JP2005101599A - スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フローティングゲート膜上に酸化防止膜を形成し、前記酸化防止膜内に前記フローティングゲート膜の一部を露出させる開口部を形成した後、酸化されて絶縁性を有する物質膜として前記開口部の側壁にスペーサーを形成し、酸化工程を実施して前記スペーサーを酸化させながら前記開口部内にフローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲート層間酸化膜パターンを形成する。
【選択図】 図3I
Description
spilt gate structure using spacer oxidation precess)に関する。
Programmable Read Only Memory)の長所を組み合わせて開発された高集積素子である。
前記フローティングゲートの一部と重なり、他端が前記活性領域と重なるように形成することができる。
絶縁性を有する物質で形成する。同様に、後続過程で形成されるゲート層間酸化膜パターンの厚みは、前記物質膜25をエッチングすることによって得られるスペーサーの幅に依存する。従って、前記物質膜25の厚みは、後続過程に形成されるゲート層間酸化膜パターンの厚みを考慮して設定する。本実施形態で前記物質膜25は、450Å乃至550Åの厚みのポリシリコン膜で形成する。
21…第1のゲート絶縁膜、
22…フローティングゲート膜、
22A…フローティングゲート、
23…酸化防止膜、
23A…酸化防止膜パターン、
23B…開口部、
24…エッチング停止膜、
25…物質膜、
25A…スペーサー、
26…ゲート層間酸化膜パターン、
27…第2のゲート絶縁膜、
27A…トンネル絶縁膜、
28…コントロールゲート、
29…スペーサー、
30A,30B…ソース、ドレイン、
Claims (20)
- 半導体基板上に第1のゲート絶縁膜、フローティングゲート膜及び酸化防止膜を順に形成する段階と、
前記酸化防止膜をパターニングして、前記フローティングゲート膜の一部を露出させ開口部を有する酸化防止膜パターンを形成する段階と、
前記開口部の側面にスペーサーを形成する段階と、
前記スペーサー及び前記露出されたフローティングゲート膜を酸化させて前記開口部内にゲート層間酸化膜パターンを形成する段階と、
前記酸化防止膜パターンを除去する段階と、
前記ゲート層間酸化膜パターンをエッチングマスクとして使用して前記フローティングゲート膜をエッチングし、前記ゲート層間酸化膜パターンの下部にフローティングゲートを形成する段階と、
前記フローティングゲートを有する前記半導体基板上に第2のゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第2のゲート絶縁膜上に前記フローティングゲートの一側と重なるコントロールゲートを形成する段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリセルの製造方法。 - 前記スペーサーは、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記酸化工程は、750℃乃至950℃の温度で実施することを特徴とする請求項2に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記酸化防止膜は、シリコン窒化膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記スペーサーを形成する段階は、
前記酸化防止膜パターンを覆うポリシリコン膜を形成する段階と、
前記ポリシリコン膜を異方性エッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。 - 前記酸化防止膜パターンを形成する段階の後、前記開口部の底面にエッチング停止膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記エッチング停止膜は、前記開口部形成の後に露出された前記フローティングゲート膜を酸化させて形成することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記フローティングゲート膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記フローティングゲートは、その上端部に尖鋭部を有するように形成することを特徴とする請求項8に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記コントロールゲートは、その一端が前記ゲート層間酸化膜パターンの一部を覆い、前記フローティングゲートの一部と重なり、他の端が前記半導体基板と重なるように形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 半導体基板に素子分離膜を形成して活性領域を限定する段階と、
前記活性領域上に第1のゲート絶縁膜、フローティングゲート膜及び酸化防止膜を順に形成する段階と、
前記酸化防止膜をパターニングして、前記フローティングゲート膜の一部を露出させ、その両端部が前記素子分離膜と重なる開口部を有する酸化防止膜パターンを形成する段階と、
前記開口部の側面にスペーサーを形成する段階と、
前記スペーサー及び前記露出されたフローティングゲート膜を酸化させて前記開口部内にゲート層間酸化膜パターンを形成する段階と、
前記酸化防止膜パターンを除去する段階と、
前記ゲート層間酸化膜パターンをエッチングマスクとして使用して前記フローティングゲート膜をエッチングし、前記ゲート層間酸化膜パターンの下部にフローティングゲートを形成する段階と、
前記フローティングゲートを有する前記活性領域上に第2のゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第2のゲート絶縁膜上に前記フローティングゲートの一側と重なるコントロールゲートを形成する段階と、
前記活性領域に前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートを介して離隔されるソース及びドレインを形成する段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリセルの製造方法。 - 前記スペーサーは、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記酸化工程は、750℃乃至950℃の温度で実施することを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記酸化防止膜は、シリコン窒化膜で形成することを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記スペーサーを形成する段階は、
前記酸化防止膜パターンを覆うポリシリコン膜を形成する段階と、
前記ポリシリコン膜を異方性エッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。 - 前記酸化防止膜パターンを形成する段階の後に、前記開口部の底面にエッチング停止膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記フローティングゲート膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項16に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記エッチング停止膜は、前記露出されたフローティングゲート膜を酸化させて形成することを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記フローティングゲートは、その上端部に尖鋭部を有するように形成することを特徴とする請求項18に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
- 前記コントロールゲートは、その一端が前記ゲート層間酸化膜パターンの一部を覆い、前記フローティングゲートの一部と重なり、他の端が前記活性領域と重なるように形成す
ることを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
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