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件的结构及制备方法 | |
CN106328780B (zh) | 基于AlN模板的发光二极管衬底外延生长的方法 | |
CN103035804A (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | |
JPH11112030A (ja) | 3−5族化合物半導体の製造方法 | |
CN104465916B (zh) | 氮化镓发光二极管外延片 | |
CN108598222B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
CN100418240C (zh) | 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 | |
CN204167348U (zh) | 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构 | |
CN101289173B (zh) | 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法 | |
JP2003309074A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
CN106711298B (zh) | 一种发光二极管外延生长方法及发光二极管 | |
CN104868027A (zh) | 一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法 | |
CN113745379B (zh) | 一种深紫外led外延结构及其制备方法 |