JP2001028295A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2001028295A JP2001028295A JP11200110A JP20011099A JP2001028295A JP 2001028295 A JP2001028295 A JP 2001028295A JP 11200110 A JP11200110 A JP 11200110A JP 20011099 A JP20011099 A JP 20011099A JP 2001028295 A JP2001028295 A JP 2001028295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- organic
- manufacturing
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の有機エレクトロルミネッセンスパネル
製造方法と比較して工程を大幅に増加させることなしに
精度良く製造される自発光型の平板型表示パネルの製造
方法を提供する。 【解決手段】 透明電極１０２がパターニングされてい
る、ガラス基板１０１上にネガ型フォトレジストを塗布
し、パターン幅が異なるフォトマスク１０４及びフォト
マスク１０５を用いて２回感光することにより、所望の
幅の庇部とこれを支える柱部からなる断面構造のフォト
レジスト層１０６を形成し、この上に有機発光層でなる
有機層１０７及び陰極層１０８を順次蒸着積層して陰極
分離パターニングを行い有機エレクトロルミネッセンス
パネルを作製した。
製造方法と比較して工程を大幅に増加させることなしに
精度良く製造される自発光型の平板型表示パネルの製造
方法を提供する。 【解決手段】 透明電極１０２がパターニングされてい
る、ガラス基板１０１上にネガ型フォトレジストを塗布
し、パターン幅が異なるフォトマスク１０４及びフォト
マスク１０５を用いて２回感光することにより、所望の
幅の庇部とこれを支える柱部からなる断面構造のフォト
レジスト層１０６を形成し、この上に有機発光層でなる
有機層１０７及び陰極層１０８を順次蒸着積層して陰極
分離パターニングを行い有機エレクトロルミネッセンス
パネルを作製した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光による自
発光型の表示素子であるエレクトロルミネッセンス素子
（ＥＬ素子）に関するものであり、特に有機ＥＬ素子を
用いた表示装置の信頼性を向上させることを目的とする
するものである。
発光型の表示素子であるエレクトロルミネッセンス素子
（ＥＬ素子）に関するものであり、特に有機ＥＬ素子を
用いた表示装置の信頼性を向上させることを目的とする
するものである。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化マルチメディア社会の発展に
伴い、低消費電力・高画質の平板型表示素子の開発が活
発化している。非発光型の液晶表示素子は低消費電力を
特長としてその位置を確立し、携帯情報端末等への応用
と更なる高性能化が進んでいる。
伴い、低消費電力・高画質の平板型表示素子の開発が活
発化している。非発光型の液晶表示素子は低消費電力を
特長としてその位置を確立し、携帯情報端末等への応用
と更なる高性能化が進んでいる。
【０００３】一方、自発光型の表示素子は外光に影響さ
れにくく、室内での認識が容易なことから、従来のＣＲ
Ｔの代替えや、更にはＣＲＴでは実現困難な大画面表示
や超高精細表示の実現に向けて、電界発光型ディスプレ
イ（ＥＬ）の開発が活発化している。
れにくく、室内での認識が容易なことから、従来のＣＲ
Ｔの代替えや、更にはＣＲＴでは実現困難な大画面表示
や超高精細表示の実現に向けて、電界発光型ディスプレ
イ（ＥＬ）の開発が活発化している。
【０００４】１９８７年にタンらがアプライド・フィジ
ックス・レター51巻、913頁、（1987）（Appl. Phys. L
ett. Vol.51, p.913 (1987)）において、基板上に正孔
注入用電極層、有機正孔輸送層、有機電子輸送性発光
層、電子注入用電極層を付着形成された構造の有機ＥＬ
素子を提案して以来、この素子が平板型自発光素子であ
ることに加えて、低消費電力でかつ高輝度、高速応答、
広視野角表示が可能であることから大きな注目を浴び、
有機ＥＬディスプレイに関する研究開発が活発化してい
る。特に最近では、有機ＥＬによる文字数字表示素子が
実用化され、更に画像表示素子が試作されるに至ってい
る。
ックス・レター51巻、913頁、（1987）（Appl. Phys. L
ett. Vol.51, p.913 (1987)）において、基板上に正孔
注入用電極層、有機正孔輸送層、有機電子輸送性発光
層、電子注入用電極層を付着形成された構造の有機ＥＬ
素子を提案して以来、この素子が平板型自発光素子であ
ることに加えて、低消費電力でかつ高輝度、高速応答、
広視野角表示が可能であることから大きな注目を浴び、
有機ＥＬディスプレイに関する研究開発が活発化してい
る。特に最近では、有機ＥＬによる文字数字表示素子が
実用化され、更に画像表示素子が試作されるに至ってい
る。
【０００５】従来の有機ＥＬ素子の概要構成について図
３を用いて示す。
３を用いて示す。
【０００６】ガラス基板３０１の上に酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）等の比較的大きなイオン化ポテンシャルを有
し正孔の注入が容易な透明導電性薄膜でなる陽極３０２
が形成されている。次にその表面のほぼ全面に正孔輸送
層及び電子輸送性の発光層が順次付着された有機層３０
３が形成されている。そしてその表面に銀マグネシウム
合金（ＡｇＭｇ）等の比較的低い仕事関数を有し電子の
注入の容易な金属層でなる陰極３０４が形成されてい
る。
（ＩＴＯ）等の比較的大きなイオン化ポテンシャルを有
し正孔の注入が容易な透明導電性薄膜でなる陽極３０２
が形成されている。次にその表面のほぼ全面に正孔輸送
層及び電子輸送性の発光層が順次付着された有機層３０
３が形成されている。そしてその表面に銀マグネシウム
合金（ＡｇＭｇ）等の比較的低い仕事関数を有し電子の
注入の容易な金属層でなる陰極３０４が形成されてい
る。
【０００７】電子輸送性の発光層は一般的に金属に比較
して低い仕事関数を有するが、ＡｇＭｇ合金等の低仕事
関数を有する金属を陰極として用いることにより電子の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。また、正孔
輸送層は比較的大きなイオン化ポテンシャルを有するの
で、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等のイオン化ポテンシ
ャルの大きな材料を陽極として用いることにより正孔の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。そこで、陰
極に対して陽極に正の直流電圧を印加することにより、
陽極（ＩＴＯ）３０２から正孔輸送層に正孔が注入さ
れ、また陰極３０４から電子輸送性の発光層に電子が注
入され、更に正孔輸送層と電子輸送層（発光層）の接合
部近傍の発光層中でこれらが結合することにより励起子
が形成され発光３０５が生じる。この発光は透明電極及
び基板を通して観測がなされる。この発光原理はガリウ
ム砒素等で形成された無機の発光ダイオードに類似して
おり、ＰＮ接合のされた化合物半導体に電子と正孔を注
入することにより接合部近傍で電子と正孔の再結合する
ことによる発光と対応させることができる。そして、電
子輸送層はＮ型化合物半導体、正孔輸送層はＰ型化合物
半導体に対比させるさせることができる。
して低い仕事関数を有するが、ＡｇＭｇ合金等の低仕事
関数を有する金属を陰極として用いることにより電子の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。また、正孔
輸送層は比較的大きなイオン化ポテンシャルを有するの
で、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等のイオン化ポテンシ
ャルの大きな材料を陽極として用いることにより正孔の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。そこで、陰
極に対して陽極に正の直流電圧を印加することにより、
陽極（ＩＴＯ）３０２から正孔輸送層に正孔が注入さ
れ、また陰極３０４から電子輸送性の発光層に電子が注
入され、更に正孔輸送層と電子輸送層（発光層）の接合
部近傍の発光層中でこれらが結合することにより励起子
が形成され発光３０５が生じる。この発光は透明電極及
び基板を通して観測がなされる。この発光原理はガリウ
ム砒素等で形成された無機の発光ダイオードに類似して
おり、ＰＮ接合のされた化合物半導体に電子と正孔を注
入することにより接合部近傍で電子と正孔の再結合する
ことによる発光と対応させることができる。そして、電
子輸送層はＮ型化合物半導体、正孔輸送層はＰ型化合物
半導体に対比させるさせることができる。
【０００８】上記に示した通常の有機ＥＬ素子において
表示部をパターン化するためには陽極および陰極のパタ
ーニングが必要である。陽極のパターニングに際して
は、通常のフォトリソグラフィ法を用いることが出来る
が、陰極のパターニングに際しては、既に積層された有
機材料の耐水性、耐薬品性に問題があるために有機溶媒
等を用いる通常のフォトリソグラフィ法を用いることが
出来ない。この問題を解決する方法が特開平８−３１５
９８１号公報に開示されている。この技術は、ＩＴＯパ
ターニング後の基板上に１〜１０μｍの高さを持ち、片
側１μｍのオーバーハング部を持つ隔壁を作製し、この
基板に有機ＥＬ媒体および陰極材料を蒸着して、隔壁の
オーバーハング部により陰極ラインの分離を行う方法で
ある。
表示部をパターン化するためには陽極および陰極のパタ
ーニングが必要である。陽極のパターニングに際して
は、通常のフォトリソグラフィ法を用いることが出来る
が、陰極のパターニングに際しては、既に積層された有
機材料の耐水性、耐薬品性に問題があるために有機溶媒
等を用いる通常のフォトリソグラフィ法を用いることが
出来ない。この問題を解決する方法が特開平８−３１５
９８１号公報に開示されている。この技術は、ＩＴＯパ
ターニング後の基板上に１〜１０μｍの高さを持ち、片
側１μｍのオーバーハング部を持つ隔壁を作製し、この
基板に有機ＥＬ媒体および陰極材料を蒸着して、隔壁の
オーバーハング部により陰極ラインの分離を行う方法で
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、隔
壁材料およびオーバーハング部材料を製膜し、フォトリ
ソグラフィ法を用いてオーバーハング部を形成し、更に
ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いて隔
壁を形成しており、工程数が大幅に増加する。また、ネ
ガ型フォトレジストを用い、露光時のレジストの膜厚方
向における露光量の傾斜を利用して逆テーパーを形成し
ており、露光量を精度良く制御する必要が有る。
壁材料およびオーバーハング部材料を製膜し、フォトリ
ソグラフィ法を用いてオーバーハング部を形成し、更に
ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いて隔
壁を形成しており、工程数が大幅に増加する。また、ネ
ガ型フォトレジストを用い、露光時のレジストの膜厚方
向における露光量の傾斜を利用して逆テーパーを形成し
ており、露光量を精度良く制御する必要が有る。
【００１０】本発明は、隔壁形成に際し、工程数を大幅
に増加させることなくまた精度の良い露光量制御の必要
もなしに確実にオーバーハング部を形成する隔壁形成方
法である。
に増加させることなくまた精度の良い露光量制御の必要
もなしに確実にオーバーハング部を形成する隔壁形成方
法である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の発光部
からなる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造時
において、陰極分離パターニングのためのオーバーハン
グ部の形成に際して２回露光を行うことにより、庇部と
柱部の形成を簡便かつ確実に行うものである。
からなる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造時
において、陰極分離パターニングのためのオーバーハン
グ部の形成に際して２回露光を行うことにより、庇部と
柱部の形成を簡便かつ確実に行うものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、複数の発光部からなる発光装置の製造方法であっ
て、前記発光部に対応する複数の第一の表示電極をパタ
ーニングした基板上にネガ型感光性樹脂を塗布し、所定
の抜きパターン幅のフォトマスクを用いて、前記ネガ型
感光性樹脂の膜厚の全体が感光しない程度の光量で露光
し、次に前記所定の抜きパターンよりも狭い抜き幅のフ
ォトマスクを用いて前記ネガ型感光性樹脂の膜厚の全体
が感光する光量で露光し、その後現像することにより、
所定の幅の庇部とこれを支える柱部を有する樹脂層を形
成し、次に有機材料および第二の表示電極材料を蒸着す
る発光装置の製造方法であり、少ない工程数で確実にオ
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
は、複数の発光部からなる発光装置の製造方法であっ
て、前記発光部に対応する複数の第一の表示電極をパタ
ーニングした基板上にネガ型感光性樹脂を塗布し、所定
の抜きパターン幅のフォトマスクを用いて、前記ネガ型
感光性樹脂の膜厚の全体が感光しない程度の光量で露光
し、次に前記所定の抜きパターンよりも狭い抜き幅のフ
ォトマスクを用いて前記ネガ型感光性樹脂の膜厚の全体
が感光する光量で露光し、その後現像することにより、
所定の幅の庇部とこれを支える柱部を有する樹脂層を形
成し、次に有機材料および第二の表示電極材料を蒸着す
る発光装置の製造方法であり、少ない工程数で確実にオ
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、複数の
発光部からなる発光装置の製造方法であって、前記発光
部に対応する複数の第一の表示電極をパターニングした
基板上にネガ型感光性樹脂を塗布し、所定の抜きパター
ン幅のフォトマスクを用いて、前記ネガ型感光性樹脂の
膜厚の全体が感光しない程度の光量で露光し、次に前記
フォトマスクを所定量だけ移動させた後、再度露光を行
い、その後現像することにより、所望の幅の庇部とこれ
を支える柱部を有する樹脂層を形成し、次に有機材料お
よび第二の表示電極材料を蒸着する発光装置の製造方法
であり、少ない工程数で確実にオーバーハング部を形成
でき、簡単な方法で隔壁が形成できる。
発光部からなる発光装置の製造方法であって、前記発光
部に対応する複数の第一の表示電極をパターニングした
基板上にネガ型感光性樹脂を塗布し、所定の抜きパター
ン幅のフォトマスクを用いて、前記ネガ型感光性樹脂の
膜厚の全体が感光しない程度の光量で露光し、次に前記
フォトマスクを所定量だけ移動させた後、再度露光を行
い、その後現像することにより、所望の幅の庇部とこれ
を支える柱部を有する樹脂層を形成し、次に有機材料お
よび第二の表示電極材料を蒸着する発光装置の製造方法
であり、少ない工程数で確実にオーバーハング部を形成
でき、簡単な方法で隔壁が形成できる。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図1
及び図2を用いて説明する。
及び図2を用いて説明する。
【００１５】（実施の形態１）図１において、１０１は
ガラス基板である。その表面には正孔を注入するための
酸化インジウム錫でなる透明電極（陽極）１０２がパタ
ーニングされている、この基板に日本ゼオン製ネガ型フ
ォトレジストＺＰＮ−１１００を４μｍスピンコート
し、ホットプレートを用いてプリベークした、１０３が
それである。次に、所望の抜きパターンのフォトマスク
１０４を用いフォトレジストの感光に必要な露光量の半
分程度の露光を行った（同図（ａ））。更に、所望のパ
ターンよりも細い抜きパターン幅のフォトマスク１０５
を用い樹脂膜厚の全体が感光する光量の露光を行った
（同図（ｂ））。この後ホットプレートを用いてポスト
・エキスポージャ・ベーク（ＰＥＢ）を行い現像し、所
望の幅の庇部とこれを支える柱部からなる断面構造を形
成した。１０６がその断面である（同図（ｃ））。この
基板にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-meth
ylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]）でなる正
孔輸送層とアルミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8-hyd
roxyquino)aluminum]）でなる電子輸送性の有機発光層
でなる有機層１０７、及び電子を注入するための銀マグ
ネシウム合金でなる陰極層１０８を順次蒸着積層して陰
極分離パターニングを行い有機エレクトロルミネッセン
スパネルを作製した（同図（ｄ））。
ガラス基板である。その表面には正孔を注入するための
酸化インジウム錫でなる透明電極（陽極）１０２がパタ
ーニングされている、この基板に日本ゼオン製ネガ型フ
ォトレジストＺＰＮ−１１００を４μｍスピンコート
し、ホットプレートを用いてプリベークした、１０３が
それである。次に、所望の抜きパターンのフォトマスク
１０４を用いフォトレジストの感光に必要な露光量の半
分程度の露光を行った（同図（ａ））。更に、所望のパ
ターンよりも細い抜きパターン幅のフォトマスク１０５
を用い樹脂膜厚の全体が感光する光量の露光を行った
（同図（ｂ））。この後ホットプレートを用いてポスト
・エキスポージャ・ベーク（ＰＥＢ）を行い現像し、所
望の幅の庇部とこれを支える柱部からなる断面構造を形
成した。１０６がその断面である（同図（ｃ））。この
基板にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-meth
ylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]）でなる正
孔輸送層とアルミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8-hyd
roxyquino)aluminum]）でなる電子輸送性の有機発光層
でなる有機層１０７、及び電子を注入するための銀マグ
ネシウム合金でなる陰極層１０８を順次蒸着積層して陰
極分離パターニングを行い有機エレクトロルミネッセン
スパネルを作製した（同図（ｄ））。
【００１６】この方法により、少ない工程数で確実にオ
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
【００１７】（実施の形態２）本発明の第２の実施形態
における発光素子について図２を参照しながら説明す
る。
における発光素子について図２を参照しながら説明す
る。
【００１８】図２において、２０１はガラス基板であ
る。その表面には正孔を注入するための酸化インジウム
錫でなる透明電極（陽極）２０２がストライプ状にパタ
ーニングされている、この基板に日本ゼオン製ネガ型フ
ォトレジストＺＰＮ−１１００を４μｍスピンコート
し、ホットプレートを用いてプリベークした、２０３が
それである。次に、ストライプ状のパターンのフォトマ
スク２０４を用いフォトレジストの感光に必要な露光量
の半分程度の露光を行った（同図（ａ））。更に、この
マスクを所望のパターン幅となる量だけ短軸方向に移動
させて感光に必要な露光量の半分程度が感光する光量の
露光を行った（同図（ｂ））。この後ホットプレートを
用いてＰＥＢを行い現像し、所望の幅の庇部とこれを支
える柱部からなる断面構造を形成した。２０５がその断
面である（同図（ｃ））。この基板にトリフェニルジア
ミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphen
yl)-4,4'-diamine]）でなる正孔輸送層とアルミキノリ
ノール錯体（Ａlｑ[tris(8-hydroxyquino)aluminum]）
でなる電子輸送性の有機発光層でなる有機層２０６、及
び電子を注入するための銀マグネシウム合金でなる陰極
層２０７を順次蒸着積層して陰極分離パターニングを行
い有機エレクトロルミネッセンスパネルを作製した（同
図（ｄ））。
る。その表面には正孔を注入するための酸化インジウム
錫でなる透明電極（陽極）２０２がストライプ状にパタ
ーニングされている、この基板に日本ゼオン製ネガ型フ
ォトレジストＺＰＮ−１１００を４μｍスピンコート
し、ホットプレートを用いてプリベークした、２０３が
それである。次に、ストライプ状のパターンのフォトマ
スク２０４を用いフォトレジストの感光に必要な露光量
の半分程度の露光を行った（同図（ａ））。更に、この
マスクを所望のパターン幅となる量だけ短軸方向に移動
させて感光に必要な露光量の半分程度が感光する光量の
露光を行った（同図（ｂ））。この後ホットプレートを
用いてＰＥＢを行い現像し、所望の幅の庇部とこれを支
える柱部からなる断面構造を形成した。２０５がその断
面である（同図（ｃ））。この基板にトリフェニルジア
ミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphen
yl)-4,4'-diamine]）でなる正孔輸送層とアルミキノリ
ノール錯体（Ａlｑ[tris(8-hydroxyquino)aluminum]）
でなる電子輸送性の有機発光層でなる有機層２０６、及
び電子を注入するための銀マグネシウム合金でなる陰極
層２０７を順次蒸着積層して陰極分離パターニングを行
い有機エレクトロルミネッセンスパネルを作製した（同
図（ｄ））。
【００１９】この方法により、少ない工程数で確実にオ
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
ーバーハング部を形成でき、簡単な方法で隔壁が形成で
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の有
機エレクトロルミネッセンスパネル製造方法と比較して
工程を大幅に増加させることなしに精度良く製造される
自発光型の平板型表示パネルを提供するものであり、産
業上極めて大きな効果が期待できる。
機エレクトロルミネッセンスパネル製造方法と比較して
工程を大幅に増加させることなしに精度良く製造される
自発光型の平板型表示パネルを提供するものであり、産
業上極めて大きな効果が期待できる。
【図１】本発明第１の実施の形態における発光素子の製
造工程の概念図
造工程の概念図
【図２】本発明第２の実施の形態における発光素子の製
造工程の概念図
造工程の概念図
【図３】従来の有機発光素子の構造を示す概念図
１０１ ガラス基板 １０２ 透明電極 １０３ ネガレジスト １０４ フォトマスク １０５ フォトマスク １０６ ネガレジスト １０７ 有機層 １０８ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福山 正雄 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 鈴木 睦美 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の発光部からなる発光装置の製造方
法であって、前記発光部に対応する複数の第一の表示電
極をパターニングした基板上にネガ型感光性樹脂を塗布
し、所定の抜きパターン幅のフォトマスクを用いて、前
記ネガ型感光性樹脂の膜厚の全体が感光しない程度の光
量で露光し、次に前記所定の抜きパターンよりも狭い抜
き幅のフォトマスクを用いて前記ネガ型感光性樹脂の膜
厚の全体が感光する光量で露光し、その後現像すること
により、所定の幅の庇部とこれを支える柱部を有する樹
脂層を形成し、次に有機材料および第二の表示電極材料
を蒸着する発光装置の製造方法。 - 【請求項２】 複数の発光部からなる発光装置の製造方
法であって、前記発光部に対応する複数の第一の表示電
極をパターニングした基板上にネガ型感光性樹脂を塗布
し、所定の抜きパターン幅のフォトマスクを用いて、前
記ネガ型感光性樹脂の膜厚の全体が感光しない程度の光
量で露光し、次に前記フォトマスクを所定量だけ移動さ
せた後、再度露光を行い、その後現像することにより、
所望の幅の庇部とこれを支える柱部を有する樹脂層を形
成し、次に有機材料および第二の表示電極材料を蒸着す
る発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11200110A JP2001028295A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11200110A JP2001028295A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001028295A true JP2001028295A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=16419006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11200110A Pending JP2001028295A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001028295A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413856B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-01-07 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100415433B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2004-01-24 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100528256B1 (ko) * | 2002-08-02 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR100762121B1 (ko) | 2004-11-30 | 2007-10-01 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| JP2007281304A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル |
| JP2012190789A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁パターン及びその形成方法、発光装置及びその作製方法、並びに照明装置 |
-
1999
- 1999-07-14 JP JP11200110A patent/JP2001028295A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413856B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-01-07 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100415433B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2004-01-24 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100528256B1 (ko) * | 2002-08-02 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR100762121B1 (ko) | 2004-11-30 | 2007-10-01 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| JP2007281304A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル |
| JP2012190789A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁パターン及びその形成方法、発光装置及びその作製方法、並びに照明装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4809682B2 (ja) | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 | |
| US8193018B2 (en) | Patterning method for light-emitting devices | |
| KR102193886B1 (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100643404B1 (ko) | 디스플레이장치 및 그 제조방법 | |
| JP2003303687A (ja) | 有機発光表示装置 | |
| KR20150061921A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| JP2006140151A (ja) | 両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| KR20150060509A (ko) | 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
| JP2007149922A (ja) | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 | |
| KR100462858B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
| JP2005327674A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法 | |
| JP2010503192A (ja) | 有機電子装置 | |
| US20140070179A1 (en) | Organic light emitting display device having improved auxiliary light emitting layer structure and manufacturing method thereof | |
| WO2018112992A1 (zh) | 有机发光器件及其制作方法 | |
| KR20180121757A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150037375A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20080102366A (ko) | 유기 발광 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100724483B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH11185968A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
| JP2007095342A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2001028295A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| KR101808528B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR102043851B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20030014062A (ko) | 유기 el 소자의 격벽 제조방법 | |
| KR20150015139A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조방법 |