JP2001209913A - ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気テープ等からの信号読出しに用いられる
ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関す
る。 【解決手段】 軟磁性膜よりなるヨークの一部に磁気
抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法において、前記磁気抵抗効果素子部分の形成方法と
して、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化
し、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬質磁性層
１０を形成した後、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を
有する第１の非磁性絶縁層２０を形成し、前記第１の非
磁性絶縁層の上に前記磁気抵抗効果素子３０を形成した
後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングを行な
い、続けて所定の膜厚を有する第２の非磁性絶縁層４０
を前記磁気抵抗効果素子３０、硬質磁性層１０の各端部
が被覆されるように形成し、前記磁気抵抗効果素子の上
の両端部に電極膜５０を形成し、前記磁気抵抗効果素子
のみに電流が流れるようにして感度を向上させた。
ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関す
る。 【解決手段】 軟磁性膜よりなるヨークの一部に磁気
抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法において、前記磁気抵抗効果素子部分の形成方法と
して、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化
し、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬質磁性層
１０を形成した後、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を
有する第１の非磁性絶縁層２０を形成し、前記第１の非
磁性絶縁層の上に前記磁気抵抗効果素子３０を形成した
後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングを行な
い、続けて所定の膜厚を有する第２の非磁性絶縁層４０
を前記磁気抵抗効果素子３０、硬質磁性層１０の各端部
が被覆されるように形成し、前記磁気抵抗効果素子の上
の両端部に電極膜５０を形成し、前記磁気抵抗効果素子
のみに電流が流れるようにして感度を向上させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気テープ等からの
信号読み出しに用いられるヨークタイプ磁気抵抗効果型
ヘッド及びその製造方法に関するものである。
信号読み出しに用いられるヨークタイプ磁気抵抗効果型
ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク等における磁気記
録再生装置の高密度化が進み、２G〜６Gbit/in2 の記録
密度が実用化されている。このような高密度を達成する
ためには、再生ヘッドとして従来の誘導型ヘッドに代わ
って記録媒体の磁束を直接検出する磁気抵抗効果型ヘッ
ドの採用が必須であり、異方性磁気抵抗効果型ヘッドや
スピンバルブを中心とした巨大磁気抵抗効果型ヘッドが
検討されている。
録再生装置の高密度化が進み、２G〜６Gbit/in2 の記録
密度が実用化されている。このような高密度を達成する
ためには、再生ヘッドとして従来の誘導型ヘッドに代わ
って記録媒体の磁束を直接検出する磁気抵抗効果型ヘッ
ドの採用が必須であり、異方性磁気抵抗効果型ヘッドや
スピンバルブを中心とした巨大磁気抵抗効果型ヘッドが
検討されている。
【０００３】例えば、異方性磁気抵抗効果型ヘッドは磁
気抵抗効果型ヘッドに流れる電流の方向と磁化のなす角
度をθとすると、抵抗Ｒが Ｒ ＝ Ｒ0 + ΔＲcos2θ（ΔＲは最大抵抗変化
量） となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗の変化で直接検出す
るために、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない高感
度の検出が可能となる。
気抵抗効果型ヘッドに流れる電流の方向と磁化のなす角
度をθとすると、抵抗Ｒが Ｒ ＝ Ｒ0 + ΔＲcos2θ（ΔＲは最大抵抗変化
量） となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗の変化で直接検出す
るために、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない高感
度の検出が可能となる。
【０００４】また、スピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果
型ヘッドはピン層とフリー層が非磁性分離膜を介して積
層された構造をしており、この２層の磁化方向がなす角
をαとすると、抵抗変化δＲはcosαに比例し、フリー
層が媒体からの漏れ磁界を抵抗変化という形で直接検出
する。
型ヘッドはピン層とフリー層が非磁性分離膜を介して積
層された構造をしており、この２層の磁化方向がなす角
をαとすると、抵抗変化δＲはcosαに比例し、フリー
層が媒体からの漏れ磁界を抵抗変化という形で直接検出
する。
【０００５】スピンバルブヘッドにおける最大抵抗変化
量は異方性磁気抵抗効果型ヘッド２〜５％に比較して５
％以上と大きく、より高密度のヘッドとして実用化され
ている。
量は異方性磁気抵抗効果型ヘッド２〜５％に比較して５
％以上と大きく、より高密度のヘッドとして実用化され
ている。
【０００６】このようなハードディスクにおける高密度
化の流れは、当然のことながらテープを用いた磁気記録
再生装置への応用が考えられる。これまで、ＶＴＲを中
心とした磁気記録再生装置においては、誘導型の記録再
生ヘッドが用いられているのが一般的である。
化の流れは、当然のことながらテープを用いた磁気記録
再生装置への応用が考えられる。これまで、ＶＴＲを中
心とした磁気記録再生装置においては、誘導型の記録再
生ヘッドが用いられているのが一般的である。
【０００７】しかしながら、従来以上の高密度化を実現
しようとした場合、トラック幅は益々狭小化し、これま
での誘導型ヘッドでは十分な信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）を得ることが困難となる。
しようとした場合、トラック幅は益々狭小化し、これま
での誘導型ヘッドでは十分な信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）を得ることが困難となる。
【０００８】そこで、再生ヘッドとして従来の誘導型ヘ
ッドに代わり、磁気抵抗効果型ヘッドの採用が考えられ
る。ただし、テープ系において磁気抵抗効果型ヘッドを
用いる場合、ヘッドとテープが接触して摺動するため
に、ハードディスクで用いられている構造、すなわち、
磁気抵抗効果素子がヘッド表面に露出している形態では
信頼性の面で問題がある。
ッドに代わり、磁気抵抗効果型ヘッドの採用が考えられ
る。ただし、テープ系において磁気抵抗効果型ヘッドを
用いる場合、ヘッドとテープが接触して摺動するため
に、ハードディスクで用いられている構造、すなわち、
磁気抵抗効果素子がヘッド表面に露出している形態では
信頼性の面で問題がある。
【０００９】そこでこれを回避するために、軟磁性膜に
よるヨーク（磁束誘導部）を形成し、その磁気回路の一
部に磁気抵抗効果素子を挿入することによって、磁気抵
抗効果素子にダメージを与えることなく、テープ媒体か
らの磁束を磁気抵抗効果素子に導くことが出来る。
よるヨーク（磁束誘導部）を形成し、その磁気回路の一
部に磁気抵抗効果素子を挿入することによって、磁気抵
抗効果素子にダメージを与えることなく、テープ媒体か
らの磁束を磁気抵抗効果素子に導くことが出来る。
【００１０】ところで、このようなヨークタイプ磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、ノイズの発生を抑えて安定的
に再生出力を得るためには、磁気抵抗効果素子の感磁部
分に縦バイアス磁界を加えて単磁区化し、磁壁の発生に
よるバルクハウゼンノイズを抑制することが必要であ
る。
抗効果型ヘッドにおいて、ノイズの発生を抑えて安定的
に再生出力を得るためには、磁気抵抗効果素子の感磁部
分に縦バイアス磁界を加えて単磁区化し、磁壁の発生に
よるバルクハウゼンノイズを抑制することが必要であ
る。
【００１１】このような縦バイアスを印加する手段とし
て、磁気抵抗効果素子の両端部に硬質磁性膜を配置して
静磁界を利用する方法や磁気抵抗効果素子近傍に導電膜
を配置して電流を流し、それによって誘起される磁界を
利用する方法などが考えられている。
て、磁気抵抗効果素子の両端部に硬質磁性膜を配置して
静磁界を利用する方法や磁気抵抗効果素子近傍に導電膜
を配置して電流を流し、それによって誘起される磁界を
利用する方法などが考えられている。
【００１２】しかしながら、これらの方法は磁気抵抗効
果素子部分が比較的単純な場合、例えば、単一の素子の
みで構成されている場合はさほど問題とならない。しか
し、図６に示されるように、ヨークギャップ中に複数の
磁気抵抗効果素子（縦型）が配置されてなる場合などは
バイアス印加部分を形成することが困難になり、他のバ
イアス発生手段が必要となる。
果素子部分が比較的単純な場合、例えば、単一の素子の
みで構成されている場合はさほど問題とならない。しか
し、図６に示されるように、ヨークギャップ中に複数の
磁気抵抗効果素子（縦型）が配置されてなる場合などは
バイアス印加部分を形成することが困難になり、他のバ
イアス発生手段が必要となる。
【００１３】その一つとして磁気抵抗効果素子の下部に
非磁性絶縁膜を介して硬質磁性膜を設ける方法が考えら
れている（特願平１０−３２８３９６号）。
非磁性絶縁膜を介して硬質磁性膜を設ける方法が考えら
れている（特願平１０−３２８３９６号）。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果素子と硬質磁性膜が絶縁層で分離されているにも
拘わらず、図７に示されるように、実際に製造する際に
は電極膜５０を形成する段階で、電極膜５０と硬質磁性
膜１０が短絡してしまい、硬質磁性膜１０の方にも電流
が流れてしまい、ヘッド感度を大きく劣化させる原因と
なっている。具体的にこれを防止する方法はこれまでな
かった。
抗効果素子と硬質磁性膜が絶縁層で分離されているにも
拘わらず、図７に示されるように、実際に製造する際に
は電極膜５０を形成する段階で、電極膜５０と硬質磁性
膜１０が短絡してしまい、硬質磁性膜１０の方にも電流
が流れてしまい、ヘッド感度を大きく劣化させる原因と
なっている。具体的にこれを防止する方法はこれまでな
かった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、請求項１の発明は、軟磁性膜よりなる
ヨークの一部に巨大磁気抵抗効果素子を配してなる磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記巨大磁気抵
抗効果素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイア
ス磁界を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを
抑制するための硬質磁性層を形成した後、前記硬質磁性
層の上に所定の膜厚を有する第１の非磁性絶縁層を形成
し、前記第１の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効
果素子を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パタ
ーニングを行ない、続けて所定の膜厚を有する第２の非
磁性絶縁層を前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁
性層の各端部が被覆されるように形成し、前記第２の非
磁性絶縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素子の上の両端
部に電極膜を形成し、前記電極膜と前記硬質磁性層とを
完全に絶縁するようにして、前記巨大磁気抵抗効果素子
のみにセンス電流が流れるようにしたことを特徴とする
ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供
し、請求項２の発明は、請求項１に記載されたヨークタ
イプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記巨
大磁気抵抗効果素子はピン層とフリー層とを有するスピ
ンバルブ型の素子であることを特徴とするヨークタイプ
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供するものであ
り、請求項３の発明は、軟磁性膜よりなるヨークの一部
に巨大磁気抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記巨大磁気抵抗効果素子部分の構成と
して、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化さ
れ、バルクハウゼンノイズを抑制するために形成された
硬質磁性層と、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有し
て形成された第１の非磁性絶縁層と、前記第１の非磁性
絶縁層の上に形成された巨大磁気抵抗効果素子と、前記
硬質磁性層部分まで一括パターニングにより、前記巨大
磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の各端部が被覆さ
れるように、所定の膜厚を有して形成された第２の非磁
性絶縁層と、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に形成
された電極膜とを有した構成として、前記第２の非磁性
絶縁層によって前記電極膜と前記硬質磁性層とが完全に
絶縁され、前記磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流
れるようにしたことを特徴とするヨークタイプ磁気抵抗
効果型ヘッドを提供するものであり、請求項４の発明
は、請求項３に記載されたヨークタイプ磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記巨大磁気抵抗効果素子はピン層と
フリー層とを有するスピンバルブ型の素子であることを
特徴とするヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
るものである。
解決するために、請求項１の発明は、軟磁性膜よりなる
ヨークの一部に巨大磁気抵抗効果素子を配してなる磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記巨大磁気抵
抗効果素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイア
ス磁界を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを
抑制するための硬質磁性層を形成した後、前記硬質磁性
層の上に所定の膜厚を有する第１の非磁性絶縁層を形成
し、前記第１の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効
果素子を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パタ
ーニングを行ない、続けて所定の膜厚を有する第２の非
磁性絶縁層を前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁
性層の各端部が被覆されるように形成し、前記第２の非
磁性絶縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素子の上の両端
部に電極膜を形成し、前記電極膜と前記硬質磁性層とを
完全に絶縁するようにして、前記巨大磁気抵抗効果素子
のみにセンス電流が流れるようにしたことを特徴とする
ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供
し、請求項２の発明は、請求項１に記載されたヨークタ
イプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記巨
大磁気抵抗効果素子はピン層とフリー層とを有するスピ
ンバルブ型の素子であることを特徴とするヨークタイプ
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供するものであ
り、請求項３の発明は、軟磁性膜よりなるヨークの一部
に巨大磁気抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記巨大磁気抵抗効果素子部分の構成と
して、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化さ
れ、バルクハウゼンノイズを抑制するために形成された
硬質磁性層と、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有し
て形成された第１の非磁性絶縁層と、前記第１の非磁性
絶縁層の上に形成された巨大磁気抵抗効果素子と、前記
硬質磁性層部分まで一括パターニングにより、前記巨大
磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の各端部が被覆さ
れるように、所定の膜厚を有して形成された第２の非磁
性絶縁層と、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に形成
された電極膜とを有した構成として、前記第２の非磁性
絶縁層によって前記電極膜と前記硬質磁性層とが完全に
絶縁され、前記磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流
れるようにしたことを特徴とするヨークタイプ磁気抵抗
効果型ヘッドを提供するものであり、請求項４の発明
は、請求項３に記載されたヨークタイプ磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記巨大磁気抵抗効果素子はピン層と
フリー層とを有するスピンバルブ型の素子であることを
特徴とするヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドを提供す
るものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のヨークタイプ磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法の一実施例について以下に図と共
に説明する。図１は本発明によるヨークタイプ磁気抵抗
効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子断面を拡大した概略図
であり、図２は磁気抵抗効果素子部分の詳細な構成図で
ある。
果型ヘッドの製造方法の一実施例について以下に図と共
に説明する。図１は本発明によるヨークタイプ磁気抵抗
効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子断面を拡大した概略図
であり、図２は磁気抵抗効果素子部分の詳細な構成図で
ある。
【００１７】図１に示されるヨークタイプ磁気抵抗効果
型ヘッドの磁気抵抗効果素子は、硬質磁性膜１０、非磁
性絶縁膜２０、スピンバルブ素子３０、非磁性絶縁膜４
０、及び電極膜５０より構成されている。
型ヘッドの磁気抵抗効果素子は、硬質磁性膜１０、非磁
性絶縁膜２０、スピンバルブ素子３０、非磁性絶縁膜４
０、及び電極膜５０より構成されている。
【００１８】図２に示されるヨークタイプ磁気抵抗効果
型ヘッドのスピンバルブ素子３０は、下地膜３１、フリ
ー層３２、分離膜（Cu膜）３３、ピン層３４、反強磁性
膜３５、及び保護膜３６より構成されている。
型ヘッドのスピンバルブ素子３０は、下地膜３１、フリ
ー層３２、分離膜（Cu膜）３３、ピン層３４、反強磁性
膜３５、及び保護膜３６より構成されている。
【００１９】つぎに、本発明による磁気抵抗効果素子部
分の製造方法について図３乃至図５に従って説明する。
Al2O3TiC（アルチック）基板上にAl2O3絶縁膜を５．０
μｍ成膜した後（図では省略）、下地としてCr膜を５．
０ｎｍ成膜し（図では省略）、その上に硬質磁性層であ
るCoPt膜１０を１０．０ｎｍ成膜する。
分の製造方法について図３乃至図５に従って説明する。
Al2O3TiC（アルチック）基板上にAl2O3絶縁膜を５．０
μｍ成膜した後（図では省略）、下地としてCr膜を５．
０ｎｍ成膜し（図では省略）、その上に硬質磁性層であ
るCoPt膜１０を１０．０ｎｍ成膜する。
【００２０】つぎに、図３(a)に示されるように、成膜
された厚さ１０．０ｎｍのCoPt膜１０の上にAl2O3膜２
０を４０．０ｎｍ成膜する。
された厚さ１０．０ｎｍのCoPt膜１０の上にAl2O3膜２
０を４０．０ｎｍ成膜する。
【００２１】つぎに、Al2O3膜２０の上に全厚３０．０
ｎｍの６層からなるスピンバルブ膜３０（下地層Ta５．
０ｎｍ／自由層CoFe６.０ｎｍ／非磁性分離膜Cu２．５
ｎｍ／固定層CoFe３．０ｎｍ／反強磁性膜IrMn８．０ｎ
ｍ／保護膜Ta５．５ｎｍ）を連続して成膜する（図３
(a)）。
ｎｍの６層からなるスピンバルブ膜３０（下地層Ta５．
０ｎｍ／自由層CoFe６.０ｎｍ／非磁性分離膜Cu２．５
ｎｍ／固定層CoFe３．０ｎｍ／反強磁性膜IrMn８．０ｎ
ｍ／保護膜Ta５．５ｎｍ）を連続して成膜する（図３
(a)）。
【００２２】つぎに、図３(b)に示されるように、スピ
ンバルブ膜３０の上にアンダーカット型レジストＲ１を
設ける。
ンバルブ膜３０の上にアンダーカット型レジストＲ１を
設ける。
【００２３】つぎに、図３(c) に示されるように、イオ
ンミリングにより硬質磁性層１０の部分まで一括して所
望の形状にパターニングを行なう。
ンミリングにより硬質磁性層１０の部分まで一括して所
望の形状にパターニングを行なう。
【００２４】さらに、図４(d) に示されるように、アン
ダーカット型レジストＲ１の上からAl2O3膜４０を成膜
する。このAl2O3膜４０の４０．０ｎｍ成膜によって、
図４(d)からも分かるように、前記硬質磁性層１０、Al2
O3膜２０、及び巨大磁気抵抗効果素子３０の各端部はそ
れぞれ被覆される。
ダーカット型レジストＲ１の上からAl2O3膜４０を成膜
する。このAl2O3膜４０の４０．０ｎｍ成膜によって、
図４(d)からも分かるように、前記硬質磁性層１０、Al2
O3膜２０、及び巨大磁気抵抗効果素子３０の各端部はそ
れぞれ被覆される。
【００２５】図４(e) に示されるように、リフトオフに
よりレジストＲ１及びレジストＲ１の上のAl2O3膜４０
を除去する。
よりレジストＲ１及びレジストＲ１の上のAl2O3膜４０
を除去する。
【００２６】つぎに、図５(f) に示されるように、電極
部分をレジストＲ２でパターニングする。
部分をレジストＲ２でパターニングする。
【００２７】つぎに、図５(g) に示されるように、レジ
ストＲ２の上から電極膜５０としてCuを０．２μｍ成膜
する。
ストＲ２の上から電極膜５０としてCuを０．２μｍ成膜
する。
【００２８】つぎに、図５(h) に示されるように、リフ
トオフにより電極膜５０，５０よりなる電極部を形成す
る。前記した成膜された４０．０ｎｍのAl2O3膜４０に
よって、電極膜５０と硬質磁性層１０とは、物理的に分
離され完全に絶縁される。
トオフにより電極膜５０，５０よりなる電極部を形成す
る。前記した成膜された４０．０ｎｍのAl2O3膜４０に
よって、電極膜５０と硬質磁性層１０とは、物理的に分
離され完全に絶縁される。
【００２９】本発明によれば、巨大磁気抵抗効果素子３
０としてピン層３４とフリー層３２とを有するスピンバ
ルブ型の素子を使用したので、多層構造のものを使用し
た場合と比較して、ヘッド感度及びヘッド出力を十分確
保出来るヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
が可能となる。
０としてピン層３４とフリー層３２とを有するスピンバ
ルブ型の素子を使用したので、多層構造のものを使用し
た場合と比較して、ヘッド感度及びヘッド出力を十分確
保出来るヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
が可能となる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、前記巨大磁気抵抗効果
素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイアス磁界
を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制す
るための硬質磁性層を形成した後、前記硬質磁性層の上
に所定の膜厚を有する第１の非磁性絶縁層を形成し、前
記第１の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効果素子
を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニン
グを行ない、続けて所定の膜厚を有する第２の非磁性絶
縁層を前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の
各端部が被覆されるように形成し、前記第２の非磁性絶
縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に電
極膜を形成し、前記電極膜と前記硬質磁性層とを完全に
絶縁するようにして、前記巨大磁気抵抗効果素子のみに
センス電流が流れるようにして、ヘッド感度を向上させ
ることが可能なヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製
造が可能となる。
素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイアス磁界
を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制す
るための硬質磁性層を形成した後、前記硬質磁性層の上
に所定の膜厚を有する第１の非磁性絶縁層を形成し、前
記第１の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効果素子
を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニン
グを行ない、続けて所定の膜厚を有する第２の非磁性絶
縁層を前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の
各端部が被覆されるように形成し、前記第２の非磁性絶
縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に電
極膜を形成し、前記電極膜と前記硬質磁性層とを完全に
絶縁するようにして、前記巨大磁気抵抗効果素子のみに
センス電流が流れるようにして、ヘッド感度を向上させ
ることが可能なヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製
造が可能となる。
【００３１】本発明によれば、前記巨大磁気抵抗効果素
子部分の構成として、感磁部分に縦バイアス磁界を印加
して単磁区化され、バルクハウゼンノイズを抑制するた
めに形成された硬質磁性層と、前記硬質磁性層の上に所
定の膜厚を有して形成された第１の非磁性絶縁層と、前
記第１の非磁性絶縁層の上に形成された巨大磁気抵抗効
果素子と、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングに
より、所定の膜厚を有して形成された第２の非磁性絶縁
層と、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に形成された
電極膜とを有した構成として、前記第２の非磁性絶縁層
によって前記電極膜と前記硬質磁性層とが完全に絶縁さ
れ、前記磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流れるよ
うにして、ヘッド感度を十分確保出来るヨークタイプ磁
気抵抗効果型ヘッドが可能となる。
子部分の構成として、感磁部分に縦バイアス磁界を印加
して単磁区化され、バルクハウゼンノイズを抑制するた
めに形成された硬質磁性層と、前記硬質磁性層の上に所
定の膜厚を有して形成された第１の非磁性絶縁層と、前
記第１の非磁性絶縁層の上に形成された巨大磁気抵抗効
果素子と、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングに
より、所定の膜厚を有して形成された第２の非磁性絶縁
層と、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に形成された
電極膜とを有した構成として、前記第２の非磁性絶縁層
によって前記電極膜と前記硬質磁性層とが完全に絶縁さ
れ、前記磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流れるよ
うにして、ヘッド感度を十分確保出来るヨークタイプ磁
気抵抗効果型ヘッドが可能となる。
【００３２】本発明によれば、巨大磁気抵抗効果素子と
してピン層とフリー層とを有するスピンバルブ型の素子
を使用したので、ヘッド感度を十分確保出来るヨークタ
イプ磁気抵抗効果型ヘッド及びそのヘッドの製造が可能
となる。
してピン層とフリー層とを有するスピンバルブ型の素子
を使用したので、ヘッド感度を十分確保出来るヨークタ
イプ磁気抵抗効果型ヘッド及びそのヘッドの製造が可能
となる。
【図１】本発明の製造方法による磁気抵抗効果素子部分
の構造の一実施例の概略図である。
の構造の一実施例の概略図である。
【図２】本発明によるヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッ
ドのスピンバルブ素子の一実施例の構成を示した図であ
る。
ドのスピンバルブ素子の一実施例の構成を示した図であ
る。
【図３】本発明による磁気抵抗効果素子部分の製造プロ
セスの一実施例を示した図である。
セスの一実施例を示した図である。
【図４】本発明による磁気抵抗効果素子部分の製造プロ
セスの一実施例を示した図である。
セスの一実施例を示した図である。
【図５】本発明による磁気抵抗効果素子部分の製造プロ
セスの一実施例を示した図である。
セスの一実施例を示した図である。
【図６】ヨークギャップ中に複数の磁気抵抗効果素子を
有する構造のヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの概略
図である。
有する構造のヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの概略
図である。
【図７】従来の製造方法による磁気抵抗効果素子部分の
概略構造の一例を示した図である。
概略構造の一例を示した図である。
１０ 硬質磁性層 ２０ 第１の非磁性絶縁層 ３０ スピンバルブ素子（巨大磁気抵抗効果素子） ３１ 下地膜 ３２ フリー層 ３３ 分離膜（Cu膜） ３４ ピン層 ３５ 反強磁性膜 ３６ 保護膜 ４０ 第２の非磁性絶縁層 ５０ 電極膜 Ｒ１，Ｒ２ レジスト
Claims (4)
- 【請求項１】軟磁性膜よりなるヨークの一部に巨大磁気
抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法において、 前記巨大磁気抵抗効果素子部分の形成方法として、 感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化し、バル
クハウゼンノイズを抑制するための硬質磁性層を形成し
た後、 前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有する第１の非磁性
絶縁層を形成し、 前記第１の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効果素
子を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニ
ングを行ない、 続けて所定の膜厚を有する第２の非磁性絶縁層を前記巨
大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の各端部が被覆
されるように形成し、 前記第２の非磁性絶縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素
子の上の両端部に電極膜を形成し、 前記電極膜と前記硬質磁性層とを完全に絶縁するように
して、前記巨大磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流
れるようにしたことを特徴とするヨークタイプ磁気抵抗
効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載されたヨークタイプ磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法において、 前記巨大磁気抵抗効果素子はピン層とフリー層とを有す
るスピンバルブ型の素子であることを特徴とするヨーク
タイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】軟磁性膜よりなるヨークの一部に巨大磁気
抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、 前記巨大磁気抵抗効果素子部分の構成として、 感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化され、バ
ルクハウゼンノイズを抑制するために形成された硬質磁
性層と、 前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有して形成された第
１の非磁性絶縁層と、 前記第１の非磁性絶縁層の上に形成された巨大磁気抵抗
効果素子と、 前記硬質磁性層部分まで一括パターニングにより、前記
巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の各端部が被
覆されるように、所定の膜厚を有して形成された第２の
非磁性絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に形成された電極膜
とを有した構成として、 前記第２の非磁性絶縁層によって前記電極膜と前記硬質
磁性層とが完全に絶縁され、前記磁気抵抗効果素子のみ
にセンス電流が流れるようにしたことを特徴とするヨー
クタイプ磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】請求項３に記載されたヨークタイプ磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、 前記巨大磁気抵抗効果素子はピン層とフリー層とを有す
るスピンバルブ型の素子であることを特徴とするヨーク
タイプ磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016932A JP2001209913A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016932A JP2001209913A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001209913A true JP2001209913A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18543992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000016932A Pending JP2001209913A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001209913A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126796B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-10-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Read sensor with overlaying lead layer top surface portions interfaced by hard bias and tapered lead layers |
| KR100804915B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-02-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수평요크형 자기 재생 헤드 및 자기 재생 장치 |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000016932A patent/JP2001209913A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804915B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-02-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수평요크형 자기 재생 헤드 및 자기 재생 장치 |
| US7126796B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-10-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Read sensor with overlaying lead layer top surface portions interfaced by hard bias and tapered lead layers |
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