JPWO2016125780A1 - 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 392
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 199
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 137
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 125
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 43
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 17
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G01R33/025—Compensating stray fields
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
図1の(a)は、本実施形態に係る磁気計測装置10を示す模式図であり、図1の(b)は、図1の(a)に示す磁気計測装置10に流れるセンス電流Iの経路およびセンス電流によって発生する磁界Bを示している。
ここで、図16を用いて、本発明の効果について説明する。
本発明の他の実施形態について、図2〜図4に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の他の実施形態について、図5〜図6に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の他の実施形態について、図7〜図9に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
次に、本実施形態に係る磁気計測装置40の変形例について説明する。上述したように、センス電流Iによって発生する磁界Bが磁気抵抗素子1の磁化自由層7で互いに弱め合うためには、それぞれの磁化自由層7の直上および直下の上部配線層2および下部配線層3を流れるセンス電流Iが、向きが同じでかつ平行であればよい。
これに対して、上部配線層および下部配線層を流れるセンス電流Iが、それぞれの磁化自由層7の直上および直下で、平行ではあるが、逆向きである場合について説明する。
本発明の他の実施形態について、図10に基づいて説明すれる。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
次に、本実施形態に係る磁気計測装置70の効果について説明する。
次に、本実施形態に係る磁気計測装置70の変形例について説明する。図11は、本実施形態の変形例1に係る磁気計測装置80を示す模式図である。磁気計測装置80は、磁気抵抗素子1、上部配線層82、下部配線層83、上部層間配線84、および下部層間配線85を備えている。
図12は、本実施形態に係る磁気計測装置70の変形例を示す模式図であり、図12の(a)は、変形例2に係る磁気計測装置90を、図12の(b)は、変形例3に係る磁気計測装置100を示している。
本発明の他の実施形態について、図13〜15に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図13の(a)は、本実施形態に係る磁気計測ユニット110を示す概略図であり、図13の(b)は、磁気計測ユニット110が備えるセル113の部分拡大図である。図13に示すように、磁気計測ユニット110は、行方向に伸びる複数の信号線111と列方向に伸びる複数の走査線112とが交差するように配置され、信号線111と走査線112とで囲まれる領域のそれぞれに複数個のセル113がアレイ状(格子状)に配置された略正方形のアクティブマトリクス基板で構成されている。
次に、図14および図15に基づいて前記磁気計測ユニット110を備える磁気計測システム120、および磁気計測システム120を用いた磁気計測方法について説明する。
本発明の態様1に係る磁気計測装置10は、外部磁場により磁化の向きが変化する磁化自由層7、磁化の向きが固定された磁化固定層6、および前記磁化自由層7と前記磁化固定層6との間に配置された絶縁層8が積層された磁気抵抗素子1と、前記磁化自由層7に対して前記絶縁層8側とは反対側で対向する第1配線層(上部配線層2)と、前記磁化固定層6に対して前記絶縁層8側とは反対側で対向する第2配線層(下部配線層3)とを備え、前記磁気抵抗素子1に対して、前記第1配線層(上部配線層2)または前記第2配線層(下部配線層3)からセンス電流Iを流すことで磁気を計測する磁気計測装置10であって、前記第1配線層(上部配線層2)と前記磁化自由層7との間に第1層間配線(上部層間配線4)が垂設されると共に、前記第2配線層(下部配線層3)と前記磁化固定層6との間に第2層間配線(下部層間配線5)が垂設されている。
2 上部配線層(第1配線層)
3 下部配線層(第2配線層)
4、24 上部層間配線(第1層間配線)
5、25 下部層間配線(第2層間配線)
6 磁化固定層
7、37 磁化自由層
8 絶縁層
10、20、30、40、70、114 磁気計測装置
110 磁気計測ユニット
113 セル
115 スイッチング素子
120 磁気計測システム
121 電源
122 差分検出装置
123 磁気算出装置
I センス電流
B 磁界
L 直線
r 距離
O 中心点
Claims (11)
- 外部磁場により磁化の向きが変化する磁化自由層、磁化の向きが固定された磁化固定層、および前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に配置された絶縁層が積層された磁気抵抗素子と、
前記磁化自由層に対して前記絶縁層側とは反対側で対向する第1配線層と、
前記磁化固定層に対して前記絶縁層側とは反対側で対向する第2配線層とを備え、
前記磁気抵抗素子に対して、前記第1配線層または前記第2配線層からセンス電流を流すことで磁気を計測する磁気計測装置であって、
前記第1配線層と前記磁化自由層との間に第1層間配線が垂設されると共に、前記第2配線層と前記磁化固定層との間に第2層間配線が垂設されていることを特徴とする磁気計測装置。 - 前記第1層間配線は、当該第1層間配線の重心を含む第1所定領域を通る第1直線が前記磁化自由層の重心を含む第2所定領域を通るように配置され、
前記重心を含む第1所定領域および第2所定領域はそれぞれ、
前記磁化自由層内において、磁束密度の分布に偏りが生じない範囲に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気計測装置。 - 前記第2層間配線は、当該第2層間配線の重心を含む第3所定領域を通る第2直線が前記磁化自由層の重心を含む第2所定領域を通るように配置され、
前記重心を含む第3所定領域は、前記磁化自由層内において磁束密度の分布に偏りが生じない範囲に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気計測装置。 - 前記第1層間配線および前記第2層間配線は、前記第1直線と前記第2直線とが同一直線上を通るように配置されていることを特徴とする請求項3に記載の磁気計測装置。
- 少なくとも前記磁化自由層は、前記センス電流が流れる向きと直交する方向の断面が円形または楕円形であることを特徴とする請求項2から4の何れか1項に記載の磁気計測装置。
- 前記第1配線層に流れる前記センス電流と、前記第2配線層に流れる前記センス電流とは、向きが同じでかつ平行であることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の磁気計測装置。
- 前記磁化自由層の積層方向の中心から前記第1配線層におけるセンス電流の流路までの距離は、前記磁化自由層の積層方向の中心から前記第2配線層におけるセンス電流の流路までの距離に略等しいことを特徴とする請求項6に記載の磁気計測装置。
- 請求項1から7の何れか1項に記載の磁気計測装置と、スイッチング素子とが接続されたセルを複数個備え、
前記セルがアレイ状に配置されていることを特徴とする磁気計測ユニット。 - 前記スイッチング素子は、酸化物半導体素子であることを特徴とする請求項8に記載の磁気計測ユニット。
- 請求項8または9に記載の磁気計測ユニットと、
前記磁気計測ユニット内の複数のセルそれぞれにセンス電流を印加する電源と、
被磁気計測対象の磁界が無いときに、前記電源により前記セルそれぞれにセンス電流を印加することで、各セルから計測される第1出力電圧と、前記被磁気計測対象の磁界が有るときに、前記電源により前記セルそれぞれにセンス電流を印加することで、各セルから計測される第2出力電圧との差分を検出する差分検出装置と、
前記差分検出装置によって検出された差分を用いて、前記被磁気計測対象の磁気を算出する磁気算出装置と、
を備えたことを特徴とする磁気計測システム。 - 請求項8または9に記載の磁気計測ユニットにセンス電流を流すことで被磁気計測対象の磁気を計測する磁気計測方法であって、
前記被磁気計測対象の磁気が無いときに前記センス電流を流すことで第1出力電圧を計測する第1ステップと、
前記被磁気計測対象の磁気が有るときに前記センス電流を流すことで第2出力電圧を計測する第2ステップと、
前記被磁気計測対象の磁気を、前記第1ステップにおいて計測した第1出力電圧と前記第2ステップにおいて計測した第2出力電圧との差分を用いて算出する第3ステップとを含むことを特徴とする磁気計測方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015022569 | 2015-02-06 | ||
JP2015022569 | 2015-02-06 | ||
PCT/JP2016/053033 WO2016125780A1 (ja) | 2015-02-06 | 2016-02-02 | 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016125780A1 true JPWO2016125780A1 (ja) | 2017-08-31 |
Family
ID=56564121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573371A Pending JPWO2016125780A1 (ja) | 2015-02-06 | 2016-02-02 | 磁気計測装置、磁気計測ユニット、磁気計測システム、および磁気計測方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2016125780A1 (ja) |
WO (1) | WO2016125780A1 (ja) |
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-
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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