JP2002314168A - Ｃｐｐ構造電磁変換素子およびその製造方法 - Google Patents
Ｃｐｐ構造電磁変換素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁変換膜の縮小化に頼ることなく、電磁変
換膜に供給される電流の通り道をさらに狭めることがで
きるＣＰＰ構造電磁変換素子を提供する。 【解決手段】 ＣＰＰ構造電磁変換素子３２は、電磁変
換膜４３にセンス電流を供給する上側および下側引き出
し導電層４６、３８を備える。下側引き出し導電層３８
表面には導電端子片３９が立ち上がる。導電端子片３９
と電磁変換膜４３との接触面で電流の通り道は規定され
る。電流の通り道は、電磁変換膜４３に接触する導電端
子片３９の頂上面の広がりに基づき決定されることがで
きる。こういったＣＰＰ構造電磁変換素子３２では、電
磁変換膜４３の縮小化に依存せずに電磁変換膜４３に対
する電流の通り道は狭められることができる。
換膜に供給される電流の通り道をさらに狭めることがで
きるＣＰＰ構造電磁変換素子を提供する。 【解決手段】 ＣＰＰ構造電磁変換素子３２は、電磁変
換膜４３にセンス電流を供給する上側および下側引き出
し導電層４６、３８を備える。下側引き出し導電層３８
表面には導電端子片３９が立ち上がる。導電端子片３９
と電磁変換膜４３との接触面で電流の通り道は規定され
る。電流の通り道は、電磁変換膜４３に接触する導電端
子片３９の頂上面の広がりに基づき決定されることがで
きる。こういったＣＰＰ構造電磁変換素子３２では、電
磁変換膜４３の縮小化に依存せずに電磁変換膜４３に対
する電流の通り道は狭められることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばスピンバル
ブ膜やトンネル接合膜といった電磁変換膜と、この電磁
変換膜に直交する垂直方向から電磁変換膜を挟み込む上
側および下側引き出し導電層とを備えるＣＰＰ（Ｃｕｒ
ｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｔｈｅ
−Ｐｌａｎｅ）構造電磁変換素子に関する。
ブ膜やトンネル接合膜といった電磁変換膜と、この電磁
変換膜に直交する垂直方向から電磁変換膜を挟み込む上
側および下側引き出し導電層とを備えるＣＰＰ（Ｃｕｒ
ｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｔｈｅ
−Ｐｌａｎｅ）構造電磁変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】スピンバルブ膜やトンネル接合膜といっ
た磁気抵抗効果膜では自由側強磁性層の単磁区化が実現
されることが望まれる。こういった自由側強磁性層の単
磁区化はバルクハウゼンノイズの低減に大いに寄与する
と考えられる。単磁区化の実現にあたって、スピンバル
ブ膜やトンネル接合膜は１対の磁区制御ハード膜に挟み
込まれる。このような磁気抵抗効果膜や磁区制御ハード
膜は平坦化面上で形成される。例えばＣＰＰ構造電磁変
換素子では、こういった平坦化面は下側引き出し導電層
の表面で規定される。
た磁気抵抗効果膜では自由側強磁性層の単磁区化が実現
されることが望まれる。こういった自由側強磁性層の単
磁区化はバルクハウゼンノイズの低減に大いに寄与する
と考えられる。単磁区化の実現にあたって、スピンバル
ブ膜やトンネル接合膜は１対の磁区制御ハード膜に挟み
込まれる。このような磁気抵抗効果膜や磁区制御ハード
膜は平坦化面上で形成される。例えばＣＰＰ構造電磁変
換素子では、こういった平坦化面は下側引き出し導電層
の表面で規定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述のように磁気抵抗
効果膜および磁区制御ハード膜が下側引き出し導電層上
で形成される場合には、磁気抵抗効果膜は底面全体で下
側引き出し導電層に接触する。すなわち、磁気抵抗効果
膜の大きさに応じて必然的にセンス電流の通り道は決定
されてしまう。センス電流の通り道を狭めるにあたっ
て、磁気抵抗効果膜はさらに縮小されていかなければな
らない。センス電流の通り道が狭められることができれ
ば、磁気情報の読み出しにあたって電磁変換素子の感度
は高められることができる。
効果膜および磁区制御ハード膜が下側引き出し導電層上
で形成される場合には、磁気抵抗効果膜は底面全体で下
側引き出し導電層に接触する。すなわち、磁気抵抗効果
膜の大きさに応じて必然的にセンス電流の通り道は決定
されてしまう。センス電流の通り道を狭めるにあたっ
て、磁気抵抗効果膜はさらに縮小されていかなければな
らない。センス電流の通り道が狭められることができれ
ば、磁気情報の読み出しにあたって電磁変換素子の感度
は高められることができる。
【０００４】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、電磁変換膜の縮小化に頼ることなく、電磁変換膜に
供給される電流の通り道をさらに狭めることができるＣ
ＰＰ構造電磁変換素子を提供することを提供することを
目的とする。
で、電磁変換膜の縮小化に頼ることなく、電磁変換膜に
供給される電流の通り道をさらに狭めることができるＣ
ＰＰ構造電磁変換素子を提供することを提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、下側引き出し導電層と、下側引き
出し導電層の表面から立ち上がる導電端子片と、導電端
子片の壁面に接しつつ下側引き出し導電層の表面に広が
る絶縁膜と、少なくとも導電端子片の頂上面に横たわる
電磁変換膜と、電磁変換膜の頂上面に接触する上側引き
出し導電層とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造電磁
変換素子が提供される。
に、本発明によれば、下側引き出し導電層と、下側引き
出し導電層の表面から立ち上がる導電端子片と、導電端
子片の壁面に接しつつ下側引き出し導電層の表面に広が
る絶縁膜と、少なくとも導電端子片の頂上面に横たわる
電磁変換膜と、電磁変換膜の頂上面に接触する上側引き
出し導電層とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造電磁
変換素子が提供される。
【０００６】こういったＣＰＰ構造電磁変換素子では、
導電端子片と電磁変換膜との接触面で電流の通り道は規
定されることができる。電流の通り道は、電磁変換膜に
接触する導電端子片の頂上面の広がりに基づき決定され
ることができる。すなわち、こういったＣＰＰ構造電磁
変換素子では、電磁変換膜の縮小化に依存せずに電磁変
換膜に対する電流の通り道は狭められることができる。
導電端子片と電磁変換膜との接触面で電流の通り道は規
定されることができる。電流の通り道は、電磁変換膜に
接触する導電端子片の頂上面の広がりに基づき決定され
ることができる。すなわち、こういったＣＰＰ構造電磁
変換素子では、電磁変換膜の縮小化に依存せずに電磁変
換膜に対する電流の通り道は狭められることができる。
【０００７】こういったＣＰＰ構造電磁変換素子で電流
の通り道が狭められる場合には、電磁変換膜は、導電端
子片の第１幅よりも大きな第２幅で規定されればよい。
こうして導電端子片の第１幅が狭められれば、電磁変換
膜の第２幅の大きさに拘わらず電磁変換膜と導電端子片
との間には第１幅の大きさに応じた電流の通り道が確立
されることができる。第１幅の縮小に応じて電流の通り
道は確実に狭められることができる。
の通り道が狭められる場合には、電磁変換膜は、導電端
子片の第１幅よりも大きな第２幅で規定されればよい。
こうして導電端子片の第１幅が狭められれば、電磁変換
膜の第２幅の大きさに拘わらず電磁変換膜と導電端子片
との間には第１幅の大きさに応じた電流の通り道が確立
されることができる。第１幅の縮小に応じて電流の通り
道は確実に狭められることができる。
【０００８】こういったＣＰＰ構造電磁変換素子では、
電磁変換膜と、導電端子片の頂上面および絶縁膜の表面
との間に１平坦化面上が規定されてもよい。こういった
平坦化面上で電磁変換膜が形成されれば、電磁変換膜の
寸法精度や形状精度は高められることができる。電磁変
換膜はスピンバルブ膜でもよくトンネル接合膜でもよ
い。電磁変換膜にはその他の磁気抵抗効果膜が用いられ
てもよい。
電磁変換膜と、導電端子片の頂上面および絶縁膜の表面
との間に１平坦化面上が規定されてもよい。こういった
平坦化面上で電磁変換膜が形成されれば、電磁変換膜の
寸法精度や形状精度は高められることができる。電磁変
換膜はスピンバルブ膜でもよくトンネル接合膜でもよ
い。電磁変換膜にはその他の磁気抵抗効果膜が用いられ
てもよい。
【０００９】前述の下側引き出し導電層は例えば磁性体
から構成されてもよい。こうして下側引き出し導電層が
導電性だけでなく磁性を示せば、下側引き出し導電層は
電磁変換膜の磁性シールド層として機能することができ
る。したがって、いわゆる読み取りギャップの短縮化に
大いに寄与することができる。こういった読み取りギャ
ップの短縮化によれば、記録トラックの線方向に磁気記
録の分解能は高められることができる。
から構成されてもよい。こうして下側引き出し導電層が
導電性だけでなく磁性を示せば、下側引き出し導電層は
電磁変換膜の磁性シールド層として機能することができ
る。したがって、いわゆる読み取りギャップの短縮化に
大いに寄与することができる。こういった読み取りギャ
ップの短縮化によれば、記録トラックの線方向に磁気記
録の分解能は高められることができる。
【００１０】前述の上側引き出し導電層には、電磁変換
膜の第２幅よりも小さな第３幅で電磁変換膜に接触する
端子瘤が一体に形成されてもよい。こうして上側引き出
し導電層と電磁変換膜との間で接触面の広がりが狭めら
れれば、電磁変換膜の第２幅の大きさに拘わらず電磁変
換膜と上側引き出し導電層との間には第３幅の大きさに
応じた電流の通り道が確立されることができる。第３幅
の縮小に応じて電流の通り道は確実に狭められることが
できる。
膜の第２幅よりも小さな第３幅で電磁変換膜に接触する
端子瘤が一体に形成されてもよい。こうして上側引き出
し導電層と電磁変換膜との間で接触面の広がりが狭めら
れれば、電磁変換膜の第２幅の大きさに拘わらず電磁変
換膜と上側引き出し導電層との間には第３幅の大きさに
応じた電流の通り道が確立されることができる。第３幅
の縮小に応じて電流の通り道は確実に狭められることが
できる。
【００１１】以上のようなＣＰＰ構造電磁変換素子の製
造方法は、例えば、引き出し導電層の表面に導電小片を
形成する工程と、引き出し導電層の表面に絶縁膜を形成
し、絶縁膜で導電小片を覆う工程と、絶縁膜に平坦化処
理を施し、絶縁膜上の平坦化面で導電小片の頂上面を露
出させる工程と、少なくとも導電小片の頂上面に横たわ
る電磁変換膜を平坦化面上で形成する工程とを備えれば
よい。特に、こういった製造方法では平坦化面上で電磁
変換膜が形成されることから、電磁変換膜の寸法精度や
形状精度は高められることができる。ここで、導電小片
は前述の導電端子片に該当する。
造方法は、例えば、引き出し導電層の表面に導電小片を
形成する工程と、引き出し導電層の表面に絶縁膜を形成
し、絶縁膜で導電小片を覆う工程と、絶縁膜に平坦化処
理を施し、絶縁膜上の平坦化面で導電小片の頂上面を露
出させる工程と、少なくとも導電小片の頂上面に横たわ
る電磁変換膜を平坦化面上で形成する工程とを備えれば
よい。特に、こういった製造方法では平坦化面上で電磁
変換膜が形成されることから、電磁変換膜の寸法精度や
形状精度は高められることができる。ここで、導電小片
は前述の導電端子片に該当する。
【００１２】さらに、ＣＰＰ構造電磁変換素子の製造方
法は、導電小片の形成に先立って、基礎層の表面で規定
の形状パターンに従って前記引き出し導電層を形成する
工程と、基礎層の表面に基礎絶縁膜を形成し、基礎絶縁
膜で引き出し導電層を覆う工程と、基礎絶縁膜に平坦化
処理を施し、基礎絶縁膜上の平坦化面で引き出し導電層
の表面を露出させる工程とを備えてもよい。特に、こう
いった製造方法では平坦化面上で導電小片が形成される
ことから、確実に高い精度で導電小片は形作られること
ができる。
法は、導電小片の形成に先立って、基礎層の表面で規定
の形状パターンに従って前記引き出し導電層を形成する
工程と、基礎層の表面に基礎絶縁膜を形成し、基礎絶縁
膜で引き出し導電層を覆う工程と、基礎絶縁膜に平坦化
処理を施し、基礎絶縁膜上の平坦化面で引き出し導電層
の表面を露出させる工程とを備えてもよい。特に、こう
いった製造方法では平坦化面上で導電小片が形成される
ことから、確実に高い精度で導電小片は形作られること
ができる。
【００１３】さらに、ＣＰＰ構造電磁変換素子の製造方
法は、電磁変換膜を覆う被覆絶縁膜を形成する工程と、
被覆絶縁膜を貫通し電磁変換膜の表面に達するコンタク
ト孔を形成する工程と、形成されたコンタクト孔に導電
材料を充填する工程とを備えてもよい。こうした一連の
工程によれば、上側引き出し導電層に前述の端子瘤が比
較的に簡単に形成されることができる。
法は、電磁変換膜を覆う被覆絶縁膜を形成する工程と、
被覆絶縁膜を貫通し電磁変換膜の表面に達するコンタク
ト孔を形成する工程と、形成されたコンタクト孔に導電
材料を充填する工程とを備えてもよい。こうした一連の
工程によれば、上側引き出し導電層に前述の端子瘤が比
較的に簡単に形成されることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ本発
明の一実施形態を説明する。
明の一実施形態を説明する。
【００１５】図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例す
なわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構
造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直
方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備え
る。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気デ
ィスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンド
ルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ
１４は、例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍとい
った高速度で磁気ディスク１３を回転させることができ
る。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間
を密閉する蓋体すなわちカバー（図示せず）が結合され
る。
なわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構
造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直
方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備え
る。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気デ
ィスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンド
ルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ
１４は、例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍとい
った高速度で磁気ディスク１３を回転させることができ
る。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間
を密閉する蓋体すなわちカバー（図示せず）が結合され
る。
【００１６】収容空間には、垂直方向に延びる支軸１５
回りで揺動するキャリッジ１６がさらに収容される。こ
のキャリッジ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛
体の揺動アーム１７と、この揺動アーム１７の先端に取
り付けられて揺動アーム１７から前方に延びる弾性サス
ペンション１８とを備える。周知の通り、弾性サスペン
ション１８の先端では、いわゆるジンバルばね（図示せ
ず）の働きで浮上ヘッドスライダ１９は片持ち支持され
る。浮上ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の
表面に向かって弾性サスペンション１８から押し付け力
が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディ
スク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドス
ライダ１９には浮力が作用する。弾性サスペンション１
８の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３
の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ１９
は浮上し続けることができる。
回りで揺動するキャリッジ１６がさらに収容される。こ
のキャリッジ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛
体の揺動アーム１７と、この揺動アーム１７の先端に取
り付けられて揺動アーム１７から前方に延びる弾性サス
ペンション１８とを備える。周知の通り、弾性サスペン
ション１８の先端では、いわゆるジンバルばね（図示せ
ず）の働きで浮上ヘッドスライダ１９は片持ち支持され
る。浮上ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の
表面に向かって弾性サスペンション１８から押し付け力
が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディ
スク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドス
ライダ１９には浮力が作用する。弾性サスペンション１
８の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３
の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ１９
は浮上し続けることができる。
【００１７】こうした浮上ヘッドスライダ１９の浮上中
に、キャリッジ１６が支軸１５回りで揺動すると、浮上
ヘッドスライダ１９は半径方向に磁気ディスク１３の表
面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘ
ッドスライダ１９は磁気ディスク１３上の所望の記録ト
ラックに位置決めされる。このとき、キャリッジ１６の
揺動は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったア
クチュエータ２１の働きを通じて実現されればよい。周
知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内
に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同
士の間で１本の揺動アーム１７に対して２つの弾性サス
ペンション１８が搭載される。
に、キャリッジ１６が支軸１５回りで揺動すると、浮上
ヘッドスライダ１９は半径方向に磁気ディスク１３の表
面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘ
ッドスライダ１９は磁気ディスク１３上の所望の記録ト
ラックに位置決めされる。このとき、キャリッジ１６の
揺動は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったア
クチュエータ２１の働きを通じて実現されればよい。周
知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内
に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同
士の間で１本の揺動アーム１７に対して２つの弾性サス
ペンション１８が搭載される。
【００１８】図２は浮上ヘッドスライダ１９の一具体例
を示す。この浮上ヘッドスライダ１９は、平たい直方体
に形成されるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製のス
ライダ本体２２と、このスライダ本体２２の空気流出端
に接合されて、読み出し書き込みヘッド２３を内蔵する
Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４とを
備える。スライダ本体２２およびヘッド素子内蔵膜２４
には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち
浮上面２５が規定される。磁気ディスク１３の回転に基
づき生成される気流２６は浮上面２５に受け止められ
る。
を示す。この浮上ヘッドスライダ１９は、平たい直方体
に形成されるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製のス
ライダ本体２２と、このスライダ本体２２の空気流出端
に接合されて、読み出し書き込みヘッド２３を内蔵する
Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４とを
備える。スライダ本体２２およびヘッド素子内蔵膜２４
には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち
浮上面２５が規定される。磁気ディスク１３の回転に基
づき生成される気流２６は浮上面２５に受け止められ
る。
【００１９】浮上面２５には、空気流入端から空気流出
端に向かって延びる２筋のレール２７が形成される。各
レール２７の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け
面）２８が規定される。ＡＢＳ２８では気流２６の働き
に応じて前述の浮力が生成される。ヘッド素子内蔵膜２
４に埋め込まれた読み出し書き込みヘッド２３は、後述
されるように、ＡＢＳ２８で前端を露出させる。なお、
浮上ヘッドスライダ１９の形態はこういった形態に限ら
れるものではない。
端に向かって延びる２筋のレール２７が形成される。各
レール２７の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け
面）２８が規定される。ＡＢＳ２８では気流２６の働き
に応じて前述の浮力が生成される。ヘッド素子内蔵膜２
４に埋め込まれた読み出し書き込みヘッド２３は、後述
されるように、ＡＢＳ２８で前端を露出させる。なお、
浮上ヘッドスライダ１９の形態はこういった形態に限ら
れるものではない。
【００２０】図３は浮上面２５の様子を詳細に示す。読
み出し書き込みヘッド２３は、薄膜磁気ヘッドすなわち
誘導書き込みヘッド素子３１とＣＰＰ構造電磁変換素子
すなわちＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子
３２とを備える。誘導書き込みヘッド素子３１は、周知
の通り、例えば導電コイルパターン（図示せず）で生起
される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書
き込むことができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２
は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に
応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することが
できる。誘導書き込みヘッド素子３１およびＣＰＰ構造
ＭＲ読み取り素子３２は、前述のヘッド素子内蔵膜２４
の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ2
Ｏ3 （アルミナ）膜３３と、下側半層すなわちアンダー
コート膜を構成するＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜３４との
間に挟み込まれる。
み出し書き込みヘッド２３は、薄膜磁気ヘッドすなわち
誘導書き込みヘッド素子３１とＣＰＰ構造電磁変換素子
すなわちＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子
３２とを備える。誘導書き込みヘッド素子３１は、周知
の通り、例えば導電コイルパターン（図示せず）で生起
される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書
き込むことができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２
は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に
応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することが
できる。誘導書き込みヘッド素子３１およびＣＰＰ構造
ＭＲ読み取り素子３２は、前述のヘッド素子内蔵膜２４
の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ2
Ｏ3 （アルミナ）膜３３と、下側半層すなわちアンダー
コート膜を構成するＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜３４との
間に挟み込まれる。
【００２１】誘導書き込みヘッド素子３１は、ＡＢＳ２
８で前端を露出させる上部磁極層３５と、同様にＡＢＳ
２８で前端を露出させる下部磁極層３６とを備える。上
部および下部磁極層３５、３６は例えばＦｅＮやＮｉＦ
ｅから形成されればよい。上部および下部磁極層３５、
３６は協働して誘導書き込みヘッド素子３１の磁性コア
を構成する。
８で前端を露出させる上部磁極層３５と、同様にＡＢＳ
２８で前端を露出させる下部磁極層３６とを備える。上
部および下部磁極層３５、３６は例えばＦｅＮやＮｉＦ
ｅから形成されればよい。上部および下部磁極層３５、
３６は協働して誘導書き込みヘッド素子３１の磁性コア
を構成する。
【００２２】上部および下部磁極層３５、３６の間には
例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製の非磁性ギャップ層３
７が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで
磁界が生起されると、非磁性ギャップ層３７の働きで、
上部磁極層３５と下部磁極層３６とを行き交う磁束は浮
上面２５から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁
界（ギャップ磁界）を形成する。
例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製の非磁性ギャップ層３
７が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで
磁界が生起されると、非磁性ギャップ層３７の働きで、
上部磁極層３５と下部磁極層３６とを行き交う磁束は浮
上面２５から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁
界（ギャップ磁界）を形成する。
【００２３】ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２は、アル
ミナ膜３４すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下
側引き出し導電層３８を備える。下側引き出し導電層３
８は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えても
よい。下側引き出し導電層３８が例えばＮｉＦｅといっ
た導電性の軟磁性体で構成されると、この下側引き出し
導電層３８は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２の
下部シールド層として機能することができる。
ミナ膜３４すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下
側引き出し導電層３８を備える。下側引き出し導電層３
８は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えても
よい。下側引き出し導電層３８が例えばＮｉＦｅといっ
た導電性の軟磁性体で構成されると、この下側引き出し
導電層３８は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３２の
下部シールド層として機能することができる。
【００２４】下側引き出し導電層３８の表面には導電端
子片３９が配置される。この導電端子片３９は下側引き
出し導電層３８の表面から立ち上がる。導電端子片３９
には、下側引き出し導電層３８の表面から立ち上がる壁
面３９ａが規定される。導電端子片３９は、同様に、導
電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。
導電端子片３９が例えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁
性体で構成されると、この導電端子片３９は同時にＣＰ
Ｐ構造ＭＲ読み取り素子３２の下部シールド層として機
能することができる。
子片３９が配置される。この導電端子片３９は下側引き
出し導電層３８の表面から立ち上がる。導電端子片３９
には、下側引き出し導電層３８の表面から立ち上がる壁
面３９ａが規定される。導電端子片３９は、同様に、導
電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。
導電端子片３９が例えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁
性体で構成されると、この導電端子片３９は同時にＣＰ
Ｐ構造ＭＲ読み取り素子３２の下部シールド層として機
能することができる。
【００２５】下側引き出し導電層３８は、アルミナ膜３
４の表面で広がる絶縁層４１に埋め込まれる。この絶縁
層４１は、導電端子片３９の壁面３９ａに接しつつ下側
引き出し導電層３８の表面に沿って広がる。ここで、導
電端子片３９の頂上面および絶縁層４１の表面は、切れ
目なく連続する１平坦化面４２を規定する。
４の表面で広がる絶縁層４１に埋め込まれる。この絶縁
層４１は、導電端子片３９の壁面３９ａに接しつつ下側
引き出し導電層３８の表面に沿って広がる。ここで、導
電端子片３９の頂上面および絶縁層４１の表面は、切れ
目なく連続する１平坦化面４２を規定する。
【００２６】平坦化面４２上では、ＡＢＳ２８に沿って
延びる電磁変換膜すなわち磁気抵抗効果（ＭＲ）膜４３
が形成される。このＭＲ膜４３は少なくとも導電端子片
３９の頂上面に横たわる。こうしてＭＲ膜４３と下側引
き出し導電層３８との間には導電端子片３９を通じての
み電気的接続は確立される。ＭＲ膜４３の構造の詳細は
後述される。
延びる電磁変換膜すなわち磁気抵抗効果（ＭＲ）膜４３
が形成される。このＭＲ膜４３は少なくとも導電端子片
３９の頂上面に横たわる。こうしてＭＲ膜４３と下側引
き出し導電層３８との間には導電端子片３９を通じての
み電気的接続は確立される。ＭＲ膜４３の構造の詳細は
後述される。
【００２７】同様に、平坦化面４２上では、ＡＢＳ２８
に沿って延びる１対の磁区制御ハード膜４４が形成され
る。磁区制御ハード膜４４は平坦化面４２上でＡＢＳ２
８に沿ってＭＲ膜４３を挟み込む。磁区制御ハード膜４
４は例えばＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔといった金属材料か
ら形成されればよい。これらの磁区制御ハード膜４４で
は、周知の通り、ＭＲ膜４３を横切る１方向に沿って磁
化は確立されることができる。こうした磁区制御ハード
膜４４の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、Ｍ
Ｒ膜４３内で例えば自由側強磁性層（ｆｒｅｅ ｌａｙ
ｅｒ）の単磁区化は実現されることができる。
に沿って延びる１対の磁区制御ハード膜４４が形成され
る。磁区制御ハード膜４４は平坦化面４２上でＡＢＳ２
８に沿ってＭＲ膜４３を挟み込む。磁区制御ハード膜４
４は例えばＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔといった金属材料か
ら形成されればよい。これらの磁区制御ハード膜４４で
は、周知の通り、ＭＲ膜４３を横切る１方向に沿って磁
化は確立されることができる。こうした磁区制御ハード
膜４４の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、Ｍ
Ｒ膜４３内で例えば自由側強磁性層（ｆｒｅｅ ｌａｙ
ｅｒ）の単磁区化は実現されることができる。
【００２８】平坦化面４２上にはさらに被覆絶縁膜４５
が覆い被さる。この被覆絶縁膜４５は、絶縁層４１との
間にＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４を挟み込
む。被覆絶縁層４５の表面には上側引き出し導電層４６
が広がる。前述の下側引き出し導電層３８と同様に、上
側引き出し導電層４６は導電性を備えるだけでなく同時
に軟磁性を備えてもよい。上側引き出し導電層４６が例
えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁性体で構成される
と、この上側引き出し導電層４６は同時にＣＰＰ構造Ｍ
Ｒ読み取り素子３２の上部シールド層として機能するこ
とができる。前述の下部シールド層すなわち下側引き出
し導電層３８と上側引き出し導電層４６との間隔は記録
ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分
解能を決定する。上側引き出し導電層４６には、被覆絶
縁膜４５を貫通してＭＲ膜４３の頂上面に接触する端子
瘤４７が一体に形成される。こうしてＭＲ膜４３と上側
引き出し導電層４６との間には端子瘤４７のみを通じて
電気的接続は確立される。
が覆い被さる。この被覆絶縁膜４５は、絶縁層４１との
間にＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４を挟み込
む。被覆絶縁層４５の表面には上側引き出し導電層４６
が広がる。前述の下側引き出し導電層３８と同様に、上
側引き出し導電層４６は導電性を備えるだけでなく同時
に軟磁性を備えてもよい。上側引き出し導電層４６が例
えばＮｉＦｅといった導電性の軟磁性体で構成される
と、この上側引き出し導電層４６は同時にＣＰＰ構造Ｍ
Ｒ読み取り素子３２の上部シールド層として機能するこ
とができる。前述の下部シールド層すなわち下側引き出
し導電層３８と上側引き出し導電層４６との間隔は記録
ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分
解能を決定する。上側引き出し導電層４６には、被覆絶
縁膜４５を貫通してＭＲ膜４３の頂上面に接触する端子
瘤４７が一体に形成される。こうしてＭＲ膜４３と上側
引き出し導電層４６との間には端子瘤４７のみを通じて
電気的接続は確立される。
【００２９】図４から明らかなように、下側引き出し導
電層３８は、ＡＢＳ２８で露出する前端からアルミナ膜
３４の表面に沿って後方に広がる。下側引き出し導電層
３８の後端には端子パッド４８が連結される。端子パッ
ド４８は下側引き出し導電層３８の表面に沿って広がれ
ばよい。端子パッド４８は、浮上ヘッドスライダ１９が
弾性サスペンション１８に固定される際に、例えばＡｕ
ボール（図示せず）などを通じて弾性サスペンション１
８側の端子パッド（図示せず）に接続される。
電層３８は、ＡＢＳ２８で露出する前端からアルミナ膜
３４の表面に沿って後方に広がる。下側引き出し導電層
３８の後端には端子パッド４８が連結される。端子パッ
ド４８は下側引き出し導電層３８の表面に沿って広がれ
ばよい。端子パッド４８は、浮上ヘッドスライダ１９が
弾性サスペンション１８に固定される際に、例えばＡｕ
ボール（図示せず）などを通じて弾性サスペンション１
８側の端子パッド（図示せず）に接続される。
【００３０】図５から明らかなように、上側引き出し導
電層４６は、ＡＢＳ２８で露出する前端から被覆絶縁膜
４５の表面に沿って後方に広がる。上側引き出し導電層
４６の後端には端子パッド４９が連結される。端子パッ
ド４９は上側引き出し導電層４６の表面に沿って広がれ
ばよい。端子パッド４９は、前述と同様に、浮上ヘッド
スライダ１９が弾性サスペンション１８に固定される際
に、例えばＡｕボール（図示せず）などを通じて弾性サ
スペンション１８側の端子パッド（図示せず）に接続さ
れる。
電層４６は、ＡＢＳ２８で露出する前端から被覆絶縁膜
４５の表面に沿って後方に広がる。上側引き出し導電層
４６の後端には端子パッド４９が連結される。端子パッ
ド４９は上側引き出し導電層４６の表面に沿って広がれ
ばよい。端子パッド４９は、前述と同様に、浮上ヘッド
スライダ１９が弾性サスペンション１８に固定される際
に、例えばＡｕボール（図示せず）などを通じて弾性サ
スペンション１８側の端子パッド（図示せず）に接続さ
れる。
【００３１】図６に示されるように、導電端子片３９の
幅Ｗ１はＭＲ膜４３の幅Ｗ２よりも著しく小さく設定さ
れる。同時に、端子瘤４７の幅Ｗ３はＭＲ膜４３の幅Ｗ
２よりも著しく小さく設定される。各幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ
３は平坦化面４２に平行にＡＢＳ２８に沿って測定され
ればよい。ＭＲ膜４３の幅Ｗ２は磁気ディスク１３の半
径方向に磁気記録の分解能を決定する。導電端子片３９
の幅Ｗ１と端子瘤４７の幅Ｗ３とは等しく設定されても
よい。
幅Ｗ１はＭＲ膜４３の幅Ｗ２よりも著しく小さく設定さ
れる。同時に、端子瘤４７の幅Ｗ３はＭＲ膜４３の幅Ｗ
２よりも著しく小さく設定される。各幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ
３は平坦化面４２に平行にＡＢＳ２８に沿って測定され
ればよい。ＭＲ膜４３の幅Ｗ２は磁気ディスク１３の半
径方向に磁気記録の分解能を決定する。導電端子片３９
の幅Ｗ１と端子瘤４７の幅Ｗ３とは等しく設定されても
よい。
【００３２】以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子
３２では上側および下側引き出し導電層４６、３８から
ＭＲ膜４３にセンス電流は供給される。このとき、図６
から明らかなように、ＭＲ膜４３では、導電端子片３９
や端子瘤４７の働きでセンス電流の通り道は狭められる
ことができる。しかも、こういったＭＲ膜４３では、磁
区制御ハード膜４４との接触面から遠ざかってＭＲ膜４
３の中央付近で電流の通り道は確立されることができ
る。
３２では上側および下側引き出し導電層４６、３８から
ＭＲ膜４３にセンス電流は供給される。このとき、図６
から明らかなように、ＭＲ膜４３では、導電端子片３９
や端子瘤４７の働きでセンス電流の通り道は狭められる
ことができる。しかも、こういったＭＲ膜４３では、磁
区制御ハード膜４４との接触面から遠ざかってＭＲ膜４
３の中央付近で電流の通り道は確立されることができ
る。
【００３３】図７はＭＲ膜４３の一具体例を示す。この
ＭＲ膜４３はいわゆるスピンバルブ膜で構成される。す
なわち、ＭＲ膜４３では、下地層５１、自由側強磁性層
５２、非磁性中間層５３、固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅ
ｄ ｌａｙｅｒ）５４、反強磁性層（ｐｉｎｎｉｎｇ
ｌａｙｅｒ）５５および保護層５６が順番に重ね合わせ
られる。反強磁性層５５の働きに応じて固定側強磁性層
５４の磁化は１方向に固定される。ここで、下地層５１
は、Ｔａ層５１ａと、このＴａ層５１ａの表面に積層さ
れるＮｉＦｅ層５１ｂとで構成されればよい。自由側強
磁性層５２および固定側強磁性層５４は例えばＣｏ90Ｆ
ｅ10といった強磁性材料から形成されればよい。非磁性
中間層５３は例えばＣｕといった導電金属材料から形成
されればよい。反強磁性層５５は例えばＦｅＭｎやＰｄ
ＰｔＭｎといった反強磁性合金材料から形成されればよ
い。保護層５６は、Ｃｕ層５６ａと、このＣｕ層５６ａ
上に形成されるキャップ層すなわちＴａ層５６ｂとを備
えればよい。
ＭＲ膜４３はいわゆるスピンバルブ膜で構成される。す
なわち、ＭＲ膜４３では、下地層５１、自由側強磁性層
５２、非磁性中間層５３、固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅ
ｄ ｌａｙｅｒ）５４、反強磁性層（ｐｉｎｎｉｎｇ
ｌａｙｅｒ）５５および保護層５６が順番に重ね合わせ
られる。反強磁性層５５の働きに応じて固定側強磁性層
５４の磁化は１方向に固定される。ここで、下地層５１
は、Ｔａ層５１ａと、このＴａ層５１ａの表面に積層さ
れるＮｉＦｅ層５１ｂとで構成されればよい。自由側強
磁性層５２および固定側強磁性層５４は例えばＣｏ90Ｆ
ｅ10といった強磁性材料から形成されればよい。非磁性
中間層５３は例えばＣｕといった導電金属材料から形成
されればよい。反強磁性層５５は例えばＦｅＭｎやＰｄ
ＰｔＭｎといった反強磁性合金材料から形成されればよ
い。保護層５６は、Ｃｕ層５６ａと、このＣｕ層５６ａ
上に形成されるキャップ層すなわちＴａ層５６ｂとを備
えればよい。
【００３４】磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造
ＭＲ読み取り素子３２が磁気ディスク１３の表面に向き
合わせられると、スピンバルブ膜では、周知の通り、磁
気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側
強磁性層５２の磁化方向は回転する。こうして自由側強
磁性層５２の磁化方向が回転すると、スピンバルブ膜の
電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側および下
側引き出し導電層４６、３８からスピンバルブ膜にセン
ス電流が供給されると、端子パッド４８、４９から取り
出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じて変
化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み取ら
れることができる。このとき、スピンバルブ膜では、前
述のようにセンス電流の通り道は狭められることができ
る。その結果、磁気ディスク１３から作用する磁界に対
するスピンバルブ膜の応答感度は高められることができ
る。
ＭＲ読み取り素子３２が磁気ディスク１３の表面に向き
合わせられると、スピンバルブ膜では、周知の通り、磁
気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側
強磁性層５２の磁化方向は回転する。こうして自由側強
磁性層５２の磁化方向が回転すると、スピンバルブ膜の
電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側および下
側引き出し導電層４６、３８からスピンバルブ膜にセン
ス電流が供給されると、端子パッド４８、４９から取り
出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じて変
化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み取ら
れることができる。このとき、スピンバルブ膜では、前
述のようにセンス電流の通り道は狭められることができ
る。その結果、磁気ディスク１３から作用する磁界に対
するスピンバルブ膜の応答感度は高められることができ
る。
【００３５】次に浮上ヘッドスライダ１９の製造方法を
簡単に説明する。まず、図８に示されるように、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製のウェハー６１が
用意される。ウェハー６１の表面にはＡｌ2 Ｏ3 （アル
ミナ）膜３４が積層される。ウェハー６１の外周には平
坦面６２が形成される。この平坦面６２に基づきウェハ
ー６１の向きは特定されることができる。
簡単に説明する。まず、図８に示されるように、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ（アルチック）製のウェハー６１が
用意される。ウェハー６１の表面にはＡｌ2 Ｏ3 （アル
ミナ）膜３４が積層される。ウェハー６１の外周には平
坦面６２が形成される。この平坦面６２に基づきウェハ
ー６１の向きは特定されることができる。
【００３６】周知の通り、ウェハー６１の表面には多数
個の読み出し書き込みヘッド２３が構築されていく。読
み出し書き込みヘッド２３は、図９に示されるように、
１浮上ヘッドスライダ１９に切り出される１ブロック６
３ごとに形成される。例えば直径５インチのウェハー６
１では、１００行１００列で計１００００個の浮上ヘッ
ドスライダ１９が切り出されることができる。読み出し
書き込みヘッド２３の形成方法の詳細は後述される。形
成された読み出し書き込みヘッド２３はアルミナ膜３３
によって覆われる。こうしてウェハー６１上では、アル
ミナ製のヘッド素子内蔵膜２４に埋め込まれた読み出し
書き込みヘッド２３は得られる。
個の読み出し書き込みヘッド２３が構築されていく。読
み出し書き込みヘッド２３は、図９に示されるように、
１浮上ヘッドスライダ１９に切り出される１ブロック６
３ごとに形成される。例えば直径５インチのウェハー６
１では、１００行１００列で計１００００個の浮上ヘッ
ドスライダ１９が切り出されることができる。読み出し
書き込みヘッド２３の形成方法の詳細は後述される。形
成された読み出し書き込みヘッド２３はアルミナ膜３３
によって覆われる。こうしてウェハー６１上では、アル
ミナ製のヘッド素子内蔵膜２４に埋め込まれた読み出し
書き込みヘッド２３は得られる。
【００３７】こうして読み出し書き込みヘッド２３が構
築されると、図１０に示されるように、前述のブロック
６３が一列に並んだウェハーバー６４がウェハー６１か
ら切り出される。ウェハーバー６４は前述の平坦面６２
に平行な切り込みで切り出されていく。切り出されたウ
ェハーバー６４には平坦面６２に平行な切断面６４ａが
規定される。周知の通り、切断面６４ａにはブロック６
３ごとに浮上ヘッドスライダ１９の浮上面２５が形作ら
れる。その後、ウェハーバー６４からブロック６３ごと
に浮上ヘッドスライダ１９は切り出される。
築されると、図１０に示されるように、前述のブロック
６３が一列に並んだウェハーバー６４がウェハー６１か
ら切り出される。ウェハーバー６４は前述の平坦面６２
に平行な切り込みで切り出されていく。切り出されたウ
ェハーバー６４には平坦面６２に平行な切断面６４ａが
規定される。周知の通り、切断面６４ａにはブロック６
３ごとに浮上ヘッドスライダ１９の浮上面２５が形作ら
れる。その後、ウェハーバー６４からブロック６３ごと
に浮上ヘッドスライダ１９は切り出される。
【００３８】ここで、読み出し書き込みヘッド２３の形
成方法を詳述する。図１１に示されるように、ウェハー
６１上では、基礎層すなわちアルミナ膜３４の表面に導
電性の磁性膜６５が積層される。積層には例えばスパッ
タリング法が用いられればよい。磁性膜６５は例えばＮ
ｉＦｅといった軟磁性材料から構成されればよい。こう
いった磁性膜６５はウェハー６１の表面に満遍なく一様
に形成される。
成方法を詳述する。図１１に示されるように、ウェハー
６１上では、基礎層すなわちアルミナ膜３４の表面に導
電性の磁性膜６５が積層される。積層には例えばスパッ
タリング法が用いられればよい。磁性膜６５は例えばＮ
ｉＦｅといった軟磁性材料から構成されればよい。こう
いった磁性膜６５はウェハー６１の表面に満遍なく一様
に形成される。
【００３９】続いてウェハー６１上では前述のブロック
６３ごとに下側引き出し導電層３８が形成される。アル
ミナ膜３４の表面では、規定の形状パターンに従って磁
性膜６５から下側引き出し導電層３８は削り出される。
図１２に示されるように、形状パターンは例えばフォト
レジスト膜６６で規定されればよい。フォトレジスト膜
６６の周囲で磁性膜６５にエッチング処理が施される
と、フォトレジスト膜６６下で、形状パターンに象られ
た磁性膜６５は残存する。こうして下側引き出し導電層
３８は形成されることができる。エッチング処理の後に
フォトレジスト膜６６は除去される。
６３ごとに下側引き出し導電層３８が形成される。アル
ミナ膜３４の表面では、規定の形状パターンに従って磁
性膜６５から下側引き出し導電層３８は削り出される。
図１２に示されるように、形状パターンは例えばフォト
レジスト膜６６で規定されればよい。フォトレジスト膜
６６の周囲で磁性膜６５にエッチング処理が施される
と、フォトレジスト膜６６下で、形状パターンに象られ
た磁性膜６５は残存する。こうして下側引き出し導電層
３８は形成されることができる。エッチング処理の後に
フォトレジスト膜６６は除去される。
【００４０】図１３に示されるように、アルミナ膜３４
の表面には基礎絶縁膜６７が形成される。この基礎絶縁
膜６７は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 といった絶縁材料
から形成されればよい。基礎絶縁膜６７はウェハー６１
の表面に満遍なく一様に形成される。その結果、アルミ
ナ膜３４上の下側引き出し導電層３８は基礎絶縁膜６７
に覆われる。
の表面には基礎絶縁膜６７が形成される。この基礎絶縁
膜６７は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 といった絶縁材料
から形成されればよい。基礎絶縁膜６７はウェハー６１
の表面に満遍なく一様に形成される。その結果、アルミ
ナ膜３４上の下側引き出し導電層３８は基礎絶縁膜６７
に覆われる。
【００４１】その後、基礎絶縁膜６７には平坦化処理が
施される。平坦化処理には例えばＣＭＰ（化学的機械研
磨）法が用いられればよい。その他、ＣＭＰ法に代えて
アルゴンクラスタ処理が用いられてもよく、ＣＭＰ法に
加えてアルゴンクラスタ処理が施されてもよい。平坦化
処理は、図１４に示されるように、下側引き出し導電層
３８が露出するまで継続される。下側引き出し導電層３
８の表面および基礎絶縁膜６７の表面は１平坦化面６８
を構成する。
施される。平坦化処理には例えばＣＭＰ（化学的機械研
磨）法が用いられればよい。その他、ＣＭＰ法に代えて
アルゴンクラスタ処理が用いられてもよく、ＣＭＰ法に
加えてアルゴンクラスタ処理が施されてもよい。平坦化
処理は、図１４に示されるように、下側引き出し導電層
３８が露出するまで継続される。下側引き出し導電層３
８の表面および基礎絶縁膜６７の表面は１平坦化面６８
を構成する。
【００４２】こうして形成された平坦化面６８上で導電
端子片３９は形成されていく。例えば図１５に示される
ように、形成にあたってウェハー６１上では再び磁性膜
６９が積層される。積層には例えばスパッタリング法が
用いられればよい。磁性膜６９は例えばＮｉＦｅといっ
た軟磁性材料から構成されればよい。こういった磁性膜
６９はウェハー６１の表面に満遍なく一様に形成され
る。
端子片３９は形成されていく。例えば図１５に示される
ように、形成にあたってウェハー６１上では再び磁性膜
６９が積層される。積層には例えばスパッタリング法が
用いられればよい。磁性膜６９は例えばＮｉＦｅといっ
た軟磁性材料から構成されればよい。こういった磁性膜
６９はウェハー６１の表面に満遍なく一様に形成され
る。
【００４３】続いてウェハー６１上ではブロック６３ご
とに導電小片７１が形成される。下側引き出し導電層３
８の表面では、規定の形状パターンに従って磁性膜６９
から導電小片７１は削り出される。図１６に示されるよ
うに、形状パターンは例えばフォトレジスト膜７２で規
定されればよい。フォトレジスト膜７２の周囲で磁性膜
６９にエッチング処理が施されると、フォトレジスト膜
７２下で、形状パターンに象られた磁性膜６９は残存す
る。こうして導電小片７１は形成されることができる。
エッチング処理の後にフォトレジスト膜７２は除去され
る。
とに導電小片７１が形成される。下側引き出し導電層３
８の表面では、規定の形状パターンに従って磁性膜６９
から導電小片７１は削り出される。図１６に示されるよ
うに、形状パターンは例えばフォトレジスト膜７２で規
定されればよい。フォトレジスト膜７２の周囲で磁性膜
６９にエッチング処理が施されると、フォトレジスト膜
７２下で、形状パターンに象られた磁性膜６９は残存す
る。こうして導電小片７１は形成されることができる。
エッチング処理の後にフォトレジスト膜７２は除去され
る。
【００４４】図１７に示されるように、ウェハー６１上
では下側引き出し導電層３８の表面および基礎絶縁膜６
７の表面には中間絶縁膜７３が形成される。この中間絶
縁膜７３は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 といった絶縁材
料から形成されればよい。中間絶縁膜７３はウェハー６
１の表面に満遍なく一様に形成される。その結果、下側
引き出し導電層３８上の導電小片７１は中間絶縁膜７３
に覆われる。
では下側引き出し導電層３８の表面および基礎絶縁膜６
７の表面には中間絶縁膜７３が形成される。この中間絶
縁膜７３は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 といった絶縁材
料から形成されればよい。中間絶縁膜７３はウェハー６
１の表面に満遍なく一様に形成される。その結果、下側
引き出し導電層３８上の導電小片７１は中間絶縁膜７３
に覆われる。
【００４５】その後、中間絶縁膜７３には平坦化処理が
施される。平坦化処理には例えばＣＭＰ（化学的機械研
磨）法が用いられればよい。その他、ＣＭＰ法に代えて
アルゴンクラスタ処理が用いられてもよく、ＣＭＰ法に
加えてアルゴンクラスタ処理が施されてもよい。平坦化
処理は、図１８に示されるように、導電小片７１が露出
するまで継続される。導電小片７１の頂上面および中間
絶縁膜７３の表面は１平坦化面７４を構成する。こうし
て導電端子片３９は形成される。
施される。平坦化処理には例えばＣＭＰ（化学的機械研
磨）法が用いられればよい。その他、ＣＭＰ法に代えて
アルゴンクラスタ処理が用いられてもよく、ＣＭＰ法に
加えてアルゴンクラスタ処理が施されてもよい。平坦化
処理は、図１８に示されるように、導電小片７１が露出
するまで継続される。導電小片７１の頂上面および中間
絶縁膜７３の表面は１平坦化面７４を構成する。こうし
て導電端子片３９は形成される。
【００４６】こうして形成された平坦化面７４上でブロ
ック６３ごとにＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４
は形成されていく。まず、ウェハー６１上では、例えば
図１９に示されるように、前述のＭＲ膜４３と同一の層
構造を備える積層体７５が形成される。形成には例えば
スパッタリング法が用いられればよい。積層体７５はウ
ェハー６１の表面に満遍なく一様に形成されればよい。
平坦化面７４上では積層体７５の各層は高い精度で積み
上げられていくことができる。
ック６３ごとにＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４
は形成されていく。まず、ウェハー６１上では、例えば
図１９に示されるように、前述のＭＲ膜４３と同一の層
構造を備える積層体７５が形成される。形成には例えば
スパッタリング法が用いられればよい。積層体７５はウ
ェハー６１の表面に満遍なく一様に形成されればよい。
平坦化面７４上では積層体７５の各層は高い精度で積み
上げられていくことができる。
【００４７】その後、ウェハー６１上では磁区制御ハー
ド膜４４が形成されていく。例えば図２０に示されるよ
うに、積層体７５には、ブロック６３ごとに１対の磁区
制御ハード膜４４を象った空間７６がくり貫かれる。こ
のくり貫きにあたって、図２１に示されるように、積層
体７５の表面には、空間７６の輪郭を象ったフォトレジ
スト膜７７が形成される。フォトレジスト膜７７の形成
後に積層体７５がエッチング処理に曝されると、積層体
７５中に空間７６は形成される。空間７６では中間絶縁
膜７３の表面が露出する。
ド膜４４が形成されていく。例えば図２０に示されるよ
うに、積層体７５には、ブロック６３ごとに１対の磁区
制御ハード膜４４を象った空間７６がくり貫かれる。こ
のくり貫きにあたって、図２１に示されるように、積層
体７５の表面には、空間７６の輪郭を象ったフォトレジ
スト膜７７が形成される。フォトレジスト膜７７の形成
後に積層体７５がエッチング処理に曝されると、積層体
７５中に空間７６は形成される。空間７６では中間絶縁
膜７３の表面が露出する。
【００４８】図２２に示されるように、次いでウェハー
６１上には磁性膜７８が積層される。空間７６は磁性膜
７８で充填される。空間７６内に磁区制御ハード膜４４
は確立される。この磁性膜７８の形成後にフォトレジス
ト膜７７が取り払われると、積層体７５上の磁性膜７８
はウェハー６１上から取り除かれることができる。再び
積層体７５の表面は露出する。
６１上には磁性膜７８が積層される。空間７６は磁性膜
７８で充填される。空間７６内に磁区制御ハード膜４４
は確立される。この磁性膜７８の形成後にフォトレジス
ト膜７７が取り払われると、積層体７５上の磁性膜７８
はウェハー６１上から取り除かれることができる。再び
積層体７５の表面は露出する。
【００４９】こうして磁区制御ハード膜４４が形成され
ると、ブロック６３ごとにＭＲ膜４３は形作られる。Ｍ
Ｒ膜４３は例えばエッチング法に基づき積層体７５から
削り出されればよい。この削り出しにあたって、図２３
に示されるように、残存する積層体７５および磁区制御
ハード膜４４上には１方向に延びる１筋のフォトレジス
ト膜７９が形成される。フォトレジスト膜７９の周囲で
積層体７５および磁区制御ハード膜４４が削り落とされ
ると、平坦化面７４上で１方向に延びるＭＲ膜４３およ
び磁区制御ハード膜４４の連続体は形成されることがで
きる。このとき、削り出されたＭＲ膜４３は少なくとも
導電端子片３９の頂上面に横たわる。このように平坦化
面７４上でＭＲ膜４３や磁区制御ハード膜４４が形成さ
れることから、ＭＲ膜４３や磁区制御ハード膜４４では
高い寸法精度（形状精度）は実現されることができる。
こうしてＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４の連続
体が形成された後にフォトレジスト膜７９は除去され
る。
ると、ブロック６３ごとにＭＲ膜４３は形作られる。Ｍ
Ｒ膜４３は例えばエッチング法に基づき積層体７５から
削り出されればよい。この削り出しにあたって、図２３
に示されるように、残存する積層体７５および磁区制御
ハード膜４４上には１方向に延びる１筋のフォトレジス
ト膜７９が形成される。フォトレジスト膜７９の周囲で
積層体７５および磁区制御ハード膜４４が削り落とされ
ると、平坦化面７４上で１方向に延びるＭＲ膜４３およ
び磁区制御ハード膜４４の連続体は形成されることがで
きる。このとき、削り出されたＭＲ膜４３は少なくとも
導電端子片３９の頂上面に横たわる。このように平坦化
面７４上でＭＲ膜４３や磁区制御ハード膜４４が形成さ
れることから、ＭＲ膜４３や磁区制御ハード膜４４では
高い寸法精度（形状精度）は実現されることができる。
こうしてＭＲ膜４３および磁区制御ハード膜４４の連続
体が形成された後にフォトレジスト膜７９は除去され
る。
【００５０】その後、図２４に示されるように、再び露
出した平坦化面７４上には被覆絶縁膜８１が形成され
る。この被覆絶縁膜８１は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2
といった絶縁材料から形成されればよい。被覆絶縁膜８
１はウェハー６１の表面に満遍なく一様に形成される。
その結果、平坦化面７４上ではＭＲ膜４３および磁区制
御ハード膜４４の連続体は被覆絶縁膜８１に覆われる。
出した平坦化面７４上には被覆絶縁膜８１が形成され
る。この被覆絶縁膜８１は例えばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2
といった絶縁材料から形成されればよい。被覆絶縁膜８
１はウェハー６１の表面に満遍なく一様に形成される。
その結果、平坦化面７４上ではＭＲ膜４３および磁区制
御ハード膜４４の連続体は被覆絶縁膜８１に覆われる。
【００５１】こうして形成された被覆絶縁膜８１には、
図２５に示されるように、ブロック６３ごとにＭＲ膜４
３の表面に達するコンタクト孔８２が形成される。コン
タクト孔８２の形成にあたって、被覆絶縁膜８１の表面
には、コンタクト孔８２の輪郭を象ったフォトレジスト
膜８３が形成される。被覆絶縁膜８１に例えばエッチン
グ処理が施されると、被覆絶縁膜８１を貫通するコンタ
クト孔８２は形成される。コンタクト孔８２はＭＲ膜４
３の頂上面を露出させる。コンタクト孔８２が形成され
ると、フォトレジスト膜８３は除去される。
図２５に示されるように、ブロック６３ごとにＭＲ膜４
３の表面に達するコンタクト孔８２が形成される。コン
タクト孔８２の形成にあたって、被覆絶縁膜８１の表面
には、コンタクト孔８２の輪郭を象ったフォトレジスト
膜８３が形成される。被覆絶縁膜８１に例えばエッチン
グ処理が施されると、被覆絶縁膜８１を貫通するコンタ
クト孔８２は形成される。コンタクト孔８２はＭＲ膜４
３の頂上面を露出させる。コンタクト孔８２が形成され
ると、フォトレジスト膜８３は除去される。
【００５２】こうしたコンタクト孔８２の形成後に、被
覆絶縁膜８１の表面には上側引き出し導電層４６が形成
されていく。この上側引き出し導電層４６の形成にあた
って、例えば図２６に示されるように、ウェハー６１の
表面には導電性の磁性膜８４が積層される。積層には例
えばスパッタリング法が用いられればよい。磁性膜８４
は例えばＮｉＦｅといった軟磁性材料から構成されれば
よい。こういった磁性膜８４はウェハー６１の表面に満
遍なく一様に形成される。したがって、コンタクト孔８
２には導電性の磁性膜８４が充填される。
覆絶縁膜８１の表面には上側引き出し導電層４６が形成
されていく。この上側引き出し導電層４６の形成にあた
って、例えば図２６に示されるように、ウェハー６１の
表面には導電性の磁性膜８４が積層される。積層には例
えばスパッタリング法が用いられればよい。磁性膜８４
は例えばＮｉＦｅといった軟磁性材料から構成されれば
よい。こういった磁性膜８４はウェハー６１の表面に満
遍なく一様に形成される。したがって、コンタクト孔８
２には導電性の磁性膜８４が充填される。
【００５３】ウェハー６１上ではブロック６３ごとに上
側引き出し導電層４６が形成される。被覆絶縁膜８１の
表面では、規定の形状パターンに従って磁性膜８４から
上側引き出し導電層４６は削り出される。形状パターン
は例えばフォトレジスト膜（図示せず）で規定されれば
よい。フォトレジスト膜の周囲で磁性膜８４にエッチン
グ処理が施されると、フォトレジスト膜下で、形状パタ
ーンに象られた磁性膜８４は残存する。こうして上側引
き出し導電層４６は形成されることができる。エッチン
グ処理の後にフォトレジスト膜は除去される。
側引き出し導電層４６が形成される。被覆絶縁膜８１の
表面では、規定の形状パターンに従って磁性膜８４から
上側引き出し導電層４６は削り出される。形状パターン
は例えばフォトレジスト膜（図示せず）で規定されれば
よい。フォトレジスト膜の周囲で磁性膜８４にエッチン
グ処理が施されると、フォトレジスト膜下で、形状パタ
ーンに象られた磁性膜８４は残存する。こうして上側引
き出し導電層４６は形成されることができる。エッチン
グ処理の後にフォトレジスト膜は除去される。
【００５４】こうして構築されたＣＰＰ構造ＭＲ読み取
り素子３２上には、既知の通り、誘導書き込みヘッド素
子３１が構築されていく。この構築に先立ってＣＰＰ構
造ＭＲ読み取り素子３２は非磁性絶縁膜（図示せず）に
埋め込まれてもよい。この非磁性絶縁膜の表面で、下部
磁極層３６や非磁性ギャップ層３７のほか、コイルパタ
ーンが埋め込まれた絶縁層、上部磁極層３５が相次いで
形成される。こういった誘導書き込みヘッド素子３１の
形成に先立って非磁性絶縁膜の表面には平坦化処理が施
されてもよい。最終的に誘導書き込みヘッド素子３１が
アルミナ膜３３に埋め込まれると、読み出し書き込みヘ
ッド２３の形成は完了する。
り素子３２上には、既知の通り、誘導書き込みヘッド素
子３１が構築されていく。この構築に先立ってＣＰＰ構
造ＭＲ読み取り素子３２は非磁性絶縁膜（図示せず）に
埋め込まれてもよい。この非磁性絶縁膜の表面で、下部
磁極層３６や非磁性ギャップ層３７のほか、コイルパタ
ーンが埋め込まれた絶縁層、上部磁極層３５が相次いで
形成される。こういった誘導書き込みヘッド素子３１の
形成に先立って非磁性絶縁膜の表面には平坦化処理が施
されてもよい。最終的に誘導書き込みヘッド素子３１が
アルミナ膜３３に埋め込まれると、読み出し書き込みヘ
ッド２３の形成は完了する。
【００５５】図２７はＭＲ膜４３の他の具体例を示す。
このＭＲ膜４３はトンネル接合膜で構成される。すなわ
ち、ＭＲ膜４３では、下地層１０１、自由側強磁性層１
０２、絶縁膜１０３、固定側強磁性層１０４、反強磁性
層１０５および保護層１０６が順番に重ね合わせられ
る。反強磁性層１０５の働きに応じて固定側強磁性層１
０４の磁化は１方向に固定される。ここで、下地層１０
１は、Ｔａ層１０１ａと、このＴａ層１０１ａの表面に
積層されるＮｉＦｅ層１０１ｂとで構成されればよい。
自由側強磁性層１０２および固定側強磁性層１０４は例
えばＣｏ90Ｆｅ10といった強磁性材料から形成されれば
よい。絶縁膜１０３は例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）そ
の他の金属酸化膜から形成されればよい。反強磁性層１
０５は例えばＦｅＭｎやＰｄＰｔＭｎといった反強磁性
合金材料から形成されればよい。保護層１０６は、Ｃｕ
層１０６ａと、このＣｕ層１０６ａ上に形成されるキャ
ップ層すなわちＴａ層１０６ｂとを備えればよい。
このＭＲ膜４３はトンネル接合膜で構成される。すなわ
ち、ＭＲ膜４３では、下地層１０１、自由側強磁性層１
０２、絶縁膜１０３、固定側強磁性層１０４、反強磁性
層１０５および保護層１０６が順番に重ね合わせられ
る。反強磁性層１０５の働きに応じて固定側強磁性層１
０４の磁化は１方向に固定される。ここで、下地層１０
１は、Ｔａ層１０１ａと、このＴａ層１０１ａの表面に
積層されるＮｉＦｅ層１０１ｂとで構成されればよい。
自由側強磁性層１０２および固定側強磁性層１０４は例
えばＣｏ90Ｆｅ10といった強磁性材料から形成されれば
よい。絶縁膜１０３は例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）そ
の他の金属酸化膜から形成されればよい。反強磁性層１
０５は例えばＦｅＭｎやＰｄＰｔＭｎといった反強磁性
合金材料から形成されればよい。保護層１０６は、Ｃｕ
層１０６ａと、このＣｕ層１０６ａ上に形成されるキャ
ップ層すなわちＴａ層１０６ｂとを備えればよい。
【００５６】磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造
ＭＲ読み取り素子３２が磁気ディスク１３の表面に向き
合わせられると、トンネル接合膜では、周知の通り、磁
気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側
強磁性層１０２の磁化方向は回転する。こうして自由側
強磁性層１０２の磁化方向が回転すると、トンネル接合
膜の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側およ
び下側引き出し導電層４６、３８からトンネル接合膜に
センス電流が供給されると、端子パッド４８、４９から
取り出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じ
て変化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み
取られることができる。このとき、トンネル接合膜で
は、前述のようにセンス電流の通り道は狭められること
ができる。その結果、磁気ディスク１３から作用する磁
界に対するトンネル接合膜の応答感度は高められること
ができる。
ＭＲ読み取り素子３２が磁気ディスク１３の表面に向き
合わせられると、トンネル接合膜では、周知の通り、磁
気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側
強磁性層１０２の磁化方向は回転する。こうして自由側
強磁性層１０２の磁化方向が回転すると、トンネル接合
膜の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側およ
び下側引き出し導電層４６、３８からトンネル接合膜に
センス電流が供給されると、端子パッド４８、４９から
取り出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じ
て変化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み
取られることができる。このとき、トンネル接合膜で
は、前述のようにセンス電流の通り道は狭められること
ができる。その結果、磁気ディスク１３から作用する磁
界に対するトンネル接合膜の応答感度は高められること
ができる。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電磁変換
膜の縮小化に頼ることなく、電磁変換膜に供給される電
流の通り道をさらに狭めることができるＣＰＰ構造電磁
変換素子は提供される。
膜の縮小化に頼ることなく、電磁変換膜に供給される電
流の通り道をさらに狭めることができるＣＰＰ構造電磁
変換素子は提供される。
【図１】 ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構
造を概略的に示す平面図である。
造を概略的に示す平面図である。
【図２】 浮上ヘッドスライダの一具体例を示す拡大斜
視図である。
視図である。
【図３】 浮上面で観察される読み出し書き込みヘッド
の様子を概略的に示す正面図である。
の様子を概略的に示す正面図である。
【図４】 ＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素
子の下側引き出し導電層を示す平面図である。
子の下側引き出し導電層を示す平面図である。
【図５】 ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の上側引き出し
導電層を示す平面図である。
導電層を示す平面図である。
【図６】 センス電流の通り道を概略的に示すＣＰＰ構
造ＭＲ読み取り素子の拡大部分正面図である。
造ＭＲ読み取り素子の拡大部分正面図である。
【図７】 ＭＲ膜の一具体例に係るスピンバルブ膜の構
造を概略的に示す拡大正面図である。
造を概略的に示す拡大正面図である。
【図８】 ウェハーの斜視図である。
【図９】 ウェハー上に形成された複数個の読み出し書
き込みヘッドを示すウェハーの拡大部分平面図である。
き込みヘッドを示すウェハーの拡大部分平面図である。
【図１０】 ウェハーから切り出されたウェハーバーを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１１】 基礎層の表面で下側引き出し導電層を形成
する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１２】 基礎層の表面で下側引き出し導電層を形成
する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１３】 基礎層の表面に基礎絶縁膜を形成する工程
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１４】 下側引き出し導電層の表面を露出させる工
程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１５】 下側引き出し導電層の表面で導電小片を形
成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１６】 下側引き出し導電層の表面で導電小片を形
成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図１７】 平坦化面上で絶縁膜を形成する工程を示す
ウェハーの拡大部分断面図である。
ウェハーの拡大部分断面図である。
【図１８】 導電小片の頂上面を露出させる工程を示す
ウェハーの拡大部分断面図である。
ウェハーの拡大部分断面図である。
【図１９】 スピンバルブ膜と同一の層構造を備える積
層体を形成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図で
ある。
層体を形成する工程を示すウェハーの拡大部分断面図で
ある。
【図２０】 積層体にくり貫かれる空間を示すウェハー
の拡大部分平面図である。
の拡大部分平面図である。
【図２１】 積層体で空間をくり貫く工程を示すウェハ
ーの拡大部分断面図である。
ーの拡大部分断面図である。
【図２２】 くり貫かれた空間に磁性体を充填する工程
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図２３】 ＭＲ膜および磁区制御ハード膜の連続体を
規定するレジスト膜を示すウェハーの拡大部分平面図で
ある。
規定するレジスト膜を示すウェハーの拡大部分平面図で
ある。
【図２４】 ＭＲ膜および磁区制御ハード膜の連続体を
埋める被覆絶縁膜を形成する工程を示すウェハーの拡大
部分断面図である。
埋める被覆絶縁膜を形成する工程を示すウェハーの拡大
部分断面図である。
【図２５】 被覆絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
を示すウェハーの拡大部分断面図である。
【図２６】 上側引き出し導電層を形成する工程を示す
ウェハーの拡大部分断面図である。
ウェハーの拡大部分断面図である。
【図２７】 ＭＲ膜の他の具体例に係るトンネル接合膜
の構造を概略的に示す拡大正面図である。
の構造を概略的に示す拡大正面図である。
３２ ＣＰＰ構造電磁変換素子としてのＣＰＰ構造磁気
抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子、３４ 基礎層としての
Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜、３８ 下側引き出し導電
層、３９ 導電端子片、３９ａ 導電端子片の壁面、４
１ 絶縁膜を含む絶縁層、４２ １平坦化面、４３ 電
磁変換膜としての磁気抵抗効果（ＭＲ）膜、４５ 被覆
絶縁膜、４６ 上側引き出し導電層、４７ 端子瘤、６
７ 基礎絶縁膜、６８ 基礎絶縁膜上の平坦化面、７１
導電小片、７４ 絶縁膜上の平坦化面、８１ 被覆絶
縁膜、８２ コンタクト孔、８４ 導電材料としての磁
性膜、Ｗ１ 第１幅、Ｗ２ 第２幅、Ｗ３ 第３幅。
抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子、３４ 基礎層としての
Ａｌ2 Ｏ3 （アルミナ）膜、３８ 下側引き出し導電
層、３９ 導電端子片、３９ａ 導電端子片の壁面、４
１ 絶縁膜を含む絶縁層、４２ １平坦化面、４３ 電
磁変換膜としての磁気抵抗効果（ＭＲ）膜、４５ 被覆
絶縁膜、４６ 上側引き出し導電層、４７ 端子瘤、６
７ 基礎絶縁膜、６８ 基礎絶縁膜上の平坦化面、７１
導電小片、７４ 絶縁膜上の平坦化面、８１ 被覆絶
縁膜、８２ コンタクト孔、８４ 導電材料としての磁
性膜、Ｗ１ 第１幅、Ｗ２ 第２幅、Ｗ３ 第３幅。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AB07 AD54 AD65 5D034 BA03 BA04 BA08 BA12 CA08 DA07
Claims (9)
- 【請求項１】 下側引き出し導電層と、下側引き出し導
電層の表面から立ち上がる導電端子片と、導電端子片の
壁面に接しつつ下側引き出し導電層の表面に広がる絶縁
膜と、少なくとも導電端子片の頂上面に横たわる電磁変
換膜と、電磁変換膜の頂上面に接触する上側引き出し導
電層とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造電磁変換素
子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子において、前記電磁変換膜は前記導電端子片の第１幅
よりも大きな第２幅で規定されることを特徴とするＣＰ
Ｐ構造電磁変換素子。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子において、前記電磁変換膜は、前記導電端子片の頂上
面および絶縁膜の表面で規定される１平坦化面上に形成
されることを特徴とするＣＰＰ構造電磁変換素子。 - 【請求項４】 請求項３に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子において、前記電磁変換膜はスピンバルブ膜およびト
ンネル接合膜のいずれか一方であることを特徴とするＣ
ＰＰ構造電磁変換素子。 - 【請求項５】 請求項４に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子において、前記下側引き出し導電層は前記電磁変換膜
の磁性シールド層として機能することを特徴とするＣＰ
Ｐ構造電磁変換素子。 - 【請求項６】 請求項５に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子において、前記上側引き出し導電層には、前記第２幅
よりも小さな第３幅で前記電磁変換膜に接触する端子瘤
が一体に形成されることを特徴とするＣＰＰ構造電磁変
換素子。 - 【請求項７】 引き出し導電層の表面に導電小片を形成
する工程と、引き出し導電層の表面に絶縁膜を形成し、
絶縁膜で導電小片を覆う工程と、絶縁膜に平坦化処理を
施し、絶縁膜上の平坦化面で導電小片の頂上面を露出さ
せる工程と、少なくとも導電小片の頂上面に横たわる電
磁変換膜を平坦化面上で形成する工程とを備えることを
特徴とするＣＰＰ構造電磁変換素子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子の製造方法において、前記導電小片の形成に先立っ
て、基礎層の表面で規定の形状パターンに従って前記引
き出し導電層を形成する工程と、基礎層の表面に基礎絶
縁膜を形成し、基礎絶縁膜で引き出し導電層を覆う工程
と、基礎絶縁膜に平坦化処理を施し、基礎絶縁膜上の平
坦化面で引き出し導電層の表面を露出させる工程とをさ
らに備えることを特徴とするＣＰＰ構造電磁変換素子の
製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載のＣＰＰ構造電磁変換素
子の製造方法において、前記電磁変換膜を覆う被覆絶縁
膜を形成する工程と、被覆絶縁膜を貫通し前記電磁変換
膜の表面に達するコンタクト孔を形成する工程と、形成
されたコンタクト孔に導電材料を充填する工程とを備え
ることを特徴とするＣＰＰ構造電磁変換素子の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119067A JP2002314168A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | Ｃｐｐ構造電磁変換素子およびその製造方法 |
| US09/951,102 US6731475B2 (en) | 2001-04-18 | 2001-09-12 | Current-perpendicular-to-the-plane structure electromagnetic transducer element having reduced path for electric current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119067A JP2002314168A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | Ｃｐｐ構造電磁変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002314168A true JP2002314168A (ja) | 2002-10-25 |
Family
ID=18969347
Family Applications (1)
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| JP2001119067A Withdrawn JP2002314168A (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | Ｃｐｐ構造電磁変換素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US6731475B2 (ja) |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7220499B2 (en) | 2003-04-18 | 2007-05-22 | Alps Electric Co., Ltd. | CPP giant magnetoresistive head having antiferromagnetic film disposed in rear of element |
| US7327539B2 (en) | 2003-04-18 | 2008-02-05 | Alps Electric Co., Ltd. | CPP giant magnetoresistive head with large-area metal film provided between shield and element |
| US7599155B2 (en) | 2003-04-18 | 2009-10-06 | Tdk Corporation | Self-pinned CPP giant magnetoresistive head with antiferromagnetic film absent from current path |
| WO2016125780A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | シャープ株式会社 | 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3647736B2 (ja) | 2000-09-29 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
| US7061729B2 (en) * | 2002-05-16 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Protective cap in lead overlay magnetic sensors |
| JP2004056037A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子 |
| JP2005109239A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
| JP2005109243A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
| JP2005109242A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
| JP2005109240A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
| JP2005109241A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気ヘッド |
| JP2005251342A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
| US7256969B1 (en) * | 2004-06-07 | 2007-08-14 | Storage Technology Corporation | Discrete step stabilization of narrow-track AMR read sensors |
| US7382589B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-06-03 | Headway Technologies, Inc. | CPP with elongated pinned layer |
| US7379277B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-05-27 | Seagate Technology Llc | Reader shield/electrode structure for improved stray field and electrical performance |
| JP4183705B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2008-11-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気ヘッド装置 |
| JP2008071416A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッド装置 |
| US7768748B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-08-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor with overlaid combined leads and shields |
| US7796359B2 (en) * | 2007-08-23 | 2010-09-14 | Tdk Corporation | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing the same, the magnetic head including pole layer and two shields sandwiching the pole layer |
| US7961437B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic recording head having an extended stripe height and a shortened shield height |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668426A (ja) | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH07105513A (ja) | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH07220240A (ja) | 1994-01-26 | 1995-08-18 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5576914A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-19 | Read-Rite Corporation | Compact read/write head having biased GMR element |
| EP0801380A3 (en) | 1996-04-10 | 1998-03-04 | Read-Rite Corporation | Giant magnetoresistive transducer with increased output signal |
| JP3371081B2 (ja) | 1997-12-26 | 2003-01-27 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造方法に用いる複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニット |
| JP3917760B2 (ja) | 1998-07-17 | 2007-05-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP2001006130A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果型ヘッド |
| US6512660B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-01-28 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head with longitudinal or transverse bias provided by current |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001119067A patent/JP2002314168A/ja not_active Withdrawn
- 2001-09-12 US US09/951,102 patent/US6731475B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7220499B2 (en) | 2003-04-18 | 2007-05-22 | Alps Electric Co., Ltd. | CPP giant magnetoresistive head having antiferromagnetic film disposed in rear of element |
| US7327539B2 (en) | 2003-04-18 | 2008-02-05 | Alps Electric Co., Ltd. | CPP giant magnetoresistive head with large-area metal film provided between shield and element |
| US7599155B2 (en) | 2003-04-18 | 2009-10-06 | Tdk Corporation | Self-pinned CPP giant magnetoresistive head with antiferromagnetic film absent from current path |
| US7800867B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-09-21 | Tdk Corporation | CPP GMR head with antiferromagnetic layer disposed at rear of ferrimagnetic pinned layer |
| WO2016125780A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | シャープ株式会社 | 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 |
| JPWO2016125780A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-08-31 | シャープ株式会社 | 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 |
Also Published As
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