JP2005109242A5 - - Google Patents

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Claims (10)

  1. 強磁性層からなる自由層及び固定層と、強磁性層からなり、前記自由層及び固定層の間に設けられる平均自由行程以下の寸法を持つ１又は２以上のナノ接合部とを有し、前記ナノ接合部の内部に現れる磁壁が、主として、ブロッホ磁壁、ネール磁壁又はそれらが混在している磁壁であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 前記磁壁が主としてブロッホ磁壁である請求項１に記載の磁気抵抗効果素子において、当該磁気抵抗効果素子の積層方向における前記ナノ接合部の寸法ｈとナノ接合部の形成材料の格子定数ａとが、ｈ＜４×ａの関係であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  3. 前記磁壁が主としてネール磁壁である請求項１に記載の磁気抵抗効果素子において、当該磁気抵抗効果素子の積層方向における前記ナノ接合部の寸法ｈとナノ接合部の形成材料の格子定数ａとが、ｈ＞２０×ａの関係であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  4. 強磁性層からなる前記自由層及び前記固定層が、分極率０．５以上の強磁性材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
  5. 前記ナノ接合部及び当該ナノ接合部以外の部位である絶縁層と、前記自由層及び固定層の一方又は両方との間に、導電性薄層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
  6. 前記導電性薄層の厚さが０．１〜１ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果素子。
  7. 前記絶縁層が、酸化物又は窒化物等の絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果素子。
  8. 信号を検出するためのセンス電流が、ナノ接合部を介して、前記自由層と固定層との間を流れることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする磁気ヘッド。
  10. 強磁性層からなる自由層及び固定層と、
    強磁性層からなり、前記自由層及び固定層の間に設けられる１又は２以上のナノ接合部とを有し、
    前記ナノ接合部及び当該ナノ接合部以外の部位である絶縁層と、前記自由層及び固定層の一方又は両方との間に、導電性薄層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
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