JP2005148391A - 隔壁形成用レジスト組成物、el表示素子の隔壁、およびel表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤、架橋剤、および隔壁パターン形状制御剤を含有する組成物をEL表示素子等の隔壁形成用レジスト組成物として用いる。前記隔壁パターン形状制御剤は、好ましくは、順テーパー制御剤と逆テーパー制御剤とから構成し、これら順テーパー制御剤および逆テーパー制御剤は、具体的にはアミンおよび有機酸を用いる。
【選択図】 なし
Description
すなわち、まず、ガラス基板上にITOなどの透明電極層をスパッタリングにより形成する。その透明電極層の上にポジ型ホトレジストを塗布し、プリベークする。マスクを介してレジストに露光し、次いで現像してパターン化する。パターン化したレジスト膜をマスクとしてエッチャントにより前記ITO膜をエッチングしてITOからなるパターン化透明電極を形成する。このパターン化透明電極の上の残留レジスト膜を除去した後、パターン化透明電極が形成されたガラス基板の上に隔壁形成用のレジストを塗布する。この塗布膜を乾燥させた後、パターン露光を行い、現像して、隔壁を形成する。その後、正孔輸送層、有機EL媒体層、カソード層を、前記隔壁を利用して、前記透明電極上に順次に積層形成する。正孔輸送層としては、例えば、フタロシアニン系材料、あるいは芳香族アミンが用いられる。また、有機EL媒体としては、その基材にキナクリドンやクマリンをドープした材料が用いられる。さらに、カソード材料としては、例えは、Mg−Al、Al−Li、Al−Li2O、Al−LiFなどが用いられる。次に、中空構造のステンレス缶部材と上記基板とを封止剤で封止した後、モジュールに組み立て、有機EL表示素子とする。
有機EL材料としては、かなり低分子量のものから高分子量のものが開発されているが、成膜する観点から、分子量1000以下の低分子量材料と、10000以上の高分子量材料とに区分して扱われる。分子量1000以下の材料を用いる場合は、溶液にした場合、粘度が低すぎて塗布法により塗膜を形成することが困難であり、蒸着法により成膜することが必要になる。他方、分子量が10000を超える高分子材料を用いる場合は、溶液とした場合、粘度が高く、蒸着法により成膜することはできず、塗布法により塗膜とする以外ない。
前記隔壁パターン形状制御剤は、順テーパー制御剤と逆テーパー制御剤とから構成されていることが好ましい。前記逆テーパー制御剤としてはアミンが好適であり、前記順テーパー制御剤としては有機酸が好適である。なお、順テーパー制御剤とは隔壁の側面傾斜角度を小さくするものであり、逆テーパー制御剤とは隔壁の側面傾斜角度を大きくするものである。
(A)ノボラック樹脂:群栄化学社製、商品名;GTR−G8/G9、m/p=100/0
G8のMw=8000,G9のMw=9000
(B)ヒドロキシスチレン樹脂:日本曹達社製、商品名;VPS−2515、
ヒドロキシスチレン/スチレン=85/15
Mw=2500
(C)PAG(酸発生剤):チバスペシャルティケミカル社製、
商品名;CGI−1397
((5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5Hチオフェン−2− イリデン)−(2メチルフェノン)アセトニトリル)
(D)PAG(酸発生剤):純正化学社製、商品名;BU−84J
(α,α−ビス(ブチルスルホニルオキシイミノ)−m−
フェニレンジアセトニトリル; オキシムスルホネート系
(E)架橋剤:三和ケミカル社製メラミン、商品名;Mw−100LM
(F)アミン:東京化成社製 トリ−n−ペンチルアミン
(G)有機酸:純正化学社製 サリチル酸
(H)活性剤:大日本社製 F−Si系活性剤、商品名;メガファックR−08
(I)染料:大日本製薬社製、商品名;ガロKB−H
ノボラック樹脂(A)70gとヒドロキシスチレン樹脂(B)30gとからなる固形成分を、400gのPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)に溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)7gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)を1g、有機酸(G)を0.06g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ヒドロキシスチレン樹脂(B)100gからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)5gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)を0.75g、有機酸(G)を0.05g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ノボラック樹脂(A)30gとヒドロキシスチレン樹脂(B)70gとからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)7gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)を0.1g、有機酸(G)を0.06g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ヒドロキシスチレン樹脂(B)100gからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)の代わりに酸発生剤(D)3gと、架橋剤(E)10gとを添加した。さらにアミン(F)を0.1g、有機酸(G)を0.3g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ヒドロキシスチレン樹脂(B)100gからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)7gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)と有機酸(G)の代わりに染料(I)を3g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
また、比較例1では、染料を添加しているため、感度が低くなった。さらに、ポストベーク時に昇華物が発生し、耐熱性も低下した。
ノボラック樹脂(A)30gとヒドロキシスチレン樹脂(B)70gとからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)7gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)を1g活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ヒドロキシスチレン樹脂として、東邦化学社製、商品名PHC LC 80−15(ヒドロキシスチレン:スチレン=85:15、Mw=8000)50g、および、東邦化学社製、商品名PHC LC 80−05(ヒドロキシスチレン:スチレン=95:5、Mw=8000)50gからなる固形成分を400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(D)3gと架橋剤(E)10gとを添加した。さらに、有機酸(G)を0.06g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ノボラック樹脂(A)30gとヒドロキシスチレン樹脂(B)70gとからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(C)7gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミンとしてトリデシルアミンを1g、有機酸(G)を0.06g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ヒドロキシスチレン樹脂として、東邦化学製 LC81015(ヒドロキシスチレン:スチレン=85:15)50g、および、日本曹達製 LC8005(ヒドロキシスチレン:スチレン=85:15)50gからなる固形成分を400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、オキシムスルホネート系酸発生剤(D)3gと架橋剤(E)10gとを添加した。さらに、アミン(F)0.1gおよび有機酸(E)に代えてコハク酸0.3gを添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
ノボラック樹脂(A)70gとヒドロキシスチレン樹脂(B)30gとからなる固形成分を、400gのPGMEAに溶解し、樹脂液を作製した。この樹脂液に、トリアジン系酸発生剤であるパラメトキシスチリルSトリアジン3gと、架橋剤(E)15gとを添加した。さらにアミン(F)を1g、有機酸(G)を0.06g、活性剤(H)を0.1g添加し、撹拌した。その後、孔径0.05μmのミリポアフィルターにて濾過して塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
比較例1において、固形成分として、ヒドロキシスチレン樹脂(B)100gを、ノボラック樹脂(A)70gとヒドロキシスチレン樹脂(B)30gに代えて、塗布液(ネガ型レジスト組成物)を得た。
また、比較例2では、比較例1と同様に染料を用いているため、感度が低くなった。さらに、ポストベーク時に昇華物が発生し、耐熱性も低下した。
2 透明電極
3 断面逆テーパー状の隔壁
4 断面順テーパー状の隔壁
5 断面末広がり状の隔壁
Claims (6)
- テーパー状隔壁を形成するに好適な、隔壁形成用レジスト組成物であって、
アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤、架橋剤、および隔壁パターン形状制御剤を含有することを特徴とする隔壁形成用レジスト組成物。 - 前記隔壁パターン形状制御剤が順テーパー制御剤と逆テーパー制御剤とから構成されていることを特徴とする請求項1に記載の隔壁形成用レジスト組成物。
- 前記逆テーパー制御剤がアミンであり、前記順テーパー制御剤が有機酸であることを特徴とする請求項2に記載の隔壁形成用レジスト組成物。
- 前記逆テーパー制御剤と順テーパー制御剤との配合比率を調整することにより前記隔壁をその側面傾斜角度が内角表示で少なくとも5度〜130度の範囲の任意の角度に設定可能であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の隔壁形成用レジスト組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の隔壁形成用レジスト組成物から形成された、EL表示素子の隔壁。
- 請求項5に記載の隔壁を備えたEL表示素子。
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US12/073,521 US20080166657A1 (en) | 2003-11-14 | 2008-03-06 | Resist composition for bulkhead formation, bulkhead of EL display device and EL display device |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281304A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル |
JP2010061093A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | アクティブ駆動型有機電界発光素子の隔壁用感光性組成物およびアクティブ駆動型有機電界発光表示装置 |
US7800101B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor having openings formed therein |
JP2013015694A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、パターン並びにその製造方法 |
JP2014186309A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-10-02 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子 |
WO2015163379A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | 旭硝子株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、隔壁および光学素子 |
WO2017169866A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジスト |
JP2018060205A (ja) * | 2017-11-06 | 2018-04-12 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、半導体装置及び表示体装置 |
WO2018180045A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
WO2020193686A1 (en) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Merck Patent Gmbh | Positive type resist composition and method for manufacturing resist pattern using the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010181534A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置用基板およびその製造方法 |
JP6530360B2 (ja) | 2016-09-23 | 2019-06-12 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
CN109449185B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267285A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Kansai Paint Co Ltd | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
JP2001056555A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料 |
WO2002044814A2 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresist compositions comprising bases and surfactants for microlithography |
JP2002363152A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5108875A (en) * | 1988-07-29 | 1992-04-28 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
US5820770A (en) * | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
WO2000017712A1 (en) * | 1998-09-23 | 2000-03-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
US6107148A (en) * | 1998-10-26 | 2000-08-22 | Nippon Steel Semiconductor Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
US6395446B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-05-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist compositions and patterning process |
JP3320397B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2002-09-03 | クラリアント ジャパン 株式会社 | 逆テーパー状レジストパターンの形成方法 |
KR20010098809A (ko) * | 2000-04-25 | 2001-11-08 | 마쯔모또 에이찌 | El 표시 소자의 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물,격벽 및 el 표시 소자 |
JP4042142B2 (ja) | 2000-09-08 | 2008-02-06 | Jsr株式会社 | El表示素子の隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁およびel表示素子 |
US6391523B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-05-21 | Microchem Corp. | Fast drying thick film negative photoresist |
JP4401033B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2010-01-20 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス |
JP2002351340A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラー画像表示装置 |
JP2003082042A (ja) | 2001-09-07 | 2003-03-19 | Jsr Corp | 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。 |
TW200405128A (en) * | 2002-05-01 | 2004-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP4393861B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2010-01-06 | 東京応化工業株式会社 | 磁性膜のパターン形成方法 |
JP3710795B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
-
2003
- 2003-11-14 JP JP2003385452A patent/JP4322097B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-09 TW TW093134157A patent/TW200527135A/zh unknown
- 2004-11-12 KR KR1020040092409A patent/KR100695649B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-12 US US10/985,941 patent/US20050236967A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-03-06 US US12/073,521 patent/US20080166657A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267285A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Kansai Paint Co Ltd | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
JP2001056555A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料 |
WO2002044814A2 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresist compositions comprising bases and surfactants for microlithography |
JP2002363152A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800101B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor having openings formed therein |
US8383449B2 (en) | 2006-01-05 | 2013-02-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming a thin film transistor having openings formed therein |
JP2007281304A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル |
JP2010061093A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | アクティブ駆動型有機電界発光素子の隔壁用感光性組成物およびアクティブ駆動型有機電界発光表示装置 |
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