CN103518298A - 激光光源 - Google Patents

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Abstract

一种具有桥形波导结构的激光光源，该激光光源具有带多个功能层（4）和有源区域（45）的半导体层序列（10），所述有源区域适于在运行时产生激光，其中功能层（4）中的至少一个构造为桥形波导结构的桥（11），并且其中半导体层序列（10）具有模滤波结构（6），所述模滤波结构构造为桥（11）的一部分和/或沿着功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）旁边和/或垂直于功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）下方。

Description

激光光源
技术领域
本专利申请要求德国专利申请10 2011 100 175.5的优先权，其公开内容通过回引结合于此。
背景技术
对于投影应用来说，需要具有越来越高功率的在基模或单模运行下的激光源，以便在投影面的图像对角线增多的情况下实现足够的亮度以及尽管如此仍然实现非常高的效率。此外常常期望激光射线的小的纵横比，以便能够简化耗费的和有损失的透镜系统。
在典型的折射率引导（indexgeführt）激光器结构（诸如具有桥形波导结构的激光二极管）中，单模性通过如下方式来实现，即激光器桥具有非常小的宽度。但是在这方面存在技术要求高的明显缺点，因为常规的曝光和蚀刻技术遇到其限制。这样的窄的桥宽度的另一大的缺点在于为运行这样的激光二极管所需的提高的运行电压。
用于改善具有桥形波导结构的激光二极管的单模性的另一可能性在于小的桥高度。由此得出的弱的光学引导引起仅仅基模能够起振。但是这同时导致提高的阈电流，因为弱的波导或桥的小的高度一般与电流扩张相关联。
此外已知将吸收层施加到激光器桥旁边的薄的钝化层上。但是因为对于该配置来说需要非常薄的钝化层，因此可能出现电学问题，诸如在击穿强度方面或者在漏电流方面。此外在此不利的是，一般而言不能阻止基模也通过吸收体被衰减，这意味着激光器参数上的损失，尤其是效率减小。
发明内容
至少一个实施方式的任务是，说明一种具有半导体层序列的激光光源。
该任务通过具有独立权利要求的特征的对象来解决。所述对象和方法的有利实施方式和扩展方案在从属权利要求中表示并且从下面的描述和附图中得出。
根据至少一个实施方式，激光光源具有半导体层序列，该半导体层序列具有多个功能层。所述半导体层序列尤其是具有带有源区域的有源层，所述有源区域可以在激光光源运行时产生激光。功能层分别具有垂直于相叠布置的功能层的布置方向的主延伸平面。
根据另一实施方式，激光光源被构造为边缘发射的激光二极管。为此，半导体层序列具有如下侧面，所述侧面相对于功能层的主延伸平面至少倾斜并且例如垂直于或者基本上垂直于该主延伸平面并且所述侧面被实施为辐射输出耦合面，从而可以在运行时经由该辐射输出耦合面辐射出激光。优选地，半导体层序列可以具有第一和第二波导层，在该第一和第二波导层之间布置有源区域。半导体层序列尤其是可以具有用于激光的光学共振器。该光学共振器尤其是可以包括在辐射输出耦合面上的至少部分反射的第一层、例如反射镜层，和/或在半导体层序列的与该辐射输出耦合面相对的侧面上的至少部分反射的第二层、例如反射镜层，在该第一层和第二层之间布置有源区域。
半导体层序列可以实施为外延层序列或者具有外延层序列的发射辐射的半导体芯片，也即实施为外延生长的半导体层序列。在此，半导体层序列例如可以基于InGaAlN来实施。落入基于InGaAlN的半导体芯片和半导体层序列中的尤其是如下对象，其中外延制造的半导体层序列一般具有由不同的单层构成的层序列，该层序列包含至少一个具有如下材料的单层，所述材料由III-V化合物半导体材料系统InxAlyGa1-x-yN构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1。具有至少一个基于InGaAlN的有源层的半导体层序列例如可以优选发射紫外至绿色波长范围内的电磁辐射。
可替换地或者附加地，半导体层序列或者半导体芯片也可以基于InGaAlP，也就是说，半导体层序列可以具有不同的单层，其中至少一个单层具有由III-V化合物半导体材料系统InxAlyGa1-x-yP构成的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1。具有至少一个基于InGaAlP的有源层的半导体层序列或者半导体芯片例如可以优选发射具有在绿色至红色波长范围内的一个或多个光谱成分的电磁辐射。
可替换地或者附加地，半导体层序列或者半导体芯片也可以具有其他III-V化合物半导体材料系统，例如基于AlGaAs的材料，或者具有II-VI化合物半导体材料系统。具有基于AlGaAs的材料的有源层尤其是可以适于发射具有在红色至红外波长范围内的一个或多个光谱成分的电磁辐射。
半导体层序列此外可以具有衬底，在该衬底上沉积上述III-V或者II-VI化合物半导体材料系统。功能层可以在该衬底上生长，所述衬底于是构造为生长衬底。替换于此地，功能层可以在生长之后被转移到衬底上，该衬底于是构造为载体衬底。所述衬底可以包括半导体材料，例如上述化合物半导体材料系统。所述衬底尤其是可以包括GaP、GaN、SiC、Si、Ge和/或蓝宝石或者由这样的材料构成。
作为在有源层中的有源区域，半导体层序列可以例如具有常见的pn结、双异质结构、单重量子阱结构（SQW结构）或者多重量子阱结构（MQW结构）。半导体层序列除了具有有源区域的有源层以外还可以包括其他的功能层和功能区域，诸如p掺杂的或者n掺杂的载流子传输层、p掺杂的或者n掺杂的约束层、覆盖层或者波导层、阻挡层、极化层、缓冲层、保护层和/或电极以及它们的组合。电极在此可以分别具有一个或多个带Ag、Au、Sn、Ti、Pt、Pd、Rh和/或Ni的金属层。涉及有源层或者其他功能层和区域的这样的结构尤其是在构造、功能和结构方面对于专业人员来说是已知的并且因此不在此处详细阐述。
此外，附加的层——诸如缓冲层、阻挡层和/或保护层也可以垂直于半导体层序列的生长方向布置，例如围绕半导体层序列布置，也即诸如布置在半导体层序列的侧面上。
根据另一实施方式，激光光源具有桥形波导结构。为此，半导体层序列的至少一个或者多个功能层被结构化为，使得至少一个或多个层构成桥，所述桥在平行于功能层的主延伸平面的方向、即桥延伸方向上延伸。半导体层序列的这样的也可称为“脊结构”的构型尤其是可以适于根据其宽度和高度并且通过由于桥形结构和与该桥形结构相关联的折射率跳跃而导致的所谓的折射率引导实现有源区域中的横向基模的构造。所述桥尤其是可以从辐射输出耦合面延伸至半导体层序列的与该辐射输出耦合面相对的侧面。
为了制造桥形波导结构例如可以提供具有上述功能层和有源区域的半导体层序列。所述桥可以通过掩模借助于侵蚀方法、诸如蚀刻在半导体层序列的主表面上产生，所述主表面平行于功能层的主延伸平面布置。桥的宽度在此可以经由可光刻制造的掩模来设定。
根据另一实施方式，半导体层序列具有模滤波结构。所述模滤波结构尤其是可以适于衰减除了基模以外也可能在激光光源中出现的较高的模。
根据另一实施方式，模滤波结构实施为桥的一部分和/或沿着功能层的主延伸平面在桥旁边构造和/或垂直于功能层的主延伸平面在桥下方构造。在此，模滤波结构可以具有下述元件、特征和/或实施方式中的一个或多个。
根据另一实施方式，所述桥垂直于桥延伸方向并且平行于功能层的主延伸平面地具有水平桥宽度。所述桥可以垂直于功能层的主延伸平面和垂直于桥延伸方向地具有竖直桥宽度。换言之，水平桥宽度在此可以是桥的如下宽度，该宽度是所述桥在对具有桥的激光光源的上侧的俯视图中所具有的。竖直桥宽度可以是桥的如下宽度，该宽度是所述桥在垂直于功能层的主延伸平面和垂直于桥延伸方向的剖面中所具有的。所述桥尤其是可以具有变化的水平桥宽度和/或变化的竖直桥宽度作为模滤波结构。
根据另一实施方式，水平桥宽度具有至少一个增厚部和/或收缩部。这尤其是可以表示，水平桥宽度沿着桥延伸方向增大并且然后再次缩小，以便构成增厚部，和/或所述水平桥宽度缩小并且然后再次增大，以便构成收缩部。所述至少一个增厚部和/或收缩部在此可以实施为水平桥宽度的阶梯或者弯折或者也可以实施为连续改变的桥宽度。
通过水平桥宽度的一个或多个增厚部形式的桥扩宽可以在一个或多个部位处增大桥在功能层或部分层上的接触面和/或增大电极层在桥上与桥或与功能层的接触面，其中在所述部分层上直接布置桥并且桥直接与所述部分层邻接，由此可以减小激光光源的运行电压并且因此改善效率。尤其是通过变化的水平桥宽度的连续改变可以减少或者完全避免激光光源中的可能在桥宽度突然改变时出现的损失。在此特别优选地可以是流畅的过渡，例如通过指数函数、正弦曲线、余弦曲线、正切曲线和/或高斯曲线以及它们的组合的变化可以实现的过渡。
根据另一实施方式，所述桥具有带至少一个增厚部和/或收缩部的变化的水平桥宽度，其中水平桥宽度在至少一个部位处比所谓的Cut-Off（截止）宽度窄以实现单模运行。该水平桥宽度可以用已知关系
Figure 927334DEST_PATH_IMAGE001
来计算，其中d是在所述部位处的水平桥宽度，n2是在桥下方的半导体层序列中的有效折射率并且n1是桥旁边的有效折射率。
根据另一实施方式，所述桥具有在含0.3μm至含200μm范围中、优选在含0.5μm至含10μm范围中并且特别优选在含0.8μm至含3μm范围中的桥宽度。
根据另一实施方式，桥在靠近或位于辐射出射耦合面处和/或靠近或位于与辐射出射耦合面相对的半导体层序列侧面处具有关于桥的水平桥宽度的增厚部。由此可以减小直接在辐射出射耦合面处的功率密度，由此可以达到更高的输出功率，而不会破坏激光光源的辐射输出耦合面（COMD：“catastrophic optical mirror damage（灾变光学镜面损伤）”）。替换于此地，所述桥在辐射输出耦合面与同辐射输出耦合面相对的半导体层序列侧面之间可以具有水平桥宽度的增厚部，而在辐射输出耦合面或者与该辐射输出耦合面相对的侧面处水平桥宽度具有收缩部或者渐细部。由此可以产生较宽的侧向远场。
通过具有变化桥宽度的桥——所述桥宽度具有至少一个增厚部和/或收缩部，可以实现窄桥和宽桥的优点的组合，其中通过窄桥或窄的桥区域可以实现所辐射的激光射线的小的纵横比以及明显的单模引导，而通过宽桥或宽的桥区域可以改善电接触，由此可以减小运行电压。
根据另一实施方式，竖直桥宽度具有收缩部。在此，所述收缩部例如可以包括有源区域或者所述有源区域上方的至少一个功能层。这可以表示，竖直桥宽度的收缩部布置在有源层的具有有源区域的区域中或者布置在其上方。由于桥的上部分通过收缩部而比与波引导相关的下部分宽，可以产生半导体层序列与施加在其上的电极层的较大接触面。
由此尤其是可以实现可以减少用于运行激光光源的电压，由此效率升高。这尤其是可以对于具有基于氮化合物半导体材料的半导体层序列的激光光源是有利的，因为在这种材料情况下尤其是与p掺杂的半导体层的接触电阻与另外的材料系统相比是高的。
根据另一实施方式，所述桥具有垂直于功能层的主延伸平面变化的桥高度作为模滤波结构。这尤其是可以表示，桥高度沿着桥延伸方向变化。桥在其中具有高的桥高度、也就是在其中半导体层序列的与桥邻接的部分具有凹陷的区域可以引起电流扩张的减小以及光模与电泵浦区域的更好的重叠，由此可以实现更低的激光阈以及因此良好的效率。具有较低桥高度的区域、也即半导体层序列或半导体层序列的与桥邻接的部分的区域（这些区域与另外的部分相比具有增高），可以负责较弱的波引导，从而较高的模可以经历较强的损失并且因此被衰减或者特别优选地可以根本不再被引导。具有高的桥高度的区域和具有低的桥高度的区域之间的过渡可以在半导体层序列的与桥邻接的部分的高度轮廓中是突然的、也即尤其是阶梯状的或者以弯折的形式来实施。替换于此地，桥高度也可以连续地沿着桥延伸方向变化。
根据另一实施方式，所述桥具有桥侧面，所述桥侧面在垂直于桥延伸方向的方向上限制桥并且沿着桥延伸方向走向。所述桥在此可以具有对于两个侧面至少部分不同的或者沿着整个桥不同的桥高度作为模滤波结构。通过桥高度在桥侧面处的这种不对称的实施可以产生不对称的波传导，该不对称的波传导可以特别优选地引导仅仅一个模。通过在桥的一侧上的较高桥高度可以减少在该侧上的电流扩张，这可以在获得单模性的同时导致效率升高。此外一个或两个桥侧面上的桥高度可以沿着桥延伸方向变化。
根据另一实施方式，在桥旁边布置钝化部作为模滤波结构，所述钝化部沿着桥延伸方向变化。这尤其是可以表示，钝化部实施为钝化层，该钝化层例如在其组成和/或其材料方面沿着桥延伸方向变化。通过沿着桥变化的钝化部可以实现折射率沿着桥的变化，其中具有较小折射率的区域可以具有与桥高度的增大相同的效果。钝化部尤其是可以在其组成和/或其材料方面以及尤其是在其折射率方面连续变化。这例如可以通过两个钝化层来实现，其中一个钝化层沿着桥延伸方向变薄，而施加于该一个钝化层上的第二钝化层变厚。钝化部尤其是可以在至少一个桥侧面处直接与桥邻接。特别优选地，钝化部与两个桥侧面邻接地布置。
根据另一实施方式，激光光源在桥旁边的两个桥侧面处具有不同的钝化部作为模滤波结构，这些钝化部例如具有不同的折射率。由此可以在桥侧面处实现与如上对于不同的桥高度所述的类似效果。
根据另一实施方式，所述桥具有弯曲的桥延伸方向作为模滤波结构。弯曲的桥延伸方向可以在桥的俯视图中通过桥的弯曲的走向来识别。这尤其是可以表示，桥可以被构造为不仅仅关于激光光源的光轴镜像对称。所述光轴尤其是可以通过半导体层序列中的、尤其是有源区域中的以下方向来给出：沿着该方向构造激光辐射。激光光源的激光从辐射输出耦合面辐射出去的辐射方向可以是光轴的延长。
根据另一实施方式，具有弯曲的桥延伸方向的桥的桥侧面是平行的或者至少近似平行。由此可以简化可处理性和/或提高激光光源到激光光源的可再现性。
根据另一实施方式，所述桥具有弯曲的桥延伸方向，该弯曲的桥延伸方向通过桥中的至少一个弯折和/或桥相对于光轴的至少一个连续方向改变来构造。所述至少一个弯折或者至少一个连续方向改变在此可以通过所定义的角度来给出。
通过弯曲的桥延伸方向可以实现在有源区域中较强地衰减较高的模，其中在此也可以在比上述Cut-Off桥宽度更大的桥宽度情况下实现单模特性。
根据另一实施方式，作为模滤波结构可以将弯曲的桥延伸方向与沿着桥延伸方向和/或在两个桥侧面上变化的钝化部相组合。弯曲的桥可以视曲率而具有不对称的远场。为了补偿该不对称的远场，可以在弯曲的桥延伸方向情况下、尤其是在具有一个或多个曲线的弯曲的曲线状的桥延伸方向情况下在一个或多个内弯处布置钝化部，该钝化部比对应外弯处的钝化部具有更高的吸收。由此可以如此影响光模的相，使得产生对称的辐射轮廓或远场。
根据另一实施方式，桥由两个沿着桥延伸方向走向的桥侧面限制，其中作为模滤波结构，桥侧面的至少一个部分区域具有氧化部。这尤其是可以表示，桥侧面的至少一个部分区域、优选一个桥侧面以及特别优选地两个桥侧面至少在部分区域中被氧化。为此，桥可以具有至少一个含铝层，该至少一个含铝层构成桥侧面的部分区域的侧面是经氧化的。
根据另一实施方式，桥与半导体层序列的、具有改变传导性的和/或吸收光的材料作为模滤波结构的功能层邻接。这种材料——其例如可以是诸如硅的掺杂物、诸如氢的电绝缘物质或者诸如锗的吸收光的物质——可以通过注入和/或扩散被至少引入到与桥邻接的功能层的部分区域中。这种区域可以充当电流挡板和/或模挡板，通过所述电流挡板和/或模挡板通过侧向的电流限制和/或对应的波引导可以衰减较高的模。
根据另一实施方式，半导体层序列具有至少一个功能层作为模滤波结构，所述功能层在桥旁边和/或在桥下方至少部分地具有受损结构。受损结构例如可以在半导体层序列生长和构造桥之后通过至少部分地蒸发半导体层序列在至少一个功能层中的半导体材料来进行。所述蒸发例如可以通过用激光辐射、尤其是短脉冲激光辐射照射半导体层序列来实现，通过所述照射在对应聚焦的情况下可以损坏目标区域中的半导体材料。尤其是可以这样选择激光辐射，使得成分——例如在III-V族化合物半导体材料情况下的V族材料——至少部分被蒸发。受损区域在此可以直接与桥邻接地构造在功能层中。附加地或者替换地，半导体层序列可以在桥旁边的下方和/或在侧面错开地以及在桥下方、例如在有源区域的背向桥的一侧上具有受损区域。通过这种受损区域同样可以实现电流挡板和/或模挡板。
根据另一实施方式，激光光源具有所述模滤波结构特征和/或实施方式中的至少两种作为模滤波结构。这尤其是可以表示，激光光源具有沿着桥延伸方向变化的桥宽度和/或变化的桥高度和/或变化的钝化部作为模滤波结构。这也可以表示，所述桥附加地或者替换地具有弯曲的桥延伸方向和/或注入的或掺杂的区域和/或受损区域作为模滤波结构。
通过模滤波结构的这里所述的实施方式可以实现的是，激光光源的模轮廓被最优地设定到高效率、期望的远场宽度以及单模性上。
附图说明
本发明的另外的优点和有利实施方式和扩展方案从在下面结合附图描述的实施方式中得出。
图1A至1C示出具有桥形波导结构的激光光源的示意性图示，
图2A至2N示出根据多个实施例的具有变化的水平桥宽度的激光光源的示意性图示，
图3A至3M示出根据其他实施例的具有弯曲的桥延伸方向的激光光源的示意性图示，
图4A至6示出具有变化的桥高度的激光光源的示意性图示，
图7至8B示出根据其他实施例的具有变化的钝化部的激光光源的示意性图示，
图9A至10C示出具有变化的竖直桥宽度的激光光源的示意性图示，
图11A至11C示出根据其他实施例的桥侧面被氧化的激光光源的示意性图示，
图12A至12D示出根据其他实施例的具有改变传导性的、改变折射率的和/或吸收光的材料的激光光源的示意性图示，
图13A至14B示出根据其他实施例的具有带受损结构的区域的激光光源的示意性图示，以及
图15A至15G示出根据其他实施例的具有散射光滤波器的激光光源的示意性图示。
具体实施方式
在实施例和附图中，相同的或者作用相同的组成部分分别配备有相同的附图标记。所示的元件及其彼此之间的大小关系原则上不应视为是比例正确的，更确切地，各个元件——例如层、构件、器件和区域——为了更好的可图示性和/或为了更好的理解而可以被过度厚或大地表示尺寸。
为了描述具有桥形波导结构的激光光源的基础特征，在图1A中示出具有如从现有技术中已知的桥形波导结构的激光光源的示意性空间图示。尤其是通过桥11构成该已知的桥形波导结构，所述桥11沿着所示的直线的桥延伸方向AA具有恒定的桥高度110和恒定的桥宽度113。
激光光源具有带衬底1的半导体层序列10，在该衬底1上施加多个外延生长的功能层4。功能层4在此分别具有主延伸平面，该主延伸平面垂直于功能层的布置方向。半导体层序列10在所示的示例中基于InGaAlN化合物半导体材料，如上面在发明内容部分中所述那样。功能层4构造为n和p掺杂的覆盖层41、44和波导层42、43以及构造为具有有源区域45的有源层40。有源层40例如可以构造为具有布置在阻挡层之间的1至5个量子膜的多重量子阱结构。此外，除了所示功能层之外还可以存在其他的功能层，诸如一个或多个接触层和/或中间层。
替换于这里所述的基于氮化物的半导体材料，所述半导体层序列10例如还可以具有基于磷化物和砷化物的半导体材料。
衬底1可以是生长衬底，在该生长衬底上外延地生长功能层4。替换于此地可以通过薄膜技术来制造半导体层序列10。这意味着，功能层4在生长衬底上生长并且接着被转移到载体衬底上，该载体衬底于是形成半导体层序列10的衬底1。在此根据生长技术，半导体层序列10的n导电层或者p导电层可以朝向衬底1。
半导体层序列10的电接触在所示实施例中经由在衬底1的背向功能层4的底侧上的电极2以及经由在半导体层序列10的与衬底1相对的上侧上的电极3来进行。电极2和3在此可以分别具有一个或多个金属层，所述金属层例如具有Ag、Au、Sn、Ti、Pt、Pd、Rh和/或Ni。
替换于穿过衬底1的电接触，电接触部2也可以与功能层4布置在相同的衬底1侧上并且布置在有源层40旁边。这种接触类型尤其是适于当功能层4布置在不导电的衬底1上时电接触衬底侧上的所述功能层4。
此外，半导体层序列10具有辐射输出耦合面12和与此相对的构造为背侧的侧面13，所述辐射输出耦合面12和侧面13分别具有至少部分反射性的涂层（未示出）。由此，辐射输出耦合面12和背侧的侧面13形成光学共振器。相应的至少部分反射性的涂层例如可以具有布拉格反射镜层序列和/或反射性的金属层或者由这些构成。
此外，在半导体层序列10上或者其上方可以施加钝化层以保护半导体层序列（未示出）。
在有源层40的背向衬底1的上侧布置的覆盖层44在所示实施例中部分地构造为桥11并且形成所谓的桥形波导结构或者如在发明内容部分中那样描述的“脊”结构。替换地，桥11也可以构造为其他的功能层4的一部分。桥11具有桥侧面111、112，所述桥侧面沿着桥延伸方向AA走向并且在平行于功能层4的主延伸平面和垂直于桥延伸方向AA的方向上限制桥11。具有桥11的桥形波导结构在通过将功能层4施加在衬底1上制造了半导体层序列10之后借助于蚀刻来制造。为此，半导体层序列10例如也可以具有构造为蚀刻停止层的功能层。桥高度110因此对应于在构造桥11时的蚀刻深度。
替换于借助蚀刻来制造桥11，所述桥11也可以借助于选择性生长作为半导体层序列10的一部分来生长。
通过具有桥11的桥形波导结构，在有源层40中可以实现激光的构成，而不期望的其他激光模与无桥的激光光源相比可以受到一定程度的抑制。有源层40尤其是具有有源区域45，该有源区域尤其是通过桥11的宽度被预先给定并且在所示实施例中通过有源层40中的阴影面来表明。有源区域45在此在由辐射输出耦合面12和背侧的侧面13构成的共振器中延伸在有源层40的整个长度上。在有源区域45中，半导体层序列10在运行中可以通过受激发射产生激光，所述激光可以经由辐射输出耦合面12被辐射出去。
除了桥延伸方向AA以外，对于下面的实施例的描述还表明了半导体层序列10的竖直剖平面BB以及作为对半导体层序列10和尤其是具有桥11的桥形波导结构的俯视图的视线方向CC。
在图1B和1C中示出沿着图1A中的垂直剖面BB的激光光源的示意性剖面图。图1B和1C的激光光源的半导体层序列10例如可以如根据图1A中的实施例的半导体层序列那样来实施。此外，图1B和1C的激光光源具有布置在桥11旁边的钝化部5。该钝化部5例如可以被设置用于电绝缘、用于保护桥和半导体层序列10、用于电极3的容易的施加和/或用于匹配桥11处或半导体层序列10处的折射率跳跃。在图1B以及图1A中桥11构造为独立的桥，而图1C的激光光源具有所谓的“三面形（Dreibein）”结构，在该结构情况下半导体层序列10的半导体材料在桥11旁的右边和左边仅在窄槽中被去除而不是整面去除。由此可以得出针对桥11的刮痕和/或机械负荷的更好保护。
此外还有可能的是，将桥11构造为所谓的埋入式异构结构（“buried heterostructure”）。在此情况下在构造了桥之后使桥与其他半导体层一起外延生长。
下面的实施例描述了具有桥形波导结构的激光光源的在图1A至1C中所示的已知实施方式的本发明变型，这些变型与图1A至1C的已知激光光源相比具有模滤波结构6。除了后面实施例的分别所示的实施方式以外，所述模滤波结构也可以以三面形结构构造或者构造为埋入式异构结构。
下面在图2A至3M中示出根据多个实施例的激光光源的半导体层序列10的俯视图，其中这些俯视图分别对应于图1A中的视线方向CC。
在图2A至2L中示出具有带桥11的半导体层序列10的激光光源，所述桥11与功能层的主延伸平面平行地并且与桥延伸方向AA垂直地具有变化的水平桥宽度113、113'、113''作为模滤波结构6，如在图2A和2D中表明的。水平桥宽度尤其是在半导体层序列10的分别示出的俯视图中沿着在图2A和2D中表明的桥延伸方向AA变化。
根据图2A至2L的实施例的激光光源的桥11尤其是通过变化的水平桥宽度而具有增厚部61和/或收缩部62作为模滤波结构6，通过所述增厚部和/或收缩部与具有带恒定桥宽度的桥形波导结构的已知激光光源相比可以实现改善的效率和/或更好的辐射质量。因此可以通过在一个或多个部位处的增厚部61形式的桥宽度扩宽来增大用于将电流输送到有源层中的接触面，由此可以减小运行电压以及因此改善效率。增厚部61或桥宽度113、113'的扩宽可以在此例如图2A所示那样突然地、也即阶梯状地进行。优选地，增厚部61或者收缩部62可以通过连续的或者至少部分连续的桥宽度过渡来构造，例如通过如图2B所示的线性形状或者通过例如图2C所示的圆形和/或椭圆形形状。此外可以特别有利的是，水平桥宽度113、113'、113''以流畅的过渡的形式来变化，例如通过如图2D至2L所示的指数函数、正弦曲线、余弦曲线、正切曲线和/或高斯曲线以及它们的组合的变化可以实现的那样。通过这样的流畅的过渡可以减少或者甚至完全避免激光光源中的损失，所述损失在桥宽度过于突然地改变的情况下可能出现。
图2A至2L的实施例的模滤波结构6在此关于桥延伸方向AA轴对称地构造，该桥延伸方向AA还分别对应于激光光源的光轴。
在图2M和2N中示出模滤波结构6的两个实施例，这两个实施例具有关于激光光源的光轴不对称地构造的桥宽度改变。纯示例性地，所述桥宽度改变在图2M和2N中以水平桥宽度的增厚部61的形式构造。通过所述桥的不对称形状或不关于光轴对称的形状可以有利地抑制较高的模，因为所述较高的模比基模更强地在桥宽度的不规则处被衰减。
替换于分别在实施例中所示数量的增厚部61和/或收缩部62，也可以存在更多的增厚部61和/或收缩部62。尤其是也可以相互组合不同实施例的增厚部61和/或收缩部62的所示形状。
特别优选地，水平桥宽度113分别在最窄部位处优选比在发明内容部分中所述的Cut-Off桥宽度小，以满足单模性的条件。在其他部位处，桥11也可以分别比Cut-Off桥宽度宽。
根据所期望的辐射角，至少一个增厚部61和/或至少一个收缩部62可以靠近刻面、也即靠近辐射输出耦合面12和/或与辐射输出耦合面相对的背侧的侧面13地和/或更确切地说在桥11的内部沿着桥延伸方向AA布置。桥11朝向刻面的扩宽61——例如在图2F、2K和2L中所示那样——附加地具有如下优点，即功率密度直接在刻面处被减小。由此可以达到较高的输出功率，而不会破坏激光光源的刻面、也即尤其是辐射输出耦合面12。相反，如果期望更宽的侧向远场，则有利的可能是将刻面区域中的水平桥宽度形成得更窄，例如在图2A至2E和2G至2J中所示出的那样。
为了简化可处理性和提高不同的同样构造的激光光源的可再现性，有利的是，桥11的边缘以及因此侧面在刻面区域中优选至少近似平行地走向，如在图2A至2E、2H、2I和2J中所示那样。
在图3A至3H中示出分别具有桥11的激光光源，所述桥11具有弯曲的桥延伸方向A、AA'、AA''作为模滤波结构6，如在图3A中示例性所示的。由此，图3A至3I所示实施例中的桥不关于光轴镜像对称，所述光轴尽管在图3A至3I的实施例中存在变化的桥延伸方向但仍在辐射输出耦合面12和背侧的侧面13之间被构造为直线的。通过这种弯曲的桥形状，较高的模与基模相比被更强地衰减，其中在此最小的桥宽度也可以比上述Cut-Off桥宽度更宽，以便仍能实现单模特性。
如在图3A中所示的，桥11可以具有带定义的角的弯折，使得桥延伸方向A、AA'、AA''可以突然改变。如在图3B至3I的实施例中所示的，桥延伸方向也可以连续变化，由此与桥延伸方向的过于突然的改变相比可以避免损失。
特别优选地，桥侧面在刻面12、13的区域中与所述刻面垂直地或者至少近似垂直地构造。在此如图3A和3B所示那样，桥11在刻面12、13处的位置可以彼此错开。如在图3C至3H中所示那样，桥11在刻面12、13处的位置如也在直线形桥的情况下那样在沿着光轴的投影中彼此重叠，而在刻面12、13之间的桥11相对于刻面12、13处的桥末端发生变化。桥延伸方向在此可以如图3I所示那样具有一次方向改变，或者也如在图3A和3B中所示那样具有两次方向改变，所述两次方向改变根据图3A突然相继进行并且根据图3B和3I连续地以及逐渐地过渡到彼此中。在图3C至3H中示出具有模滤波结构6的桥，所述模滤波结构6由桥延伸方向的多次方向改变构成。由此可以实现对较高的模的增强的衰减。如在图3F至3I中所示的，变化的桥延伸方向可以附加地与水平桥宽度的增厚部61或收缩部62组合起来。
在图3J和3K中示出具有弯曲的桥延伸方向的模滤波结构6的其他实施例，这些模滤波结构6如图3B和3C的实施例的桥11那样是纯示例性地曲线形的。通过桥弯曲，所示出的实施例的激光光源可以具有不对称的远场。该不对称的远场可以通过如下方式被补偿，即在弯曲的桥11的内弯处分别布置钝化部63作为模滤波结构6的其他部分，钝化部63与外弯处的钝化部64相比具有更强的吸收。由此可以将在半导体层序列10中传播的模的相影响为，使得产生对称的辐射轮廓或远场。
在图3L和3M中示出具有弯曲的桥延伸方向的模滤波结构6的其他实施例，所述模滤波结构6附加地还在刻面处、也即辐射输出耦合面12和与该辐射输出耦合面相对的侧面13处具有增厚部61。由此，功率密度可以直接在这些刻面处、尤其是在辐射输出耦合面12处减小，由此可以防止在高光功率（COMD）时对刻面的损坏。
如图3L中所示的，水平桥宽度的增厚部61形式的扩张可以关于桥11在刻面处对称。但是也可能的是，如图3M中所示的，增厚部61关于桥11在刻面处不对称，由此还可以附加地影响激光光源的辐射角。
在图4A至8B中示出根据其他实施例的具有半导体层序列10的激光光源的示意性空间图示，其中出于清楚的原因没有示出诸如电极和功能层的特征。
根据图4A至5D的实施例具有桥11作为模滤波结构6，该桥11具有沿着桥延伸方向AA变化的、垂直于功能层的主延伸平面的桥高度110、110'、110''。变化的桥高度在此通过对半导体层序列10的不同蚀刻来制造以产生桥11，使得变化的桥高度对应于不均匀的桥蚀刻深度。在此，较深蚀刻的区域、也即具有较大桥高度的区域引起电流扩张的减小以及光模与电泵浦区域的更好的重叠。由此可以达到较低的激光阈以及因此良好的效率。
蚀刻得较平的区域、也即具有较低桥高度的区域可以负责较弱的波引导，使得较高的模经历较强的损失以及因此被衰减或者甚至不再被引导。
如在图4A、4D和5A至5D中所示的，变化的桥高度之间的过渡可以是突然的，例如弯折式的。替换于此地，在相应蚀刻深度的过渡中以及因此在桥高度中的过渡可以被设计为流畅的，如在图4B和4C中所示的，由此可以避免基模的损失。
在图4A所示的实施例中，桥高度110、110'的变化和桥宽度被选择为，使得在刻面区域中、也即尤其是在辐射输出耦合面12的区域中仅仅引导一个模。较深地蚀刻的区域减小电流扩张并且提高侧向的填充因数，由此可以改善激光器性能。
为了达到较宽的侧向远场以及因此竖直模与水平模之间的较小的纵横比，也可以尤其是在刻面区域12、13中对桥进行更深的蚀刻。于是在该情况下，具有较小桥高度的蚀刻得较平的区域作为模滤波结构6布置在由刻面12、13、也即辐射输出耦合面12和与该辐射输出耦合面相对的侧面13构成的共振器的中部（参见图4B），或者布置在与辐射输出耦合面12相对的侧面13处的共振器末端（参见图4C）。
为了设定较小的远场角和/或为了实现较高的输出功率，桥11可以在刻面区域、也即尤其是在辐射输出耦合面12的区域中被蚀刻得较平，并且因此具有较小的桥高度110''，如图4D中所示的。通过交换辐射输出耦合面12和与该辐射输出耦合面12相对的侧面13，这同样可以适用于根据图4C的实施例。
由于较小的桥高度，光模在该区域中扩张。尤其是对于较高的模由此得出附加的高的损失。
如结合图5A至5D所示的，模滤波结构6可以特别优选地通过具有增厚部61或收缩部62的变化的水平桥宽度与变化的桥高度110、110'相组合。
通过靠近辐射输出耦合面12的窄桥以及通过高的桥高度的强波引导有利于所辐射的激光射线的小的纵横比。这可以在中部区域中与较大的桥宽度相组合，该较大的桥宽度通过较小的桥高度、也即较平的蚀刻深度被强度较小地进行折射率引导，如在图5A中所示的。
尤其是图5A和5C的实施例的激光光源例如可以在整个桥长度上是单模的，因为在具有大的桥高度110的被蚀刻得深的区域中的强波引导通过对应窄的水平桥宽度得到补偿。因此可能的是，根据需求将远场角根据图5A的实施例设定得宽或者根据图5C的实施例设定得窄。此外与刻面12、13、也即尤其是辐射输出耦合面12处的桥宽度无关地，还可以根据5A通过在桥10中部的增厚部61形式的较大桥宽度实现较小的运行电压或者根据图5C中的实施例通过中部的水平桥宽度的收缩部62实现较小的电流扩张。
但是根据图5B中的实施例和图5D中的实施例，相应的激光光源不必在整个桥长度上是单模的。在这些实施例中，设置根据图5B中的实施例的模滤波结构6，其结果是具有较宽的远场，或者设置根据图5D中的实施例的模滤波结构6，其结果是具有较窄的远场。
根据图6中的实施例，桥11在桥侧面111和112处具有不同的桥高度110和110'作为模滤波结构6。由此可以通过不对称的蚀刻深度和由此在两个桥侧面111、112上形成的不同的桥高度110、110'产生不对称的波导，该波导只能引导一个模。同时通过在桥11的具有较大桥高度110的其中一个桥侧面111上的较深蚀刻减小在该侧上的电流扩张，这在保持单模性的同时导致功率升高。
除了在桥11的两侧上的不同的桥高度110、110'以外，桥高度也可以沿着桥延伸方向AA变化。此外还可能的是，例如如在图6中示出的，除了在桥11的两个桥侧面111、112处的不同桥高度110、110'以外，桥延伸方向AA、AA'、AA''和/或水平的或竖直的桥宽度也变化，由此可以实现所述效应和优点的组合。
在迄今为止所示的实施例中，波引导通过在半导体层序列的半导体材料与环境之间的折射率跳跃来实现，所述环境例如由空气或者在实施例中未示出的均匀的钝化层构成。折射率跳跃的变化在此通过变化的或者不同的桥高度实现。如结合图7至8B所示的，折射率跳跃的这种变化也可以通过两个桥侧面111、112处的不同的钝化部63、64和/或通过沿着桥延伸方向AA变化的钝化部63、64来实现。
如在图7中所示的，作为模滤波结构6可以在两个桥侧面111、112上对于钝化部63、64使用不同的材料，而所期望的折射率跳跃可以与此无关的作为模滤波结构6的其他部分通过在桥侧面111、112处的不同桥高度110、110'被设定。
在根据图8A的实施例中，桥11在中部区域中用与在靠近刻面的区域中不同的材料64来钝化，其中在靠近刻面的区域中布置钝化材料63。如果中部部分例如用比沿着桥11的桥延伸方向AA的其余区域具有更小折射率的材料来钝化，则这具有如在该区域中的较大蚀刻深度和较高桥高度情况下的效应。钝化部63和64之间的过渡在此可以突然地进行，如图8A和8B中所示的。替换于此地，钝化部63和64之间的过渡可以特别优选地被选择为流畅的过渡。例如钝化部63、64之一可以具有减小的高度，而相对的其他钝化部64或63具有变大的高度。
沿着桥11构造不同的桥高度与沿着桥11使用不同的钝化材料和/或不同的吸收性材料的组合是特别有利的。这在根据图8B的实施例的桥11的情况下——其中钝化部64在蚀刻得较深的区域中被选择为具有比在其余区域中更大的桥高度110'，有利地使得能够例如选择性地沿着桥11设置吸收性材料，而在此不会改变模引导。如果例如在中部区域中使用吸收性较强的材料64，则较高的模可以被衰减，因为这样的话该材料也具有更高的折射率。作为钝化部64的这种材料例如可以使用非化学计算的、富硅的SiO2或者SiN，而对应的化学计算的SiO2或者SiN可以用作为钝化部63。为了将折射率跳跃沿着桥11保持恒定，用折射率较高的材料64钝化的区域被对应地蚀刻得较深。
根据图6至8的实施例的模滤波结构6的组合使得模轮廓能够最优地设定到高效率、期望的远场宽度和单模性。
在图9A至10C中示出根据其他实施例的用于制造激光光源的方法，这些实施例分别具有变化的竖直桥宽度113、113'作为模滤波结构6。这些图示在此对应于根据图1A中的剖平面BB的穿过激光光源或半导体层序列10的剖面。
在两个方法中，根据图9A和10A提供半导体层序列10，在该半导体层序列10中出于清楚的缘故仅仅示出有源层40。在半导体层序列10上施加硬掩模7作为蚀刻掩模，该蚀刻掩模在接下来的根据图9B和10B的蚀刻步骤中定义桥宽度以及还例如利用变化的或者直线的桥延伸方向定义桥的走向。桥11的蚀刻在此借助于干化学蚀刻方法来进行。
在根据图9A至9C的实施例中，为了制造桥穿过有源层40进行蚀刻，使得该有源层40构成桥11的一部分并且该有源层40的侧面构成桥11的侧面的部分。有源层40在此在所示实施例中具有InGaN。该有源层在根据图9C的另一方法步骤中借助于湿化学蚀刻过程被在侧面不足蚀刻，使得桥11在有源层40的区域中与桥111的其余区域的竖直桥宽度113相比具有更小的竖直桥宽度113'。因此，竖直桥宽度113、113'在有源层40的区域中以及因此在有源区域中具有收缩部62。
在根据图10A至10C的实施例中，制造具有与图9A至9C的实施例相比更小的桥高度的桥11，使得有源层40不被桥11暴露出来。在有源层40上方存在半导体层序列10中的功能层46，该功能层具有至少一个InGaN层或者多个InGaN层，所述InGaN层具有与前面的实施例相同的或者不同的In含量。通过根据图10C的湿化学蚀刻步骤对层46在侧面进行不足蚀刻。通过功能层46的不同的层In含量得出不同的蚀刻率，由此构造具有下部切割以及因此具有收缩部62形式的朝向有源层40变细的竖直桥宽度113、113'的桥11。
在图9C和10C中所示的湿化学蚀刻步骤之后，在两个方法中除去硬掩模7。然后在桥11上施加电极（未示出）。此外还可能的是，分别在制造的桥11旁边布置钝化部，例如又是根据前面的实施例的变化的钝化部。
通过结合图9A至10C示出的方法，可以通过湿化学蚀刻方法和干化学蚀刻方法的组合来制造电流挡板或模挡板作为模滤波结构6。通过在两个实施例中桥的上部分比和波引导相关的下部分更宽，可以产生与施加在桥上的电极（未示出）的较大接触面。由此可以减小激光光源的运行电压，由此效率升高。这尤其是对于具有基于GaN材料系统的半导体层序列10的激光光源可能有重要意义，因为在该材料系统的情况下接触电阻、尤其是p掺杂层是比较高的。
在图11A至14B中示出用于制造具有模滤波结构6的激光光源的方法，其中模滤波结构6通过修改半导体层序列10的半导体层材料或者半导体层顺序来产生。
在根据图11A至11C的实施例中，如在根据图9A至10C的前面的实施例中那样提供半导体层序列10，该半导体层序列10附加地在有源层40上方具有含铝的功能层47。在根据图11B的方法步骤中通过干化学蚀刻方法制造了桥11之后——其中在根据图11B的方法步骤中功能层47作为桥11的一部分被暴露出来，在另一方法步骤中通过氧化步骤氧化功能层47的暴露的侧面，使得功能层47在桥11的侧面具有氧化部471，该氧化部用作模滤波结构6以及因此用作电流挡板或模挡板。
结合图12A至12C示出用于制造根据另一实施例的激光光源的方法，其中在提供了半导体层序列10、施加了硬掩模7（图12A）和用于构造桥11的干化学蚀刻（图12B）之后，通过注入或者热过程——例如扩散到半导体层序列10的区域中——在桥11旁边以及至少部分地也在桥11下方引入材料65，该材料65改变半导体材料的传导性和/或是吸光的。由此可以借助于所引入的材料65产生用作电流挡板和/或模挡板的模滤波结构6。例如作为材料65可以引入硅作为掺杂物，硅可以改变在所示实施例中在有源层上方构造的p掺杂半导体层的传导性。替换于此地例如也可以引入氢，以便产生电绝缘区域。通过引入例如锗的吸光材料可以改变半导体层序列10的经改变区域的光学特性。
在根据图12C中的实施例将所述材料安置到有源层40上方的区域中时，还有可能的是，所述材料65被引入直至有源层或者甚至直至有源层的下方，如图12D的实施例中所示的。
在图13A至14B中示出另外的实施例，其中半导体层序列10中的模滤波结构6借助于在特定区域中损坏半导体层序列10的半导体材料来产生。
在图13A和13B的实施例中提供半导体层序列10，在该半导体层序列10中借助于短脉冲激光射线持续地损坏半导体材料，其中使材料蒸发。这种方法也可以称为“stealth dicing（隐形切割）”。尤其是在使用III-V族化合物半导体材料、例如氮化合物半导体材料（例如InGaN）时，可以通过聚焦的激光射线尤其是至少部分地使V族成分蒸发，由此产生受损结构66。受损结构66的损坏或产生在此可以如在图13A中所示那样在有源层40上方、在所示实施例中在p掺杂区域中进行。在根据图13B的另一方法步骤中通过干化学蚀刻制造桥11，其中在桥11旁边的受损结构66被暴露出来。
在根据图14A和14B的实施例中，在有源层40下方、在所示实施例中在半导体层序列10的n掺杂区域中制造受损结构66作为模滤波结构6。这可以如在图14A和14B中所示那样在制造了桥之后进行。替换于此地也可以在制造桥11之前产生具有受损结构66的区域。
此外还有可能的是，受损结构66要么从有源层40上方那侧要么从有源层40下方的区域一直伸入到有源层40中。此外还有可能的是，受损结构66在有源层40上方和下方产生以及此外还附加地在有源层40中产生。
除了结合图的实施例所示的模滤波结构以外，还可以在桥区域旁边或者在桥区域中存在其他蚀刻结构，所述其他蚀刻结构例如可以包含附加的吸收性的材料，以便更强烈地抑制较高的模。
在图15A至15G中示出具有模滤波结构6的激光光源的其他实施例，所述模滤波结构附加地充当散射光滤波器。散射光例如可以具有不相干的光，该不相干的光附加于相干的基模在有源区域中产生。散射光此外还可以具有较高的模，所述较高的模例如可以通过共振器中的不相干的散射光驱动地被起振和引导。因此通过由充当散射光滤波器的模滤波结构6减少散射光也可以抑制所述较高的模。此外，所示的模滤波结构6具有结合前面的实施例所述的特征，因此在后面不再探讨这些特征。尤其是在前面的实施例中所示的模滤波结构6还可以附加地具有在图15A至15G中所示的散射光滤波结构67。
前述具有模滤波结构6的激光光源中的至少几个基于较高的模比基模经历更大的损失并且由此被衰减。所述损失例如可以是散射损失。这可以意味着，散射光在桥11旁边的半导体层序列10的波导层中被引导并且最后在辐射输出耦合面12处出射，这导致远场中的干扰。根据图15A至15G中的实施例的模滤波结构6因此具有桥11旁边的附加的充当散射光滤波器的结构67。在此在图15A中示出在散射光滤波结构67的区域中的激光光源的示例性剖面图示，而图15B至15G示出半导体层序列10和桥11的俯视图。
散射光滤波结构67可以如在图15B至15G中所示那样位于沿着桥11的不同位置处，但是优选靠近辐射输出耦合面12布置。在此，散射光滤波结构67例如具有距辐射输出耦合面12小于300μm、优选小于100μm并且特别优选小于50μm的距离。
散射光滤波结构67例如可以具有或者是如图15A中所示的凹陷、例如蚀刻槽，该凹陷伸入到直至半导体层序列10的波导层中并且特别优选地穿过有源层40并且特别优选地伸入到或蚀刻进入到直至位于有源层40下方的覆盖层、例如n掺杂覆盖层中。优选的深度为1nm至10000nm之间并且特别优选地为100nm至2000nm之间，比有源层40深，其中分别包含边界。
散射光滤波结构67具有距桥11为0μm至20μm、优选0μm至6μm并且特别优选1μm至3μm的距离114。散射光滤波结构67的长度115为0.1μm至500μm之间，优选1μm至100μm之间，并且特别优选3μm至30μm之间，其中分别包含边界。散射光滤波结构67至少布置在桥11的一侧上，但是优选布置在桥11的两侧上，并且具有不同的形状，这些形状中的几个在图15B至15G中被纯示例性地示出。优选地将散射光滤波结构67构造为，使得散射光从桥散射出去或者被吸收。散射光滤波结构67为此可以优选被钝化层覆盖和/或填充有吸收性材料。
在各个图中所示的、具有模滤波结构的激光光源的实施例尤其是也可以彼此组合。模滤波结构的特别优选的组合可以是不同的桥宽度、也即变化的水平和/或竖直的桥宽度与变化的桥高度相组合和/或与沿着桥的变化的钝化部相组合和/或是最后所述的两个特征的组合。此外，针对模滤波结构的所述特征中的至少一个与弯曲的桥延伸方向的组合可以是特别有利的。模滤波结构的所述特征、也即尤其是所述特征中的至少一个或多个还可以特别有利地与至少一个桥侧面的经氧化的部分区域相组合和/或与引入到与桥邻接的功能层中的材料相组合和/或与至少一个功能层的受损区域相组合。通过模滤波结构的不同实施例和特征的组合可以相互组合各个变型的优点，而各个变型可能具有的缺点则可以通过同样这些组合和模滤波结构的另外的附加特征而得到补偿。
由此可以通过模滤波结构的不同设计和技术上的实现可能性提高光学单模运行中的输出功率，而不会以不期望的方式损害另外的激光器参数。
本发明不通过根据实施例的描述而被限制到这些实施例。更确切地，本发明包括每个新的特征以及这些特征的每种组合，这尤其是包含权利要求中的特征的每种组合，即使该特征或该组合本身并没有明确地在权利要求或实施例中加以说明。

Claims (15)

1.具有桥形波导结构的激光光源，包括
具有多个功能层（4）和有源区域（45）的半导体层序列（10），所述有源区域适于在运行时产生激光，
其中功能层（4）中的至少一个构造为桥形波导结构的桥（11），并且
其中半导体层序列（10）具有模滤波结构（6），所述模滤波结构构造为桥（11）的一部分和/或沿着功能层（4）的主延伸平面构造在桥（11）旁边和/或垂直于功能层（4）的主延伸平面构造在桥（11）下方。
2.根据权利要求1所述的激光光源，其中桥（11）具有垂直于功能层（4）的主延伸平面变化的桥高度（110、110'、110''）作为模滤波结构（6）。
3.根据权利要求2所述的激光光源，其中桥高度（110、110'、110''）沿着桥延伸方向（AA）变化。
4.根据权利要求2或3所述的激光光源，其中桥（11）通过两个沿着桥延伸方向（AA）走向的桥侧面（111、112）限制，并且这些桥侧面（111、112）具有至少部分不同的桥高度（110、110'）。
5.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中在桥（11）旁边作为模滤波结构（6）布置钝化部（63、64），所述钝化部沿着桥延伸方向（AA）变化。
6.根据权利要求5所述的激光光源，其中桥（11）通过两个沿着桥延伸方向（AA）走向的桥侧面（111、112）限制，并且在桥（11）旁边作为模滤波结构（6）在两个桥侧面（111、112）处布置不同的钝化部（63、64）。
7.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中桥（11）通过两个沿着桥延伸方向（AA）走向的桥侧面限制并且作为模滤波结构（6）具有桥侧面的至少一个部分区域的氧化部（471）。
8.根据权利要求7所述的激光光源，其中桥（11）具有含铝的功能层（47），该功能层在至少一个侧面处被氧化。
9.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中半导体层序列（10）具有至少一个功能层作为模滤波结构（6），该至少一个功能层在桥（11）旁边和/或在桥（11）下方至少部分地具有受损结构（66）。
10.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中桥（11）与半导体层序列（10）的、具有改变传导性和/或吸收光的材料（65）作为模滤波结构（6）的功能层邻接。
11.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中作为模滤波结构（6），桥（11）平行于功能层（4）的主延伸平面并且垂直于桥延伸方向（AA）具有变化的水平桥宽度（113、113'、113''）和/或垂直于功能层（4）的主延伸平面以及垂直于桥延伸方向（AA）具有变化的竖直桥宽度（113、113'）。
12.根据权利要求11所述的激光光源，其中水平桥宽度（113、113'、113''）具有至少一个增厚部（61）和/或收缩部（62）。
13.根据权利要求11或12所述的激光光源，其中竖直桥宽度（113、113'）具有收缩部（62），尤其是有源区域（45）的收缩部（62）。
14.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中在桥（11）旁边的模滤波结构（6）具有至少一个散射光滤波结构（67），该至少一个散射光滤波结构具有半导体层序列（10）中的凹陷。
15.根据前述权利要求之一所述的激光光源，其中桥（11）具有弯曲的桥延伸方向（AA、AA'、AA''）作为模滤波结构（6）。
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