JP2007281304A - レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に酸失活層2を形成し、さらにレジスト膜層3を積層形成する。その後、フォトマスク4を介して露光光線5によりレジスト膜層3の露光を行い、露光後ベーク処理を施した後、任意の現像液と現像時間で現像することによりオーバーハング形状または逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターンを形成することができる。
【選択図】図2
Description
後者のリフトオフ法においては、レジストパターンを有する基板上に金属膜を蒸着/スパッタリング等で形成すると金属膜がレジストパターン上及び基板上に形成されるが、このときレジストパターンの断面形状がオーバーハング状または逆テーパー状であれば、基板上に形成される金属膜は、レジストパターン上に形成される金属膜と非連続となり、電極を形成するに当たって好ましいことは既によく知られている。
例えば、透明基板上にインジウム錫酸化物(ITO)からなる複数のストライプ状のパターンを形成して、それを第一電極(陽極)とし、その上から基板全面にネガレジストを塗布してレジスト膜を形成し、ITOのストライプ状パターンと直交するストライプ状のフォトマスクを介して露光後、現像してストライプ状且つ断面形状がオーバーハング形状のネガレジストパターンを形成し、この基板上に有機EL材料を順次製膜し、さらにその上にAlなどの金属を蒸着して第二電極(陰極)とした、有機EL表示装置を製造する方法が提案されている(特許文献1参照)。
すなわち、特許文献2,3に記載された技術の場合、露光工程や塗布工程を2回以上行う必要があり、レジストパターン形成工程が煩雑になってしまうことに加えて、最適な露光条件や積層するレジスト膜の最適な組み合わせが制限され、良好なレジストパターンを得ることが困難であった。
また、特許文献4に記載された技術の場合、レジスト組成物中に活性光線を吸収する化合物を含有させる必要があるため、現像処理後における残渣発生の問題や、露光後ベーク(PEB)や金属膜の蒸着/スパッタリング工程で高温にさらされる場合には、該化合物が昇華して装置を汚染してしまう問題があった。
ここで、酸失活層とは、酸と反応して酸を失活させる機能を果たす層をいう。
図1において符号Pはパネルを示す。パネルPは基板1を有する。基板1上には酸失活層2が形成されている。また、酸失活層2の上側には、個々のパターン6aが逆テーパー形状の断面形状とされたレジストパターン6が形成されている。
ジスト膜層3の材料としては、化学増幅型ネガレジスト組成物が好適に用いられる。レジスト膜層3の膜厚は、1μm〜5μm程度に設定するのが好ましい。
まず、図2(a)、(b)で示すように、基板1上に酸失活層2の材料に応じて、酸失活層2の材料雰囲気に浸漬するベーパ法や直接塗布するスピンコート法やスリットコート法等の既存の膜(層)形成手段を用いて酸失活層2を形成する。直接塗布する場合においては、材料に応じて酸失活層2が形成された基板1を加熱することにより酸失活層2の膜厚を制御することができる。
透明電極の材料としては、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO、SnO2、In2O3等の透明電極材が使用できる。
このようにして基板1上に酸失活層2およびレジスト膜層3を備えるレジストパターン形成用基板Paを得ることができる。
また、フォトマスクを介さず、電子ビームを用いて描画を行うこともできる。
PEBにより、前述した露光によってレジスト膜層3中に発生した酸の拡散を行い、酸が拡散しながらレジスト膜層3中の架橋剤と反応することによりレジスト膜層3に潜像ができる。
一方、酸失活層2とレジスト膜層3との界面では、レジスト膜中に発生/拡散した酸が酸失活層2と反応(中和反応)するため、レジスト膜層3中の架橋剤との反応が阻害され、前記界面において潜像ができにくく、レジスト膜層3表面と比べてレジストパターンが細くなる。
これによりレジスト膜層3は、オーバーハング形状もしくは逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターン潜像を得ることができる。
例えば、前記実施の形態では、基板1上に、酸失活層2とレジスト膜層3を1層ずつ形成しているが、これに限られることなく、それらを複数層形成する場合にも、本発明は適用可能である。
2…酸失活膜
3…レジスト膜層
4…フォトマスク
5…露光光線
6…逆テーパー状レジストパターン
P…パネル
Pa…レジストパターン形成用基
Claims (9)
- レジスト膜層を有するレジストパターン形成用基板において、
前記レジスト膜層直下に酸失活層が形成されていることを特徴とするレジストパターン形成用基板。 - 前記レジスト膜層が、化学増幅型ネガレジスト組成物からなることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成用基板。
- 前記酸失活層が、塩基性物質からなることを特徴とする請求項1または2記載のレジストパターン形成用基板。
- 前記塩基性物質が、アミン化合物からなることを特徴とする請求項3記載のレジストパターン形成用基板。
- 前記アミン化合物が、アンモニアであることを特徴とする請求項4記載のレジストパターン形成用基板。
- 前記酸失活層が、塩基性物質を生成する材料からなることを特徴とする請求項1また2記載のレジストパターン形成用基板。
- 前記塩基性物質を生成する材料が、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする請求項6記載のレジストパターン形成用基板。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のレジストパターン形成用基板に、露光光線または描画ビームを照射し、その後現像処理することにより、オーバーハング形状または逆テーパー形状のレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のレジストパターン形成用基板に、露光処理および現像処理が施されて、オーバーハング形状または逆テーパー形状のレジストパターンが形成されてなることを特徴とするパネル。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071479A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-04-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスを形成する方法 |
JP2016017998A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法、レジストパターンの形成方法 |
JP2017175058A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05165218A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ネガ型感光性組成物 |
JPH07273007A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH08334901A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP2001028295A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2002124448A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層レジスト基板、その製法およびその利用 |
JP2005148391A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 隔壁形成用レジスト組成物、el表示素子の隔壁、およびel表示素子 |
JP2005316412A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05165218A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ネガ型感光性組成物 |
JPH07273007A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH08334901A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP2001028295A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2002124448A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層レジスト基板、その製法およびその利用 |
JP2005148391A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 隔壁形成用レジスト組成物、el表示素子の隔壁、およびel表示素子 |
JP2005316412A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071479A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-04-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスを形成する方法 |
JP2016017998A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法、レジストパターンの形成方法 |
JP2017175058A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
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