JP2005078698A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御される第1のメモリセルと、第1のメモリセルに接続される第1のビット線と、第1のビット線に接続され第1のメモリセルに導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、第2のビット線と、第2のビット線に接続され第1の電流を流す第2のメモリセルと、第1のビット線と第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプを含む。
【選択図】図3
Description
まずメモリセルM00を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM00には電流が流れることなく、ビット線BL0はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電される。センスアンプ13はデータ1を出力する。
次にメモリセルM32を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM32には電流が流れることなく、ビット線BL2はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電される。センスアンプ13はデータ1を出力する。
更にメモリセルM11を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM11には電流が流れることなく、ビット線BL1はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電されるべきである。このとき活性化したワード線WL1に接続される他のメモリセルM10及びM12がそれぞれデータ0を保持しているとする。メモリセルM10及びM12に接続されるビット線BL0及びBL2は、上記メモリセルM00及びM32の読み出し動作により充電された状態にあり、メモリセルM10及びM12を経由してアレイソースASに接続されることにより放電をする。従って、充電動作する読み出し対象のビット線BL1が、逆の電位変化である放電動作をするビット線に挟まれていることになる。その結果、ビット線間容量の存在によりビット線BL1の充電動作が影響を受け、センスアンプ13によるデータ判定が誤る可能性がある。
ローデコーダ23は、アドレス信号をデコードし、ワード線ドライバ24にワード選択を示すデコード信号を供給する。コラムデコーダ26は、アドレス信号をデコードし、ビット線選択ゲート27にビット線選択(コラム選択)を示すデコード信号を供給する。
22 アドレスバッファ
23 ローデコーダ
24 ワード線ドライバ
25 セルアレイ
26 コラムデコーダ
27 ビット線選択ゲート
28 センスアンプ
29 出力バッファ
30 リファレンスセルワード線ドライバ
Claims (16)
- 格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御される第1のメモリセルと、
該第1のメモリセルに接続される第1のビット線と、
該第1のビット線に接続され該第1のメモリセルに該導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、
第2のビット線と、
該第2のビット線に接続され該第1の電流を流す第2のメモリセルと、
該第1のビット線と該第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプ
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該第2の電流は該第1の電流の約半分であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは該第1のメモリセルよりもゲート長が長いことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは該第1のメモリセルのトランジスタと同一ディメンジョンのトランジスタを直列接続することにより構成されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該第1のメモリセル、該第2のメモリセル、及び該リファレンスセルは、単一のアレイ構造に含まれることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは、
該第1のビット線に接続される第1のリファレンスセルと、
該第1のビット線に接続される第2のリファレンスセル
を含み、該第1のメモリセルを選択するワードアドレスに応じて該第1のリファレンスセルと該第2のリファレンスセルの何れかが選択的に導通状態となることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 該第1のビット線と該第2のビット線とを該センスアンプが駆動していないときに所定の電位に接続するトランジスタを更に含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該所定の電位は、該第1のメモリセル、該第2のメモリセル、及び該リファレンスセルのソース端が接続される電位であることを特徴とする請求項7記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御されるメモリセルと、
該メモリセルに接続される第1のビット線と、
第2のビット線と、
該第2のビット線に接続され該メモリセルに該導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、
該第1のビット線と該第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプと、
該第1のビット線と該第2のビット線とを該センスアンプが駆動していないときに所定の電位に接続するトランジスタ
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該メモリセル及び該リファレンスセルは単一のアレイ構造に含まれることを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該第2の電流は該第1の電流の約半分であることを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御される第1のメモリセルと、
該第1のメモリセルに接続される第1のビット線と、
該第1のビット線に接続され該第1のメモリセルに該導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を導通状態で流す第1のリファレンスセルと、
第2のビット線と、
該第2のビット線に接続され該第1の電流を導通状態で流す第2のメモリセルと、
該第2のビット線に接続され該第2の電流を導通状態で流す第2のリファレンスセルと、
該第1のビット線と該第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプ
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルは導通状態に設定され該第2のリファレンスセルは非導通状態に設定されていることを特徴とする請求項12記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルは非導通状態に設定され該第2のリファレンスセルは導通状態に設定されていることを特徴とする請求項12記載の不揮発性半導体記憶装置。
- メモリセルと、
該メモリセルが導通したときに流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、
該メモリセルと該リファレンスセルとの両方に接続されるビット線と、
該ビット線に流れる電流と基準電流とを比較するセンスアンプ
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該基準電流は該第2の電流に実質的に等しい量の電流であることを特徴とする請求項15記載の不揮発性半導体記憶装置。
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