JP2009046381A - 金属ケイ素化物の製造方法 - Google Patents
金属ケイ素化物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009046381A JP2009046381A JP2008177452A JP2008177452A JP2009046381A JP 2009046381 A JP2009046381 A JP 2009046381A JP 2008177452 A JP2008177452 A JP 2008177452A JP 2008177452 A JP2008177452 A JP 2008177452A JP 2009046381 A JP2009046381 A JP 2009046381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- powder
- fesi
- bulk body
- metal silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Naの融液または蒸気を付加した状態で、金属とSiとを加熱する。金属およびSiは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にSiの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびSiのバルク体または粉体を同一Na融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Fe、Mg、Cr、Moから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−FeSi2、Mg2Si、CrSi2またはMoSi2である。更に、加熱温度は、500℃以上、1200℃以下である。
【選択図】図1
Description
図1に、合成に使用した反応容器の概略図を示す。不活性ガスとして高純度アルゴン雰囲気(O2,H2O濃度<1ppm)のグローブボックス内で、Fe:Siのモル比が1:x(x=2.0〜2.25)となるよう、50mg(0.9mmol)の金属Fe粉末(Wako製,99.9%,<45μm)と50〜63mg(1.8〜2.2mmol)のSi粉末(Koujundo Kagaku製,99.999%,<75μm)とを秤量し、ガラス容器(2ml)に入れた。この容器内で各粉末を薬さじでかき混ぜて混合粉末3とした。これを、210mg(9mmol)の金属ナトリウム(Nippon Soda製,99.95%)2とともに焼結BNルツボ(φ6×10mm of inner volume,Showa Denko製,99.5%)1に入れた。
2 金属ナトリウム
3 FeとSiとの混合粉末
4 ステンレス柱
5 反応容器
Claims (4)
- 金属ケイ素化物の製造方法において、不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Naの融液または蒸気を付加した状態で、金属とSiとを加熱することを、特徴とする金属ケイ素化物の製造方法。
- 前記金属および前記Siは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、前記金属のバルク体の上に前記Siの粉末またはバルク体を接触させたもの、前記金属のバルク体または粉体、および前記Siのバルク体または粉体を同一Na融液に浸したもののうち、いずれか一種類であることを、特徴とする請求項1記載の金属ケイ素化物の製造方法。
- 前記金属が、Fe、Mg、Cr、Moから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、前記金属と前記Siとを加熱した後に得られる主たる金属ケイ素化物が、β−FeSi2、Mg2Si、CrSi2またはMoSi2であることを、特徴とする請求項1または2記載の金属ケイ素化物の製造方法。
- 前記金属と前記Siとを加熱する温度は、500℃以上、1200℃以下であることを、特徴とする請求項1、2または3記載の金属ケイ素化物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008177452A JP5142208B2 (ja) | 2007-07-20 | 2008-07-08 | 金属ケイ素化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007188910 | 2007-07-20 | ||
JP2007188910 | 2007-07-20 | ||
JP2008177452A JP5142208B2 (ja) | 2007-07-20 | 2008-07-08 | 金属ケイ素化物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009046381A true JP2009046381A (ja) | 2009-03-05 |
JP5142208B2 JP5142208B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=40498964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008177452A Expired - Fee Related JP5142208B2 (ja) | 2007-07-20 | 2008-07-08 | 金属ケイ素化物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5142208B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010083732A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Tohoku Univ | シリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法 |
JP2011079682A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tohoku Univ | 多結晶繊維状シリコンの製造方法および多結晶繊維状シリコン |
JP2011249630A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | National Institute For Materials Science | 遷移金属をドープした希土類ホウ炭化物系熱電半導体、その製造方法及び熱電発電素子 |
JP2012072046A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-04-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | 遷移金属シリサイド−Si複合粉末及びその製造方法、並びに、遷移金属シリサイド−Si複合粉末製造用CaSiy系粉末及びその製造方法 |
JP2013035735A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | Mg2Si微粒子及びその製造方法 |
EP3151313A1 (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-05 | Samsung SDI Co., Ltd. | Negative active material and negative electrode and lithium battery including the material |
JP2018012614A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | アイシン精機株式会社 | 超伝導物質及びその製造方法 |
RU2803976C1 (ru) * | 2022-12-12 | 2023-09-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ производства тонкопленочного термоэлектрического преобразователя на основе дисилицида хрома |
WO2023195205A1 (ja) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | 国立大学法人東北大学 | 金属珪化物およびその製造方法、合金材およびその製造方法、発熱体、電気抵抗体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5437100A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-19 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Method of producing chromium disilicide |
JPH10317086A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | β−FeSi2材料およびその作製方法 |
JP2004289045A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | β‐FeSi2の製造方法 |
JP2005112653A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Univ Shizuoka | マグネシウムシリサイドの合成方法 |
JP2005263562A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Tama Tlo Kk | β−FeSi2の製造方法 |
-
2008
- 2008-07-08 JP JP2008177452A patent/JP5142208B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5437100A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-19 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Method of producing chromium disilicide |
JPH10317086A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | β−FeSi2材料およびその作製方法 |
JP2004289045A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | β‐FeSi2の製造方法 |
JP2005112653A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Univ Shizuoka | マグネシウムシリサイドの合成方法 |
JP2005263562A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Tama Tlo Kk | β−FeSi2の製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010083732A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Tohoku Univ | シリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法 |
JP2011079682A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tohoku Univ | 多結晶繊維状シリコンの製造方法および多結晶繊維状シリコン |
JP2011249630A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | National Institute For Materials Science | 遷移金属をドープした希土類ホウ炭化物系熱電半導体、その製造方法及び熱電発電素子 |
JP2012072046A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-04-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | 遷移金属シリサイド−Si複合粉末及びその製造方法、並びに、遷移金属シリサイド−Si複合粉末製造用CaSiy系粉末及びその製造方法 |
JP2013035735A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | Mg2Si微粒子及びその製造方法 |
EP3151313A1 (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-05 | Samsung SDI Co., Ltd. | Negative active material and negative electrode and lithium battery including the material |
CN106953090A (zh) * | 2015-10-02 | 2017-07-14 | 三星Sdi株式会社 | 负极活性物质及包括所述物质的负极和锂电池 |
US10553865B2 (en) | 2015-10-02 | 2020-02-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Negative active material and negative electrode and lithium battery including the material |
CN106953090B (zh) * | 2015-10-02 | 2021-07-06 | 三星Sdi株式会社 | 负极活性物质及包括所述物质的负极和锂电池 |
JP2018012614A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | アイシン精機株式会社 | 超伝導物質及びその製造方法 |
WO2023195205A1 (ja) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | 国立大学法人東北大学 | 金属珪化物およびその製造方法、合金材およびその製造方法、発熱体、電気抵抗体 |
RU2803976C1 (ru) * | 2022-12-12 | 2023-09-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ производства тонкопленочного термоэлектрического преобразователя на основе дисилицида хрома |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5142208B2 (ja) | 2013-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5142208B2 (ja) | 金属ケイ素化物の製造方法 | |
JP2011029566A (ja) | 高圧焼結方法を利用した高密度化高性能ナノ結晶バルク熱電材料の製造方法 | |
JP4976567B2 (ja) | 熱電変換材料 | |
JP5737566B2 (ja) | マグネシウムシリサイド焼結体の製造方法及びそれを用いた熱電変換素子の製造方法 | |
JP6663612B2 (ja) | 多結晶性マグネシウムシリサイドの製造方法および焼結体の製造方法 | |
JP2009188368A (ja) | マグネシウム、珪素、スズからなる熱電半導体およびその製造方法 | |
CN101435029A (zh) | 高性能纳米结构填充式方钴矿热电材料的快速制备方法 | |
CN105765748A (zh) | 具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法 | |
CN109399580B (zh) | 一种快速制备CuFeSe2的方法 | |
WO2012073946A1 (ja) | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール | |
KR20150044794A (ko) | 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
JP2004134673A (ja) | n型熱電変換材料およびその製造方法 | |
CN109087987B (zh) | 一种α-MgAgSb基纳米复合热电材料及其制备方法 | |
CN109022863B (zh) | 一种填充Ga的基方钴矿热电材料及其制备方法 | |
JP6865951B2 (ja) | p型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 | |
JP2012256759A (ja) | クラスレート化合物および熱電変換材料ならびに熱電変換材料の製造方法 | |
JP6560061B2 (ja) | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび熱電変換材料の製造方法 | |
JP2009040649A (ja) | クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子 | |
KR20110092762A (ko) | 기계적 합금화에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법 및 이에 의해 제조된 Mg2Si 열전재료 | |
JP6155141B2 (ja) | 熱電変換材料およびその製造方法 | |
KR101339880B1 (ko) | Sb 도핑된 ZrNiSn 하프-호이즐러 합금 및 그 제조방법 | |
JP6877814B2 (ja) | 熱電材料およびこれを含む熱電素子 | |
KR100689253B1 (ko) | 스커테루다이트 열전재료의 제조방법 | |
US11171278B2 (en) | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion module, and method for manufacturing thermoelectric conversion material | |
JP2006057125A (ja) | クラスレート化合物、クラスレート化合物の製造方法及び熱電変換素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5142208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |