JP2005197695A - 半導体レーザー装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザー装置100は、第1の表面及び第2の表面を互いに反対側に有する半導体基板101と、該基板101の第1の表面に形成された第1の導電型のクラッド層102と、該クラッド層102の上に形成された活性層103と、該活性層103の上に形成されたエッチング停止層106と、エッチング停止層106の一部が露出するようにV-グルーブ形状で形成された電流遮断層107と、V-グルーブ及び電流遮断層の全体の上部に形成された第2の導電型のクラッド層108と、該クラッド層108の上に形成された光ガイド層109と、該光ガイド層109の上に形成された通電容易層110と、該通電容易層110の上に形成されたキャップ層111と、該キャップ層111の上に形成された第2の導電型の電極112と、半導体基板101の第2の表面に形成された第1の導電型の電極113と、を含む。
【選択図】 図3
Description
101 半導体基板
102 第1の導電型のクラッド層
103 活性層
106 エッチング停止層
107 電流遮断層
108 第2の導電型のクラッド層
109 光ガイド層
110 通電容易層
111 キャップ層
112 第2の導電型の電極
113 第1の導電型の電極
Claims (14)
- 第1の表面及び第2の表面を互いに反対側に有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1の表面に形成された第1の導電型のクラッド層と、
前記第1の導電型のクラッド層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成されたエッチング停止層と、
前記エッチング停止層の一部が露出するようにV-グルーブ形状で形成された電流遮断層と、
前記V-グルーブ及び電流遮断層の全体の上部に形成された第2の導電型のクラッド層と、
前記第2の導電型のクラッド層の上に形成された光ガイド(optical guiding)層と、
前記光ガイド層の上に形成された通電容易層と、
前記通電容易層の上に形成されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に形成された第2の導電型の電極と、
前記半導体基板の第2の表面に形成された第1の導電型の電極と、
を含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 - 前記活性層の上面又は下面のいずれかの一側に形成された格子(grating)をさらに含むこと
を特徴とする請求項1記載の半導体レーザー装置。 - 前記活性層は、少なくとも2種類の半導体層を積層した構造を有し、AlGaInAs系の物質を含むこと
を特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザー装置。 - 前記光ガイド層は、p-InGaAsPにより形成されること
を特徴とする請求項3記載の半導体レーザー装置。 - 前記第1の導電型はn型であり、第2の導電型はp型であること
を特徴とする請求項1記載の半導体レーザー装置。 - 第1の表面及び第2の表面を互いに反対側に有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1の表面に形成された第1の導電型のクラッド層と、
前記第1の導電型のクラッド層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成されたエッチング停止層と、
前記エッチング停止層の一部が露出するようにV-グルーブ形状で形成された電流遮断層と、
前記V-グルーブ及び電流遮断層の全体の上部に形成された第2の導電型のクラッド層と、
前記第2の導電型のクラッド層の上に形成された光ガイド層と、
前記光ガイド層の上に形成された通電容易層と、
前記通電容易層の上に形成されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に形成された第2の導電型の電極と、
前記半導体基板の第2の表面に形成された第1の導電型の電極と、
前記キャップ層から前記第1の導電型のクラッド層までのエッチングによって、前記V-グルーブの両側にそれぞれ形成された第1及び第2のトレンチと、
を含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 - 前記活性層の上面又は下面のいずれかの一側に形成された格子(grating)をさらに含むこと
を特徴とする請求項6記載の半導体レーザー装置。 - 前記活性層は、少なくとも2種類の半導体層を積層した構造を有し、AlGaInAs系の物質を含むこと
を特徴とする請求項6又は7記載の半導体レーザー装置。 - 第1の表面及び第2の表面を互いに反対側に有する半導体基板の前記第1の表面に第1の導電型のクラッド層を形成する工程と、
前記第1の導電型のクラッド層の上に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上にエッチング停止層を形成する工程と、
前記エッチング停止層の一部が露出するようにV-グルーブ形状で電流遮断層を形成する工程と、
前記V-グルーブ及び電流遮断層の全体の上部に第2の導電型のクラッド層を形成する工程と、
前記第2の導電型のクラッド層の上に光ガイド層を形成する工程と、
前記光ガイド層の上に通電容易層を形成する工程と、
前記通電容易層の上にキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層の上に第2の導電型の電極を形成する工程と、
前記半導体基板の第2の表面に第1の導電型の電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザー装置の製造方法。 - 前記活性層の上面又は下面のいずれかの一側に格子(grating)を形成する工程をさらに含むこと
を特徴とする請求項9記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 前記キャップ層の形成後に、前記キャップ層から前記半導体基板までエッチングして、前記V-グルーブの両側にトレンチを形成する工程をさらに含むこと
を特徴とする請求項9又は10記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 前記活性層は、少なくとも2種類の半導体層を積層した構造を有し、AlGaInAs系の物質を含むこと
を特徴とする請求項9又は10記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 前記第2の導電型のクラッド層は、有機金属化学気相蒸着法(metal organic chemical vapor deposition;MOCVD)によって再成長されること
を特徴とする請求項9又は10記載の半導体レーザー装置の製造方法。 - 前記第2の導電型のクラッド層は、p-InPで形成されること
を特徴とする請求項11記載の半導体レーザー装置の製造方法。
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