JP2005064512A - 集積光学装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 集積光学装置の製造につき、従前のイオン注入工程やエッチング工程を行うことなく、光素子間の電気的絶縁を実現する。
【解決手段】 第1導電型の基板301上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1の光素子310及び第2の光素子320を含む集積光学装置300の製造方法であって、半導体基板301の上にメサ構造の活性層302及び第2導電型のクラッド層303を形成する第1ステップと、第2導電型のクラッド層303及び活性層302を囲むように、半導体基板及び第2導電型のクラッド層の上にSIクラッド層304を形成する第2ステップと、第1及び第2の光素子領域のSIクラッド層304に第2導電型の不純物拡散工程によりトレンチ形態の第1伝導層305−1及び第2伝導層305−2を形成する第3ステップと、を含む。
【選択図】 図3
【解決手段】 第1導電型の基板301上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1の光素子310及び第2の光素子320を含む集積光学装置300の製造方法であって、半導体基板301の上にメサ構造の活性層302及び第2導電型のクラッド層303を形成する第1ステップと、第2導電型のクラッド層303及び活性層302を囲むように、半導体基板及び第2導電型のクラッド層の上にSIクラッド層304を形成する第2ステップと、第1及び第2の光素子領域のSIクラッド層304に第2導電型の不純物拡散工程によりトレンチ形態の第1伝導層305−1及び第2伝導層305−2を形成する第3ステップと、を含む。
【選択図】 図3
Description
本発明は、少なくとも2個以上の光素子が集積された集積光学装置及びその製造方法に関し、特に、光素子間の電気的絶縁が容易な集積光学装置及びその製造方法に関する。
一般的に、光通信では、10Gbps以上の超高速光信号の伝送のために、主に光ファイバでの光損失が少ない1550nmの波長帯域を使用しており、電界吸収型光変調器(electro-absorption optical modulator)が結合された分布帰還型レーザーダイオード(Distributed-Feedback Laser Diode;DFB LD)を使用すると、光伝送システムの製作が容易な長所がある。しかしながら、電界吸収型光変調器の場合には、すなわち、電界吸収型光変調器が結合されたレーザー(electro-absorption modulated laser;以下、EMLと略称する。)を使用すると、その低い光出力により、長距離伝送には効率的で無いという短所がある。従って、光出力を増加させるために、半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)を集積化する方案が提示されている。
このような集積化素子においては、集積されたDFB LDと電界吸収型光変調器との間の電気的絶縁、SOAと電界吸収型光変調器との間の電気的絶縁、またはSOAとDFB LDとの間の電気的絶縁、光的絶縁が、素子の性能を決定する重要な要素になる。
図1は、従来のPBH(Planarized Buried Hetero-structure;以下、“PBH”と略称する。)構造の集積光学装置の構成を示し、図2は、EMBH(Etched Mesa Buried Hetero-structure)構造の集積光学装置の構成を示し、これを通じて、従来の集積光学装置での光素子の相互間の電気的な絶縁方法について説明する。
図1を参照すると、PBH構造を有する集積光学装置100は、第1の光素子110、第2の光素子120及びこれらの間に介在された電気的絶縁領域130で構成される。光素子110及び120を構成する物質層は、基板101の上に形成され、光導波路102を共有する構造を有する。光導波路102は、クラッド層103によって囲まれることが望ましい。なお、光素子110及び120を構成する物質層についての詳細な構成は省略する。また、図示されていないが、第1の光素子110及び第2の光素子120は、電流注入のための電極を備える。
PBH構造の集積光学装置100の製造方法は、まず、n−基板101の上に活性層及びp−クラッド層103を成長させてエッチングしてメサ形態の光導波路102を形成した後に、この光導波路102の周囲をSI(Semi-Insulating)クラッド層104で満たし、基板101の全体を覆うp+クラッド層105を成長させる。続いて、光導波路102の上に位置する第1の光素子110及び第2の光素子120との間に、光は通過させつつ、電気的には相互に絶縁させるための電気的絶縁領域130を形成する。この電気的絶縁領域130の形成は、典型的には、イオン注入(ion implantation)によってp+クラッド層105の性質を変更する方法、或いはエッチング工程を利用してp+クラッド層105をエッチングする方法により実行される。
しかしながら、イオン注入工程による方法は、1回以上のフォトリソグラフィ(photolithography)工程が伴われ、注入されたイオンによって半導体の結晶構造に損傷をもたらす虞があり、さらに、装備が高価であるという短所がある。また、エッチング工程による方法は、同様にフォト工程が必要であり、過度なエッチングによって光導波路が損傷されるケースが頻繁に発生するので、工程費用が高く、歩留まりが安定していないという短所がある。さらに、広い面積にわたってp+クラッド層が形成されているので、これによる静電容量を減少させるために、追加的なエッチング工程が要求されるなどの問題点がある。
図2を参照すると、EMBH構造を有する集積光学装置200は、第1の光素子210、第2の光素子220及びこれらの間に介在された電気的絶縁領域230を有する。EMBH構造を有する集積光学装置200は、活性層、p−クラッド層203及び p+クラッド層204をn-基板201の上に形成した後に、これをエッチングしてメサ形態の光導波路202を形成し、光導波路202の周囲をSI(Semi-Insulating)クラッド層205で満たす。
EMBH構造を有する集積光学装置は、光導波路202の上にのみp+クラッド層203を備えるので、静電容量を小さくすることができる。従って、周囲の不要なp+クラッド層をエッチングする必要がない、という長所がある。
しかしながら、PBH構造を有する集積光学装置と同様に、光素子200がp+クラッド層に連結されているので、これをイオン注入工程またはエッチング工程で絶縁させなければならず、各工程が有する問題点をそのままに抱えている。また、EMBH構造の集積光学装置は、電流注入のためのp+クラッド層の幅が狭いので、これにより、p+クラッド層と電極との接触抵抗を含んだ抵抗が大きくなり、電極周辺の形状が鋭く変わって薄い電極の場合に切れる場合もある。
上記背景に鑑みて、本発明の目的は、従来のようなイオン注入工程やエッチング工程を行うことなく、光素子間の電気的絶縁を実現する集積光学装置及びその製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明によれば、第1導電型の基板上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1及び第2の光素子を含み、前記第1及び第2の光素子は、前記第1及び第2の光素子が共有するように前記基板上にメサ構造で形成された活性層と、前記活性層の上に形成された第2導電型のクラッド層と、前記活性層及び前記第2導電型のクラッド層の側壁を囲むように前記基板上に形成されたSIクラッド層と、前記第1及び第2の光素子のそれぞれへの電流注入のために、前記SIクラッド層の上面にトレンチ形態で形成され、前記SIクラッド層によって相互に電気的に絶縁された第2導電型の第1伝導層及び第2伝導層と、を備えることを特徴とする。
望ましくは、前記第1伝導層及び第2伝導層は、第2導電型の不純物拡散層からなり、前記活性層の下の周辺で前記第2導電型の不純物が拡散されることを防止するために、前記SIクラッド層の内に形成された不純物拡散防止層をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明は、第1導電型の基板上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1及び第2の光素子を含む集積光学装置の製造方法であって、前記半導体基板の上にメサ構造の活性層及び第2導電型のクラッド層を形成する第1ステップと、前記第2導電型のクラッド層及び活性層を囲むように、前記半導体基板及び前記第2導電型のクラッド層の上にSIクラッド層を形成する第2ステップと、前記第1及び第2の光素子領域の前記SIクラッド層に第2導電型の不純物拡散工程によりトレンチ形態の第1伝導層及び第2伝導層を形成する第3ステップと、を含むことを特徴とする。
本発明に従う集積光学装置は、素子の上部に電気的絶縁特性を有する半導体層を形成し、電流注入が必要な素子の上部にのみ不純物拡散工程を通じて電流が流れることができる構造を形成することによって、製造工程を簡素化することができる。また、エッチング工程またはイオン注入による活性層の変形または損傷をもたらさないので、光伝送特性を改善することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。下記説明において、本発明の要旨のみを明瞭するために公知の機能又は構成に対する詳細な説明は省略する。
図3は、本発明の好適な第1の実施形態による集積光学装置300の構成を概略的に示す。集積光学装置300は、n-半導体基板301の上に集積された第1の光素子310、第2の光素子320及びこれら間の電気的絶縁のための電気的絶縁領域330を含んで構成される。本実施形態において、第1の光素子310はDFB LDであり、第2の光素子は、電界吸収型光変調器である。
第1の光素子310及び第2の光素子320を構成する物質層は、n-半導体基板301の上に形成され、相互に光学的に連結されるように活性層302を共有する構造を有する。活性層302の上には、p-クラッド層303が位置し、メサ構造の活性層302及びp-クラッド層303の側壁を囲むようにSI(Semi-Insulating)クラッド層304が形成される。前記SIクラッド層304の代わりに非ドーピング(undopped)クラッド層で構成されることもできる。
図3に示すように、第1の光素子310及び第2の光素子320のそれぞれへの電流注入のための第1伝導層305−1及び第2伝導層305−2が、SIクラッド層304の上面からトレンチ形態で形成される。第1伝導層305−1及び第2伝導層305−2は、p-型不純物の拡散工程によって形成され、SIクラッド層304によって相互に電気的に絶縁される。
図4は、本発明の好適な第2の実施形態による集積光学装置400の構成を概略的に示す。集積光学装置400は、n-半導体基板401の上に集積された第1の光素子410、第2の光素子420、及びこれら間の電気的絶縁領域430を含んで構成される。また、この集積光学装置400は、上述した第1の実施形態と同様に、第1の光素子410及び第2の光素子420が共有するように(第1導電型の)n-半導体基板401上にメサ構造で形成された活性層402と、該活性層402の上に形成された(第2導電型の)p-クラッド層403と、活性層402及びp-クラッド層403の側壁を囲むように基板401上に形成されたSI(Semi-Insulating)クラッド層404(404−1及び404−2)と、第1,第2の光素子410,420のそれぞれへの電流注入のために、SIクラッド層404の上面にトレンチ形態で形成され、SIクラッド層404によって相互に電気的に絶縁された第2導電型の第1伝導層405−1及び第2伝導層405−2と、を備えている。なお、図4において、SIクラッド層404−1及び404−2との間に形成されたp-型不純物拡散防止層406を除いては、図3に示す第1の実施形態の構成と同一であるので、冗長を避けるため、以下の説明では、不純物拡散防止層406についてのみ詳細に説明するものとする。
p-型不純物拡散防止層406は、第1伝導層405−1及び第2伝導層405−2の形成のためのp-型不純物の拡散工程のときに、p-型不純物が活性層402の周辺の下に拡散されることを防止し、第1SIクラッド層404−1と第2SIクラッド層404−2との間に形成される。p-型不純物拡散防止層406は、前記注入される不純物と異なる導電型のn-型クラッド層または第3SIクラッド層を用いて具現化されることができる。このときに、第3SIクラッド層は、前記第1SIクラッド層404−1、第2SIクラッド層404−2とは異なり、p-型不純物が良く拡散されない特性を有する。このような特性は、SI物質にCo,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,及びPtなどの遷移金属またはLa,Ce,及びPrなどのランタニド系元素またはAc,Th,及びPaなどのアクチニウム系元素を添加して実現することができる。
図5は、本発明に従うレーザーダイオードを有する集積光学装置の特性を示すグラフである。横軸は電流(I)を示し、縦軸は電圧(V)、光パワー(Po)、レーザー効率(SE)、抵抗(Rd)をそれぞれ示す。レーザーの発振開始電流(Ith)は6.71mAであり、これは、10mA程度の既存の一般レーザーの発振開始電流と類似している数値であることがわかる。
図6は、第1の光素子であるレーザーダイオードに電流(LD CURRENT)を注入した場合の第2の光素子であるモジュレータで測定される電流量(Imod)をそれぞれ示す。図6に示すように、レーザーダイオードに注入される電流が増加すると、モジュレータに流れる電流も増加し、これを通じてレーザーダイオードから放出される光がモジュレータに注入される。また、下記表1は、従来技術及び本発明による隣接した光素子間の電気的な絶縁に関連したデータを示す。
図7A乃至図7Dは、図4に示した集積光学装置400を製造する過程を示す。
図7Aを参照すると、n-半導体基板401の上に、活性層402と、p-クラッド層403とを順次形成した後に、SiO2マスク440を使用したエッチング工程によって、メサ構造のp-クラッド層403及び活性層402を形成する。このときに、エッチングされるp-クラッド層403,活性層402,及びn-半導体基板401の総厚さは、例えば、3μm程度である。
次に、図7Bを参照すると、p-クラッド層403、活性層402、及びn-半導体基板401のエッチングによって形成されたメサ周囲でSIクラッド層404−1及びn-クラッド層406を成長させて平坦化させた後に、SiO2マスク440を除去する。n-クラッド層406は、p-型不純物拡散工程の際に、p-型不純物が活性層402の周辺の下に拡散されることを防止する機能を担うものであり、非ドーピングクラッド層や、或いはp−型不純物が良く拡散されない特性を有するSIクラッド層に置き換えられることもできる。
続いて、図7Cを参照すると、前記平坦化された構造の全体の上部に(第2の)SIクラッド層404−2を形成する。
次に、図7Dを参照すると、SIクラッド層404−2の上部にマスクパターン(図示せず)を使用して第1伝導層405−1及び第2伝導層405−2を形成するための所定の領域を露出させる。露出された領域に蒸着(evaporation)またはスパッターリング(sputtering)などの方法にて、p-型不純物をドーピングした後に、所定時間の間加熱してp-型不純物がSIクラッド層404−2の中(内部)に拡散されるようにする。拡散時間及び温度は、活性層402の上部にまで不純物が拡散されるように調節し、使用可能なp-型不純物としては、Be,Mg,Zn,Cd,またはHgなどが挙げられる。
以上、本発明の詳細について具体的な実施形態に基づき説明してきたが、本発明の範囲を逸脱しない限り、各種の変形が可能なのは明らかである。従って、本発明の範囲は、上記実施形態に限るものでなく、特許請求の範囲及び該範囲と均等なものにより定められるべきである。
300,400 集積光学装置
301,401 n-半導体基板(第1導電型の基板)
310,410 第1の光素子(DFB LD)
320,420 第2の光素子(電界吸収型光変調器)
330,430 電気的絶縁領域
302,402 活性層
303,403 p-クラッド層
304 SIクラッド層
305−1,405−1 第1伝導層
305−2,405−2 第2伝導層
404−1,404−2 SIクラッド層
406 n-クラッド層(不純物拡散防止層)
301,401 n-半導体基板(第1導電型の基板)
310,410 第1の光素子(DFB LD)
320,420 第2の光素子(電界吸収型光変調器)
330,430 電気的絶縁領域
302,402 活性層
303,403 p-クラッド層
304 SIクラッド層
305−1,405−1 第1伝導層
305−2,405−2 第2伝導層
404−1,404−2 SIクラッド層
406 n-クラッド層(不純物拡散防止層)
Claims (13)
- 第1導電型の基板上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1及び第2の光素子を含み、前記第1及び第2の光素子は、
前記第1及び第2の光素子が共有するように前記基板上にメサ構造で形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第2導電型のクラッド層と、
前記活性層及び前記第2導電型のクラッド層の側壁を囲むように前記基板上に形成されたSI(Semi-Insulating)クラッド層と、
前記第1及び第2の光素子のそれぞれへの電流注入のために、前記SIクラッド層の上面にトレンチ形態で形成され、前記SIクラッド層によって相互に電気的に絶縁された第2導電型の第1伝導層及び第2伝導層と、
を備えることを特徴とする集積光学装置。 - 前記第1伝導層及び第2伝導層は、
第2導電型の不純物拡散層である請求項1記載の集積光学装置。 - 前記活性層の下の周辺で前記第2導電型の不純物が拡散されることを防止するために、前記SIクラッド層の内に形成された不純物拡散防止層をさらに備える請求項2記載の集積光学装置。
- 前記第1の光素子は、DFB LD(Distributed-Feedback Laser Diode)であり、前記第2の光素子は、電界吸収型光変調器(electro-absorption optical modulator)である請求項1記載の集積光学装置。
- 前記不純物拡散防止層は、遷移金属元素、ランタニド系元素、及びアクチニウム系元素のうちのいずれか1つを含むSI(Semi-Insulating)クラッド層である請求項3記載の集積光学装置。
- 第1導電型の基板上に相互に光学的に連結され、電気的に絶縁されるように集積された第1及び第2の光素子を含む集積光学装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上にメサ構造の活性層及び第2導電型のクラッド層を形成する第1ステップと、
前記第2導電型のクラッド層及び活性層を囲むように、前記半導体基板及び前記第2導電型のクラッド層の上にSIクラッド層を形成する第2ステップと、
前記第1及び第2の光素子領域の前記SIクラッド層に第2導電型の不純物(dopant)拡散工程によりトレンチ形態の第1伝導層及び第2伝導層を形成する第3ステップと、
を含むことを特徴とする集積光学装置の製造方法。 - 前記第1ステップは、
前記半導体基板の上に活性層及び第2導電型のクラッド層を順次に蒸着するステップと、
前記第2導電型のクラッド層の上に第1マスクパターンを形成した後に、これを利用したエッチング工程を通じて前記第2導電型のクラッド層及び活性層を順次にエッチングしてメサ構造を形成するステップと、
を備える請求項6記載の集積光学装置の製造方法。 - 前記第2ステップは、
前記メサ構造の周囲で第1SIクラッド層を成長させて平坦化するステップと、
前記第1マスクパターンを除去するステップと、
前記第1SIクラッド層が形成された全体の基板上部に第2SIクラッド層を形成するステップと、
を備える請求項7記載の集積光学装置の製造方法。 - 前記第3ステップは、
前記第2SIクラッド層の上部に第2マスクパターンを形成して所定の第1伝導層及び第2伝導層の形成領域を露出させるステップと、
前記露出した領域に第2導電型の不純物をドーピングするステップと、
所定の温度で加熱して前記第2導電型の不純物が前記活性層の上部にまで拡散されるようにするステップと、
を備える請求項8記載の集積光学装置の製造方法。 - 前記第2ステップは、
前記メサ構造の周囲で第1SIクラッド層及び不純物拡散防止層を形成して平坦化するステップと、
前記第1マスクパターンを除去するステップと、
前記第1SIクラッド層が形成された全体の基板上部に第2SIクラッド層を形成するステップと、
を備える請求項6記載の集積光学装置の製造方法。 - 前記第1の光素子は、DFB LD(Distributed-Feedback Laser Diode)であり、前記第2の光素子は、電界吸収型光変調器(electro-absorption optical modulator)である請求項10記載の集積光学装置の製造方法。
- 前記不純物拡散防止層は、
遷移金属元素、ランタニド系元素、及びアクチニウム系元素のうちのいずれか1つを含むSI(Semi-Insulating)クラッド層である請求項10記載の集積光学装置の製造方法。 - 前記第2導電型不純物は、p−型不純物である請求項6記載の集積光学装置の製造方法。
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