JP2005112653A - マグネシウムシリサイドの合成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 液状MgCl2中、Si塊と金属Mgとを常圧で加熱する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
(c)Si基板:0.031g, Mgリボン:0.054g, 8時間
得られたマグネシウムシリサイドのX線回折スペクトルの結果を、図2(a)〜(c)に示す。観察される回折ピークは、全てMg2Siに起因するものである。このように、多結晶ではあるがMg2Siのみ成長しており、他の組成比を有する化合物の存在は認められない。
Claims (6)
- 液状MgCl2中、Si塊と金属Mgとを常圧で加熱する工程を具備することを特徴とするマグネシウムシリサイドの合成方法。
- 前記加熱に先立って、前記Si塊を所望の形状に加工する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のマグネシウムシリサイドの合成方法。
- 前記液状MgCl2は、るつぼに収容された固体状のMgCl2を融点以上に加熱することにより形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のマグネシウムシリサイドの合成方法。
- 前記MgCl2の加熱は、714℃以上1102℃以下の温度で行なわれることを特徴とする請求項3に記載のマグネシウムシリサイドの合成方法。
- 前記Si塊と金属Mgとは、2:1のモル比で用いられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のマグネシウムシリサイドの合成方法。
- 前記Si塊は、Geを含有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のマグネシウムシリサイドの合成方法。
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