KR20010021255A - 자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항검출시스템 - Google Patents

자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항검출시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20010021255A
KR20010021255A KR1020000046199A KR20000046199A KR20010021255A KR 20010021255 A KR20010021255 A KR 20010021255A KR 1020000046199 A KR1020000046199 A KR 1020000046199A KR 20000046199 A KR20000046199 A KR 20000046199A KR 20010021255 A KR20010021255 A KR 20010021255A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
magnetoresistive
head
magnetoresistive element
electrode
Prior art date
Application number
KR1020000046199A
Other languages
English (en)
Inventor
하야시가즈히꼬
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR20010021255A publication Critical patent/KR20010021255A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt

Abstract

자기저항효과 소자는 고정층 (fixed layer), 비자성층, 프리층 (free layer) 을 구비한다. 고정층은 실질적으로 기록매체 표면과 수직한 자화방향을 갖는다. 비자성층은 고정층에 적층된다. 프리층은 비자성층에 적층되며, 실질적으로 고정층의 자화방향과 수직한 자화용이축방향을 갖는다. 자기저항효과 헤드 및 자기저항 검출시스템 또한 개시된다.

Description

자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항 검출시스템 {MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT/HEAD AND MAGNETORESISTIVE DETECTION SYSTEM}
본 발명은 자기저항효과 소자/헤드 및 자기저항 검출시스템에 관한 것으로, 특히, 자기매체에 기록된 정보신호를 판독하기 위한 자기 센서의 개선에 관한 것이다.
종래 기술의 자기판독 변환기에서는, 높은 선형밀도를 갖는 자성표면으로부터 데이터를 판독할 수 있는 자기저항 (MR) 센서/헤드가 사용되고 있다. MR 센서는, 판독소자로 감지된 자속의 강도와, 방향의 함수로서의 저항변화에 따라 자계 신호를 검출한다. 상기 종래 기술의 MR 센서는, 판독소자의 저항의 1 성분이, 자화방향과 소자를 통해 흐르는 센스전류의 방향 사이의 각도의 코사인의 2 승에 비례하여 변화하는, 이방성자기저항 (AMR, anisotropic magnetoresistive) 효과에 기준하여 동작한다.
상기 AMR 효과에 대한 상세한 설명은, D.A. Thompson 등의 "Thin Film Magnetoresistors in Memory, Storage, and Related Application", IEEE Transaction ON Magnetics, VOL. MAG-11, No. 4, PP. 1,039 - 1,050, July 1975 에 개시되어 있다. 이 AMR 효과를 이용한 자기 헤드는, 종종 바크하우젠 노이즈 (Barkhausen Noise) 를 억제하기 위하여 종 바이어스 (Vertical Bias) 를 인가한다. 이러한 종 바이어스 인가재료로는, FeMn, NiMn, 또는 니켈 산화물 등의 반강자성 재료를 사용하는 경우가 있다.
최근의 센서에서는 다층자기센서의 저항변화가 비자성층을 통하는 자성층 사이의 전도전자의 스핀 의존성 전달 (transmission) 및 이에 부수되는 층계면에서의 스핀 의존성 산란으로 기인하게 되는, 더 현저한 자기저항효과를 이용한다. 이러한 자기저항효과는 "거대 자기저항효과" 나, "스핀 밸브 (spin-valve) 효과" 등으로 불리운다. 이러한 자기저항효과 소자가 적절한 재료로 만들어져, AMR 효과를 이용한 센서에 비하여, 높은 감도와 큰 저항변화를 나타낸다. 이러한 유형의 MR 센서에서는, 비자성층으로 분리된 1 쌍의 강자성체층 사이의 평면내 저항이, 2 개 층의 자화방향간의 각도의 코사인에 비례하여 변화한다.
일본 특개평 2-61572 호 (참조 1) 에서는, 자성층내의 자화의 반평형 정렬로 인하여 큰 MR 변화를 가져오는 다층의 자성구조를 기재하고 있다. 이러한 적층구조에 사용가능한 재료로, 상기 명세서에서는 강자성의 천이금속 내지 합금을 열거하고 있다. 또한, 상기 명세서에서는, 중간층에 의해 분리된 적어도 2 층의 강자성층의 일방에 고정층을 부가적으로 포함하는 구조와 함께, 고정층으로는 FeMn 층이 적당함을 개시하고 있다.
일본 특개평 4-358310 호 (참조 2) 에서는, 비자성금속 박막층에 의해 분리된 2 개 층의 강자성 박막층이 형성된 MR 센서를 개시하고 있다. 0 의 자계가 적용되는 경우, 2 개의 강자성박막층의 자화방향이 서로 수직이 된다. 2 개의 비결합 강자성체층사이의 저항이, 센서를 통하는 전류의 방향과는 독립적으로, 2 개의 층의 자화방향의 각도의 코사인에 비례하여 변화하는, MR 센서가 개시되었다.
일본 특개평 6-203340 호 (참조 3) 에서는 자기저항효과에 근거한 MR 센서가 개시되었다. 이 MR 센서는, 비자성금속 박막층으로 분리된 2 개의 강자성 박막층을 포함한다. 외부인가 자계가 0 인 경우, 이웃하는 반강자성체층의 자화가 타방의 강자성체층에 대하여 수직으로 유지된다.
일본 특개평 7-262529 호 (참조 4) 에서는, 제 1 자성층 / 비자성층 / 제 2 자성층 / 반강자성층의 구성을 갖는 스핀 밸브에 있어서, 특히, 제 1 내지 제 2 자성층으로 CoZrNb, CoZrMo, FeSiAl, FeSi, NiFe 또는, Cr, Mn, Pt, Ni, Cu, Ag, Al, Ti, Fe, Co, 또는 Zn 을 첨가한 재료를 이용한 자기저항효과 소자가 개시 되었다.
일본 특개평 7-202292 호 (참조 5) 에서는, 기판상에 비자성층을 통하여 복수의 자성박막으로 적층되고, 비자성박막을 통하여 일방의 연자성박막에 반강자성박막이 이웃하도록 형성되고, 이 반강자성박막의 바이어스 자계를 Hr, 타방의 약자성박막의 보자력을 Hc2 라 할 때, Hc2 < Hr 인 자기저항효과층에 있어서, 반강자성체 기판은 NiO, CoO, FeO, Fe2O3, MnO, Cr 의 적어도 1 종류 또는 이의 혼합물로 된 것을 특징으로 하는 자기저항효과층이 개시되었다.
일본 특개평 10-222815 호 (참조 6) 에서는, 고정층의 자화방향과 수직인 방향으로 프리층 (free layer) 의 자화용이축방향을 설정한 자기저항효과 헤드의 제조방법이 개시되었다.
도 10 은, 종래의 헤드의 재생헤드부의 자기저항효과층을 구성하는 각 층 사이의 프리층 (31), 비자성층 (32), 고정층 (33) 의 부분을 나타내고 있다. 상기 3 개층 구성중 적어도 1 세트를 구비하는 재생 헤드에 있어서, 고정층 (33) 의 자화방향은 ABS 면 (35, Air Bearing Surface) 에 거의 수직이며, 프리층 (31) 의 자화용이축방향 (36) 은 고정층 (33) 의 자화방향 (34) 에 대하여 거의 수직인 방향이다.
도 11 은, 도 10 에 도시한, 프리층의 자화용이축방향 (36) 과 자기 디스크 매체 (23), 및 그 자기 디스크매체에 기록된 자구로부터의 누설 자계와의 관계를 나타낸다. 자기 디스크 매체 (23) 는 상기 프리층의 자화용이축방향 (36) 과 거의 평행하다. 길이방향의 기록 (longitudinal recording) 에 있어서는, 자기 디스크 매체 (23) 상에 기록된 자구로부터의 누설 자계 (25) 가 매체 표면에 수직한 방향에서 최대가 된다. 프리층의 자화용이축방향 (36) 은 누설 자계 (25) 의 주성분의 방향과 거의 수직이다. 참조번호 (24) 는 디스크 회전방향을 나타내며, 26 은 기록/재생 헤드를 나타낸다.
상기와 같은 프리층의 자화용이축방향이 누설 자계의 주성분과 직교하는 헤드에 있어서는, 프리층의 이방성자계가 크기 때문에, 재생감도가 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기의 단점을 극복한 자기저항효과 소자/헤드 및 높은 재생감도 및 높은 재생 출력레벨을 갖는 자기저항 검출 시스템을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 실질적으로 기록매체표면에 수직한 자화방향을 갖는 고정층, 고정층에 적층된 비자성층, 및 상기 비자성층에 적층되고, 고정층의 자화방향에 실질적으로 평행한 자화용이축방향을 갖는 프리층을 구비한 자기저항효과 소자가 제공된다.
도 1 은 본 발명의 재생헤드의 자기저항효과층을 구성하는 프리층, 비자성층, 및 고정층을 나타낸 개념도.
도 2 는 본 발명의 프리층의 자화용이축방향과 매체, 및 이 매체에 기록된 자구로부터의 누설 자계와의 관계를 나타낸 도면.
도 3 은 본 발명의 자기저항효과 헤드의 일례를 나타낸 단면도.
도 4 는 본 발명의 자기저항효과 헤드의 다른 일례를 나타낸 단면도.
도 5 는 본 발명의 자기저항효과 헤드의 다른 일례를 나타낸 단면도.
도 6a 내지 6j 는 본 발명의 자기저항효과 헤드의 제조공정을 각각 나타낸 도면.
도 7 은 본 발명의 자기저항효과 소자를 사용한 자기저항 검출시스템의 개략구성을 나타낸 도면.
도 8 은 본 발명의 기록/재생 헤드의 주요 부분을 나타낸 확대 사시도.
도 9 는 본 발명의 자기저항효과 소자를 이용한 자기 기록/재생 장치의 주요 부를 나타낸 확대 사시도.
도 10 은 종래 재생헤드의 자기저항효과층을 구성하는 프리층, 비자성층, 고정층을 나타낸 개념도.
도 11 은 종래 헤드의 프리층의 자화용이축방향과 매체, 그 매체에 기록된 자구로부터의 누설 자계정보와의 관계를 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 하부실드 (lower shield) 층 2 : 하부갭 (lower gap) 층
3 : 자기저항효과층 4 : 종 바이어스층
5 : 절연층 6 : 전극층
7 : 상부갭층 8 : 상부실드층
23 : 자기 디스크 24 : 디스크 회전방향
25 : 매체에 기록된 자구로부터의 누설자계정보
31 : 프리층 32 : 비자성층
33 : 고정층 34 : 고정층의 자화방향
35 : ABS 층 41 : 코일
42 : 기판 43 : 자극
44 : 상부 자극 45 : 재생 헤드
46 : ABS 면 50 : 기록 헤드
51 : 재생 헤드 52 : 헤드 슬라이더로 기능하는 기판
53 : 기록매체 54 : 매체로부터의 누설자계
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 자기저항효과 헤드의 재생 헤드부분을 나타낸다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 도 10 의 종래 헤드와 비슷한, 본 실시예의 헤드에서는, 고정층 (33) 의 자화방향 (34) 이 ABS 면 (35) 에 거의 수직이다. 그러나, 프리층 (31) 의 자화용이축방향 (36) 은 고정층 (33) 의 자화방향 (34) 과 거의 평행하다.
도 2 는 도 1 에 도시된 프리층의 자화용이축방향 (36) 과 매체, 및 이 매체에 기록된 자구로부터의 누설 자계와의 관계를 나타낸다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 자기 디스크 매체(면) (23) 은 프리층의 자화용이축방향 (36) 과 거의 수직이다. 프리층의 자화용이축방향 (36) 은 누설 자계의 주성분의 방향 (25) 과 거의 평행하다. 참조번호 24 는 디스크 회전방향을, 26 은 기록/재생 헤드를 나타낸다.
도 1 및 도 2 에 도시된 배치를 갖는 자기저항효과층의 구조의 일실시예로서, 기판측으로부터 적층함으로써 얻어지는 다음의 구조가 사용될 수 있다.
1) 기판/ 하지(下地)층/ 프리층/ 제 1 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 2 MR 인핸스먼트층/ 고정 (fixed) 층/ 고정시키는 (fixing) 층/ 보호층
2) 기판/ 하지층/ 고정시키는 층/ 고정층/ 제 1 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 2 MR 인핸스먼트층/ 프리층/ 보호층
3) 기판/ 하지층/ 제 1 고정시키는 층/ 제 1 고정층/ 제 1 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 2 MR 인핸스먼트층/ 프리층/ 제 3 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 4 MR 인핸스먼트층/ 제 2 고정층/ 제 2 고정시키는 층/ 보호층
4) 기판/ 하지층/ 고정층/ 제 1 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 2 MR 인핸스먼트층/ 프리층/ 보호층
5) 기판/ 하지층/ 프리층/ 제 1 MR 인핸스먼트층/ 배리어층/ 제 2 MR 인핸스먼트층/ 고정층/ 보호층
하지층 (underlayer) 의 예로는, Ta. Hf, Zr, W, Cr, Ti, Mo, Pt, Ni, Ir, Cu, Ag, Co, Zn, Ru, Rh, Re, Au, Os, Pd, Nb, 및 V 등으로 된 단일층막, 혼합막, 및 다층막 등을 이용한다. 하지층은 생략될 수도 있다.
프리층의 예로는, NiFe, CoFe, NiFeCo, FeCo, CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoNbHf, CoZrNb, CoHfPd, CoTaZrNb, CoZrMoNi 등의 합금, 또는 비정질 자성재료를 이용한다.
배리어층의 예로는, 산화물, 질화물, 산화물과 질화물의 혼합물, 금속과 산화물로 된 2 층막, 금속과 질화물로 된 2 층막, 금속과 산화물-질화물의 혼합물로 된 2 층막 등을 이용한다. 바람직한 예로는, Ti, V, Cr, Co, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Si, Al, Ti, Ta, Pt, Ni, Co, Re, 및 V 등으로 된 산화물 및 질화물의 단일물, 다층막, 및 혼합물 등이 있다. 또한, 다른 바람직한 예로는, 상기 재료와, Ti, V, Cr, Co, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Si, Al, Ti, Ta, Pt, Ni, Co, Re, 및 V 등의 산화물 및 질화물의 단일물, 다층막, 및 혼합물 등의 조합으로 된 다층막도 가능하다.
제 1 및 제 2 MR 인핸스먼트층의 예로는, Co, NiFeCo, FeCo, 등 또는 CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoNbHf, CoZrNb, CoHfPd, CoTaZrNb, 및 CoZrMoNi 등의 합금, 또는 비정질 자성재료 등이 있다. MR 인핸스먼트층이 생략될 경우, 이 층이 사용되는 경우에 비해 MR 비는 다소 증가하지만, 제조공정수는 감소된다.
고정층의 예로는, Co, Ni, NiFe, CoFe, NiFeCo, FeCo, CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoNbHf, CoZrNb, CoHfPd, CoTaZrNb, 및 CoZrMoNi 등의 합금, 그리고 비정질 자성재료 등이 있다. 또한, 상기 재료의 조합으로된 다층막을 이용할 수 있으며, Ti, V, Cr, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Si, Al, Ti, Ta, Pt, Re, 및 V 등의 단일물 또는 합금 또는 이들로 된 다층막도 가능하다.
이러한 재료들 중에서, 바람직한 것으로는, Co/Ru/Co, CoFe/Ru/CoFe, CoFeNi/Ru/CoFeNi, Co/Cr/Co, CoFe/Cr/CoFe, CoFeNi/Cr/CoFeNi 등이 있다.
고정시키는 층의 예로는, FeMn, NiMn, IrMn, RhMn, PtPdMn, ReMn, PtMn, PtCrMn, CrMn, CrAl, TbCo, Ni 산화물, Fe 산화물, Ni 산화물과 Co 산화물의 혼합물, Ni 산화물과 Fe 산화물의 혼합물, Ni 산화물과 Co 산화물의 2 층막, Ni 산화물과 Fe 산화물의 2 층막, CoCr, CoCrPt, CoCrTa, 및 PtCo 등이 있다. 바람직한 것으로는, PtMn 또는 PtMn 에 Ti, V, Cr, Co, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Si, Al, Ti 및 Ta 등을 첨가한 재료 등이 있다.
보호층의 예로는, Ti, V, Cr, Co, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Si, Al, Ti, Ta, Pt, Ni, Co, Re, 및 V 등으로 된 단일층, 혼합층, 또는 다층막 등이 있다.
도 3 은 상기 자기저항효과층을 사용한 헤드 구조의 예이다.
도 3 에서, 기판 (10) 상에 하부실드 (1) 가 형성되고, 하부실드 (1) 상에 하부갭층 (2) 이 형성된다. 하부갭층 (2) 에는, 패턴된 자기저항효과층 (3) 이 선택적으로 형성되고, 자기저항효과층 (3) 의 끝과 접촉하여 종 바이어스층 (4) 이 형성된다. 종 바이어스층 (4) 상에는 전극층 (6) 이 형성되고, 자기저항효과층 (3) 과 전극층 (6) 상에 상부갭층 (7) 및 상부실드층 (8) 이 차례로 형성된다.
상기 하부실드 (1), 하부갭층 (2), 자기저항효과층 (3), 종 바이어스층 (4), 전극층 (6), 상부갭층 (7), 및 상부실드층 (8) 의 상하에는 하지층 및/또는 오버코트층이 형성될 수도 있다. 상부 및 하부 갭층 (2 및 7) 은 생략될 수 있다.
도 4 는 상기의 자기저항효과층을 사용한 헤드 구조의 다른 예를 나타낸다.
도 4 에서, 기판 (10) 상에 형성된 하부실드 (1) 상에 하부갭층 (2) 이 형성되며, 하부갭층 (2) 상에 자기저항효과층으로 기능하는 스핀 밸브 (SV) 막 (13) 이 형성된다. 적당한 규모로 SV 막 (13) 이 패턴되고, SV 막 (13) 의 두 측과 접촉하여 종 바이어스층 (4) 이 형성된다. 종 바이어스층 (4) 상이고, 종 바이어스층 (4) 과 접촉하는 SV 막 (13) 의 영역에, 패턴된 전극층 (6) 이 형성된다. SV 막 (13) 과 전극층 (6) 상에는 상부갭층 (7) 과 상부실드층 (8) 이 차례로 형성된다. 이러한 경우, 하부실드, 하부갭층, 자기저항효과층, 종 바이어스층, 전극층, 상부갭층, 및 상부실드층의 상하에는 하지층 및/또는 오버코트층이 형성될 수 있다.
도 5 는 전술한 자기저항효과층을 사용한 헤드구조의 또 다른 예이다.
도 5 에서, 기판 (10) 상에 적당한 규모로 패턴된 하부실드 (1) 가 형성된다. 하부실드 (1) 상에는 하부갭층 (2) 이 형성되며, 하부갭층 (2) 상에는 패턴된 자기저항효과층 (3) 이 형성된다. 자기저항효과층 (3) 의 끝과 접촉하여 또는 자기저항효과층 (3) 과 부분적으로 중첩하여 종 바이어스층 (4) 이 형성된다. 종 바이어스층 (4) 상이고, 종 바이어스층 (4) 과 접촉하는 자기저항효과층 (3) 의 제 1 영역에, 절연층 (5) 이 형성된다. 절연층 (5) 상이고, 제 1 영역과 접촉하는 자기저항효과층 (3) 의 제 2 영역에 전극층 (6) 이 형성된다. 전극층 (6) 과 자기저항효과층 (3) 상에는 상부갭층 (7) 및 상부실드층 (8) 이 차례로 형성된다.
이 경우, 자기저항효과층 (3) 의 중앙에 가장 근접한 자기저항효과층 (3) 상에 형성된 각 절연층 (5) 의 끝은, 자기저항효과층의 중앙에 가장 근접한 자기저항효과층 (3) 상에 형성된 각 종 바이어스층 (4) 의 끝 보다는 자기저항효과층 (3) 의 중앙에 더 가깝게 위치한다.
전술한 헤드 구조의 각 층의 대표적인 재료로는 다음의 재료들이 바람직하다.
기판 (10) : AlTiC, SiC, 알루미나, AlTiC 와 알루미나의 2 층막, 및 SiC 와 알루미나의 2 층막.
하부실드 (1) : NiFe, CoZr, CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoNbHf, CoZrNb, CoHfPd, CoTaZrNb, 및 CoZrMoNi 등의 합금, 및 FeAlSi, 질화철계 재료, MnZn 페라이트, NiZn 페라이트, MgZn 페라이트 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
전극층 (6) : Au, Ag, Cu, Mo, W, Y, Ti, Zr, Si 산화물, 알미늄 질화물, 실리콘 질화물, 및 다이아몬드형 카본 (diamond-like carbon) 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
절연층 (5) : Al 산화물, Si 산화물, 알미늄 질화물, 실리콘 질화물, 및 다이아몬드형 카본 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
하부갭층 (2) : Al 산화물, Si 산화물, 알미늄 질화물, 실리콘 질화물, 및 다이아몬드형 카본 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
상부갭층 (7) : Al 산화물, Si 산화물, 알미늄 질화물, 실리콘 질화물, 및 다이아몬드형 카본 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
종 바이어스층 (4) : CoCrPt, CoCr, CoPt, CoCrTa, FeMn, NiMn, Ni 산화물, NiCo 산화물, Fe 산화물, NiFe 산화물, IrMn, PtMn, PtPdMn, ReMn, Co 페라이트, 및 Ba 페라이트 등으로 된 단일물, 다층막, 및 혼합물.
도 6a 내지 6j 는 도 5 의 헤드구조를 제조하는 공정을 나타낸다. 도 6a 내지 6j 에서, 가는 실선은 이전 공정에서 형성된 소자 형상을, 굵은 실선은 현 공정에서 새로 형성된 소자 형상을 나타낸다. 실제 공정에서는, 형성된 소자상에 다음의 소자가 형성된 후에는, 이전 공정의 소자형상은 부분적으로 나타나거나, 거의 나타나지 않는다. 이 경우, 새로운 소자의 하부에 있는 모든 소자는 설명의 편리를 위해 실선으로 나타내었다.
기판상에 하부실드층을 형성하고, 하부실드층에 PR 을 적용하고, 밀링 (milling) 으로 패턴화한다. 박리제로 PR 을 제거한 다음, 하부갭층 (2) 을 형성한다 (도 6a). 자기저항효과층 (3) 을 형성하고, 자기저항효과층 (3) 상에 자기저항효과층의 패턴화를 위한 PR 을 형성하고, 밀링으로 패턴화한다. 이 공정에서는, PR 이 제거되지 않는다 (도 6b). 종 바이어스층 (4) 을 형성하고, 자기저항효과층상의 종 바이어스층을 리프트오프 (lift-off) 로 제거한다. 종 바이어스층을 패턴화하기 위한 PR 을 형성하고, 밀링으로 패턴화 한 후, 제거한다 (도 6c).
전체면상에 절연층 (5) 을 형성하고, 절연층상에 절연층을 패턴화하기 위한 PR 을 적용한다. 절연층을 밀링으로 패턴화 한후, PR 을 제거한다 (도 6d). 전극 리프트오프 PR 을 형성하고, 전체면상에 전극층 (6) 을 형성하고, 리프트오프로 패턴화한다 (도 6e). 전극층 (6) 상에는, 전극 저항을 줄이기 위하여 전극 후막화층 (16, electrode thickening layer) 을 형성할 수 도 있다. 즉, 전극 후막화층 리프트오프 PR 을 형성하고, 전체면상에 전극 후막화층 (16) 을 형성하고, 리프트오프로 패턴화한다 (도 6f).
다음, 전체면상에 상부갭층 (7) 을 형성하고, 전극 펀칭용 PR 을 형성한다. 전극층 (6) 상의 상부갭층 (7) 을 밀링으로 제거한 후, PR 을 제거한다 (도 6g). 상부실드층 (8) 을 형성하고 패턴화한다. 통상적으로, 프레임 레지스트 (frame resist) 를 형성하고, 플레이팅 (plating) 으로 상부실드층 (8) 을 형성하고, 제거한다 (도 6h). 그 다음, 기록 헤드부 (11) 를 형성한다. 여기서, 기록 헤드부 (11) 는 특별히 제한되는 것이 아니므로, 자세한 구조는 생략한다 (도 6i). ABS 면에 평행하게 래핑 (lapping) 을 하고, 불필요한 부분을 제거함과 동시에 소자높이를 결정한다 (도 6j).
도 3 및 도 4 의 헤드 구조도 유사한 방법으로 제조될 수 있다. 자세한 제조방법은 본 발명의 요지가 아니므로, 설명은 생략한다.
도 1 및 도 2 에 도시된 방향으로 프리층의 자화용이축 (36) 을 설정하기 위해서는, 프리층 (31) 형성중에 인가된 자계를, 프리층이 지향하고자 하는 자화용이축 (36) 의 방향, 즉, 기록/재생 헤드 (26) 가 제조될 때 ABS 면 (35) 에 수직한 방향, 기록/재생 장치가 제조될 때 자성 디스크 (23) 의 면에 수직한 방향, 및 매체에 기록된 자구로부터의 발생된 누설 자계 (25) 의 주 성분의 방향으로 인가하는 것이 효과적이다.
기록/재생 헤드 (26) 의 제조 공정은, 프리층의 자화용이축이 인가되어야 하는 방향과는 다른 방향으로 외부자계가 인가된 상태에서 소자를 고온으로 하는 공정을 포함한다. 예를 들어, 기록/재생 헤드 (26) 의 코일을 제조하기 위하여, 200℃ 이상의 고온에서 레지스트를 경화시키는 공정이 있다. 이 때에 외부자계가 인위적으로 또는 자연적으로 인가되는 경우, 프리층의 자화용이축 (36) 은 외부 자계의 방향으로 향하게 된다. 이런 경우의 대책으로, 기록/재생 헤드 (26) 의 제조공정의 끝에서, 프리층의 자화용이축을 설정하고자 하는 방향으로 자계를 인가함과 동시에, 고온으로 온도를 올리는 재자화 (re-magnetization) 공정을 선택적으로 채용하는 것이 효과적이다.
도 7 은 도 5 의 재생헤드를 사용한 자기저항 검출시스템의 개략적인 배치를 나타낸다.
도 7 에 도시된 바와 같이, 센스 전류원 (21) 과 센스 회로 (22) 가 전극쌍 (6a 및 6b) 에 병렬로 접속된다. 센스전류원 (21) 은 전극 (6a 및 6b) 를 통하여 자기저항효과 소자 (3) 로 센스전류를 인가한다. 센스 전류는 양의 전극 (6a) 으로부터 음의 전극 (6b) 으로 자기저항효과층 (3) 의 중앙부근을 통하여 흐른다. 이 경우의 전류 경로 (20) 는 파선으로 나타내었다. 센스 전류는 일정한 값으로 설정된다.
센스 회로 (22) 는 전극 (6a 및 6b) 간의 전압을 검출한다. 자기저항효과층 (3) 의 저항은 인가된 자계의 방향에 따라 달라진다. 센스전류가 일정한 경우, 저항의 변화는 전극 (6a 및 6b) 간의 전압변화로 나타난다. 이 전압변화를 검출함으로써, 자기저항효과층 (3) 의 저항변화를 검출할 수 있으며, 자기저항효과층 (3) 에 인가된 자계의 방향과 크기를 또한 검출할 수 있다. 자기저항효과층 (3) 의 저항율 변화는 검출하고자하는 자계의 함수로써 센스회로 (22) 에 의해 검출될 수 있다.
도 3 및 도 4 에 도시된 재생 헤드를 사용하여, 도 7 의 배치가 자기저항 검출시스템에 적용될 수 있다.
도 8 은 본 발명이 적용된 기록/재생 헤드의 주요부를 나타낸다.
도 8 에서, 기판 (42) 상에 재생 헤드 (45) 와, 자극 (43), 코일 (41), 및 상부자극 (44) 으로 된 기록 헤드 (46) 를 형성함으로써 기록/재생 헤드가 구성된다. 상부 실드막과 하부 자기막이 공통으로 또는 별개로 형성될 수도 있다. 이러한 구조를 갖는 기록/재생 헤드는 기록 매체상에 신호를 기입하고, 기록매체로부터 신호를 판독한다. 재생 헤드 (45) 및 기록헤드 (46) 의 자기 갭 (magnetic gap) 의 센스부는, 단일 슬라이더상에 각각 서로 중첩하는 위치에 형성되어, 동일 트랙상에 기록헤드와 재생헤드 (45 및 46) 를 동시에 위치시키는 것을 가능하게 한다. 이러한 재생/기록 헤드는 슬라이더로 처리되어, 자기 기록/재생 장치에 장착된다.
도 9 는 본 발명의 자기저항효과 소자를 사용한 자기 기록/재생 장치의 주요 부분을 나타낸다.
헤드 슬라이더로 기능하는 기판 (52) 상에 재생 헤드 (51) 및 기록 헤드 (50) 를 형성하고, 기록매체 (53) 상에 위치시켜, 신호를 재생한다. 기록매체 (53) 가 회전하면서, 헤드 슬라이더는 0.2 ㎛ 의 높이 상하로 매체와 접촉하면서 움직인다. 이러한 매카니즘은 재생 헤드 (51) 가 기록 매체 (53) 상에 기록된 자기 신호를 누설 자계 (54) 로부터 판독할 수 있는 위치로 재생 헤드 (51) 를 설정한다.
이하, 도 5 의 헤드가 도 1 및 도 2 의 자기저항효과층을 사용하여 제조되는 경우의 예를 설명한다.
자기저항효과층으로서, /Zr (3nm) /Pt46Mn54(15nm) /Co90Fe10(2nm) /Ru (0.8nm) /Co90Fe10(2 nm) /Cu (2nm) /Co90Fe10(0.5nm) /Ni82Fe18(4nm) /Ta (3nm) 가 사용된다. 막형성후, 250℃ 로 5 시간간 열처리를, 막형성시의 자계에 수직한 방향으로 8 kOe 의 자계를 인가하여 행한다. 샘플 헤드의 제조시에, 자기저항효과층이 최하층의 Zr 층으로 완전하게 패턴화 된다. 이 패턴화는 통상적인 밀링장치로 순수한 Ar 가스 0.3 Pa 분위기에서 밀링함으로써 수행된다. 밀링은 막표면과 수직한 방향으로 수행된다.
헤드를 구성하는 각 성분은 다음의 재료로 구성된다.
<재생 헤드 부분>
기판 : 두꺼운 2-mm 의 AlTiC 상에 알루미나를 10-㎛ 로 두껍게 적층시킨 것
하부실드층 : Co89Zr4Ta4Cr3(1㎛) (조성은 at% 로 나타내었으며, 이하의 재료에도 적용한다)
하부갭층 : 알루미나 (20nm)
전극층 : Ta (1.5nm) /Au (40nm) /Ta (3nm)
전극 후막화층 : Ta (1.5nm) /Au (240nm) /Ta (3nm)
절연층 : 알루미나 (20 nm)
종 바이어스층 : Cr (10 nm) /Co74.5Cr10.5Pt15(24nm)
상부갭층 : 알루미나 (40 nm)
상부 실드층 : 기록 헤드의 하부극에 공통 (공통극)
<기록 헤드부>
공통극 하지층 : Ni82Fe18(90nm)
공통극 : Ni82Fe18(2.5 ㎛)/ Co65Ni12Fe23(0.5 ㎛)
기록 갭 : 알루미나 (0.3 ㎛)
갭 후막화층 : 알루미나 (0.7 ㎛)
코일 하지층 : Cr (30 nm) /Cu (150 nm)
코일 : Cu (4.5 ㎛)
상부극 하지층 : Ti (10 nm) /Co65Ni12Fe23(0.1 ㎛)
상부극 : Co65Ni12Fe23(0.5 ㎛) /Ni82Fe18(3.5 ㎛)
단자 하지층 : Cr (30 nm) / Cu (150 nm)
단자 : Cu (50 ㎛)
오버코트 : 알루미나 (52 ㎛)
금속 단자 하지층 : Ti (10 nm) /Ni82Fe18(0.1 ㎛)
골드 단자 : Au (3 ㎛)
다음의 절차로 헤드가 제조된다.
1) 재생 헤드부의 제조
기판 세척막형성 및 하부실드 어닐링얼라인먼트 마크 형성 (PR 형성패턴화레지스트 제거)하부실드 패턴화 (PR 형성테이퍼링 (tapering)레지스트 제거)하부갭의 형성 (PR 형성막형성리프트오프)자기저항효과 소자 형성 (막형성2 층 PR 형성밀링)종 바이어스층의 형성 (막형성PR 형성밀링PR 제거)절연층의 형성 (절연층의 막형성PR 형성밀링PR 제거)전극층의 형성 (PR 형성막형성리프트오프)전극의 후막화 (PR 형성막형성리프트오프)극높이 모니터 형성 (PR 형성막형성리프트오프)상부전극의 후막화 (PR 형성막형성리프트오프)상부갭의 형성 (막형성)상부갭층의 펀칭 (PR 형성밀링PR 제거)
2) 기록 헤드부의 제조
공통극의 형성 (제 2 하지층의 막형성프레임 PR 형성공통극의 플레이팅커버 PR 형성화학에칭하지층의 제거)극 높이 보충 레지스트갭의 형성갭의 후막화 (PR 형성막형성리프트오프)PW (상부 극 및 공통 극의 자기적 연결을 위한 극) 의 형성 (PR 형성밀링PR 제거)코일 형성 SC1 레지스트의 형성 (코일 절연성 확보를 위한 레지스트 1)코일의 형성 (하지층의 막형성PR 형성코일의 플레이팅화학에칭하지층 제거)SC2 레지스트 형성 (코일 절연성 확보를 위한 레지스트 2)갭 조절 밀링상부극 형성 (하지층의 막형성프레임 레지스트 형성상부극 플레이팅플레이팅 & 어닐링하지층의 제거커버 PR 형성화학에칭하지층 제거포커스 된 이온빔 밀링장치로 극 트리밍)단자형성 (하지층의 막형성PR 형성단자의 플레이팅화학에칭하지층 제거)오버코트의 막형성단자 래핑골드 단자 플레이팅 (하지층의 막형성PR 형성골드 단자 플레이팅하지층 제거)
3) 후공정
재생 헤드부의 프리층의 재자화로우 (row) 절단ABS 면 래핑ABS 면상에 DLC 의 막형성슬라이더 공정서스펜션상에 마운팅
자기저항효과층의 프리층은, 최종적으로 형성되어야 하는 ABS 면에 수직한 방향으로 100 Oe 의 자계를 적용하면서, DC 마그네트론 스퍼터링 장치로 형성된다. 기입 헤드 부분의 코일을 형성하는 포토레지스트 경화공정이 200℃ 에서 2 시간동안 수행된다. 상기 공정의 기록/재생 헤드 제조공정으로, 프리층의 자화방향이 ABS 면에 수직된 방향에서 경사가 생긴다. 이것을 보정하기 위하여, ABS 면에 수직한 방향으로 500 Oe 의 자계를 인가하면서 250℃ 에서 2 시간동안 프리층을 재자화한다.
기록/재생 특성의 측정으로는, 매체의 원주방향의 보자력이 5.0 kOe, MrT 는 0.25 menu/cm2으로 설정되었다 . 샘플 헤드를 이용하여 재생 출력이 측정되었다. 이 헤드를 이용하여 CoCrTa 계 매체상에 데이터를 기록/재생하였다. 이 때에, 기입 트랙폭 (상부극 폭) 은 0.7 ㎛, 기입 갭은 0.12 ㎛, 및 판독 트랙폭은 2 개의 Au 전극의 선단간의 거리 (설계치) 로서, 0.5 ㎛ 이었다. 프리층의 자화용이축방향이 ABS 면과 평행한 헤드 (종래 기술) 가 동일한 구조로 제조되었고, 그 재생출력을 본 발명에 따른 헤드와 하나씩 비교하였다. 그 비교 결과를 표 1 에 나타내었다.
헤드 번호 종래 구조 (mV) 본 발명의 구조 (mV)
12345678910 1.82.31.92.42.11.61.82.21.92 32.83.33.33.13.12.92.93.43.2
평균 2 3.1
본 발명에 따른 헤드와 종래 기술에 따른 10 개 헤드가 샘플로 제조되었고, 그 재생출력이 비교되었다. 재생출력의 평균은 종래 기술에서는 2.0 mmV 였고, 본 발명에서는 3.1 mmV 로 더 높았다. 이것은 매체로부터의 누설 자계 (25) 에 대한 프리층 (31) 의 감도가 ABS 면에 대하여 수직한 방향으로 프리층의 자화용이축방향 (36) 을 설정함으로써 크게 증가되었기 때문이다.
이하, 본 발명이 적용된 자기 디스크 장치를 설명한다.
자기 디스크장치는 베이스상에 3 개의 자기 디스크를 갖는다. 베이스의 하부면은 헤드 구동회로, 신호 처리회로, 및 I/O 인터페이스를 포함한다. 이 장치는 32 비트 버스라인을 통하여 외부장치에 접속된다. 자기 디스크의 표면상에 6 개의 헤드가 배치된다. 자기 디스크장치에는 헤드를 구동하기 위한 로터리 액츄에이터, 로터리 액츄에이터를 구동 및 제어하기 위한 회로, 및 디스크를 회전시키기 위한 스핀들 모터가 탑재된다.
디스크 직경은 46 mm 이고, 데이터 표면은 직경을 따라서 10 mm 내지 40 mm 이다. 자기 디스크장치는 임베디드 서보 (embeded servo) 방식을 사용하고, 다른 어떤 서보표면도 갖지 않기 때문에, 고밀도를 실현할 수 있다. 이러한 장치는 소형 컴퓨터의 외부 메모리로서 직접적으로 접속될 수 있다. I/O 인터페이스는 캐쉬 메모리를 탑재하며, 전송속도가 5 내지 20 Mbyte/sec 인 버스라인에 대응한다. 외부 제어기가 채용될 수도 있으며, 복수의 이러한 유형의 자기 디스크장치가 접속되어 대용량 자기 디스크장치를 구성할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 매체로부터의 누설 자계에 대한 프리층의 자화용이축방향이 매체로부터의 누설자계의 방향과 일치한다. 자화용이축방향으로는 이방성 자계가 작다. 따라서, 작은 자계정보에 따라 프리층의 자화방향이 크게 변화한다. 따라서, 종래 기술에 비하여 자계감도가 증가된다. 또한, 큰 재생 출력을 나타내는 자기저향효과 센서가 높은 수율로 제조될 수 있다.

Claims (10)

  1. 기록 매체 표면에 실질적으로 수직한 자화방향 (34) 을 갖는 고정층 (33);
    상기 고정층에 적층된 비자성층 (32); 및
    상기 비자성층에 적층되고, 상기 고정층의 자화방향과 실질적으로 평행한 자화용이축방향 (36) 을 갖는 프리층을 구비하는 자기저항효과 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프리층은, NiFe, CoFe, NiFeCo, FeCo, CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoNbHf, CoZrNb, CoHfPd, CoTaZrNb, 및 CoZrMoNi 등의 합금 및 비정질 자성재료 중에서 적어도 하나 이상의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자.
  3. 기록 매체 표면과 실질적으로 수직한 자화 방향 (34) 을 갖는 고정층 (33), 상기 고정층에 적층된 비자성층 (32), 및 상기 비자성층에 적층되고 상기 고정층의 자화방향과 실질적으로 평행한 자화용이축방향 (36) 을 갖는 프리층을 포함하는 자기저항효과 소자 (3);
    상기 자기저항효과 소자의 두 끝에 접촉하여 형성된 종 바이어스층 쌍 (4); 및
    적어도 상기 종 바이어스층상에 형성된 전극층 (6) 쌍을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 프리층의 자화용이축방향은 기록 매체 표면과 실질적으로 수직으로 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 프리층의 자화용이축방향은 기록매체로부터의 누설 자계가 최대화되는 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극층은 상기 종 바이어스층 상에, 그리고 상기 종 바이어스층과 접촉하는 상기 자기저항효과 소자의 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전극층 상에, 그리고 상기 전극층과 접촉하는 상기 자기저항효과 소자의 영역에 형성된 절연층 (5) 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  8. 제 3 항에 있어서,
    기판 (10) 상에 형성된 하부실드층 (1);
    상기 하부실드층상에 형성된 하부갭층 (2);
    상기 전극층상에 그리고 상기 자기저항효과 소자상에 형성된 상부갭층 (7); 및
    상기 상부갭층상에 형성된 상부실드층 (8) 을 더 구비하며,
    상기 자기저항효과 소자 및 상기 전극층은 상기 하부갭층상에 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  9. 제 3 항에 있어서,
    기판 (10) 상에 형성된 하부실드층 (1); 및
    상기 전극층 상에, 그리고 상기 자기저항효과층 상에 형성된 상부실드층 (8) 을 더 구비하며,
    상기 자기저항효과 소자 및 상기 전극층은 상기 하부갭층상에 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 헤드.
  10. 기록매체표면에 실질적으로 수직한 자화방향 (34) 을 갖는 고정층 (33), 상기 고정층에 적층된 비자성층 (32), 및 상기 비자성층에 적층되고, 상기 고정층의 자화방향과 실질적으로 평행한 자화용이축방향 (36) 을 갖는 프리층 (31) 을 포함하는 자기저항효과 소자 (3), 상기 자기저항효과 소자의 2 개의 끝에 접촉하여 형성된 종 바이어스층 쌍 (4), 및 적어도 상기 종 바이어스층상에 형성된 전극층 쌍 (6) 을 포함하는 자기저항효과 헤드;
    상기 자기저항효과 소자의 상기 전극층으로 전류를 공급하는 전류공급수단 (21); 및
    상기 자기저항효과 소자의 저항률 변화를 자계의 함수로 검출하는 검출수단 (22) 을 구비하는 것을 특징으로 하는 자기저항 검출시스템.
KR1020000046199A 1999-08-11 2000-08-09 자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항검출시스템 KR20010021255A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-227061 1999-08-11
JP11227061A JP2001056908A (ja) 1999-08-11 1999-08-11 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及び磁気抵抗検出システム並びに磁気記憶システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010021255A true KR20010021255A (ko) 2001-03-15

Family

ID=16854926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000046199A KR20010021255A (ko) 1999-08-11 2000-08-09 자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항검출시스템

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2001056908A (ko)
KR (1) KR20010021255A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7848059B2 (en) 2006-09-29 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive effect device and magnetic random access memory using the same
US9006848B2 (en) 2012-06-13 2015-04-14 SK Hynix Inc. Nonvolatile magnetic memory device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109203A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Toshiba Corp 磁気ディスク装置
JP4692805B2 (ja) * 2004-06-30 2011-06-01 Ｔｄｋ株式会社 磁気検出素子およびその形成方法
JP4360998B2 (ja) 2004-10-01 2009-11-11 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
JP2008021896A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Tdk Corp Ｃｐｐ構造のｇｍｒ素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置
JP2009055050A (ja) * 2008-10-06 2009-03-12 Canon Anelva Corp スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはｔｍｒ膜の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7848059B2 (en) 2006-09-29 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive effect device and magnetic random access memory using the same
US9006848B2 (en) 2012-06-13 2015-04-14 SK Hynix Inc. Nonvolatile magnetic memory device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001056908A (ja) 2001-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6798626B2 (en) Magnetoresistive effect element having a ferromagnetic tunnel junction film with an oxide or nitride of a metallic material
JP2914339B2 (ja) 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム
KR100379978B1 (ko) 자기 저항 효과 헤드 및 이를 이용한 자기 기억 장치
JP2970590B2 (ja) 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
KR100378411B1 (ko) 자기저항헤드 및 이를 이용한 자기저항검출시스템 및자기기억시스템
JPH11213343A (ja) 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびにこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果センサ，磁気抵抗検出システムおよび磁気記憶システム
JP2001325704A (ja) 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
JP3446720B2 (ja) 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置
JP2000228004A (ja) 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
KR100378560B1 (ko) 자기저항 소자, 그 제조 방법, 자계 검출 시스템 및 자기기록 시스템
KR100361598B1 (ko) 자기 저항 헤드 제조 방법
US6665153B1 (en) Magnetoresistance element, head, sensing system, and magnetic storing system
KR100502752B1 (ko) 자기 저항 소자 , 자기 저항 헤드, 및 자기기록/재생 장치
US6552882B1 (en) Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system
KR20010021255A (ko) 자기저항효과 소자, 자기저항효과 헤드, 및 자기저항검출시스템
JP2005197764A (ja) 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
JP2002141583A (ja) 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
JP3204223B2 (ja) 情報再生ヘッド装置及び情報記録再生システム
JPH10312516A (ja) 磁気抵抗効果素子、並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP2002008213A (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2000163716A (ja) 強磁性トンネル接合素子、再生ヘッド、および記録再生システム
JP2001144346A (ja) 磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム
JP2005191577A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
JP2005184014A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
JP2005159369A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application